JP2019062177A

JP2019062177A - 積層セラミックコンデンサ

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Publication number: JP2019062177A
Application number: JP2018097683A
Authority: JP
Inventors: 紀宏新井; Norihiro Arai; 克郎坂爪; Katsuro Sakazume; 剛野▲崎▼; Takeshi Nozaki; 真澄石井; Masumi Ishii; 穰二有我; Joji Ariga
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2017-09-22
Filing date: 2018-05-22
Publication date: 2019-04-18
Anticipated expiration: 2038-05-22
Also published as: TW201936547A; TWI769308B; JP7136590B2

Abstract

【課題】高い焼結性を確保可能な積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサは、セラミック素体と、第１及び第２内部電極と、第１及び第２外部電極と、を具備する。セラミック素体は、一軸方向に沿って積層された複数のセラミック層を有し、カルシウム及びジルコニウムを含み一般式ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を主相とし、ケイ素とホウ素とリチウムとを含有する多結晶体で形成されている。第１及び第２内部電極は、複数のセラミック層の間に交互に配置され、第１及び第２外部電極に接続されている。積層セラミックコンデンサでは、セラミック素体の体積をＶ（ｍｍ３）とし、多結晶体における主相のＢサイト元素の濃度を１００ａｔｍ％としたときのリチウム濃度をＣＬｉ（ａｔｍ％）とすると、０．２８５８Ｖ＋０．４３７１≦ＣＬｉ≦０．１３０６Ｖ＋３．０３９１の関係を満足する。【選択図】図４

Description

本発明は、高周波数領域で利用可能な積層セラミックコンデンサに関する。

電子機器の高周波数化に伴い、電子機器に用いられる積層セラミックコンデンサには高周波数領域での高いＱ値（品質係数）が求められている。例えば特許文献１には、内部電極として比抵抗の小さい銅を用いることによってＱ値の向上が図られた積層セラミックコンデンサが開示されている。

内部電極として銅を用いた積層セラミックコンデンサの焼成温度は、低融点である銅の融点よりも低くする必要がある。このため、特許文献１に記載の積層セラミックコンデンサでは、焼成温度が低くても充分な焼結性が得られるように、ケイ素、ホウ素、リチウムといった焼成時に液相を形成する焼結助剤が用いられている。

特開２００９−７２０９号公報

しかしながら、積層セラミックコンデンサの焼結過程では、揮発しやすいリチウムの量が変化する。このため、リチウムによる焼結性を向上させる作用を充分に得るためには、積層セラミックコンデンサの焼結過程の全体にわたってリチウムの量が適切な範囲内にあることが必要である。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、高い焼結性を確保可能な積層セラミックコンデンサを提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る積層セラミックコンデンサは、セラミック素体と、第１及び第２内部電極と、第１及び第２外部電極と、を具備する。
上記セラミック素体は、一軸方向に沿って積層された複数のセラミック層を有し、カルシウム及びジルコニウムを含み一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造を主相とし、ケイ素とホウ素とリチウムとを含有する多結晶体で形成されている。
上記第１及び第２内部電極は、上記複数のセラミック層の間に交互に配置されている。
上記第１外部電極は、上記セラミック素体の外面に設けられ、上記第１内部電極に接続されている。
上記第２外部電極は、上記セラミック素体の外面に設けられ、上記第２内部電極に接続されている。
上記積層セラミックコンデンサでは、上記セラミック素体の体積をＶ（ｍｍ^３）とし、上記多結晶体における上記主相のＢサイト元素の濃度を１００ａｔｍ％としたときのリチウム濃度をＣ_Ｌｉ（ａｔｍ％）とすると、
０．２９０１Ｖ＋０．４０６８≦Ｃ_Ｌｉ≦０．１３０６Ｖ＋３．０３９１
の関係を満足する。

この構成では、焼結後のセラミック素体中のリチウムの量を制御することで、焼結過程のセラミック素体中のリチウムの量を適切な範囲内に収めることができる。つまり、この積層セラミックコンデンサは、セラミック素体中のリチウムの量が上記のとおりになるように製造することで、セラミック素体の高い焼結性を確保可能である。

