JP2019077593A - シリコン単結晶の良否判別方法、シリコン単結晶の製造方法、およびシリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
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たとえば、特許文献1には、プラントの操作に利用する指令値およびプラントで計測される計測値と、プラントの状態を表す複数の変数で構成されるグループデータとに基づいて、MD(Mahalanobis Distance)値を算出し、算出されたMD値に基づいて、プラントの異常を判別する技術が開示されている。
シリコン単結晶の引き上げ制御データに基づいて、引き上げられた前記シリコン単結晶の良否判定をシリコン単結晶の良否判別方法であって、
前記シリコン単結晶の引き上げ開始から肩部形成までの引き上げ制御データ、および肩部形成後、直胴部形成の引き上げ制御データを抽出する引き上げ制御データ抽出ステップと、
前記肩部形成までの引き上げ制御データ、および前記直胴部形成の引き上げ制御データを連結し、前記シリコン単結晶の引き上げ開始時の引き上げ制御データを基準として、それぞれの引き上げ制御データの規格化処理を行う規格化処理ステップと、
規格化処理された前記引き上げ制御データの移動平均処理を行う移動平均処理ステップと、
移動平均処理された前記引き上げ制御データに対して、複数の標本線を設定し、それぞれの標本線と交差する前記引き上げ制御データの数を変化量として数値化し、前記引き上げ制御データの山の幅を存在量として数値化する波形処理ステップと、
前記シリコン単結晶の引き上げ制御データの単位空間を演算する単位空間演算ステップと、
数値化された前記引き上げ制御データの変化量および存在量に基づいて、演算された前記単位空間に対するMD値を算出するMD値算出ステップと、
算出されたMD値に基づいて、前記引き上げ制御データにより引き上げられたシリコン単結晶の格子間酸素濃度の良否を判別する良否判別ステップと、
を実施することを特徴とする。
また、移動平均処理を行うことにより、実績となる引き上げ制御データのノイズを除去して、MT解析を行うことができる。
さらに、波形処理ステップにより、引き上げ制御データを数値化することができるため、数値化された変化量および存在量に基づいて、MT解析を行うことができる。
そして、単位空間演算ステップ、MD値演算ステップ、および良否判別ステップにより、MT解析に基づいて、シリコン単結晶の良否判別を高精度に行うことができる。
したがって、MT解析を行う前に、実績となる引き上げ制御データのノイズを除去したり、適切に数値化することができるため、高精度のMT解析を行うことができ、シリコン単結晶の良否判別を高精度に行うことができる。
この発明によれば、再波形処理ステップを実施することにより、シリコン単結晶の格子間酸素濃度に影響を与える部分を中心に標本線を再設定することができるため、MD値算出ステップにより算出するMD値をより高精度に算出することができ、良否判別ステップによるシリコン単結晶の良否判別の精度が向上する。
シリコン単結晶の引き上げ制御データに基づいて、前記シリコン単結晶の引き上げを行うシリコン単結晶の製造方法であって、前述したシリコン単結晶の良否判別方法を実施する工程と、前記シリコン単結晶の良否判別方法の実施結果に基づいて、前記引き上げ制御データのうち、前記シリコン単結晶の格子間酸素濃度の変動に影響する制御因子を特定する工程と、特定された制御因子の変動量を監視しながら、前記シリコン単結晶の引き上げを行う工程と、を実施することを特徴とする。
図1には、本発明の実施形態に係るシリコン単結晶の製造方法を適用できるシリコン単結晶の引き上げ装置1の構造の一例を表す模式図が示されている。引き上げ装置1は、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶10を引き上げる装置であり、外郭を構成するチャンバ2と、チャンバ2の中心部に配置されるルツボ3とを備える。
