JP2019029423A - 剥離フィルム - Google Patents
剥離フィルム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019029423A JP2019029423A JP2017144976A JP2017144976A JP2019029423A JP 2019029423 A JP2019029423 A JP 2019029423A JP 2017144976 A JP2017144976 A JP 2017144976A JP 2017144976 A JP2017144976 A JP 2017144976A JP 2019029423 A JP2019029423 A JP 2019029423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- release film
- resin
- release
- resin layer
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
1.剥離フィルムの構成
図1には、本実施形態に係る剥離フィルム10の断面図が示される。図1に示されるように、剥離フィルム10は、基材1と、基材1の一方の面側に設けられた剥離剤層2と、基材1の他方の面側に設けられた樹脂層3とを備える。
本実施形態に係る剥離フィルム10では、基材1の23℃における引張弾性率が、150MPa以上、350MPa以下である。これにより、本実施形態に係る剥離フィルム10は、剛性に優れたものとなる。また、後述する通り、本実施形態に係る剥離フィルム10では、180℃、30分間の加熱処理前後における寸法変化率が、長さ方向で2.5%未満であり、幅方向で2.5%未満であり、これにより、本実施形態に係る剥離フィルム10は、耐熱性に優れたものとなる。このように、本実施形態に係る剥離フィルム10は、剛性および耐熱性に優れることにより、モールド封止での使用において、剥離フィルム10を金型で挟み、且つ剥離フィルム10が加熱された場合であっても、剥離フィルム10におけるシワの発生が抑制される。その結果、得られる封止体の表面に当該シワが転写されることを抑制することができる。また、剥離フィルム10におけるシワの発生が抑制されることで、剥離フィルム10は、当該剥離フィルム10が接する半導体基板や金型に対して良好な密封性を示すものとなる。特に、剥離フィルム10を、半導体基板における半導体チップがマウントされた面側のみがモールド封止される半導体パッケージの製造に使用する場合には、剥離フィルム10が半導体基板および金型に対して良好に密封固定される結果、封止樹脂が半導体基板を貫通する孔を通過して、半導体基板における半導体チップがマウントされた側とは反対の面に付着すること(樹脂漏れ)が抑制される。これにより、本実施形態に係る剥離フィルム10を使用することで、高い歩留まりで半導体パッケージを製造することが可能となる。
本実施形態における剥離剤層2は、多官能アミノ化合物と、剥離成分とを含有する剥離剤組成物から形成されたものである。剥離剤層2が当該剥離剤組成物から形成されたものであることで、剥離フィルム10における樹脂層3側の面を金型に向け、且つ剥離剤層2側の面を半導体チップや半導体基板に向けて配置してモールド封止した場合に、得られる封止体に対して、剥離フィルムが優れた剥離性を発揮するものとなる。また、剥離剤組成物が多官能アミノ化合物を含有することで、得られる剥離剤層2は、多官能アミノ化合物によって形成される三次元構造を含むものとなる。それにより、剥離剤層2は、高い強度および優れた耐熱性を有するものとなり、剥離剤層2の凝集破壊の発生が抑制される。これにより、剥離性が良好に維持されるとともに、剥離剤層2の封止体への転着が抑制される。さらには、剥離剤層2の凝集破壊した部分において、基材1と封止樹脂とが直接接して接着してしまい、剥離不良が生じる、という問題も抑制される。
本実施形態における樹脂層3は、エポキシ化合物と、ポリエステル樹脂と、多官能アミノ化合物とを含有する樹脂層形成用組成物から形成されたものである。当該樹脂層形成用組成物から形成された樹脂層3は、適度な架橋密度で架橋された構造を有するものとなり、剥離フィルム10が加熱された際に基材1や剥離剤層2から放出される低分子量成分の透過に対してバリア性を発揮することができる。特に、剥離フィルム10における樹脂層3側の面を金型に向け、且つ剥離剤層2側の面を半導体チップや半導体基板に向けて配置してモールド封止した場合に、基材1と金型との間に樹脂層3が存在することで、基材1や剥離剤層2から放出される低分子量成分の金型への移行を樹脂層3が遮断することができる。これにより、金型表面における低分子量成分の付着が抑制される。
本実施形態に係る剥離フィルム10では、剥離フィルム10における樹脂層3側の面における算術平均粗さRaが、100nm以上であり、200nm以上であることが好ましく、特に300nm以上であることが好ましい。当該算術平均粗さRaが100nm未満であると、剥離フィルム10における樹脂層3側の面を金型に向け、且つ剥離剤層2側の面を半導体チップや半導体基板に向けて配置してモールド封止した場合に、剥離フィルム10が金型に対して十分な剥離性を示さないものとなる。また、剥離フィルム10における樹脂層3側の面における算術平均粗さRaは、1200nm以下であり、1000nm以下であることが好ましく、特に800nm以下であることが好ましい。当該算術平均粗さRaが1200nmを超えると、剥離フィルム10と金型との密封性が低下し、樹脂漏れが発生し易くなるという問題が生じる。なお、上記算術平均粗さRaの測定方法は、後述する試験例1に示す通りである。
