JP2019075220A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】パーティクルによる電極間の短絡を防止すること。【解決手段】表示装置は、絶縁表面の上に配置された第１導体パターンと、前記絶縁表面の上に、前記第１導体パターンと離隔して配置された第２導体パターンと、を有し、平面視において、前記第１導体パターンの第１辺及び前記第２導体パターンの第２辺は、それぞれ複数の辺で構成されるとともに互いに向かい合い、前記第１辺及び前記第２辺を構成する複数の辺の最大の長さが、前記第１辺と前記第２辺との間の最小距離よりも短い。【選択図】図４

Description

本発明は、表示装置に関する。特に、発光素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子を有する有機ＥＬ表示装置に関する。
近年、携帯端末などの表示画面に使用するディスプレイとして、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に比べてコントラスト特性及び視野角特性が良いといった利点を有する。そのため、液晶表示装置に代わるディスプレイとして、有機ＥＬ表示装置の開発が急がれている。
有機ＥＬ表示装置が備える有機ＥＬ素子は、アノード（陽極）とカソード（陰極）の間に、発光材料として有機ＥＬ材料を設けた構造を有する。有機ＥＬ素子は、アノードとカソードとを用いて有機ＥＬ材料に電圧をかけることにより発光する。現時点においては、カソード側から光を取り出す構造の有機ＥＬ素子が主流となっている。この場合、発光効率を高めるため、アノードには反射性の高い金属材料が用いられる。近年では、反射機能を有する金属膜と透明導電膜との積層構造を有する画素電極を用いた有機ＥＬ表示装置が開発されている（例えば特許文献１）。
特開２０１４−１４５８５７号公報
画素電極を有機ＥＬ素子のアノード電極とする場合、アノード電極の最表面となる材料は、仕事関数の大きい材料であることが望ましい。そのため、上述の反射機能を有する金属膜と透明導電膜との積層構造を有する画素電極を用いる場合、金属膜の上には、仕事関数の大きい透明導電膜を積層する。このとき、金属膜と透明導電膜のエッチングレートの差によってパーティクルが発生する場合がある。この点について、図１１〜図１４を用いて説明する。
図１１は、金属膜と透明導電膜との積層構造を有する導体パターンの構造を示す断面図である。図１１に示されるように、金属膜９１のエッチングレートが透明導電膜９２のエッチングレートよりも大きい場合、エッチング処理の進行に伴い、透明導電膜９２の端部が金属膜９１の端部に比べて外側に突出する場合がある。つまり、導体パターン９０の透明導電膜９２の端部には、金属膜９１の端部からひさし状に突出した突出部９２ａが形成される。
図１２は、隣接する導体パターンの間にパーティクルが発生した状態を示す平面図である。導体パターン９０ａ及び導体パターン９０ｂは、それぞれ図１１に示した突出部９２ａを有する。このような導体パターン９０ａ及び導体パターン９０ｂが後続の処理に進むと、何らかの衝撃等により突出部９２ａが脱落し、パーティクル９２ｂが発生する。例えば、図１２に示されるように、突出部９２ａが脱落することにより、細長い形状のパーティクル９２ｂが発生する場合もある。
この場合、図１２に示されるように、パーティクル９２ｂの一方の端部が導体パターン９０ａと接触し、他方の端部が導体パターン９０ｂと接触することが起こり得る。つまり、透明導電膜で構成されるパーティクル９２ｂが、導体パターン９０ａと導体パターン９０ｂとを短絡させてしまう場合がある。このような短絡が生じると、表示装置の動作不良を招く結果となり、信頼性を低下させる要因となり得る。
図１３は、隣接する導体パターンの間が短絡した場合における動作不良の一例を示す回路図である。図１４は、画素回路の構成の一例を示す回路図である。図１３において、有機ＥＬ表示装置１３００は、基板１３０１上に画素領域１３０２、走査線駆動回路１３０３ａ及び１３０３ｂ、映像信号線駆動回路１３０４、並びに端子部１３０５を有する。画素領域１３０２には、複数のサブ画素１３１１〜１３１６が設けられている。なお、実際には、さらに多くのサブ画素が配置されるが、ここではサブ画素１３１１〜１３１６の６つの画素について例示する。
また、図１４に示されるように、各サブ画素１３１１〜１３１６は、それぞれ画素回路１３１０を有している。画素回路１３１０には、スイッチング用素子１３１０ａ、駆動用素子１３１０ｂ、保持容量１３１０ｃ、及び発光素子１３１０ｄが含まれる。スイッチング用素子１３１０ａは、Ｎチャネル型ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で構成され、駆動用素子１３１０ｂは、Ｐチャネル型ＴＦＴで構成されている。画素回路１３１０の構成は公知であるため、詳細な説明は省略する。