上記多結晶体における上記主相のＢサイト元素の濃度を１００ａｔｍ％としたときのケイ素濃度は、１．０ａｔｍ％以上６．０ａｔｍ％以下であってもよい。
上記多結晶体における上記主相のＢサイト元素の濃度を１００ａｔｍ％としたときのホウ素濃度は、１．０ａｔｍ％以上６．０ａｔｍ％以下であってもよい。
この構成では、ケイ素及びホウ素によるセラミック素体の焼結性を向上させる作用が効果的に得られる。

上記多結晶体は、マンガンを更に含有していてもよい。
上記多結晶体における上記主相のＢサイト元素の濃度を１００ａｔｍ％としたときのマンガン濃度は、０．５ａｔｍ％以上５．５ａｔｍ％以下であってもよい。
この構成では、マンガンの作用によってセラミック素体の絶縁性が向上する。このため、この積層セラミックコンデンサでは、高い信頼性が得られる。

上記第１及び第２内部電極は、銅を主成分としていてもよい。
本発明では、焼成温度が低くてもセラミック素体の焼結性を確保可能である。このため、この積層セラミックコンデンサでは、第１及び第２内部電極の主成分として、融点の低い銅を用いることができる。これにより、第１及び第２内部電極の導電性が高くなるため、積層セラミックコンデンサのＱ値を向上させることができる。

上記体積は、０．００１ｍｍ^３以上５．０００ｍｍ^３以下であってもよい。
上記体積は、０．００１ｍｍ^３以上０．００６ｍｍ^３以下であってもよい。
これらの構成では、上記のような本発明の効果が得られやすくなる。

高い焼結性を確保可能な積層セラミックコンデンサを提供することができる。

本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの斜視図である。上記積層セラミックコンデンサの図１のＡ−Ａ'線に沿った断面図である。上記積層セラミックコンデンサの図１のＢ−Ｂ'線に沿った断面図である。上記積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。ステップＳ０１におけるセラミック素体の分解斜視図である。ステップＳ０２で得られるセラミック素体の斜視図である。実施例及び比較例における評価結果を示すグラフである。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
図面には、適宜相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は全図において共通である。

［積層セラミックコンデンサ１０の基本構成］
図１〜３は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０を示す図である。図１は、積層セラミックコンデンサ１０の斜視図である。図２は、積層セラミックコンデンサ１０の図１のＡ−Ａ'線に沿った断面図である。図３は、積層セラミックコンデンサ１０の図１のＢ−Ｂ'線に沿った断面図である。

積層セラミックコンデンサ１０は、１００ＭＨｚ〜２ＧＨｚ程度の高周波数領域で好適に利用可能なように構成され、例えば高周波用の誘電体共振器やフィルタなどとして用いることができる。具体的に、積層セラミックコンデンサ１０は、高周波数領域における高いＱ値と、高い信頼性と、を兼ね備えるように構成されている。

積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック素体１１と、第１外部電極１４と、第２外部電極１５と、を具備する。セラミック素体１１の外面は、Ｘ軸方向を向いた第１及び第２端面Ｅ１，Ｅ２と、Ｙ軸方向を向いた第１及び第２側面と、Ｚ軸方向を向いた第１及び第２主面と、を有する。

なお、セラミック素体１１の形状は、上記のものに限定されない。つまり、セラミック素体１１は、図１〜３に示すような直方体形状でなくてもよい。例えば、セラミック素体１１の各面は曲面であってもよく、セラミック素体１１は全体として丸みを帯びた形状であってもよい。

第１外部電極１４は、セラミック素体１１の第１端面Ｅ１を覆っている。第２外部電極１５は、セラミック素体１１の第２端面Ｅ２を覆っている。外部電極１４，１５は、セラミック素体１１を挟んでＸ軸方向に対向し、積層セラミックコンデンサ１０の端子として機能する。

外部電極１４，１５は、セラミック素体１１の第１及び第２端面Ｅ１，Ｅ２から、第１及び第２主面、並びに第１及び第２側面に延出している。これにより、外部電極１４，１５では、図２に示すＸ−Ｚ平面に平行な断面、及びＸ−Ｙ平面に平行な断面がいずれもＵ字状となっている。

なお、外部電極１４，１５の形状は、図１に示すものに限定されない。例えば、外部電極１４，１５は、セラミック素体１１の端面Ｅ１，Ｅ２から一方の主面のみに延び、Ｘ−Ｚ平面に平行な断面がＬ字状となっていてもよい。また、外部電極１４，１５は、いずれの主面及び側面にも延出していなくてもよい。

