JP2019038712A - 評価方法、単結晶の製造方法、評価装置、評価プログラム、及び単結晶製造装置 - Google Patents
評価方法、単結晶の製造方法、評価装置、評価プログラム、及び単結晶製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019038712A JP2019038712A JP2017160915A JP2017160915A JP2019038712A JP 2019038712 A JP2019038712 A JP 2019038712A JP 2017160915 A JP2017160915 A JP 2017160915A JP 2017160915 A JP2017160915 A JP 2017160915A JP 2019038712 A JP2019038712 A JP 2019038712A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- raw material
- evaluation
- weight
- rotation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
式(1):ばらつき量=1回転当たりの平均重量増分−(1回転中の最大重量値−1回転中の最小重量値)
本実施形態の評価方法について説明する。図1(A)から(C)は、本実施形態の評価方法を示すフローチャートである。図1(A)から(C)に示す本実施形態の評価方法は、ルツボ内の原料を溶融した原料融液に、種結晶を接触させつつ、種結晶を回転させながら上昇させて単結晶を育成するチョクラルスキー法を行う際における、原料融液の固化に関する状態を評価する方法である。この単結晶の育成方法(製造方法)では、単結晶の育成中の終盤において、急激に原料融液面が低下する現象、あるいは、育成中の単結晶の計測重量(以下、単に「単結晶の重量」と称すこともある)が急激に軽くなる現象が見られる。上記の現象は、「融液固化現象」と呼ばれる。「融液固化現象」は、原料融液中で発生する原料融液の異常な固化現象が原因と考えられている。
式(1):ばらつき量ΔWb=1回転あたりの平均重量増分ΔWave−(1回転中の最大重量値Wmax−1回転中の最小重量値Wmin)
次に、本実施形態の評価装置及び評価プログラムについて説明する。図7は、本実施形態の評価装置を概念的に示す図である。本実施形態の評価装置1は、上記した本実施形態の評価方法を行う装置である。すなわち、本実施形態の評価装置1は、ルツボ内の原料を溶融した原料融液に種結晶を接触させつつ、種結晶を回転させながら上昇させて単結晶を育成する際における、原料融液の固化に関する状態を評価する装置である。
次に、本実施形態の単結晶の製造方法について説明する。図8は、本実施形態の単結晶の製造方法のフローチャートである。本実施形態の単結晶の製造方法は、ルツボ内の原料を溶融した原料融液に種結晶を接触させつつ、種結晶を回転させながら上昇させて単結晶を育成することと(ステップS10、以下「育成工程」と称す)、上記した本実施形態の評価方法により、原料融液の固化に関する状態を評価することと(ステップS2、ステップS1(ステップS4、ステップS5))、評価の結果に応じて、予め設定された育成中の単結晶に対する所定の処理を行うことと(ステップS11)、を備える。
次に、本実施形態の単結晶製造装置について説明する。図9は、本実施形態の単結晶製造装置を概念的に示す図である。本実施形態の単結晶製造装置20は、ルツボ10内の原料を溶融した原料融液Mに種結晶SCを接触させつつ、種結晶SCを回転させながら上昇させて単結晶Cを育成する装置であり、上記した本実施形態の評価装置1を含み、上記した本実施形態の単結晶の製造方法を実施することができる。
2・・・記憶部
3・・・評価部
10・・・ルツボ
20・・・単結晶製造装置
21・・・ルツボ台
22・・・断熱材
23・・・耐火物
24・・・加熱部
25・・・電源
26・・・支持台
27・・・チャンバ
28・・・回転引き上げ軸
29・・・回転引き上げ軸駆動部
30・・・重量測定部
31・・・制御部
32・・・報知部
35・・・誘導コイル
41・・・加熱制御部
42・・・駆動制御部
43・・・報知指示部
44・・・特定処理部
C・・・単結晶
SC・・・種結晶
Claims (13)
- ルツボ内の原料を溶融した原料融液に、種結晶を接触させつつ、前記種結晶を回転させながら上昇させて単結晶を育成する際における、前記原料融液の固化に関する状態を評価する方法であって、
育成中の前記単結晶における経時的に測定された1回転中の重量に基づいて、前記原料融液の固化に関する状態を評価すること、を備える、評価方法。 - 育成中の前記単結晶の1回転中の重量を経時的に測定することを含む、請求項1に記載の評価方法。
- 前記1回転中の重量に基づいて、前記1回転中の重量の変化のばらつきの程度を示すばらつき量を算出することと、
前記算出した前記ばらつき量に基づいて、前記評価することと、を備える、請求項1または請求項2に記載の評価方法。 - 前記ばらつき量を下記式(1)に基づいて算出することを含む、請求項3に記載の評価方法。
式(1):ばらつき量=1回転当たりの平均重量の増分−(1回転中の最大重量値−1回転中の最小重量値) - 前記算出した前記ばらつき量と、予め設定された所定の閾値とを比較し、前記比較した結果に応じて、前記評価することを含む、請求項3または請求項4に記載の評価方法。
- 前記1回転中の重量における、予め設定された所定の閾値を超える重量の減少に基づいて、前記評価することを含む、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の評価方法。
- 前記重量の減少は、単結晶の育成期間のうちの一部の育成期間において、1回転毎に周期的に発生する、請求項6に記載の評価方法。
- ルツボ内の原料を溶融した原料融液に種結晶を接触させつつ、前記種結晶を回転させながら上昇させて単結晶を育成することと、
請求項2から請求項7のいずれかに記載の評価方法により、前記評価することと、
前記評価の結果に応じて、予め設定された育成中の前記単結晶に対する所定の処理を行うことと、を備える単結晶の製造方法。 - 前記育成中の単結晶に対する所定の処理を、自動的に行うことを含む、請求項8に記載の単結晶の製造方法。
- 前記育成中の単結晶に対する所定の処理は、前記育成中の単結晶を前記原料融液から切り離す処理を含む、請求項8または請求項9に記載の単結晶の製造方法。
- ルツボ内の原料を溶融した原料融液に種結晶を接触させつつ、前記種結晶を回転させながら上昇させて単結晶を育成する際における、前記原料融液の固化に関する状態を評価する装置であって、
育成中の前記単結晶における経時的に測定された1回転中の重量に基づいて、前記原料融液の固化に関する状態を評価する評価部を備える、評価装置。 - ルツボ内の原料を溶融した原料融液に種結晶を接触させつつ、前記種結晶を回転させながら上昇させて単結晶を育成する際における、前記原料融液の固化に関する状態の評価をコンピュータに実行させるプログラムであって、
コンピュータに、育成中の前記単結晶における経時的に測定された1回転中の重量に基づいて、前記原料融液の固化に関する状態を評価することを実行させる、評価プログラム。 - ルツボ内の原料を溶融した原料融液に種結晶を接触させつつ、前記種結晶を回転させながら上昇させて単結晶を育成する装置であって、
前記ルツボと、
前記ルツボを加熱し前記原料を溶融する加熱部と、
前記種結晶を保持しかつ前記種結晶を回転させながら昇降させる回転引上げ軸と、
育成中の単結晶における1回転中の重量を経時的に測定する重量測定部と、
前記加熱部の温度を制御する加熱制御部と、
前記回転引き上げ部の回転及び昇降を制御する駆動制御部と、
前記重量測定部の測定結果を使って前記原料融液の固化に関する状態を評価する請求項11に記載の評価装置と、