図１３において、サブ画素１３１１及び１３１４は、それぞれ赤色に対応する画素である。サブ画素１３１２及び１３１５は、それぞれ緑色に対応する画素である。サブ画素１３１３及び１３１６は、それぞれ青色に対応する画素である。この場合、サブ画素１３１１〜１３１３で１つの画素を構成している。つまり、サブ画素１３１１〜１３１３の発光状態を独立に制御することにより、１つの画素として様々なカラー表示が可能となる。この点については、サブ画素１３１４〜１３１６についても同様である。
サブ画素１３１１〜１３１３は、いずれも正常に動作している画素である。ここでは、サブ画素１３１１〜１３１３で構成される画素を発光色Ａで発光させているものとする。また、サブ画素１３１４〜１３１６で構成される画素についても、同様に発光色Ａで発光させようとしているものとする。なお、図１３では、各画素１３１１〜１３１６の発光状態の相違をハッチングで示している。
ここで、図１３において、サブ画素１３１４〜１３１６のうち、サブ画素１３１４とサブ画素１３１５は、図１２で示したパーティクル９２ｂによって短絡している。これは、サブ画素１３１４の駆動用素子１３１０ｂのドレインとサブ画素１３１５の駆動用素子１３１０ｂのドレインとが導通した状態にあることを意味する。図１３では、この状態を二点破線１３２０で示している。その結果、赤色に対応するサブ画素１３１４及び緑色に対応するサブ画素１３１５は、それぞれ正常に動作している赤色に対応するサブ画素１３１１及び緑色に対応するサブ画素１３１２と異なる輝度で発光している。
サブ画素１３１４の駆動用素子１３１０ｂのドレインとサブ画素１３１５の駆動用素子１３１０ｂのドレインとが導通した場合、それぞれの発光素子１３１０ｄに流れる電流が本来の制御値から変化してしまう。つまり、サブ画素１３１４とサブ画素１３１５をそれぞれ独立に制御することが不可能となり、それぞれの発光素子１３１０ｄを流れる電流が、相互に影響を受けてしまうという問題が生じる。その結果、サブ画素１３１４〜１３１６から発するＲＧＢの３つの色は、制御された比率とは異なる比率で合成される。
以上のように、隣接するサブ画素の画素電極がパーティクル等によって短絡した場合、隣接するサブ画素を独立に制御することができなくなる。その結果、複数のサブ画素で構成される各画素の発光色を正確に制御することができなくなり、有機ＥＬ表示装置の動作不良を招くという問題がある。
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、パーティクルによる電極間の短絡を防止することを課題とする。
本発明の一実施形態における表示装置は、絶縁表面の上に配置された第１導体パターンと、前記絶縁表面の上に、前記第１導体パターンと離隔して配置された第２導体パターンと、を有し、平面視において、前記第１導体パターンの第１辺及び前記第２導体パターンの第２辺は、それぞれ複数の辺で構成されるとともに互いに向かい合い、前記第１辺及び前記第２辺を構成する複数の辺の最大の長さが、前記第１辺と前記第２辺との間の最小距離よりも短い。
第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を示す平面図である。 第１実施形態における画素の構成を示す断面図である。 第１実施形態における画素電極の構成を示す断面図である。 第１実施形態における画素電極の構成を示す平面図である。 第１実施形態における画素電極の一部の構成を拡大した平面図である。 第１実施形態における画素電極の一部の構成を拡大した平面図である。 第２実施形態における画素電極の構成を示す平面図である。 第３実施形態における画素電極の構成を示す平面図である。 第４実施形態における画素電極の構成を示す平面図である。 第５実施形態における画素電極の構成を示す平面図である。 金属膜と透明導電膜との積層構造を有する導体パターンの構造を示す断面図である。 隣接する導体パターンの間にパーティクルが発生した状態を示す平面図である。 隣接する導体パターンの間が短絡した場合における動作不良の一例を示す回路図である。 画素回路の構成の一例を示す回路図である。
以下、本発明の実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
また、本明細書および特許請求の範囲において、「上」及び「下」とは、基板における電気光学素子が形成される側の面（以下、単に「表面」という。）を基準とした相対的な位置関係を指す。例えば、本明細書では、基板の表面から遠ざかる方向を「上」と言い、基板の表面に近づく方向を「下」と言う。
「表示装置」とは、電気光学層を用いて映像を表示する構造体を指す。例えば、表示装置という用語は、電気光学層を含む表示セルを指す場合もあるし、表示セルに対して他の光学部材（例えば、偏光部材、バックライト、タッチパネル等）を装着した構造体を指す場合もある。ここで、「電気光学層」には、技術的な矛盾を生じない限り、液晶層、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）層、エレクトロクロミック（ＥＣ）層、電気泳動層が含まれ得る。したがって、後述する実施形態について、表示装置として、有機ＥＬ層を含む有機ＥＬ表示装置を例示して説明するが、上述した他の電気光学層を含む表示装置への適用を排除するものではない。