外部電極１４，１５は、電気の良導体により形成されている。外部電極１４，１５を形成する電気の良導体としては、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などを主成分とする金属又は合金が挙げられる。

セラミック素体１１は、誘電体セラミックスで形成されている。セラミック素体１１は、誘電体セラミックスに覆われた第１内部電極１２及び第２内部電極１３を有する。内部電極１２，１３は、いずれもＸ−Ｙ平面に沿って延びるシート状であり、Ｚ軸方向に沿って交互に配置されている。

つまり、内部電極１２，１３は、セラミック層を挟んでＺ軸方向に対向している。第１内部電極１２は、セラミック素体１１の第１端面Ｅ１に引き出され、第１外部電極１４に接続されている。第２内部電極１３は、セラミック素体１１の第２端面Ｅ２に引き出され、第２外部電極１５に接続されている。

このような構成により、積層セラミックコンデンサ１０では、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間に電圧が印加されると、第１内部電極１２と第２内部電極１３との間の複数のセラミック層に電圧が加わる。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間の電圧に応じた電荷が蓄えられる。

積層セラミックコンデンサ１０には、高周波数領域で安定した性能を発揮できるように、容量の温度変化が小さいことが求められる。このため、セラミック素体１１では、各セラミック層の容量の温度変化が小さくなるように、誘電率の温度変化が小さい誘電体セラミックスを用いる必要がある。

このため、セラミック素体１１は、誘電率の温度変化が小さいカルシウム（Ｃａ）及びジルコニウム（Ｚｒ）を含み一般式ＡＢＯ_３（「Ａ」はＡサイト元素を示し、「Ｂ」はＢサイト元素を示す。）で表されるペロブスカイト構造を主相とする多結晶体で形成される。カルシウム（Ｃａ）はＡサイト元素であり、ジルコニウム（Ｚｒ）はＢサイト元素である。具体的に、セラミック素体１１を構成する多結晶体の主相は、Ｃａ_ｘＺｒＯ_３（０．９０≦ｘ≦１．１５）で表される組成であることが好ましい。

なお、セラミック素体１１を構成する多結晶体の主相では、必要に応じて、カルシウム（Ｃａ）及びジルコニウム（Ｚｒ）の一部が他の元素で置換されていてもよい。例えば、Ａサイト元素のカルシウム（Ｃａ）の一部がストロンチウム（Ｓｒ）で置換されていてもよい。また、Ｂサイト元素のジルコニウム（Ｚｒ）の一部がチタン（Ｔｉ）で置換されていてもよい。

また、セラミック素体１１を構成する多結晶体は、焼結助剤としてケイ素（Ｓｉ）とホウ素（Ｂ）とリチウム（Ｌｉ）とを含有する。これらの元素は、セラミック素体１１の焼結過程において液相を形成する。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では、セラミック素体１１の焼結性を向上させることができる。

セラミック素体１１の焼結過程では、揮発しやすいリチウム（Ｌｉ）の量が変化する。このため、リチウム（Ｌｉ）によるセラミック素体１１の焼結性を向上させる作用を充分に得るためには、セラミック素体１１の焼結過程の全体にわたってリチウム（Ｌｉ）の量が適切な範囲内にあることが必要である。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０では、焼結後のセラミック素体１１中のリチウム（Ｌｉ）の量を制御することで、焼結過程のセラミック素体１１中のリチウム（Ｌｉ）の量を適切な範囲内に収めることができる。積層セラミックコンデンサ１０の当該構成の詳細については後述する。

セラミック素体１１を構成する多結晶体におけるケイ素（Ｓｉ）及びホウ素（Ｂ）の量は、適宜決定可能である。例えば、ケイ素（Ｓｉ）及びホウ素（Ｂ）の量は、セラミック素体１１における高い焼結性が得られ、かつ積層セラミックコンデンサ１０の性能に影響が及びにくい範囲内で決定することが好ましい。

具体的に、セラミック素体１１を構成する多結晶体では、主相のＢサイト元素の濃度を１００ａｔｍ％としたときのケイ素（Ｓｉ）濃度が、１．０ａｔｍ％以上６．０ａｔｍ％以下であることが好ましい。また、セラミック素体１１を構成する多結晶体では、主相のＢサイト元素の濃度を１００ａｔｍ％としたときのホウ素（Ｂ）濃度が、１．０ａｔｍ％以上６．０ａｔｍ％以下であることが好ましい。

