JP2019012724A - Manufacturing method of rectangular substrate support tray - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、矩形基板が嵌合する凹部を有する矩形基板支持トレーの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a rectangular substrate support tray having a recess into which a rectangular substrate is fitted.
イオン注入装置、プラズマエッチング装置、熱処理装置等の半導体デバイスを形成する際に用いる各種装置は、円形のウェーハを対象として装置が構成されている（例えば、特開２００２−１７０７８号公報参照）。そのため、太陽電池の製造に用いる多結晶シリコン基板等の矩形の基板をこれらの装置に投入するには、大幅な改造が必要となる。 Various apparatuses used when forming semiconductor devices such as an ion implantation apparatus, a plasma etching apparatus, and a heat treatment apparatus are configured for circular wafers (see, for example, JP-A-2002-17078). For this reason, in order to put a rectangular substrate such as a polycrystalline silicon substrate used for manufacturing a solar cell into these apparatuses, a large modification is required.
しかしながら、円形ウェーハに対応した高価なこれら装置を改造して矩形基板を投入可能にするためには、改造費用も高額にならざるを得ない。装置を改造せずに矩形基板をこれら装置に投入可能とするためには、円形のシリコンウェーハを支持基板にしてシリコンウェーハに矩形基板を固定すればよいと考えられる。 However, in order to modify these expensive devices corresponding to circular wafers so that a rectangular substrate can be introduced, the cost of modification is inevitably high. In order to make it possible to insert a rectangular substrate into these apparatuses without modifying the apparatus, it is considered that a rectangular silicon wafer may be fixed to the silicon wafer using a circular silicon wafer as a supporting substrate.
そこで、エッチングによってシリコンウェーハに矩形基板が嵌合する凹部を形成した所、凹部の底面に緩やかながらも凹凸ができ、凹部に嵌合した矩形基板が安定しないという問題が発生した。また、エッチング時間も非常に長く掛かるという課題もあった。 Therefore, when the concave portion for fitting the rectangular substrate to the silicon wafer was formed by etching, there was a problem that the bottom surface of the concave portion was moderately uneven, but the rectangular substrate fitted to the concave portion was not stable. In addition, there is a problem that the etching time is very long.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、所望の深さの平坦な底部を備えた矩形基板が嵌合する凹部を容易に形成することのできる矩形基板支持トレーの製造方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such a point, and the object of the present invention is to make a rectangular shape in which a rectangular substrate having a flat bottom portion having a desired depth can be easily formed. A method for manufacturing a substrate support tray is provided.
本発明によると、矩形基板が嵌合する凹部を有する矩形基板支持トレーの製造方法であって、該矩形基板の長辺の長さより大きい直径を有するウェーハをチャックテーブルで保持するウェーハ保持ステップと、該チャックテーブルで保持した該ウェーハの上方から切削ブレードを該ウェーハの表面に所望の深さ切り込ませ、該チャックテーブルを加工送りすることにより、該矩形基板の横幅と同じ長さの第１の溝を該ウェーハの表面に形成する溝形成ステップと、該ウェーハの上方から該切削ブレードを該第１の溝に隣接して該ウェーハの表面に該所望の深さ切り込ませ、該チャックテーブルを加工送りすることにより、該第１の溝と同じ長さ及び同じ切り込み深さの第２の溝を形成し、該第１の溝を拡幅する溝拡幅ステップと、該溝拡幅ステップで形成した凹部の幅が該矩形基板の縦の長さになるまで該溝拡幅ステップを繰り返す繰り返しステップと、該保持ステップを実施した後、該切削ブレードを該ウェーハの横方向から該ウェーハに該所望の深さ切り込ませ、該チャックテーブルを加工送りすることにより、該凹部の端部で該切削ブレードの円弧が転写した又は転写する領域に沿って該所望の深さの溝を形成し、該円弧領域を除去して該矩形基板の縦の辺が嵌合する該凹部の側壁を形成する円弧領域除去ステップと、を備え、矩形状底部と該底部から立設する４つの側壁により画成される該矩形基板が嵌合する矩形状凹部を該切削ブレードで形成することを特徴とする矩形基板支持トレーの製造方法が提供される。 According to the present invention, a method for manufacturing a rectangular substrate support tray having a recess into which a rectangular substrate is fitted, the wafer holding step of holding a wafer having a diameter larger than the length of the long side of the rectangular substrate with a chuck table; A cutting blade is cut into the surface of the wafer to a desired depth from above the wafer held by the chuck table, and the chuck table is processed and fed, so that the first length having the same length as the lateral width of the rectangular substrate is obtained. A groove forming step for forming a groove in the surface of the wafer; and the cutting blade is