本実施形態に係る剥離フィルム10の製造方法は、特に制限されず、例えば、基材1の一方の面に、前述した樹脂層形成用組成物を用いて樹脂層3を形成した後、基材1の他方の面に、前述した剥離剤組成物を用いて剥離剤層2を形成することで、剥離フィルム10を得ることができる。特に、樹脂層3の形成は、前述した樹脂層形成用組成物及び所望により有機溶剤を含有する塗工液を塗工した後、乾燥し、硬化させることで、樹脂層3を形成することができる。また、剥離剤層2の形成は、前述した剥離剤組成物及び所望により有機溶剤を含有する塗工液を塗工した後、乾燥し、硬化させることで、剥離剤層2を形成することができる。なお、剥離剤層2および樹脂層3を形成する順序は、上記の順番に限られず、先に剥離剤層2を形成した後に樹脂層3を形成してもよい。
本実施形態に係る剥離フィルム10は、モールド封止により半導体パッケージを製造する際に使用されるものである。本実施形態に係る剥離フィルム10は、特に、QFN方式の他、BGA方式等の半導体パッケージのように、半導体基板における半導体チップがマウントされた面側のみを封止した状態で製造される半導体パッケージの製造に使用することが好ましい。この場合において、特に、剥離フィルム10は、半導体基板における半導体チップがマウントされた側とは反対の面と、当該面に相対する金型との間に介在させて使用することが好ましい。
(1)樹脂層形成用組成物の調製
ビスフェノールA型エポキシ化合物(DIC社製,製品名「EPICLON H−360」,固形分濃度:40質量%,重量平均分子量:25000)100質量部と、ポリエステル樹脂(東洋紡社製,製品名「バイロンGK680」,数平均分子量:6000)のトルエン溶液(固形分濃度:30質量%)19.0質量部と、多官能アミノ化合物としてのヘキサメトキシメチルメラミン(日本サイテックインダストリーズ社製,製品名「サイメル303」,固形分濃度:100質量%)11.4質量部とを混合した後、トルエンとメチルエチルケトンとの混合溶媒(質量比率50:50)にて希釈し、固形分2.5質量%の混合液を得た。
上記工程(1)にて得られた樹脂層形成用組成物の塗布液を、基材としての、シリカ粒子を含有する二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ:50μm,表面:マット調,後述する方法により測定された23℃における引張弾性率:260MPa,フィルムを構成するポリエチレンテレフタレート樹脂の融点:260℃,両面の算術平均粗さRa:355nm)の片面上にマイヤーバーコート法にて均一に塗布した。
多官能アミノ化合物としてのヘキサメトキシメチルメラミン(日本サイテックインダストリーズ社製,製品名「サイメル303」,固形分濃度:100質量%)90質量部と、剥離成分としてのポリエステル変性水酸基含有ポリジメチルシロキサン(ビックケミー・ジャパン社製,製品名「BYK−370」,固形分濃度:25質量%)10質量部とを、イソプロピルアルコールとメチルエチルケトンとの混合溶媒(質量比率4:1)中にて混合し、固形分5.0質量%の混合液を得た。
上記工程(3)にて得られた剥離剤組成物の塗布液を、上記工程(2)にて得られた積層体における基材側の面上にマイヤーバーコート法にて均一に塗布した。
樹脂層形成用組成物について、ポリエステル樹脂の配合量を22.22質量部と変更し、多官能アミノ化合物の配合量を20質量部と変更するとともに、p−トルエンスルホン酸のメタノール溶液の添加量を3.3質量部となるように変更した以外は、実施例1と同様にして剥離フィルムを得た。
剥離剤組成物の塗布液を調製するための剥離成分として、5質量部のポリエーテル変性水酸基含有ポリジメチルシロキサン(ビックケミー・ジャパン社製,製品名「BYK−377」,固形分100質量%)を使用した以外は、実施例1と同様にして剥離フィルムを得た。
剥離成分としての、シロキサン結合を主骨格としビニル基を有するオルガノポリシロキサンおよびオルガノハイドロジェンポリシロキサンからなる付加型オルガノポリシロキサン(信越化学工業社製,製品名「シリコーンKS−847H」,固形分濃度:30質量%)100質量部をトルエンにて希釈し、固形分濃度1.5質量%の混合液を調製した。
剥離成分を使用することなく剥離剤組成物を調製した以外は、実施例1と同様にして剥離フィルムを得た。
樹脂層を形成しなかったこと以外は、実施例1と同様にして剥離フィルムを得た。すなわち、基材の片面に剥離剤層が積層されてなる剥離フィルムを得た。
基材として、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ:50μm,前述の方法により測定された23℃における引張弾性率:260MPa,フィルムを構成するポリエチレンテレフタレート樹脂の融点:260℃,両面の算術平均粗さRa:38nm)を使用した以外は、実施例1と同様にして剥離フィルムを得た。
実施例および比較例にて製造した剥離フィルムについて、以下のようにして、樹脂層側の面および剥離剤層側の面における、それぞれの算術平均粗さRaを測定した。まず、測定する側の面とは反対の面がガラス板側となるように、両面テープを介して、剥離フィルムをガラス板に固定した。次に、測定する面における算術平均粗さRa(nm)を、表面粗さ測定機(ミツトヨ社製,製品名「サーフテストSV−3000S4」)を使用し、JIS B0601:2013に準拠して測定した。結果を表1に示す。