内部電極１２，１３は、電気の良導体により形成され、積層セラミックコンデンサ１０の内部電極として機能する。内部電極１２，１３は、銅（Ｃｕ）を主成分とすることが好ましい。これにより、積層セラミックコンデンサでは、内部電極１２，１３の導電性が高くなるため、ＥＳＲ（等価直列抵抗）が低減され、高いＱ値が得られる。

なお、内部電極１２，１３は、銅（Ｃｕ）を主成分としていなくてもよい。この場合、内部電極１２，１３は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）から選択される１種又は２種以上を主成分とする金属又は合金で形成することができる。

なお、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０の基本構成は、図１〜３に示す構成に限定されず、適宜変更可能である。例えば、内部電極１２，１３の枚数やセラミック層の厚さは、積層セラミックコンデンサ１０に求められるサイズや性能に応じて、適宜決定可能である。

［積層セラミックコンデンサ１０の製造方法］
図４は、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を示すフローチャートである。図５，６は、積層セラミックコンデンサ１０の製造過程を示す図である。以下、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について、図４に沿って、図５，６を適宜参照しながら説明する。

（ステップＳ０１：セラミック素体作製）
ステップＳ０１では、未焼成のセラミック素体１１を作製する。未焼成のセラミック素体１１は、図５に示すように、複数のセラミックシートをＺ軸方向に積層して熱圧着することにより得られる。セラミックシートに予め所定のパターンの銅ペーストを印刷しておくことにより、内部電極１２，１３を配置することができる。

セラミックシートは、セラミックスラリーをシート状に成形した未焼成の誘電体グリーンシートである。セラミックシートは、例えば、ロールコーターやドクターブレードなどを用いてシート状に成形される。セラミックスラリーの成分は、上記の組成のセラミック素体１１が得られるように調整される。

具体的に、セラミックスラリーには、誘電体セラミックスの仮焼粉、ＳｉＯ_２などのケイ素（Ｓｉ）含有粉末、ＢＮなどのホウ素（Ｂ）含有粉末、Ｌｉ_２ＣＯ_３などのリチウム（Ｌｉ）含有粉末等が含まれる。また、セラミックスラリーには、ＭｎＣＯ_３などのマンガン（Ｍｎ）含有粉末が含まれていてもよい。

（ステップＳ０２：焼成）
ステップＳ０２では、ステップＳ０１で得られた未焼成のセラミック素体１１を焼成する。これにより、セラミック素体１１が焼結し、図６に示すセラミック素体１１が得られる。セラミック素体１１の焼成は、例えば、還元雰囲気下、又は低酸素分圧雰囲気下において行うことができる。セラミック素体１１の焼成条件は、適宜決定可能である。

例えば、セラミック素体１１の焼成時にはリチウム（Ｌｉ）が揮発するため、焼成後のセラミック素体１１に適切な量のリチウム（Ｌｉ）が残るように、焼成条件を調整することが好ましい。また、焼成温度は、内部電極１２，１３の主成分である銅（Ｃｕ）の融点（１０８４℃）より低いことが好ましく、例えば９５０℃とすることができる。また、焼成時間は、例えば２時間とすることができる。

（ステップＳ０３：外部電極形成）
ステップＳ０３では、ステップＳ０２で得られたセラミック素体１１に外部電極１４，１５を形成することにより、図１〜３に示す積層セラミックコンデンサ１０を作製する。ステップＳ０３では、例えば、セラミック素体１１の端面Ｅ１，Ｅ２に、外部電極１４，１５を構成する下地膜、中間膜、及び表面膜を形成する。

より詳細に、ステップＳ０３では、まず、セラミック素体１１の端面Ｅ１，Ｅ２を覆うように未焼成の電極材料を塗布する。塗布された未焼成の電極材料を、例えば、還元雰囲気下、又は低酸素分圧雰囲気下において焼き付けを行うことにより、セラミック素体１１に外部電極１４，１５の下地膜が形成される。

そして、セラミック素体１１に焼き付けられた外部電極１４，１５の下地膜の上に、外部電極１４，１５の中間膜が形成され、更に外部電極１４，１５の表面膜が形成される。外部電極１４，１５の中間膜及び表面膜の形成には、例えば、電解メッキなどの湿式メッキを用いることができる。