ルツボ3は、内側の石英ルツボ3Aと、外側の黒鉛ルツボ3Bとから構成される二重構造であり、回転および昇降が可能な支持軸4の上端部に固定されている。
ルツボ3の上方には、支持軸4と同軸上で逆方向または同一方向に所定の速度で回転するワイヤなどの引き上げ軸7が設けられている。この引き上げ軸7の下端には種結晶8が取り付けられている。
熱遮蔽板12は、育成中のシリコン単結晶10に対して、ルツボ3内のシリコン融液9やヒーター5A、5Bやルツボ3の側壁からの高温の輻射熱を遮断するとともに、結晶成長界面である固液界面の近傍に対しては、外部への熱の拡散を抑制し、単結晶中心部および単結晶外周部の引き上げ軸方向の温度勾配を制御する役割を担う。
ガス導入口13からチャンバ2内に導入された不活性ガスは、育成中のシリコン単結晶10と熱遮蔽板12との間を下降し、熱遮蔽板12の下端とシリコン融液9の液面との隙間を経た後、熱遮蔽板12の外側、さらにルツボ3の外側に向けて流れ、その後にルツボ3の外側を下降し、排気口14から排出される。
前述した構造の引き上げ装置1により引き上げられたシリコン単結晶10は、図2(A)に示すように、製品ブロック101、102等に切断される。切断に際しては、製品ブロック101、102の端部において、サンプルウェーハSW1、SW2、SW3を採取し、それぞれのサンプルウェーハSW1、SW2、SW3について、格子間酸素濃度[Oi]を測定し、たとえばサンプルウェーハSW1、SW2の格子間酸素濃度[Oi]が所定の閾値以下となっていれば、製品ブロック101の格子間酸素濃度[Oi]は、すべて閾値以下であると判別し、次工程に送っている。
なお、製品ブロック101、102の全長に亘ってスキャンして格子間酸素濃度[Oi]を測定する方法もあるが、処理能力に問題があり、全数測定は不可能である。
そこで、本発明者らは、MT法を用いて引き上げ制御データの解析を行い、格子間酸素濃度[Oi]に影響を及ぼす因子を把握することとした。
図4には、本実施形態に係るシリコン多結晶の良否判別方法を示すフローチャートが示されている。
まず、シリコン単結晶10の引き上げ制御データにおける因子の抽出を行う(ステップS1:引き上げ制御データ抽出ステップ)。具体的には、引き上げ制御データとしては、シリコン単結晶10の直胴径、ヒーター5A、5Bのヒーターパワー、ヒーター5A、5Bの上下ヒーターパワー比、ヒーター温度、シリコン単結晶10の引き上げ速度(シード上昇速度)、ルツボ3の回転数、磁場強度等が挙げられるが、これらの中から、シリコン単結晶10の格子間酸素濃度[Oi]に影響を与える因子を抽出する。
具体的には、肩部形成までの引き上げ制御データにおいて、シリコン単結晶10の肩部引き上げ開始時の引き上げ制御データを基準として、直胴部の引き上げ制御データの変換処理を行って規格化する。
規格化された引き上げ制御データについて、移動平均処理を行う(ステップS3:移動平均処理ステップ)。具体的には、10分間の引き上げ制御データの平均値を算出し、これを引き上げ制御データの代表値とすることにより、引き上げ制御データのノイズを除去する。
具体的には、波形処理は、図5に示すように、引き上げ制御データL0に対して、複数の標本線L1から標本線L4を設定し、それぞれの標本線L1から標本線L4と交差する引き上げ制御データの数を変化量として数値化し、引き上げ制御データの山の幅を存在量として数値化する。たとえば、標本線L1の場合であれば、引き上げ制御データL0が交差する点の数が4であるから、変化量は4であり、山の幅W1+W2が存在量となる。また、標本線L2の場合であれば、引き上げ制御データL0が交差する点の数が6であるから、変化量は6であり、山の幅W3+W4+W5が存在量となる。標本線L3および標本線L4も同様である。なお、標本線の数は、4本に限られず、後述する単位空間を構成する合格品のシリコン単結晶10の引き上げ制御データの数に応じて、増加させることができる。
良否判別の精度が十分であるか否かを判定し(ステップS8)、良否判別の精度が悪い場合、ステップS4に戻り、複数の標本線を再設定し、再設定された複数本の標本線に基づいて、再波形処理ステップを実施して、以後ステップS5からステップS7を実施する。