実施例および比較例にて製造した剥離フィルムについて、以下のようにして、加熱処理前後の寸法変化率を測定した。剥離フィルムを幅100mm×長さ100mmの寸法に裁断して試験片を得た後、当該試験片の寸法(長さ方向および幅方向)をリニヤスケール(ミツトヨ社製,製品名「AT112」)を用いて正確に測定し、続いて、当該試験片に対して、無荷重で180℃、30分間の加熱処理を行い、加熱処理後の試験片における正確な寸法を加熱処理前の測定と同様にして測定した。そして、下記式(1)に基づいて、剥離フィルムの、長さ方向および幅方向のそれぞれについての加熱処理前後の寸法変化率(%)を算出した。結果を表1に示す。
寸法変化率(%)=|(加熱処理前の寸法−加熱処理後の寸法)/加熱処理前の寸法|×100 …(1)
(1)モールド封止
実施例および比較例にて製造した剥離フィルムを用いて、半導体チップを封止樹脂にて封止し、封止体を得た後、当該封止体を切断して、半導体パッケージを製造した。当該封止は、モールディング装置(アピックヤマダ社製,製品名「コンパクトマニュアルモールディング装置G−LINEシリーズ」)を用いて行った。
上述の通り、上金型40aおよび下金型40bを解放した際の、上金型40aに対する剥離フィルム10の剥離性を以下の基準で評価した。結果を表1に示す。
〇:上金型40aおよび下金型40bの解放と同時に、剥離フィルム10が上金型40aから自然に剥離した。
×:上金型40aおよび下金型40bの解放した後も、剥離フィルム10が上金型40aに密着しており、引き剥がす力を加えないと剥離しなかった。
試験例3にて得られた封止体60において、半導体基板30における半導体チップ20がマウントされた面とは反対側の面における封止樹脂の付着の有無を目視にて確認し、その結果に基づいて、以下の基準にて樹脂漏れを評価した。評価結果を表1に示す。
〇:封止樹脂の付着が確認されなかった。
×:封止樹脂の付着が確認された。
試験例2の項目(1)に示したモールド封止を、同一の上金型40aおよび下金型40bを用いて100回行った後、上金型40aの剥離フィルム10が接する面における、粉状の付着物の有無を確認し、以下の基準に基づいて汚染性を評価した。
〇:粉状の付着物が確認されなかった。
×:粉状の付着物が確認された。
なお、上述の粉状の付着物とは、剥離フィルム10が加熱されることで、剥離フィルム10を構成する基材から発生した低分子量成分が、上金型40aの剥離フィルム10が接する面に析出したものと考えられる。
試験例2の項目(1)に示したモールド封止において、上金型40aおよび下金型40bを解放した際の、封止体60に対する剥離フィルム10の剥離性を以下の基準で評価した。結果を表1に示す。
〇:上金型40aおよび下金型40bの解放と同時に、剥離フィルム10が封止体60から自然に剥離した。
×:上金型40aおよび下金型40bの解放した後において、剥離フィルム10が封止体60に接着して剥離しないか、あるいは、引き剥がす力を強く加えると剥離するものの、剥離剤層の一部が封止体60の表面に転着して残った。
1…基材
2…剥離剤層
3…樹脂層
20…半導体チップ
30…半導体基板
40a…上金型
40b…下金型
41…キャビティ
50…封止部
60…封止体
70…半導体パッケージ
Claims (10)
- モールド封止により半導体パッケージを製造する際に使用される剥離フィルムであって、
前記剥離フィルムが、基材と、前記基材の一方の面側に設けられた剥離剤層と、前記基材の他方の面側に設けられた樹脂層とを備え、
前記剥離フィルムの180℃、30分間の加熱処理前後における寸法変化率が、長さ方向で2.5%未満であり、幅方向で2.5%未満であり、
前記基材の23℃における引張弾性率が、150MPa以上、350MPa以下であり、
前記剥離剤層が、多官能アミノ化合物と、剥離成分とを含有する剥離剤組成物から形成されており、
前記樹脂層が、エポキシ化合物と、ポリエステル樹脂と、多官能アミノ化合物とを含有する樹脂層形成用組成物から形成されており、
前記剥離フィルムにおける前記樹脂層側の面における算術平均粗さRaが、100nm以上、1200nm以下である
ことを特徴とする剥離フィルム。 - 前記基材を構成する樹脂は、ポリエステル樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂およびアクリル樹脂から選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項1に記載の剥離フィルム。
- 前記基材は、粒子を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の剥離フィルム。
- 前記剥離剤組成物に含有される多官能アミノ化合物は、メラミン樹脂であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の剥離フィルム。
- 前記剥離成分は、1分子中に少なくとも1個の水酸基を有するポリオルガノシロキサンであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の剥離フィルム。
- 前記剥離成分は、温度23℃の環境下において液体であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の剥離フィルム。