cut into the surface of the wafer adjacent to the first groove from above the wafer to the desired depth; By processing and feeding, a second groove having the same length and the same cutting depth as the first groove is formed, and a groove widening step for widening the first groove, and the groove widening step. After repeating the groove widening step until the width of the recess formed in the step becomes the vertical length of the rectangular substrate, and holding the holding step, the cutting blade is moved from the lateral direction of the wafer. Is cut into the desired depth, and the chuck table is processed and fed to form a groove having the desired depth along the region where the arc of the cutting blade is transferred or transferred at the end of the recess. An arc region removing step for removing the arc region and forming a side wall of the recess into which the vertical sides of the rectangular substrate are fitted, and a rectangular bottom portion and four side walls standing from the bottom portion. There is provided a method for manufacturing a rectangular substrate support tray, wherein the cutting blade is used to form a rectangular recess into which the rectangular substrate to be defined is fitted.
好ましくは、該円弧領域除去ステップでは、該繰り返しステップ実施後且つ該矩形基板を保持した該チャックテーブルを９０°回転した後、該凹部の端部で該切削ブレードの円弧が転写した領域に沿って該所望の深さの溝を形成し該円弧領域を除去する。 Preferably, in the arc region removal step, after the repetition step is performed and the chuck table holding the rectangular substrate is rotated by 90 °, the arc of the cutting blade is transferred along the region where the arc of the cutting blade is transferred at the end of the recess. A groove having the desired depth is formed and the arc region is removed.
本発明によると、溝拡幅ステップを複数回繰り返すことにより切削ブレードで形成した第１の溝を横方向に拡幅することができ、所望の深さの平坦な底部を備えた矩形基板が嵌合する凹部を容易に形成することができる。切削ブレードによる切削により凹部を形成するため、エッチングより短時間で所望の凹部を形成することができ、切削装置を何ら改造せずに実施することができる。 According to the present invention, by repeating the groove widening step a plurality of times, the first groove formed by the cutting blade can be widened in the lateral direction, and a rectangular substrate having a flat bottom portion having a desired depth is fitted. The recess can be easily formed. Since the concave portion is formed by cutting with the cutting blade, the desired concave portion can be formed in a shorter time than etching, and the cutting apparatus can be implemented without any modification.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明に係る矩形基板支持トレーの製造方法を実施するのに適した切削装置２の斜視図が示されている。図１に示すように、切削装置２は、各構成要素を支持する装置基台４を備えている。装置基台４の上面には、Ｘ軸方向（加工送り方向）に長い矩形状の開口４ａが形成されている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, there is shown a perspective view of a cutting apparatus 2 suitable for carrying out the method for manufacturing a rectangular substrate support tray according to the present invention. As shown in FIG. 1, the cutting device 2 includes a device base 4 that supports each component. A rectangular opening 4 a that is long in the X-axis direction (machining feed direction) is formed on the upper surface of the apparatus base 4.
この開口４ａ内には、Ｘ軸移動テーブル６と、該Ｘ軸移動テーブル６をＸ軸方向に移動させるＸ軸移動機構（不図示）と、Ｘ軸移動機構を覆う防塵防滴カバー８と、が設けられている。該Ｘ軸移動機構は、Ｘ軸方向に平行な一対のＸ軸ガイドレール（不図示）を備えており、Ｘ軸ガイドレールには、Ｘ軸移動テーブル６がスライド可能に取り付けられている。 In this opening 4a, an X-axis moving table 6, an X-axis moving mechanism (not shown) for moving the X-axis moving table 6 in the X-axis direction, a dustproof and splashproof cover 8 that covers the X-axis moving mechanism, Is provided. The X-axis movement mechanism includes a pair of X-axis guide rails (not shown) parallel to the X-axis direction, and an X-axis movement table 6 is slidably attached to the X-axis guide rails.