なお、上記のステップＳ０３における処理の一部を、ステップＳ０２の前に行ってもよい。例えば、ステップＳ０２の前に未焼成のセラミック素体１１の端面Ｅ１，Ｅ２に未焼成の電極材料を塗布してもよい。これにより、ステップＳ０２において、セラミック素体１１の焼成と電極材料の焼き付けとを同時に行うことができる。

［セラミック素体１１中のリチウム（Ｌｉ）の量］
積層セラミックコンデンサ１０では、セラミック素体１１の焼結性が充分でないと、例えば、Ｑ値の低下や、特に耐湿性などの信頼性の低下などが発生する。低い焼成温度でセラミック素体１１の高い焼結性を確保するためには、セラミック素体１１に適切な量のケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、リチウム（Ｌｉ）が含まれている必要がある。

セラミック素体１１の焼結過程では、ケイ素（Ｓｉ）とホウ素（Ｂ）の量は変化しにくいのに対し、揮発しやすいリチウム（Ｌｉ）の量は変化する。このため、セラミック素体１１の焼結過程の全体にわたってリチウム（Ｌｉ）による作用を充分に得るためには、リチウム（Ｌｉ）の量が適切な範囲内に収まるようにする必要がある。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０では、焼結後のセラミック素体１１中のリチウム（Ｌｉ）の量を制御することで、焼結過程のセラミック素体１１中のリチウム（Ｌｉ）の量を適切な範囲内に収めることができる。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では、セラミック素体１１の高い焼結性が確保される。

また、セラミック素体１１では、焼結後におけるリチウム（Ｌｉ）の適切な量の範囲が体積に応じて変化する傾向が見られる。より詳細に、セラミック素体１１では、体積が大きいほど、焼結後におけるリチウム（Ｌｉ）の量が多く必要となる傾向があることが実験的に確認されている。

以下、焼結後のセラミック素体１１のリチウム（Ｌｉ）の適切な量の範囲を解明するための実験について説明する。この実験では、まずセラミック素体１１の体積、及びセラミック素体１１中のリチウム（Ｌｉ）の量の異なる積層セラミックコンデンサ１０のサンプルを多数作製した。

セラミック素体１１の体積Ｖ（ｍｍ^３）は、図２，３に示される、Ｘ軸方向の寸法Ｌ（ｍｍ）と、Ｙ軸方向の寸法Ｗ（ｍｍ）と、Ｚ軸方向の寸法Ｔ（ｍｍ）と、を用いて、Ｌ×Ｗ×Ｔによって内部電極１２，１３を含む体積として算出することができる。セラミック素体１１の各寸法Ｌ，Ｗ，Ｔは、セラミック素体１１のＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸方向の中央部で測定される。

セラミック素体１１中のリチウム（Ｌｉ）の量は、セラミック素体１１を構成する多結晶体の主相のＢサイト元素の濃度を１００ａｔｍ％としたときのリチウム（Ｌｉ）濃度Ｃ_Ｌｉ（ａｔｍ％）として算出した。セラミック素体１１を構成する多結晶体の主相のＢサイト元素の濃度は、例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）濃度として得ることができる。

つまり、リチウム（Ｌｉ）濃度Ｃ_Ｌｉは、ジルコニウム（Ｚｒ）濃度を基準とした相対的なリチウム（Ｌｉ）の濃度を示している。ジルコニウム（Ｚｒ）及びリチウム（Ｌｉ）の濃度は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ）発光分析により定量することができる。

各サンプルについて、Ｑ値及び耐湿性の評価を行った。本実験では、Ｑ値及び耐湿性の評価によって、セラミック素体１１の焼結性について間接的に評価している。Ｑ値の評価は、周波数１ＧＨｚの条件で行った。耐湿性の評価は、温度８５℃、湿度８５％において定格電圧の２倍の電圧を２００時間印加する条件で行った。

Ｑ値の評価では、規格値の１．５倍以上のサンプルを合格とした。耐湿性の評価では、電気抵抗値が１０ＭΩ以上のサンプルを合格とした。そして、Ｑ値及び耐湿性の評価がいずれも合格のサンプルを、セラミック素体１１の焼結性が充分なものとして実施例とした。一方、Ｑ値及び耐湿性の評価の少なくとも一方が不合格のサンプルを、セラミック素体１１の焼結性が不充分なものとして比較例とした。