（第１実施形態）
＜表示装置の構成＞
本実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。有機ＥＬ表示装置は、電気光学素子として有機ＥＬ素子を用いた表示装置である。
図１は、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００の構成を示す平面図である。図１において、アレイ基板１０１は、支持基板（図示せず）の表面側に有機ＥＬ素子を含む複数の画素が形成された基板である。アレイ基板１０１は、アクティブマトリクス基板と呼ばれる場合もある。
アレイ基板１０１は、画素領域２０及び周辺領域２２を含む。画素領域２０には、有機ＥＬ素子を含む画素２０ａが複数配置される。具体的には、画素２０ａは、図１に示されるＤ１方向（行方向）及びＤ２方向（列方向）に並び、全体としてマトリクス状に配置される。周辺領域２２には、画素２０ａに信号を伝達する回路（例えば、シフトレジスタ回路など）が配置される。ただし、本実施形態において、周辺領域２２にどのような回路要素が配置されるかについては、特に制限はない。なお、画素領域２０には、実際に映像表示に寄与する画素だけでなく、映像表示に寄与しないダミー画素が設けられていてもよい。この場合、映像表示に寄与する画素が設けられた領域を表示領域と呼ぶ場合がある。
アレイ基板１０１は、周辺領域２２の一部として端子領域２４を含む。端子領域２４には、複数の配線が集約され、それらの配線に対してフレキシブルプリント回路基板２６が電気的に接続される。フレキシブルプリント回路基板２６を介して外部装置から伝達された信号（例えば映像信号）は、端子領域２４から延びる複数の配線を介して画素２０ａに伝達される。
本実施形態では、フレキシブルプリント回路基板２６に対してＩＣチップ等で構成される駆動回路２８が実装されている。駆動回路２８は、周辺領域２２に配置されたシフトレジスタ回路等に対してスタートパルスなどの制御信号を送ったり、映像信号に対して所定の信号処理を施したりする役割を有する。ただし、駆動回路２８は必須の構成ではなく、省略することも可能である。
次に、本実施形態における有機ＥＬ表示装置１００の画素２０ａの構成について説明する。図１に示した画素２０ａは、実際には、ＲＧＢの３つの色に対応した３つの副画素（サブピクセル）で構成される。しかしながら、ここでは説明の便宜上、１つの副画素について説明する。
図２は、第１実施形態における画素２０ａの構成を示す断面図である。図２において、支持基板２０１上には、下地膜２０３を介して薄膜トランジスタ５０が設けられている。本実施形態では、支持基板２０１としてガラス基板を用いるが、アクリル、ポリイミド等の樹脂材料で構成される基板を用いてもよい。下地膜２０３としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を用いる。
薄膜トランジスタ５０は、いわゆるトップゲート型の薄膜トランジスタである。しかし、これに限らず、どのようなタイプの薄膜トランジスタを設けてもよい。図２に示す薄膜トランジスタ５０は、有機ＥＬ素子６０に対して電流を供給する駆動用トランジスタとして機能する。また、本実施形態では、薄膜トランジスタ５０として、Ｎチャネル型トランジスタを用いる。なお、薄膜トランジスタ５０の構造は、公知の構造であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
薄膜トランジスタ５０には、保持容量５５が接続される。保持容量５５は、薄膜トランジスタ５０を構成する、２つの導電膜とその間に設けられた絶縁膜とを利用して構成することができる。例えば、本実施形態の保持容量５５は、薄膜トランジスタ５０の活性層を構成する半導体層、ゲート絶縁膜、及び容量電極（ゲート電極と同時に形成される電極）を用いて形成することができる。ただし、保持容量５５の構造は、これに限られるものではない。
薄膜トランジスタ５０は、有機絶縁膜２０５で覆われている。有機絶縁膜２０５は、薄膜トランジスタ５０の形状に起因する起伏を平坦化する平坦化膜として機能する。本実施形態では、有機絶縁膜２０５として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂材料を含む絶縁膜を用いる。
有機絶縁膜２０５には、開口部２０５ａが設けられる。開口部２０５ａは、酸化物導電膜２０７で覆われる。本実施形態では、酸化物導電膜２０７として、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｉｘｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｉｘｄｅ）等の金属酸化物材料で構成される薄膜をパターン化したものを用いる。しかし、これに限らず、他の酸化物導電膜を用いてもよい。酸化物導電膜２０７は、開口部２０５ａによって露出した薄膜トランジスタ５０の一部（具体的には、ソース電極）に接続されている。