Ｘ軸移動テーブル６の下面側には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｘ軸ガイドレールに平行なＸ軸ボールねじ（不図示）が螺合されている。Ｘ軸ボールねじの一端部には、Ｘ軸パルスモータ（不図示）が連結されている。Ｘ軸パルスモータでＸ軸ボールねじを回転させると、移動テーブル６はＸ軸ガイドレールに沿ってＸ軸方向に移動する。 A nut portion (not shown) is provided on the lower surface side of the X-axis moving table 6, and an X-axis ball screw (not shown) parallel to the X-axis guide rail is screwed to the nut portion. . An X-axis pulse motor (not shown) is connected to one end of the X-axis ball screw. When the X-axis ball screw is rotated by the X-axis pulse motor, the moving table 6 moves in the X-axis direction along the X-axis guide rail.
Ｘ軸移動テーブル６上には、被加工物を吸引、保持するためのチャックテーブル１０が設けられている。チャックテーブル１０は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、Ｚ軸方向（鉛直方向）に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル１０は、上述したＸ軸移動機構でＸ軸方向に加工送りされる。 On the X-axis moving table 6, a chuck table 10 for sucking and holding a workpiece is provided. The chuck table 10 is connected to a rotation drive source (not shown) such as a motor, and rotates around a rotation axis substantially parallel to the Z-axis direction (vertical direction). The chuck table 10 is processed and fed in the X-axis direction by the X-axis moving mechanism described above.
チャックテーブル１０の表面（上面）は、被加工物を吸引、保持する保持面１０ａとなっている。この保持面１０ａは、チャックテーブル１０の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）に接続されている。チャックテーブル１０の周囲には、被加工物を固定するためのクランプ１０ｂが設けられている。 The surface (upper surface) of the chuck table 10 is a holding surface 10a that sucks and holds the workpiece. The holding surface 10 a is connected to a suction source (not shown) through a flow path (not shown) formed inside the chuck table 10. Around the chuck table 10, a clamp 10b for fixing a workpiece is provided.
被加工物は、例えば、半導体ウェーハであり、環状フレームに保持されたテープ上に貼着され、環状フレームと一体で取り扱われる。環状フレームとテープとを用いて被加工物を取り扱うと、搬送する際に生じる衝撃等から該被加工物を保護できる。さらに、該テープを拡張すると、切削加工された被加工物を分割したり、分割後のチップの間隔を広げたりできる。なお、環状フレームとテープとを使用せずに、被加工物を単体で切削加工してもよい。 The workpiece is, for example, a semiconductor wafer, is stuck on a tape held by an annular frame, and is handled integrally with the annular frame. When the workpiece is handled using the annular frame and the tape, the workpiece can be protected from an impact or the like generated when the workpiece is conveyed. Furthermore, when the tape is expanded, it is possible to divide the cut workpiece and increase the interval between the divided chips. Note that the workpiece may be cut by itself without using the annular frame and the tape.
開口４ａから離れた装置基台４の前方の角部には、装置基台４から側方に突き出た突出部１２が設けられている。突出部１２の内部には空間が形成されており、この空間には、昇降可能なカセットエレベータ１６が設置されている。カセットエレベータ１６の上面には、複数の被加工物を収容可能なカセット１８が載せられる。 A protruding portion 12 that protrudes laterally from the device base 4 is provided at a corner in front of the device base 4 away from the opening 4a. A space is formed inside the protrusion 12, and a cassette elevator 16 that can be raised and lowered is installed in this space. A cassette 18 that can accommodate a plurality of workpieces is placed on the upper surface of the cassette elevator 16.
開口４ａに近接する位置には、上述した被加工物をチャックテーブル１０へと搬送する搬送ユニット（不図示）が設けられている。搬送ユニットでカセット１８から引き出された被加工物は、チャックテーブル１０の保持面１０ａに載置される。 A transport unit (not shown) for transporting the above-described workpiece to the chuck table 10 is provided at a position close to the opening 4a. The workpiece pulled out from the cassette 18 by the transport unit is placed on the holding surface 10 a of the chuck table 10.