以下、本発明者らが行った具体的な検証結果について、各ステップについて詳述する。
本発明者らは、図6に示すように、過去引き上げた複数のシリコン単結晶10のうち、格子間酸素濃度[Oi]が所定の閾値以下であった合格品(OK)37本と、所定の閾値を超えた不合格品(NG)9本とについて、シリコン単結晶10の直胴部の直径、ヒーター5A、5Bのパワー、ヒーター5A、5Bの上下パワー比、ヒーター温度、シード上昇速度、ルツボ3の回転数、磁場強度を、引き上げ制御データとして比較した。
しかしながら、合格品と不合格品の個々の制御データ同士を比較しただけでは、合格品と不合格品の明確な差異は認められなかった。そこで、シリコン単結晶10の直胴部の直径、ヒーター5A、5Bのヒーターパワー、ヒーター5A、5Bの上下パワー比、ヒーター温度、シード上昇速度を因子として、MT法による解析を行った。
まず、図7(A)には、シリコン単結晶10の直胴部の直径について、合格品(OK)と、不合格品(NG)のMD値を算出した結果をグラフ化したものが表示されている。
図7(A)の場合、不合格品について不合格品であると判別できたのは、不合格品9本のうち、22%(2本)しか不合格品を判別できず、シリコン単結晶10の直胴部の直径が、シリコン単結晶10の良否判別の引き上げ制御データとしては不適当であることがわかった。
さらに、図7(F)に示すように、引き上げ速度についても、不合格品9本のうち、11%(1本)しか不合格品を判別できず、シリコン単結晶10の良否判別の引き上げ制御データとして不適当であることがわかった。
また、図7(D)に示すように、ヒーター温度についても不合格品9本のうち、67%(6本)を不合格品であると判別することができ、シリコン単結晶10の良否判別の引き上げ制御データとして採用できる可能性があることが確認された。
以上より、ヒーターパワー、ヒーター温度を引き上げ制御データとして抽出し、シリコン単結晶10の格子間酸素欠陥濃度[Oi]の良否判定を行うこととした。
シリコン単結晶10の合格品の本数を、標本線を増やして判別精度を上げるため、37本から52本に増やし、シリコン単結晶10の合格品および不合格品について、MD値を算出した。図8(A)は、実績値に基づいてMD値を算出したものである。図8(B)は、シリコン単結晶10の直胴部の引き上げ制御データに、肩部形成までの引き上げ制御データを連結し、シリコン単結晶10の引き上げ開始時の制御データを基準として、規格化したものである。
実績値に基づく図8(A)では、不合格品9本のうち、不合格品であると判別できたのは、44%(4本)に止まった。
したがって、引き上げ制御データの規格化処理を行うことにより、引き上げ装置1のパーツ交換、経時変化等によるバッチ間のばらつきをキャンセルすることができるため、判別精度が向上することが確認された。
図9(A)に示すように、シリコン単結晶10の肩部形成位置で6本、シリコン単結晶10の直胴部形成位置で7本を、引き上げ制御データの変化の全体に対して、均等な間隔で標本線を設定した。それぞれの標本線と交差するヒーターパワーの引き上げ制御データの数を変化量として数値化し、引き上げ制御データの山の幅を存在量として数値化して、MD値を算出した。
シリコン単結晶10の肩部および直胴部のそれぞれにおいて、標本線を均等に配置した場合、図9(B)に示すように、不合格品9本のうち、不合格品であると判別できたのは、67%(6本)であった。
シリコン単結晶10の肩部および直胴部のそれぞれにおいて、標本線を密集させて配置した場合、図10(B)に示すように、不合格品9本のうち、不合格品であると判別できたのは、78%(7本)であった。
したがって、波形処理においては、シリコン単結晶10の引き上げ制御データに対して、シリコン単結晶10の肩部形成位置から直胴部に移行する位置において、標本線の配置を密にすることにより、不合格品の判別精度が向上することが確認できた。
引き上げ制御データに対して、10分間の移動平均処理を行うと、図11(A)に示すように、引き上げ制御データの波形が、ノイズが除去されて鮮明になる。移動平均処理後、シリコン単結晶10の不合格品9本のうち、図11(B)に示すように、不合格品であると判別できたのは89%(8本)であった。