図７は、各サンプルの評価結果を示すグラフである。図７の横軸は、セラミック素体１１の体積Ｖを示している。図７の縦軸は、セラミック素体１１を構成する多結晶体の主相のＢサイト元素の濃度を１００ａｔｍ％としたときのリチウム（Ｌｉ）濃度Ｃ_Ｌｉを示している。また、実施例を丸印のプロットで示し、比較例をバツ印のプロットで示している。

図７から、実施例のプロットはリチウム（Ｌｉ）濃度Ｃ_Ｌｉの特定の範囲に分布しており、この範囲の上下に比較例のプロットが分布していることがわかる。したがって、実施例のプロットが分布している範囲の条件を採用することにより、セラミック素体１１における高い焼結性を確保することができる。

図７には、実施例のプロットが分布している範囲の最上部を構成するプロットを最小二乗法によってフィッティングすることにより得られた曲線が示されている。この曲線は、「Ｃ_Ｌｉ＝０．１３０６Ｖ＋３．０３９１」で表される。なお、決定係数Ｒ^２は、０．９４８９であり、良好にフィッティングできている。

また、図７には、実施例のプロットが分布している範囲の最下部を構成するプロットを最小二乗法によってフィッティングすることにより得られた曲線が示されている。この曲線は、「Ｃ_Ｌｉ＝０．２８５８Ｖ＋０．４３７１」で表される。なお、決定係数Ｒ^２は、０．９７７７であり、良好にフィッティングできている。

したがって、図７における実施例のプロットが分布している範囲は、以下の式で表すことができる。
０．２８５８Ｖ＋０．４３７１≦Ｃ_Ｌｉ≦０．１３０６Ｖ＋３．０３９１
つまり、積層セラミックコンデンサ１０のセラミック素体１１では、この式の関係を満たすように作製することによって、高い焼結性が確保される。

また、上記の式を基準とするセラミック素体１１の焼結性の制御は、セラミック素体１１の体積Ｖが０．００１ｍｍ^３以上５．０００ｍｍ^３以下である場合により有効であり、セラミック素体１１の体積Ｖが０．００１ｍｍ^３以上０．００６ｍｍ^３以下である場合に更に有効である。

［その他の実施形態］
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。

１０…積層セラミックコンデンサ
１１…セラミック素体
１２，１３…内部電極
１４，１５…外部電極
Ｅ１，Ｅ２…端面

Claims

一軸方向に沿って積層された複数のセラミック層を有し、カルシウム及びジルコニウムを含み一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造を主相とし、ケイ素とホウ素とリチウムとを含有する多結晶体で形成されたセラミック素体と、
前記複数のセラミック層の間に交互に配置された第１及び第２内部電極と、
前記セラミック素体の外面に設けられ、前記第１内部電極に接続された第１外部電極と、
前記セラミック素体の外面に設けられ、前記第２内部電極に接続された第２外部電極と、
を具備し、
前記セラミック素体の体積をＶ（ｍｍ^３）とし、前記多結晶体における前記主相のＢサイト元素の濃度を１００ａｔｍ％としたときのリチウム濃度をＣ_Ｌｉ（ａｔｍ％）とすると、
０．２８５８Ｖ＋０．４３７１≦Ｃ_Ｌｉ≦０．１３０６Ｖ＋３．０３９１
の関係を満足する
積層セラミックコンデンサ。
請求項１に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記多結晶体における前記主相のＢサイト元素の濃度を１００ａｔｍ％としたときのケイ素濃度は、１．０ａｔｍ％以上６．０ａｔｍ％以下である
積層セラミックコンデンサ。
請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記多結晶体における前記主相のＢサイト元素の濃度を１００ａｔｍ％としたときのホウ素濃度は、１．０ａｔｍ％以上６．０ａｔｍ％以下である
積層セラミックコンデンサ。
請求項１から３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記多結晶体は、マンガンを更に含有し、
前記多結晶体における前記主相のＢサイト元素の濃度を１００ａｔｍ％としたときのマンガン濃度は、０．５ａｔｍ％以上５．５ａｔｍ％以下である
積層セラミックコンデンサ。
請求項１から４のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記第１及び第２内部電極は、銅を主成分とする
積層セラミックコンデンサ。
請求項１から５のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記体積は、０．００１ｍｍ^３以上５．０００ｍｍ^３以下である、
積層セラミックコンデンサ。
請求項１から６のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記体積は、０．００１ｍｍ^３以上０．００６ｍｍ^３以下である、
積層セラミックコンデンサ。