装置基台４の上面には、被加工物を切削する切削ユニット１４を支持する支持構造２０が、開口４ａの上方に張り出すように配置されている。支持構造２０の前面上部には、切削ユニット１４をＹ軸方向（割り出し送り方向）及びＺ軸方向に移動させる切削ユニット移動機構２２が設けられている。 On the upper surface of the apparatus base 4, a support structure 20 that supports a cutting unit 14 that cuts a workpiece is disposed so as to protrude above the opening 4 a. A cutting unit moving mechanism 22 that moves the cutting unit 14 in the Y-axis direction (index feed direction) and the Z-axis direction is provided on the upper front surface of the support structure 20.
切削ユニット移動機構２２は、支持構造２０の前面に配置されＹ軸方向に平行な一対のＹ軸ガイドレール２４を備えている。Ｙ軸ガイドレール２４には、切削ユニット移動機構２２を構成するＹ軸移動プレート２６がスライド可能に取り付けられている。Ｙ軸移動プレート２６の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸ガイドレール２４に平行なＹ軸ボールねじ２８が螺合されている。 The cutting unit moving mechanism 22 includes a pair of Y-axis guide rails 24 arranged in front of the support structure 20 and parallel to the Y-axis direction. A Y-axis moving plate 26 constituting the cutting unit moving mechanism 22 is slidably attached to the Y-axis guide rail 24. A nut portion (not shown) is provided on the back surface side (rear surface side) of the Y-axis moving plate 26, and a Y-axis ball screw 28 parallel to the Y-axis guide rail 24 is screwed into the nut portion. ing.
Ｙ軸ボールねじ２８の一端部には、Ｙ軸パルスモータ（不図示）が連結されている。Ｙ軸パルスモータでＹ軸ボールねじ２８を回転させると、Ｙ軸移動プレート２６は、Ｙ軸ガイドレール２４に沿ってＹ軸方向に移動する。 A Y-axis pulse motor (not shown) is connected to one end of the Y-axis ball screw 28. When the Y-axis ball screw 28 is rotated by the Y-axis pulse motor, the Y-axis moving plate 26 moves in the Y-axis direction along the Y-axis guide rail 24.
Ｙ軸移動プレート２６の表面（前面）には、Ｚ軸方向に平行な一対のＺ軸ガイドレール３０が設けられている。Ｚ軸ガイドレール３０には、Ｚ軸移動プレート３２がスライド可能に取り付けられている。 A pair of Z-axis guide rails 30 parallel to the Z-axis direction are provided on the surface (front surface) of the Y-axis moving plate 26. A Z-axis moving plate 32 is slidably attached to the Z-axis guide rail 30.
Ｚ軸移動プレート３２の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｚ軸ガイドレール３０に平行なＺ軸ボールねじ３４が螺合されている。Ｚ軸ボールねじ３４の一端部には、Ｚ軸パルスモータ３６が連結されている。Ｚ軸パルスモータ３６でＺ軸ボールねじ３４を回転させれば、Ｚ軸移動プレート３２が、Ｚ軸ガイドレール３０に沿ってＺ軸方向に移動する。 A nut portion (not shown) is provided on the back surface side (rear surface side) of the Z-axis moving plate 32, and a Z-axis ball screw 34 parallel to the Z-axis guide rail 30 is screwed into the nut portion. ing. A Z-axis pulse motor 36 is connected to one end of the Z-axis ball screw 34. When the Z-axis ball screw 34 is rotated by the Z-axis pulse motor 36, the Z-axis moving plate 32 moves along the Z-axis guide rail 30 in the Z-axis direction.
Ｚ軸移動プレート３２の下部には、被加工物を加工する切削ユニット１４と、撮像ユニット３８が固定されている。切削ユニット移動機構２２で、Ｙ軸移動プレート２６をＹ軸方向に移動させれば、切削ユニット１４及び撮像ユニット３８は割り出し送りされ、Ｚ軸移動プレート３２をＺ軸方向に移動させれば、切削ユニット１４及び撮像ユニット３８は昇降する。 A cutting unit 14 for processing a workpiece and an imaging unit 38 are fixed to the lower part of the Z-axis moving plate 32. When the cutting unit moving mechanism 22 moves the Y-axis moving plate 26 in the Y-axis direction, the cutting unit 14 and the imaging unit 38 are indexed and when the Z-axis moving plate 32 is moved in the Z-axis direction, the cutting is performed. The unit 14 and the imaging unit 38 move up and down.