さらに、有機絶縁膜２０５の上面には、酸化物導電膜２０７と同時に形成された酸化物導電膜を用いて保持容量５７の下部電極２０９が形成されている。下部電極２０９は、有機ＥＬ素子６０の下方に設けられている。後述するように、本実施形態の有機ＥＬ素子６０は、上方に向かって光を出射する構成となっているため、有機ＥＬ素子６０の下方の空間を利用して保持容量５７を形成することが可能である。
なお、図２では図示を省略するが、酸化物導電膜２０７及び保持容量５７の下部電極２０９の形成に用いた酸化物導電膜を、別の用途（例えば配線）として用いることも可能である。その際、配線として使用する酸化物導電膜の上に金属膜を重ねて配置することにより、配線抵抗を下げることもできる。金属酸化物で構成される酸化物導電膜は、金属膜に比べて抵抗が高いため、配線として用いる場合は、金属膜を重ねて全体の抵抗を下げることが好ましい。このとき、前述の酸化物導電膜２０７は、金属膜を形成する際に、薄膜トランジスタ５０のソース電極をエッチングガスから保護する保護膜としても機能する。
酸化物導電膜２０７及び下部電極２０９の上には、無機絶縁膜２１１が設けられている。本実施形態では、無機絶縁膜２１１として、窒化シリコン膜を用いるが、これに限らず、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などの他の無機絶縁膜を用いることもできる。無機絶縁膜２１１には、有機絶縁膜２０５を露出させる開口部２１１ａが設けられている。開口部２１１ａは、水抜き領域６５として機能する。水抜き領域６５は、有機絶縁膜２０５を形成した後の加熱工程により有機絶縁膜２０５から発生した水分等を外部に逃がす役割を果たす。
無機絶縁膜２１１の上には、画素電極２１３が設けられる。画素電極２１３は、無機絶縁膜２１１に設けられた開口部２１１ｂを介して酸化物導電膜２０７に接続される。すなわち、画素電極２１３は、酸化物導電膜２０７を介して薄膜トランジスタ５０に接続される。また、画素電極２１３は、保持容量５７の上部電極としても機能すると共に、有機ＥＬ素子６０の陽極（アノード電極）としても機能する。
なお、前述のとおり、画素領域２０には、複数の画素２０ａがマトリクス状に配置されるため、画素電極２１３もマトリクス状に複数配置される。本実施形態では、画素電極２１３の構成については後述する。
本実施形態では、画素電極２１３として、酸化物導電膜（透明導電膜）で銀を含む層を挟んだ積層構造の導電膜を用いる。具体的には、図３に示されるように、画素電極２１３は、ＩＺＯ層２１３ａ、銀層２１３ｂ及びＩＺＯ層２１３ｃで構成される。ただし、ＩＺＯ層２１３ａ、２１３ｃに代えてＩＴＯ層を用いることも可能である。有機ＥＬ素子６０から発した光が上方に出射するように構成するためには、画素電極２１３は、反射機能を有する導電膜を含むことが望ましい。そのため、本実施形態では、画素電極２１３の一部に、反射率の高い銀又は銀合金を含む金属材料で構成された層を用いている。
また、本実施形態では、保持容量５７の誘電体が他の絶縁膜に比べて誘電率の高い窒化シリコン膜であるため、大きな容量を確保しやすいという利点を有する。さらに、有機ＥＬ素子６０の下方の空間を有効活用して配置することができるため、保持容量５７の占有面積を大きく確保しやすいという利点を有する。
画素電極２１３は、その一部が、有機材料で構成されるバンク２１５に覆われている。具体的には、バンク２１５は、画素電極２１３の端部を覆うと共に、画素電極２１３の上面の一部を露出させる開口部２１５ａを有している。このようにして露出した画素電極２１３の上面の一部が、画素２０ａの実質的な発光領域となる。つまり、バンク２１５は、画素２０ａの発光領域を画定する役割を持つ。バンク２１５を構成する有機材料としては、感光性アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の樹脂材料を用いることができるが、これに限られるものではない。
画素電極２１３の上面のうちバンク２１５に重畳しない領域（すなわち、開口部２１５ａの内側の領域）には、有機ＥＬ層２１７が設けられる。本実施形態では、有機ＥＬ層２１７は、有機ＥＬ材料を蒸着法により成膜して形成する。有機ＥＬ層２１７は、少なくとも発光層（図示せず）を含み、その他に、電子注入層、電子輸送層、電子ブロッキング層、正孔注入層、正孔輸送層及び／又は正孔ブロッキング層を含むことができる。有機ＥＬ層２１７は、例えば赤色、青色、緑色のいずれかに発光する有機ＥＬ材料を用いることができる。
なお、本実施形態では、画素ごとに発光色の異なる発光層を設ける構成を例示するが、これに限るものではない。例えば、図示は省略するが、白色発光の有機ＥＬ層を複数の画素にわたって設けることができる。この場合、白色の光を各画素に設けたカラーフィルタでＲＧＢの各色に分離する。また、電子注入層、電子輸送層、電子ブロッキング層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層といった機能層については、複数の画素にわたって設けられていてもよい。
