JP2019016740A - リードフレーム、半導体装置、及びリードフレームの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
・シアン化カリウム(KCN)…濃度5g/リットル
・リン酸水素二カリウム(K2HPO4)…濃度20g/リットル
・ホウ酸(H3BO3)…濃度10g/リットル
以上により、この調査に使用したサンプルP1が完成した。
本実施形態では以下のようにしてリードフレームを製造し、そのリードフレームに発光素子を搭載してなる半導体装置を製造する。
Claims (8)
- 金属板と、
前記金属板の表面に形成され、酸化チタンと酸化ジルコニウムのいずれかの重合体を含む重合膜と、
前記重合膜の上に形成された銀膜と、
を有するリードフレーム。 - 前記金属板は、半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記半導体素子に繋がる金属線が接続されるボンディングパッドとを有することを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。
- 前記金属板の上に形成され、前記ダイパッドと前記ボンディングパッドの各々が露出する開口を備えた樹脂部を更に有し、
前記半導体素子は光を発光する発光素子であり、前記開口の側面は、前記光を反射するリフレクタであることを特徴とする請求項2に記載のリードフレーム。 - 金属板と、前記金属板の表面に形成され、酸化チタンと酸化ジルコニウムのいずれかの重合体を含む重合膜と、前記重合膜の上に形成された銀膜とを有するリードフレームと、
前記リードフレームに搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記リードフレームの各々に接続された金属線と、
を有する半導体装置。 - 金属板の表面に、酸化チタンと酸化ジルコニウムのいずれかの重合膜を形成する工程と、
前記重合膜の上にめっき法で銀膜を形成する工程と、
を有するリードフレームの製造方法。 - 前記重合膜を形成する工程は、
チタンキレート、チタンオリゴマー、及びジルコニウムキレートのいずれかの溶液の塗膜を前記金属板の前記表面に形成する工程と、
前記塗膜を加熱して重合させることにより前記重合膜にする工程とを有することを特徴とする請求項5に記載のリードフレームの製造方法。 - 前記塗膜を加熱する工程は、不活性ガスの雰囲気中で行われることを特徴とする請求項6に記載のリードフレームの製造方法。
- 前記銀膜を形成する工程において、光沢剤が排除されためっき液を使用して前記銀膜を形成することを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。
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