- 前記エポキシ化合物は、ビスフェノールA型エポキシ化合物であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の剥離フィルム。
- 前記樹脂層形成用組成物に含有される多官能アミノ化合物は、メラミン樹脂であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の剥離フィルム。
- 前記ポリエステル樹脂は、活性水酸基を有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の剥離フィルム。
- 半導体基板における半導体チップがマウントされた面とは反対側の面と、金型との間に配置されて使用されることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の剥離フィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017144976A JP6966888B2 (ja) | 2017-07-26 | 2017-07-26 | 剥離フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017144976A JP6966888B2 (ja) | 2017-07-26 | 2017-07-26 | 剥離フィルム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019029423A true JP2019029423A (ja) | 2019-02-21 |
JP6966888B2 JP6966888B2 (ja) | 2021-11-17 |
Family
ID=65478689
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017144976A Active JP6966888B2 (ja) | 2017-07-26 | 2017-07-26 | 剥離フィルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6966888B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113097549A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-07-09 | 浙江汉丞新能源有限公司 | 一种特种高增强型含氟氯碱电池膜 |
CN113113650A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-07-13 | 浙江汉丞新能源有限公司 | 一种特种高增强型含氟质子或离子交换膜的复合膜 |
KR20220168614A (ko) * | 2021-06-16 | 2022-12-26 | 도레이첨단소재 주식회사 | 이형필름 및 이를 포함하는 적층체 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004200467A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体モールド用離型シート |
JP2006049850A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-02-16 | Asahi Glass Co Ltd | 半導体チップ封止用離型フィルム |
JP2014193527A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Lintec Corp | 粘着シート |
JP2014212239A (ja) * | 2013-04-19 | 2014-11-13 | 株式会社巴川製紙所 | モールド成形用離型シート |
WO2017038917A1 (ja) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | リンテック株式会社 | 粘着シート |
-
2017
- 2017-07-26 JP JP2017144976A patent/JP6966888B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004200467A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体モールド用離型シート |
JP2006049850A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-02-16 | Asahi Glass Co Ltd | 半導体チップ封止用離型フィルム |
JP2014193527A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Lintec Corp | 粘着シート |
JP2014212239A (ja) * | 2013-04-19 | 2014-11-13 | 株式会社巴川製紙所 | モールド成形用離型シート |