前記評価装置の評価結果に応じて予め設定された育成中の単結晶に対する所定の処理を実行する特定処理部と、を備える、単結晶製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017160915A JP7263691B2 (ja) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | 評価方法、単結晶の製造方法、評価装置、評価プログラム、及び単結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017160915A JP7263691B2 (ja) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | 評価方法、単結晶の製造方法、評価装置、評価プログラム、及び単結晶製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019038712A true JP2019038712A (ja) | 2019-03-14 |
JP7263691B2 JP7263691B2 (ja) | 2023-04-25 |
Family
ID=65725385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017160915A Active JP7263691B2 (ja) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | 評価方法、単結晶の製造方法、評価装置、評価プログラム、及び単結晶製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7263691B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021130573A (ja) * | 2020-02-19 | 2021-09-09 | 住友金属鉱山株式会社 | 単結晶の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016199417A (ja) * | 2015-04-08 | 2016-12-01 | 住友金属鉱山株式会社 | 単結晶の製造方法 |
-
2017
- 2017-08-24 JP JP2017160915A patent/JP7263691B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016199417A (ja) * | 2015-04-08 | 2016-12-01 | 住友金属鉱山株式会社 | 単結晶の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021130573A (ja) * | 2020-02-19 | 2021-09-09 | 住友金属鉱山株式会社 | 単結晶の製造方法 |
JP7456182B2 (ja) | 2020-02-19 | 2024-03-27 | 住友金属鉱山株式会社 | 単結晶の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7263691B2 (ja) | 2023-04-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6651529B2 (ja) | インゴット界面の形状を制御することができる単結晶成長システム及び方法 | |
TW552324B (en) | Method and apparatus for controlling diameter of a silicon crystal in a locked seed lift growth process | |
JP5664573B2 (ja) | シリコン融液面の高さ位置の算出方法およびシリコン単結晶の引上げ方法ならびにシリコン単結晶引上げ装置 | |
JP6373950B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いるシリカガラスルツボの検査方法及び検査システム | |
CN102759939B (zh) | 退火炉的控制系统和控制方法 | |
JP5562776B2 (ja) | 単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法 | |
CN108138353B (zh) | 单晶的制造方法 | |
TWI599683B (zh) | 單晶製造裝置及製造方法 | |
JP2019038712A (ja) | 評価方法、単結晶の製造方法、評価装置、評価プログラム、及び単結晶製造装置 | |
JP2017186188A (ja) | 単結晶の製造方法及びその装置 | |
JP2008081352A (ja) | 単結晶製造装置及び方法 | |
JP2021109826A (ja) | 坩堝変形量測定方法及び酸化物単結晶の製造方法 | |
KR101546680B1 (ko) | 실리콘 단결정 성장 장치의 온도 보정 제어 시스템 및 그 방법 | |
KR101609462B1 (ko) | 단결정 성장장치의 시드 케이블 관리장치 및 그 관리방법 | |
JP2019112264A (ja) | 単結晶の育成状態の評価方法、評価装置、評価プログラム、単結晶の製造方法、及び、単結晶製造装置 | |
JP6665798B2 (ja) | 単結晶製造方法及び単結晶製造装置 | |
KR101758983B1 (ko) | 잉곳 성장장치 및 그 성장방법 | |
KR101494533B1 (ko) | 실리콘 단결정 성장 장치의 인상 속도 제어 시스템 및 그 방법 | |
JP2014240338A (ja) | 半導体単結晶棒の製造方法 | |
JP2007197257A (ja) | 単結晶引上装置、及びその制御方法 | |
JP2021130573A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
WO2022185789A1 (ja) | 原料融液の表面の状態の検出方法、単結晶の製造方法、及びcz単結晶製造装置 | |
JP7259242B2 (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法 | |
JP2021187690A (ja) | 坩堝形状修正方法 | |
JP2021095316A (ja) | 単結晶育成装置と単結晶育成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200715 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210511 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220124 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220822 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20220822 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20220901 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20220913 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20221116 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20221128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230314 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230327 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7263691 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |