JP2019014954A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2019014954A5
JP2019014954A5 JP2017135329A JP2017135329A JP2019014954A5 JP 2019014954 A5 JP2019014954 A5 JP 2019014954A5 JP 2017135329 A JP2017135329 A JP 2017135329A JP 2017135329 A JP2017135329 A JP 2017135329A JP 2019014954 A5 JP2019014954 A5 JP 2019014954A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
upper electrode
conductor
film
electrode
result
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017135329A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2019014954A (ja
JP6803811B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2017135329A priority Critical patent/JP6803811B2/ja
Priority claimed from JP2017135329A external-priority patent/JP6803811B2/ja
Priority to TW107116515A priority patent/TW201908519A/zh
Priority to CN201810722262.7A priority patent/CN109234705A/zh
Priority to US16/032,033 priority patent/US11062883B2/en
Publication of JP2019014954A publication Critical patent/JP2019014954A/ja
Publication of JP2019014954A5 publication Critical patent/JP2019014954A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6803811B2 publication Critical patent/JP6803811B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2017135329A 2017-07-11 2017-07-11 原子層成長装置 Active JP6803811B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017135329A JP6803811B2 (ja) 2017-07-11 2017-07-11 原子層成長装置
TW107116515A TW201908519A (zh) 2017-07-11 2018-05-16 原子層成長裝置
CN201810722262.7A CN109234705A (zh) 2017-07-11 2018-06-29 原子层成长装置
US16/032,033 US11062883B2 (en) 2017-07-11 2018-07-10 Atomic layer deposition apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017135329A JP6803811B2 (ja) 2017-07-11 2017-07-11 原子層成長装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019014954A JP2019014954A (ja) 2019-01-31
JP2019014954A5 true JP2019014954A5 (https=) 2020-02-27
JP6803811B2 JP6803811B2 (ja) 2020-12-23

Family

ID=64999187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017135329A Active JP6803811B2 (ja) 2017-07-11 2017-07-11 原子層成長装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11062883B2 (https=)
JP (1) JP6803811B2 (https=)
CN (1) CN109234705A (https=)
TW (1) TW201908519A (https=)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111243933A (zh) * 2020-02-18 2020-06-05 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 一种干法刻蚀设备的上部电极及干法刻蚀设备

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000060653A1 (en) * 1999-03-30 2000-10-12 Tokyo Electron Limited Plasma treatment device, its maintenance method and its installation method
JP2001316797A (ja) 2000-05-08 2001-11-16 Mitsubishi Electric Corp 成膜装置および成膜装置に用いる防着部材
JP4406188B2 (ja) * 2002-06-12 2010-01-27 キヤノンアネルバ株式会社 成膜装置
KR100629358B1 (ko) * 2005-05-24 2006-10-02 삼성전자주식회사 샤워 헤드
JP4492963B2 (ja) 2005-06-14 2010-06-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 薄膜の成膜方法、気相成長装置、プログラム
JP5077748B2 (ja) 2007-09-06 2012-11-21 富士電機株式会社 成膜装置
JP5743266B2 (ja) * 2010-08-06 2015-07-01 キヤノンアネルバ株式会社 成膜装置及びキャリブレーション方法
JP5971723B2 (ja) * 2013-01-10 2016-08-17 株式会社日本製鋼所 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置防着板
JP2016108642A (ja) * 2014-12-10 2016-06-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 原子層堆積装置
JP6050860B1 (ja) * 2015-05-26 2016-12-21 株式会社日本製鋼所 プラズマ原子層成長装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10276420B2 (en) Electrostatic chuck and semiconductor manufacturing apparatus
JP2013064196A5 (https=)
US10519549B2 (en) Apparatus for plasma atomic layer deposition
JP5286351B2 (ja) マグネトロンスパッタリング装置及びマグネトロンスパッタリング方法
KR102428288B1 (ko) 정전 척 및 그 범프의 제조 방법
JP5449994B2 (ja) プラズマ処理装置
JP5601794B2 (ja) プラズマエッチング装置
TW201346053A (zh) 濺射裝置及使用其之沉積薄膜方法
JP2019014954A5 (https=)
JP2012224921A (ja) 成膜装置
CN104294224A (zh) 溅射装置和带薄膜的长条膜的制造方法
CN112838159A (zh) 极化设备
JP4673478B2 (ja) バイアススパッタリング装置及びバイアススパッタリング方法
US20170096737A1 (en) Plasma cvd apparatus
JP6580829B2 (ja) プラズマｃｖｄ成膜装置
JP2008266665A (ja) 成膜装置
US11062883B2 (en) Atomic layer deposition apparatus
JP2013245393A (ja) サンプルホルダ
JP2010106370A (ja) バイアススパッタリング装置
JP4412293B2 (ja) スパッタ装置
WO2015194031A1 (ja) プラズマｃｖｄ装置及び磁気記録媒体の製造方法
JP5042206B2 (ja) 基板搬送装置及びこれを用いた成膜装置
JP5112548B1 (ja) スパッタリング装置およびその成膜方法
JP2016108620A (ja) メタルマスク、タッチパネル及びタッチパネルの製造方法
KR102125510B1 (ko) 박막의 형성방법