有機ＥＬ層２１７の上には、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む導電膜で構成される共通電極２１９が設けられる。アルカリ金属又はアルカリ土類金属としては、例えばマグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）などを用いることができる。本実施形態では、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む導電膜として、マグネシウムと銀の合金であるＭｇＡｇ膜を用いる。共通電極２１９は、有機ＥＬ素子６０の陰極（カソード電極）として機能する。また、共通電極２１９は、複数の画素にわたって設けられる。
有機ＥＬ層２１７からの出射光を上面側、つまり共通電極２１９側に取り出すトップエミッション型の表示装置とする場合、共通電極２１９には光に対する透過性が要求される。共通電極２１９として前述のアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む導電膜を用いる場合、光に対する透過性を付与するために、共通電極２１９の膜厚を出射光が透過する程度に薄くする。具体的には、共通電極２１９の膜厚を１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることで光に対する透過性を付与することができる。
上述の画素電極２１３、有機ＥＬ層２１７及び共通電極２１９によって有機ＥＬ素子６０が構成される。
共通電極２１９の上（つまり、有機ＥＬ素子６０の上）には、封止膜２２１が設けられる。本実施形態の封止膜２２１は、下方から順に、無機材料で構成される第１封止膜２２１ａ、有機材料で構成される第２封止膜２２１ｂ及び無機材料で構成される第３封止膜２２１ｃの三層で構成されている。これらの封止膜は、外部からの水分等の侵入を防ぎ、有機ＥＬ層２１７及び共通電極２１９の劣化を防ぐ役割を果たす。
本実施形態では、第１封止膜２２１ａ及び第３封止膜２２１ｃとして、窒化シリコン膜を用いる。しかし、これに限らず、窒化シリコン膜に代えて酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜を用いてもよい。つまり、第１封止膜２２１ａとしては、無機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜としては、特にシリコン窒化物を含む絶縁膜を用いることが好ましい。
また、第２封止膜２２１ｂとして、樹脂材料で構成された有機絶縁膜を用いる。本実施形態では、第２封止膜２２１ｂとして樹脂材料で構成される有機絶縁膜を用いることにより、バンク２１５により形成された起伏を平坦化することができる。第１封止膜２２１ａは、膜厚が１μｍ前後であるため、バンク２１５の傾斜面に沿って形成される。これに対し、第２封止膜２２１ｂは、１０μｍ前後の膜厚で形成されるため、バンク２１５に設けられた開口部２１５ａ等の段差を十分に埋めることが可能である。したがって、第２封止膜２２１ｂとして有機絶縁膜を用いることにより、第１封止膜２２１ａの上面に生じた凹凸よりも、第２封止膜２２１ｂの上面に生じた凹凸を小さくすることができる。
＜画素電極の構成＞
本実施形態では、画素電極２１３の輪郭を矩形波状に加工している。その点について以下に説明する。
図４は、第１実施形態における画素電極２１３の構成を示す平面図である。具体的には、図４は、図１の画素２０ａを構成する３つのサブ画素のそれぞれに含まれる画素電極２１３Ｒ、２１３Ｇ及び２１３Ｂの構成を示している。画素電極２１３Ｒ、２１３Ｇ及び２１３Ｂは、それぞれ、赤色、緑色及び青色に対応するサブ画素の画素電極である。本実施形態では、赤色、緑色、青色の３色に対応するサブ画素を組み合わせて１つの画素２０ａを構成する例を示すが、画素の構成はこれに限られるものではない。
図４に示されるように、画素電極２１３Ｒと画素電極２１３Ｇは、Ｄ１方向において隣接している。なお、以下の説明において、画素電極２１３Ｒ及び画素電極２１３Ｇの関係に着目して説明を行うが、画素電極２１３Ｇ及び画素電極２１３Ｂ、又は画素電極２１３Ｂ及び画素電極２１３Ｒの関係についても同様である。
ここで、画素電極２１３Ｒ及び画素電極２１３Ｇの互いに向かい合う辺を、それぞれ辺２１３Ｒａ及び辺２１３Ｇａとする。本実施形態において、画素電極２１３Ｒの辺２１３Ｒａ及び画素電極２１３Ｇの辺２１３Ｇａは、それぞれ矩形波状の形状を有する。矩形波状とは、図４に示されるように、凹部と凸部が繰り返されるような形状と言い換えることもできる。したがって、画素電極２１３Ｒの辺２１３Ｒａと画素電極２１３Ｇの辺２１３Ｇａとの間には、幅Ｗ１の間隙と幅Ｗ２の間隙を有する。
図４に示されるように、幅Ｗ１の間隙は、画素電極２１３Ｒと画素電極２１３Ｇとが最も近づいている部分の間隙である。また、幅Ｗ２の間隙は、画素電極２１３Ｒと画素電極２１３Ｇとが最も遠ざかっている部分の間隙である。すなわち、本実施形態において、画素電極２１３Ｒの辺２１３Ｒａと画素電極２１３Ｇの辺２１３Ｇａとの間の最小距離は、Ｗ１である。
また、画素電極２１３Ｒの辺２１３Ｒａと画素電極２１３Ｇの辺２１３Ｇａは、それぞれ複数の辺で構成される。この点について、図５を用いて説明する。
図５は、第１実施形態における画素電極２１３Ｒ及び画素電極２１３Ｇの一部の構成を拡大した平面図である。図５に示されるように、画素電極２１３Ｒの辺２１３Ｒａは、複数の辺Ｒａ１、Ｒａ２及びＲａ３を含む。辺Ｒａ１は、凸部５０１Ｒの頂部に相当する辺である。辺Ｒａ２は、凹部５０２Ｒの底部に相当する辺である。辺Ｒａ３は、凸部５０１Ｒ又は凹部５０２Ｒの側部に相当する辺である。つまり、辺２１３Ｒａは、辺Ｒａ１、Ｒａ２及びＲａ３が繰り返し連なることにより構成されている。
なお、ここでは画素電極２１３Ｒについて説明しているが、画素電極２１３Ｇも同様の構成を有している。すなわち、画素電極２１３Ｇも、凸部５０１Ｇ及び凹部５０２Ｇを有し、辺２１３Ｇａは、辺Ｇａ１、Ｇａ２及びＧａ３が繰り返し連なることにより構成されている。
ここで、図５において、辺Ｒａ１、Ｒａ２及びｒａ３の長さを、それぞれＬ１、Ｌ２及びＬ３とする。このとき、本実施形態では、辺Ｒａ１、Ｒａ２及びｒａ３の長さの間に、Ｌ３＜Ｌ１＝Ｌ２の関係がある。つまり、辺２１３Ｒａを構成する複数の辺Ｒａ１、Ｒａ２及びｒａ３のうち、Ｒａ１（又はＲａ２）が最大の長さを有する。
なお、本実施形態では、Ｌ１とＬ２を同じ長さとしているが、Ｌ１とＬ２を互いに異なる長さとしてもよい。例えば、図６に示されるように、Ｌ１よりもＬ２を長くすることも可能である。
そして、本実施形態では、図５に示されるように、辺２１３Ｒａを構成する複数の辺Ｒａ１、Ｒａ２及びｒａ３の最大の長さ（すなわち、辺Ｒａ１の長さ）が、辺２１３Ｒａと辺２１３Ｇａとの間の最小距離（すなわち、幅Ｗ１）よりも短い。つまり、仮に、画素電極２１３Ｒが図１０に示した突出部９２ａのような部分を有し、辺Ｒａ１、Ｒａ２及びｒａ３のいずれかの辺が脱落したとしても、画素電極２１３Ｒと画素電極２１３Ｇとの間に跨って位置することはない。したがって、辺Ｒａ１、Ｒａ２及びｒａ３のいずれかがパーティクルになってしまったとしても、画素電極２１３Ｒと画素電極２１３Ｇとを短絡させてしまうことがない。
以上のように、本実施形態では、画素電極２１３の各辺に矩形波状の加工を施して各辺を複数の辺に分割した構成としている。また、その際、隣接する画素電極２１３の間の向かい合う辺において、それぞれの辺を構成する複数の辺の最大の長さが、向かい合う辺の間の最小距離よりも小さくなる。これにより、隣接する画素電極２１３の間のパーティクルによる短絡を防止することができ、表示装置の歩留まり及び信頼性を向上させることができる。
（第２実施形態）
本実施形態では、画素電極の構成を第１実施形態とは異ならせた例について説明する。なお、本実施形態では、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と共通する部分には、同一の符号を付して説明を省略することがある。
図７は、第２実施形態における画素電極７０１の構成を示す平面図である。本実施形態の画素電極７０１は、Ｄ２方向に沿う辺７０１ａと、辺７０１ａと交差し、Ｄ１方向に沿う辺７０１ｂとを有する。また、本実施形態において、辺７０１ａを構成する複数の辺は、それぞれＬ１、Ｌ２及びＬ３の長さを有する。これに対し、辺７０１ｂを構成する複数の辺は、それぞれＬ４、Ｌ５及びＬ６の長さを有する。
このとき、それぞれの長さには、Ｌ１＞Ｌ４、Ｌ２＞Ｌ５、及びＬ３＝Ｌ６の関係がある。すなわち、辺７０１ａに比べて辺７０１ｂの方が凹部と凸部の繰り返し周期が短い。すなわち、辺７０１ｂを構成する複数の辺の最大の長さ（Ｌ４）は、辺７０１ａを構成する複数の辺の最大の長さ（Ｌ１）よりも短い。なお、ここでは、Ｌ３とＬ６を同じ長さとしているが、互いに異なる長さとすることも可能である。
Ｄ２方向において画素電極７０１と隣接する他の画素電極（図示せず）との距離が、Ｄ１方向において隣接する他の画素電極（図示せず）との距離よりも短い場合には、本実施形態のように、Ｄ２方向における距離に応じて、Ｌ１（又はＬ２）よりもＬ４（又はＬ５）を短くすればよい。つまり、Ｄ２方向において隣接する画素電極間の距離が近い場合は、長いパーティクルが発生しないように、出来るだけ辺７０１ｂを構成する複数の辺の最大の長さを短くすることが望ましい。
本実施形態によれば、Ｄ１方向において隣接する画素電極間の距離と、Ｄ２方向において隣接する画素電極間の距離とが異なる場合に、それぞれの距離に応じて凹部と凸部の繰り返し周期を異ならせることができる。これにより、画素電極間の距離に応じて、適切に隣接する画素電極間のパーティクルによる短絡を防止することができる。
（第３実施形態）
本実施形態では、画素電極の構成を第１実施形態とは異ならせた例について説明する。なお、本実施形態では、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と共通する部分には、同一の符号を付して説明を省略することがある。
図８は、第３実施形態における画素電極８０１Ｒ、８０１Ｇ及び８０１Ｂの構成を示す平面図である。図８に示されるように、画素電極８０１Ｒと画素電極８０１Ｇは、Ｄ１方向において隣接している。なお、以下の説明において、画素電極８０１Ｒ及び画素電極８０１Ｇの関係に着目して説明を行うが、画素電極８０１Ｇ及び画素電極８０１Ｂ、又は画素電極８０１Ｂ及び画素電極８０１Ｒの関係についても同様である。