４０は洗浄ユニットであり、切削ユニット１４により切削加工の施された被加工物は、搬送機構（不図示）によってチャックテーブル１０から洗浄ユニット４０へと搬送される。洗浄ユニット４０は、筒状の洗浄空間内で被加工物を吸引保持するスピンナーテーブル４２を備えている。スピンナーテーブル４２の下部には、スピンナーテーブル４２を所定の速さで回転させるモータ等の回転駆動源が連結されている。 Reference numeral 40 denotes a cleaning unit, and the workpiece subjected to cutting by the cutting unit 14 is transported from the chuck table 10 to the cleaning unit 40 by a transport mechanism (not shown). The cleaning unit 40 includes a spinner table 42 that sucks and holds a workpiece in a cylindrical cleaning space. A rotation drive source such as a motor that rotates the spinner table 42 at a predetermined speed is connected to the lower portion of the spinner table 42.
スピンナーテーブル４２の上方には、被加工物に向けて洗浄用の流体（代表的には、水とエアーとを混合した二流体）を噴射する噴射ノズル４４が配設されている。被加工物を保持したスピンナーテーブル４２を回転させながら噴射ノズル４４から洗浄用の流体を噴射すると、切削加工後の被加工物を洗浄できる。洗浄ユニット４０で洗浄された被加工物は、搬送機構（不図示）でカセット１８内に収容される。 Above the spinner table 42, an injection nozzle 44 that injects a cleaning fluid (typically, two fluids in which water and air are mixed) toward the workpiece is disposed. When the cleaning fluid is ejected from the ejection nozzle 44 while rotating the spinner table 42 holding the workpiece, the workpiece after cutting can be cleaned. The workpiece cleaned by the cleaning unit 40 is accommodated in the cassette 18 by a transport mechanism (not shown).
図２（Ａ）を参照すると、矩形基板５の斜視図が示されている。矩形基板５は、例えば、太陽電池用多結晶シリコン基板である。図２（Ｂ）を参照すると、本発明の加工対象となる円形ウェーハの斜視図が示されている。好ましくは、ウェーハ１１はシリコンウェーハから構成される。本実施形態で採用したシリコンウェーハ１１は、厚さ０．７２５ｍｍの８インチウェーハである。 Referring to FIG. 2A, a perspective view of the rectangular substrate 5 is shown. The rectangular substrate 5 is, for example, a solar cell polycrystalline silicon substrate. Referring to FIG. 2 (B), a perspective view of a circular wafer to be processed according to the present invention is shown. Preferably, the wafer 11 is composed of a silicon wafer. The silicon wafer 11 employed in this embodiment is an 8-inch wafer having a thickness of 0.725 mm.
本発明実施形態に係る矩形基板支持トレーの製造方法では、まず、矩形基板５の長辺の長さより大きい直径を有するウェーハ１１をチャックテーブル１０で保持する保持ステップを実施する。 In the method for manufacturing a rectangular substrate support tray according to the embodiment of the present invention, first, a holding step of holding the wafer 11 having a diameter larger than the length of the long side of the rectangular substrate 5 with the chuck table 10 is performed.
次いで、図３（Ａ）に示すように、チャックテーブル１０に保持されたウェーハ１１の上方から切削ユニット１４の切削ブレード４６をウェーハ１１の表面に所望の深さ切り込ませ、ウェーハ１１を保持したチャックテーブル１０を矢印Ｘ１方向に加工送りすることにより、矩形基板５の横幅と同じ長さの第１の溝１３をウェーハ１１の表面に形成する溝形成ステップを実施する。切削ブレード４６としては、厚さ１．０ｍｍで♯１５００のビトリファイドボンドブレードを使用した。 Next, as shown in FIG. 3A, the cutting blade 46 of the cutting unit 14 is cut into the surface of the wafer 11 from above the wafer 11 held on the chuck table 10 to hold the wafer 11. A groove forming step for forming the first groove 13 having the same length as the lateral width of the rectangular substrate 5 on the surface of the wafer 11 is performed by processing and feeding the chuck table 10 in the direction of the arrow X1. As the cutting blade 46, a # 1500 vitrified bond blade having a thickness of 1.0 mm was used.