WO2017038917A1 (ja) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | リンテック株式会社 | 粘着シート |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113097549A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-07-09 | 浙江汉丞新能源有限公司 | 一种特种高增强型含氟氯碱电池膜 |
CN113113650A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-07-13 | 浙江汉丞新能源有限公司 | 一种特种高增强型含氟质子或离子交换膜的复合膜 |
CN113113650B (zh) * | 2021-03-29 | 2022-07-15 | 浙江汉丞新能源有限公司 | 一种高增强型含氟质子或离子交换膜的复合膜 |
KR20220168614A (ko) * | 2021-06-16 | 2022-12-26 | 도레이첨단소재 주식회사 | 이형필름 및 이를 포함하는 적층체 |
KR102625306B1 (ko) | 2021-06-16 | 2024-01-16 | 도레이첨단소재 주식회사 | 이형필름 및 이를 포함하는 적층체 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6966888B2 (ja) | 2021-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI619209B (zh) | Packaging material with semiconductor package substrate, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device | |
EP3038148A1 (en) | Wafer temporary bonding method and thin wafer manufacturing method | |
KR20160078894A (ko) | 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 가접착재 및 박형 웨이퍼의 제조 방법 | |
EP3112434B1 (en) | Wafer processing temporary bonding arrangement, wafer processing laminate, and thin wafer manufacturing method | |
JP5623970B2 (ja) | 樹脂積層体、及び半導体装置とその製造方法 | |
JP6966888B2 (ja) | 剥離フィルム | |
TW201629147A (zh) | 環氧樹脂組成物、薄膜狀環氧樹脂組成物、硬化物及電子裝置 | |
KR20180133213A (ko) | 기판 가공용 가접착 필름 롤, 박형 기판의 제조 방법 | |
JP2022136188A (ja) | 樹脂組成物、硬化物、封止用フィルム及び封止構造体 | |
JP2017204558A (ja) | 半導体封止用基材付封止材、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP6960276B2 (ja) | 樹脂シート、半導体装置、および樹脂シートの使用方法 | |
TWI761513B (zh) | 樹脂薄片及半導體裝置 | |
TW201638260A (zh) | 樹脂膜形成用薄片、樹脂膜形成用複合薄片、及矽晶圓之再生方法 | |
JP2010185013A (ja) | 接着剤組成物およびそれを用いた半導体ウエハ用保護シート | |
JPWO2019098078A1 (ja) | 樹脂シート | |
TW202124505A (zh) | 樹脂組合物、硬化物、複合成形體、半導體裝置 | |
WO2020158510A1 (ja) | 硬化性フイルム | |
JPWO2019044398A1 (ja) | 樹脂シート、半導体装置、および樹脂シートの使用方法 | |
JP7124819B2 (ja) | 封止用フィルム、封止構造体及び封止構造体の製造方法 | |
TWI763782B (zh) | 密封板片及半導體裝置的製造方法 | |
WO2022259869A1 (ja) | 耐熱性粘着フィルム | |
WO2022153756A1 (ja) | 離型フィルム | |
JP2011057793A (ja) | 接着剤組成物およびそれを用いた半導体保護膜形成用シート | |
CN117321161A (zh) | 耐热性粘合膜 | |
JPWO2018199309A1 (ja) | 封止用フィルム及び封止構造体、並びにこれらの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200427 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210302 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210928 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211022 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6966888 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |