JP2019068011A - 半導体装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
Description
図1に半導体装置100の模式断面図を示す。
V=VJ+VMOS・・・(1)
I=IJ(VJ)=VMOS/RMOS・・・(2)
I=IJ(VJ)=(V−VJ)/RMOS・・・(3)
図8に半導体装置101を示す。
図10に半導体装置102を示す。
図11に半導体装置103を示す。
図12に半導体装置104を示す。
1a 第1の面
1b 第2の面
2 第2の領域
3 第3の領域
4 第4の領域
5 第5の領域
6 第6の領域
7 半導体層
8 ソース電極
9 ドレイン電極
10 ゲート電極
10a 凸部
11 第1の領域
12 第2の領域
13 第3の領域
14 第4の領域
15 第5の領域
16 第6の領域
17 第7の領域
19 半導体層
20 基板
21 第1の領域
22 第2の領域
23 第3の領域
24 第4の領域
25 第5の領域
26 第6の領域
27 エミッタ
28 ベース
29 コレクタ
30 半導体層
31 第1の領域
32 第2の領域
33 第3の領域
34 第4の領域
35 第5の領域
36 第6の領域
40 半導体層
46 ソース電極
47 ゲート電極
48 ドレイン電極
50 電極
51 エミッタ
52 コレクタ
60 絶縁層
70 半導体層
100〜104 半導体装置
Claims (15)
- 第1の面と前記第1の面と対向する第2の面を有する半導体層と、
前記半導体層の前記第1の面にある、ゲート電極とソース電極と、
前記半導体層の前記第2の面にあるドレイン電極と、
前記半導体層と前記ゲート電極の間にある絶縁層と、
前記半導体層に含まれ、第1の導電型である第1の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第1の領域と前記ソース電極との間にあり、第2の導電型である第2の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第2の領域と前記ソース電極との間にあり、第1の導電型である第3の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第3の領域と前記ソース電極との間にあり、第2の導電型である第4の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第3の領域と前記ソース電極との間にあって、前記第4の領域と隣接し、かつ第1の導電型である第5の領域と、
を備える半導体装置。 - 第1の面と前記第1の面と対向する第2の面を有する半導体層と、
前記半導体層の前記第1の面にある、ベース電極とエミッタ電極と、
前記半導体層の前記第2の面にあるコレクタ電極と、
前記半導体層に含まれ、第1の導電型である第1の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第1の領域と前記ベース電極との間、および前記第1の領域と前記エミッタ電極との間にあり、第2の導電型である第2の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第2の領域と前記エミッタ電極との間にあり、第1の導電型である第3の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第3の領域と前記エミッタ電極との間にあり、第2の導電型である第4の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第3の領域と前記エミッタ電極との間にあって、前記第4の領域と隣接し、かつ第1の導電型である第5の領域と、
を備える半導体装置。 - 第1の面と前記第1の面と対向する第2の面を有する半導体層と、
前記半導体層の前記第1の面にある、ゲート電極とソース電極と、
前記半導体層の前記第2の面にあるドレイン電極と、
前記半導体層に含まれ、第1の導電型である第1の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第1の領域と前記ゲート電極との間にあり、第2の導電型である第2の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第1の領域と前記ソース電極との間にあり、第1の導電型である第3の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第3の領域と前記ソース電極との間にあり、第2の導電型である第4の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第3の領域と前記ソース電極との間にあって、前記第4の領域と隣接し、かつ第1の導電型である第5の領域と、
を備える半導体装置。 - 前記半導体層に含まれ、前記第2面側にあり、第1の導電型である第6の領域をさらに備え、前記第6の領域は前記第1の領域よりも高濃度の第1の導電型である請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 第1の面と前記第1の面と対向する第2の面を有する半導体層と、
前記半導体層の前記第1の面にある、ゲート電極とエミッタ電極と、
前記半導体層の前記第2の面にあるコレクタ電極と、
前記半導体層と前記ゲート電極の間にある絶縁層と、
前記半導体層に含まれ、第1の導電型である第1の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第1の領域と前記エミッタ電極との間にあり、第2の導電型である第2の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第2の領域と前記エミッタ電極との間にあり、第1の導電型である第3の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第3の領域と前記エミッタ電極との間にあり、第2の導電型である第4の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第3の領域と前記エミッタ電極との間にあって、前記第4の領域と隣接し、かつ第1の導電型である第5の領域と、
を備える半導体装置。 - 前記半導体層の前記第2の面側にあり、第2の導電型である基板をさらに備え、前記基板は前記第2の領域よりも高濃度の第2の導電型である請求項5に記載の半導体装置。
- 第1の面と前記第1の面と対向する第2の面を有する半導体層と、
前記半導体層の前記第1の面にあるゲート電極と
前記半導体層の前記第1の面にあるソース電極と、
前記半導体層の前記第2の面にあるドレイン電極と、
前記半導体層と前記ゲート電極の間にある絶縁層と、
前記半導体層に含まれ、第1の導電型である第1の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第1の領域と前記ソース電極との間にあり、第2の導電型である第2の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第2の領域と前記ソース電極との間にあり、第1の導電型である第3の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第1の領域と前記ドレイン電極との間にあり、第1の導電型である第4の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第4の領域と前記ドレイン電極との間にあり、第2の導電型である第5の領域と、
前記半導体層に含まれ、前記第5の領域と前記ドレイン電極の間にあり、第1の導電型である第6の領域と、
を備える半導体装置。 - 前記半導体層に含まれ、前記第2の面側にあり、第1の導電型である前記第7の領域をさらに備え、前記第7の領域は前記第1の領域よりも高濃度の第1の導電型である請求項7に記載の半導体装置。
- 前記第5の領域は前記第1の領域よりも高濃度の第1の導電型である請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第5の領域の導電型の不純物濃度は1019cm−3以上1022cm−3以下である請求項9に記載の半導体装置。
- 前記第6の領域の導電型の不純物濃度は1019cm−3以上1022cm−3以下である請求項4に記載の半導体装置。
- 前記第7の領域は1019cm−3以上1022cm−3以下である請求項8に記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極は凸部を有し、前記凸部の先端は前記第1の領域に位置している請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記半導体層はダイヤモンドである請求項1ないし請求項13のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1の導電型はp型であり、前記第2の導電型はn型である請求項1ないし請求項14のいずれか1項に記載の半導体装置。
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