ウェーハ１１の上方からウェーハ１１に切り込む切削方法は、チョッパーカットと称される。チョッパーカットを実施すると、第１の溝１３の両端部分に切削ブレード４０の円弧が転写された円弧領域１３ａが形成される。図３（Ａ）で符号５ａは矩形基板５のサイズを示している。 A cutting method for cutting into the wafer 11 from above the wafer 11 is referred to as chopper cutting. When the chopper cut is performed, an arc region 13 a in which the arc of the cutting blade 40 is transferred is formed at both end portions of the first groove 13. In FIG. 3A, reference numeral 5 a indicates the size of the rectangular substrate 5.
溝形成ステップ実施後、図４（Ａ）に示すように、切削ブレード４６をチョッパーカットで第１の溝１３−１に隣接してウェーハ１１に所望の深さ切り込ませ、チャックテーブル１０を矢印Ｘ１方向に加工送りすることにより、第１の溝１３−１と同じ長さ及び同じ切り込み深さの第２の溝１３−２を形成し、第１の溝１３−１を拡幅する溝拡幅ステップを実施する。 After performing the groove forming step, as shown in FIG. 4A, the cutting blade 46 is cut into the wafer 11 at a desired depth adjacent to the first groove 13-1 by chopper cutting, and the chuck table 10 is moved to an arrow. Groove widening step of forming the second groove 13-2 having the same length and the same cutting depth as the first groove 13-1 by processing and feeding in the X1 direction, and widening the first groove 13-1. To implement.
好ましくは、溝拡幅ステップは、図４（Ｂ）に示すように、第２の溝１３−２の一部が第１の溝１３−１に部分的に重なるように形成する。第１の溝１３−１の円弧領域１３ａ−１と第２の溝１３−２の円弧領域１３ａ−２とは重なり領域１５を有する。 Preferably, the groove widening step is formed so that a part of the second groove 13-2 partially overlaps the first groove 13-1, as shown in FIG. 4B. The arc region 13a-1 of the first groove 13-1 and the arc region 13a-2 of the second groove 13-2 have an overlapping region 15.
本実施形態で採用した切り込み送り速度は０．５ｍｍ／ｓであり、Ｘ軸方向の加工送り速度は２０ｍｍ／ｓであり、Ｙ軸方向の割り出し送り量は０．８ｍｍであった。従って、図４に示す溝拡幅ステップでは、０．２ｍｍの溝がオーバーラップしていることになる。 The cutting feed rate employed in this embodiment was 0.5 mm / s, the machining feed rate in the X-axis direction was 20 mm / s, and the index feed amount in the Y-axis direction was 0.8 mm. Therefore, in the groove widening step shown in FIG. 4, the 0.2 mm grooves are overlapped.
この溝拡幅ステップを溝拡幅ステップで形成した凹部１７の幅が矩形基板５の縦の長さになるまで複数回繰り返し、図５（Ａ）に示すように、凹部１７の両端に縦に長い円弧領域１３ａを形成する（繰り返しステップ）。図５（Ｂ）で符号１９は凹部１７の側壁であり、凹部１７の底面から垂直に立設している。 側壁１９の高さ、即ち凹部１７の深さは２００μｍであった。 This groove widening step is repeated a plurality of times until the width of the concave portion 17 formed by the groove widening step becomes the vertical length of the rectangular substrate 5, and as shown in FIG. Region 13a is formed (repetition step). In FIG. 5B, reference numeral 19 denotes a side wall of the concave portion 17, and stands vertically from the bottom surface of the concave portion 17. The height of the side wall 19, that is, the depth of the concave portion 17 was 200 μm.