図10(A)に示した移動平均処理を行わない引き上げ制御データにおける判別精度78%に対して、移動平均化処理を行うと、不合格品の判別精度は89%(8本)に上昇している。
本実施形態によれば、以下の事項が知見された。
引き上げ制御データとして、ヒーター5A、5BのヒーターパワーをMT法により解析することにより、引き上げられたシリコン単結晶10の格子間酸素濃度[Oi]のばらつきを89%の判別精度で判別することができることを確認できた。
MT法による解析を行うに際しては、事前に引き上げ制御データの規格化処理、移動平均処理、波形処理を行うことにより、シリコン単結晶10の合格品、不合格品の判別精度を高めることができることを確認できた。
シリコン単結晶10の引き上げに際しては、引き上げ制御データとして、ヒーター5A、5Bのヒーターパワーの監視を強化するのがよく、特に、肩部形成位置から直胴部形成位置に移行する部分における監視を強化することにより、格子間酸素濃度[Oi]のばらつきの少ないシリコン単結晶10を引き上げることができることが予測される。
次に、前述したシリコン単結晶10の良否判別方法に基づいて、シリコン単結晶10の引き上げを行うシリコン単結晶10の製造方法について、図12に示されるフローチャートに基づいて説明する。
シリコン単結晶10の引き上げ制御データに基づいて、シリコン単結晶10の良否判別方法を実施する(工程S1−S8)。
特定された制御因子の変動量を監視しながら、シリコン単結晶10の引き上げを行い、シリコン単結晶10を製造する(工程S10)。
次に、前述したシリコン単結晶10の製造方法により製造されたシリコン単結晶10からシリコンウェーハを切り出してシリコンウェーハを製造するシリコンウェーハの製造方法について、図13に示されるフローチャートに基づいて説明する。
シリコン単結晶10の製造方法によりシリコン単結晶10を製造する(工程S1−S10)。
シリコン単結晶10を所定の長さの複数のインゴットブロックに切断する(工程S12)。
それぞれのインゴットブロックの切断とともに、インゴットブロックの端部から複数の検査試料を採取する(工程S13)。
得られた複数の検査試料の品質検査を実施する(工程S14)。
品質検査を行った検査試料が規格外れであるかを判定する(工程S15)。
検査試料が規格範囲でないと判定されたら、当該部位をウェーハ加工工程に払い出す(工程S17)。
ウェーハ加工工程では、シリコンウェーハのスライスを行い、研削またはラッピング、面取り、エッチング、鏡面研磨等の加工を行う(工程S18)。
このような本実施形態によれば、シリコン単結晶10の引き上げ中に、前述したシリコン単結晶の良否判別方法を実施することにより、事前にシリコン単結晶10の格子間酸素濃度の変動に影響する制御因子を特定することができる。したがって、特定された制御因子の変動量を監視しながら、シリコン単結晶10の引き上げを行うことにより、格子間酸素濃度を変動の少ないシリコン単結晶10を得ることができ、不合格となるシリコン単結晶を次工程に送る確率を低減することができる。
ある工場におけるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)結晶(低酸素MCZ:200mm品)のシリコン単結晶10の引き上げにおいて、炉間、バッチ間のTopにおける格子間酸素濃度[Oi]のばらつきが問題になった。
そこで、前述したMT法による解析を行った結果、ヒーター5A、5Bのパワーの挙動が格子間酸素濃度[Oi]に影響することが明確になった。
改善前の比較例においては、シリコン単結晶10の肩部後半(特に肩変え前)の急激な形状変化が、ヒーターパワー変動(高パワー化)を誘発し、直胴部Bodyの前半部(100mm付近)まで直径、パワー変動の影響を受けている。具体的には、図14に示すように、ヒーター5A、5Bのパワー挙動が変動し、肩部後半において、ヒーターパワー挙動が上昇気味に直胴部Bodyに移行している。