ここで、画素電極８０１Ｒ及び画素電極８０１Ｇの互いに向かい合う辺を、それぞれ辺８０１Ｒａ及び辺８０１Ｇａとする。本実施形態において、画素電極８０１Ｒの辺８０１Ｒａ及び画素電極８０１Ｇの辺８０１Ｇａは、それぞれ矩形波状の形状を有する。したがって、画素電極８０１Ｒは、凸部８０２Ｒ及び凹部８０３Ｒを有する。また、画素電極８０１Ｇは、凸部８０２Ｇ及び凹部８０３Ｇを有する。
本実施形態と第１実施形態とが異なる点は、第１実施形態では、図５に示されるように凸部５０１Ｒと凸部５０１Ｇ（又は、凹部５０２Ｒと凹部５０２Ｇ）とが向かい合うのに対し、本実施形態では、凸部８０２Ｒと凹部８０３Ｇ（又は、凹部８０３Ｒと凸部８０２Ｇ）とが向かい合う点である。このように、隣接する画素電極８０１Ｒ及び画素電極８０１Ｇは、それぞれの凸部８０２Ｒ及び凸部８０２Ｇが互いにずれていてもよい。
（第４実施形態）
本実施形態では、画素電極の構成を第１実施形態とは異ならせた例について説明する。なお、本実施形態では、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と共通する部分には、同一の符号を付して説明を省略することがある。
図９は、第４実施形態における画素電極９０１Ｒ、９０１Ｇ及び９０１Ｂの構成を示す平面図である。図９に示されるように、画素電極９０１Ｒと画素電極９０１Ｇは、Ｄ１方向において隣接している。なお、以下の説明において、画素電極９０１Ｒ及び画素電極９０１Ｇの関係に着目して説明を行うが、画素電極９０１Ｇ及び画素電極９０１Ｂ、又は画素電極９０１Ｂ及び画素電極９０１Ｒの関係についても同様である。
本実施形態では、画素電極９０１Ｒ及び画素電極９０１Ｇの互いに向かい合う辺を、それぞれ辺９０１Ｒａ及び辺９０１Ｇａとする。本実施形態において、画素電極９０１Ｒの辺９０１Ｒａ及び画素電極９０１Ｇの辺９０１Ｇａは、それぞれ三角波状の形状を有する。ここで、三角波状の形状とは、略三角形状の凸部が連なる形状、又はギザギザ状の形状ということもできる。したがって、画素電極９０１Ｒ及び画素電極９０１Ｇは、それぞれ、三角形状の凸部９０２Ｒ及び９０２Ｇを有する。
図９において、三角形状の凸部９０２Ｒ及び９０２Ｇの辺の長さはＬ１である。すなわち、画素電極９０１Ｒの辺９０１Ｒａ及び画素電極９０１Ｇの辺９０１Ｇａを構成する複数の辺の最大の長さは、Ｌ１である。また、画素電極９０１Ｒの辺９０１Ｒａと画素電極９０１Ｇの辺９０１Ｇａとの間の最小距離は、凸部９０２Ｒの頂点と凸部９０２Ｇの頂点との間の幅Ｗ１である。
本実施形態では、第１実施形態と同様に、画素電極９０１Ｒの辺９０１Ｒａ及び画素電極９０１Ｇの辺９０１Ｇａを構成する複数の辺の最大の長さ（Ｌ１）が、画素電極９０１Ｒの辺９０１Ｒａと画素電極９０１Ｇの辺９０１Ｇａとの間の最小距離（Ｗ１）よりも短い。したがって、第１実施形態と同様に、隣接する画素電極間のパーティクルによる短絡を防止することができ、表示装置の歩留まり及び信頼性を向上させることができる。
（第５実施形態）
本実施形態では、画素電極の構成を第１実施形態とは異ならせた例について説明する。なお、本実施形態では、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と共通する部分には、同一の符号を付して説明を省略することがある。
図１０は、第５実施形態における画素電極１００１Ｒ、１００１Ｇ及び１００１Ｂの構成を示す平面図である。図１０に示されるように、画素電極１００１Ｒと画素電極１００１Ｇは、Ｄ１方向において隣接している。なお、以下の説明において、画素電極１００１Ｒ及び画素電極１００１Ｇの関係に着目して説明を行うが、画素電極１００１Ｇ及び画素電極１００１Ｂ、又は画素電極１００１Ｂ及び画素電極１００１Ｒの関係についても同様である。
本実施形態では、画素電極１００１Ｒ及び画素電極１００１Ｇの互いに向かい合う辺を、それぞれ辺１００１Ｒａ及び辺１００１Ｇａとする。本実施形態において、画素電極１００１Ｒの辺１００１Ｒａ及び画素電極１００１Ｇの辺１００１Ｇａは、それぞれのこぎり波状の形状を有する。ここで、のこぎり波状の形状とは、のこぎりの歯のような形状の凸部が連なる形状ということもできる。したがって、画素電極１００１Ｒ及び画素電極１００１Ｇは、それぞれ、のこぎりの歯のような形状の凸部１００２Ｒ及び１００２Ｇを有する。
図１０において、凸部１００２Ｒ及び１００２Ｇの辺の長さはＬ１である。すなわち、画素電極１００１Ｒの辺１００１Ｒａ及び画素電極１００１Ｇの辺１００１Ｇａを構成する複数の辺の最大の長さは、Ｌ１である。また、画素電極１００１Ｒの辺１００１Ｒａと画素電極１００１Ｇの辺１００１Ｇａとの間の最小距離は、凸部１００２Ｒの頂点と凸部１００２Ｇの頂点との間の幅Ｗ１である。
本実施形態では、第１実施形態と同様に、画素電極１００１Ｒの辺１００１Ｒａ及び画素電極１００１Ｇの辺１００１Ｇａを構成する複数の辺の最大の長さ（Ｌ１）が、画素電極１００１Ｒの辺１００１Ｒａと画素電極１００１Ｇの辺１００１Ｇａとの間の最小距離（Ｗ１）よりも短い。したがって、第１実施形態と同様に、隣接する画素電極間のパーティクルによる短絡を防止することができ、表示装置の歩留まり及び信頼性を向上させることができる。