ここで注意すべきは、繰り返しステップでは、切削ブレード４６の幅方向で溝１３がオーバーラップする領域とオーバーラップしない領域が発生し、オーバーラップしない領域をカットした切削ブレード４６が選択的に摩耗して偏摩耗が発生するため、定期的に切削ブレード４６をドレッシングして、切削ブレード４６の先端を平坦にする加工が必要になる。 It should be noted that in the repetitive step, a region where the groove 13 overlaps and a region where the groove 13 does not overlap occurs in the width direction of the cutting blade 46, and the cutting blade 46 which cuts the region where it does not overlap is selectively worn. Since uneven wear occurs, it is necessary to periodically dress the cutting blade 46 to make the tip of the cutting blade 46 flat.
繰り返しステップを実施して矩形基板５の縦の長さに等しい側壁１９から側壁１９までの凹部１７を形成した後、ウェーハ１１を保持しているチャックテーブル１０を９０°回転する。 After repeating the steps to form the recesses 17 from the side wall 19 to the side wall 19 equal to the vertical length of the rectangular substrate 5, the chuck table 10 holding the wafer 11 is rotated by 90 °.
次いで、図６（Ａ）に示すように、切削ブレード４６をウェーハ１１の横方向からウェーハ１１に所望深さ切り込ませ（トラバースカット）、ウェーハ１１を保持しているチャックテーブル１０を矢印Ｘ１方向に加工送りすることにより、凹部１７の端部で切削ブレード４６の円弧が転写した円弧領域１３ａに沿って所望の深さの溝２１を形成し、円弧領域１３ａを除去して矩形基板５の縦の辺が嵌合する側壁１９を形成する円弧領域除去ステップを実施する。１７ａは凹部１７の縁である。 Next, as shown in FIG. 6A, the cutting blade 46 is cut into the wafer 11 from the lateral direction of the wafer 11 (traverse cut), and the chuck table 10 holding the wafer 11 is moved in the direction of the arrow X1. To form the groove 21 having a desired depth along the arc region 13a to which the arc of the cutting blade 46 has been transferred at the end of the recess 17, and the arc region 13a is removed to remove the vertical portion of the rectangular substrate 5. An arc region removing step for forming the side wall 19 to which the sides of the arc are fitted is performed. Reference numeral 17 a denotes an edge of the recess 17.
円弧領域除去ステップが完了すると、図７に示すように、凹部１７の上下方向の両端部に切削ブレード４６のトラバースカットで形成した２本の溝２１が形成される。そして、矩形状の凹部１７は、凹部１７の底面１７ｂと底面１７ｂから垂直に立ち上がった４つの側壁１９とで画成されて形成される。図７は、本実施形態の製造方法により完成した矩形基板支持ウェーハ（トレー）の平面図である。 When the arc region removal step is completed, as shown in FIG. 7, two grooves 21 formed by traverse cutting of the cutting blade 46 are formed at both ends in the vertical direction of the recess 17. The rectangular recess 17 is defined by a bottom surface 17b of the recess 17 and four side walls 19 rising vertically from the bottom surface 17b. FIG. 7 is a plan view of a rectangular substrate supporting wafer (tray) completed by the manufacturing method of the present embodiment.
このようにして矩形基板支持トレー１１が完成すると、図８（Ａ）に示すように、矩形状底面１７ｂと４つの側壁１９とにより画成された凹部１７中に矩形基板５を嵌合することにより、図８（Ｂ）に示すように、矩形基板支持トレー１１で矩形基板５を安定して支持することができる。 When the rectangular substrate support tray 11 is completed in this manner, the rectangular substrate 5 is fitted into the recess 17 defined by the rectangular bottom surface 17b and the four side walls 19 as shown in FIG. Thus, the rectangular substrate 5 can be stably supported by the rectangular substrate support tray 11 as shown in FIG.
次に、図９を参照して、上述した実施形態の製造方法の変形例について説明する。この変形例では、図９（Ａ）に示すように、溝拡幅ステップを繰り返し実施する際に、溝拡幅ステップの最初の部分と最後の部分でトラバースカットでウェーハ１１に所定幅の溝２３を形成する。 Next, a modification of the manufacturing method of the above-described embodiment will be described with reference to FIG. In this modification, as shown in FIG. 9A, when the groove widening step is repeatedly performed, a groove 23 having a predetermined width is formed on the wafer 11 by traverse cutting at the first and last portions of the groove widening step. To do.