また、改善前後のシリコン単結晶10中の格子間酸素濃度[Oi]を比較すると、図17に示すように、改善前である比較例の格子間酸素濃度[Oi]の平均値に対して、改善後である実施例の格子間酸素濃度[Oi]の平均値は、0.3×1017atoms/cm3低下しており、実施例では、格子間酸素濃度[Oi]の規格値を超えるシリコン単結晶10の部位は生じなかった。
格子間酸素濃度[Oi]は、すべてASTM F−121(1979)に規格されたFTIR(Fourier Transform Infrared Spectroscopy:フーリエ変換分光法)による測定値である。
以上のことから、本発明のシリコン単結晶の良否判別方法を実施して、シリコン単結晶を製造することにより、格子間酸素濃度[Oi]の平均値レベルの低いシリコン単結晶10を得ることができることが確認された。
Claims (4)
- シリコン単結晶の引き上げ制御データに基づいて、引き上げられた前記シリコン単結晶の良否判定を評価するシリコン単結晶の良否判別方法であって、
前記シリコン単結晶の引き上げ開始から肩部形成までの引き上げ制御データ、および肩部形成後、直胴部形成の引き上げ制御データを抽出する引き上げ制御データ抽出ステップと、
前記肩部形成までの引き上げ制御データ、および前記直胴部形成の引き上げ制御データを連結し、前記シリコン単結晶の引き上げ開始時の引き上げ制御データを基準として、それぞれの引き上げ制御データの規格化処理を行う規格化処理ステップと、
規格化処理された前記引き上げ制御データの移動平均処理を行う移動平均処理ステップと、
移動平均処理された前記引き上げ制御データに対して、複数の標本線を設定し、それぞれの標本線と交差する前記引き上げ制御データの数を変化量として数値化し、前記引き上げ制御データの山の幅を存在量として数値化する波形処理ステップと、
前記シリコン単結晶の引き上げ制御データの単位空間を演算する単位空間演算ステップと、
数値化された前記引き上げ制御データの変化量および存在量に基づいて、演算された前記単位空間に対するMD(Mahalanobis Distance)値を算出するMD値算出ステップと、
算出されたMD値に基づいて、前記引き上げ制御データにより引き上げられたシリコン単結晶の格子間酸素濃度の良否を判別する良否判別ステップと、
を実施することを特徴とするシリコン単結晶の良否判別方法。 - 請求項1に記載のシリコン単結晶の良否判別方法において、
前記良否判別ステップによる前記シリコン単結晶の格子間酸素濃度の良否の判別精度が悪い場合に、複数の標本線を再設定し、再設定された複数の標本線に基づいて、波形処理を行う再波形処理ステップを実施し、前記単位空間演算ステップ、前記MD値算出ステップ、および前記良否判別ステップを実施することを特徴とするシリコン単結晶の良否判別方法。 - シリコン単結晶の引き上げ制御データに基づいて、前記シリコン単結晶の引き上げを行うシリコン単結晶の製造方法であって、
請求項1または請求項2に記載のシリコン単結晶の良否判別方法を実施する工程と、
前記シリコン単結晶の良否判別方法の実施結果に基づいて、前記引き上げ制御データのうち、前記シリコン単結晶の格子間酸素濃度の変動に影響する制御因子を特定する工程と、
特定された制御因子の変動量を監視しながら、前記シリコン単結晶の引き上げを行う工程と、
を実施することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 請求項3に記載のシリコン単結晶の製造方法により得られたシリコン単結晶からシリコンウェーハを切り出してシリコンウェーハを製造するシリコンウェーハの製造方法であって、
前記シリコン単結晶の引き上げを行う工程を実施して、品質が規格外れと予想される前記シリコン単結晶の部位から検査試料を切り出し、品質評価を行うことにより規格外れ部位を確認し、規格外れ部位をウェーハ加工工程に流動させないことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
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