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
また、上述した各実施形態では、本発明の実施形態として、画素電極の形状を例に挙げて説明したが、エッチングレートの異なる膜を積層した構造を有する導体パターンを備えた表示装置全般に適用可能である。すなわち、本発明は、絶縁表面上に複数の導体パターンが互いに離隔して配置された構造を有する表示装置に対して適用することができる。
また、上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
２０…画素領域、２０ａ…画素、２２…周辺領域、２４…端子領域、２６…フレキシブルプリント回路基板、２８…駆動回路、５０…薄膜トランジスタ、５５、５７…保持容量、６０…有機ＥＬ素子、６５…水抜き領域、９０、９０ａ、９０ｂ…導体パターン、９１…金属膜、９２…透明導電膜、９２ａ…突出部、９２ｂ…パーティクル、１００…有機ＥＬ表示装置、１０１…アレイ基板、２０１…支持基板、２０３…下地膜、２０５…有機絶縁膜、２０５ａ…開口部、２０７…酸化物導電膜、２０９…下部電極、２１１…無機絶縁膜、２１１ａ、２１１ｂ…開口部、２１３…画素電極、２１３ａ…ＩＺＯ層、２１３ｂ…銀層、２１３ｃ…ＩＺＯ層、２１３Ｒ、２１３Ｇ、２１３Ｂ…画素電極、２１３Ｒａ、２１３Ｇａ…辺、２１５…バンク、２１５ａ…開口部、２１７…有機ＥＬ層、２１９…共通電極、２２１…封止膜、２２１ａ…第１封止膜、２２１ｂ…第２封止膜、２２１ｃ…第３封止膜、５０１Ｒ、５０１Ｇ…凸部、５０２Ｒ、５０２Ｇ…凹部、１３００…有機ＥＬ表示装置、１３０１…基板、１３０２…画素領域、１３０３ａ、１３０３ｂ…走査線駆動回路、１３０４…映像信号線駆動回路、１３０５…端子部、１３１０…画素回路、１３１０ａ…スイッチング用素子、１３１０ｂ…駆動用素子、１３１０ｃ…保持容量、１３１０ｄ…発光素子、１３１１、１３１４…赤色に対応するサブ画素、１３１２、１３１５…緑色に対応するサブ画素、１３１３、１３１６…青色に対応するサブ画素

Claims (10)

  1. 絶縁表面の上に配置された第１導体パターンと、
    前記絶縁表面の上に、前記第１導体パターンと離隔して配置された第２導体パターンと、
    を有し、
    平面視において、前記第１導体パターンの第１辺及び前記第２導体パターンの第２辺は、それぞれ複数の辺で構成されるとともに互いに向かい合い、
    前記第１辺及び前記第２辺を構成する複数の辺の最大の長さが、前記第１辺と前記第２辺との間の最小距離よりも短い、
    表示装置。
  2. 前記第１辺及び前記第２辺は、平面視において、矩形波状、三角波状、又はのこぎり波状の形状を有する、
    請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記第１辺と前記第２辺との間には、第１距離の間隙と前記第１距離よりも長い第２距離の間隙を有し、
    前記最小距離は、前記第１距離であり、
    前記最大の長さは、前記第１距離で互いに向かい合う辺の長さである、
    請求項１に記載の表示装置。
  4. 前記第１距離で互いに向かい合う辺の長さと、前記第２距離で互いに向かい合う辺の長さとは、互いに異なる長さである、
    請求項３に記載の表示装置。
  5. 平面視において、前記第１導体パターンの前記第１辺と交差する第３辺は、複数の辺で構成され、
    前記第３辺を構成する複数の辺の最大の長さは、前記第１辺を構成する複数の辺の最大の長さと異なる、
    請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置。
  6. 前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンは、反射機能を有する導電膜と透明導電膜との積層構造を有する、
    請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示装置。
  7. 前記反射機能を有する導電膜は、銀又は銀合金を含む材料で構成され、
    前記透明導電膜は、金属酸化物を含む材料で構成される、
    請求項６に記載の表示装置。
  8. 前記第１導体パターンは、第１画素電極であり、
    前記第２導体パターンは、前記第１画素電極に隣接する第２画素電極である、
    請求項１乃至７のいずれか一項に記載の表示装置。
  9. 前記第１導体パターンは、第１有機ＥＬ素子のアノード電極であり、
    前記第２導体パターンは、第２有機ＥＬ素子のアノード電極である、
    請求項１乃至８のいずれか一項に記載の表示装置。
  10. 第１有機ＥＬ素子と前記第２有機ＥＬ素子は、互いに異なる色を発する素子である、
    請求項９に記載の表示装置。
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