次いで、ウェーハ１１を保持しているチャックテーブル１０を９０°回転した後、図９（Ｂ）に示すように、図９（Ａ）で形成した円弧領域１３ａ部分をトラバースカットで切削して所望深さの溝２１を形成し、円弧領域１３ａを除去して矩形基板５の縦の辺が嵌合する凹部１７の側壁１９を形成する円弧領域除去ステップを実施する。 Next, after the chuck table 10 holding the wafer 11 is rotated by 90 °, as shown in FIG. 9B, the arc region 13a formed in FIG. The groove 21 is formed, the arc region 13a is removed, and an arc region removing step for forming the side wall 19 of the recess 17 into which the vertical side of the rectangular substrate 5 is fitted is performed.
この変形例の製造方法によると、溝拡幅ステップの最初の部分と最後の部分は切削ブレード４６のトラバースカットで所定幅の溝２３を形成するので、チョッパーカットに比較して繰り返しステップを短時間で実行することができる。 According to the manufacturing method of this modified example, the first portion and the last portion of the groove widening step form the groove 23 having a predetermined width by the traverse cut of the cutting blade 46, so that the repeated steps can be performed in a shorter time compared to the chopper cut. Can be executed.
図９（Ｂ）は変形例の完成形態の平面図であり、底面１７ｂと、溝２１で形成される上下の２つの側壁１９と、溝２３で形成される２つの左右の側壁１９とで凹部１７が画成される。 FIG. 9B is a plan view of a completed form of the modified example. The bottom surface 17b, two upper and lower side walls 19 formed by the grooves 21, and two left and right side walls 19 formed by the grooves 23 are recessed. 17 is defined.
次に、図１０に示すような基板の四隅に切り欠き７が形成された矩形基板５Ａを支持する矩形基板支持トレーの製造方法について説明する。溝拡幅ステップを繰り返し実施して凹部１７の両端部に円弧領域１３ａを形成する点は上述した実施形態と同様である。 Next, a method for manufacturing a rectangular substrate support tray for supporting the rectangular substrate 5A in which the notches 7 are formed at the four corners of the substrate as shown in FIG. 10 will be described. The point which forms the circular arc area | region 13a in the both ends of the recessed part 17 by repeatedly implementing a groove widening step is the same as that of embodiment mentioned above.
凹部１７の幅が矩形基板５Ａの縦の長さになるまで繰り返しステップを繰り返し実施した後、ウェーハ１１を保持しているチャックテーブル１０を９０°回転し、図１１（Ａ）に示すように、切削ブレード４０をチョッパーカットで円弧領域１３ａに所望深さ切り込み、ウェーハ１１を保持しているチャックテーブル１０を矢印Ｘ１方向に加工送りすることにより、円弧領域１３ａに所望の深さの切削溝２１ａを形成する（円弧領域除去ステップ）。チョッパーカットで円弧領域除去ステップを実施すると、所望深さの切削溝２１ａの両端部分は円弧領域２１ｂとして残ることになる。 After repeatedly performing the repeated steps until the width of the recess 17 reaches the vertical length of the rectangular substrate 5A, the chuck table 10 holding the wafer 11 is rotated by 90 °, as shown in FIG. The cutting blade 40 is cut into the arc region 13a by chopper cutting to a desired depth, and the chuck table 10 holding the wafer 11 is processed and fed in the direction of the arrow X1, thereby forming a cutting groove 21a having a desired depth in the arc region 13a. Form (arc region removal step). When the arc region removal step is performed by chopper cutting, both end portions of the cutting groove 21a having a desired depth remain as the arc region 21b.
従って、図１２に示すように、チョッパーカットによる円弧領域除去ステップを実施すると、四隅に円弧領域２１ｂが残存することになるが、矩形基板５Ａは四隅に切り欠き７が形成されているため、残存した円弧領域２１ｂがあるにもかかわらず矩形基板５Ａを凹部中に嵌合することができる。 Therefore, as shown in FIG. 12, when the arc region removing step by chopper cut is performed, the arc regions 21b remain at the four corners, but the rectangular substrate 5A has the notches 7 formed at the four corners. The rectangular substrate 5A can be fitted in the recess despite the arc region 21b.
２ 切削装置
５ 矩形基板
７ 切り欠き
１０ チャックテーブル
１１ 矩形基板（矩形基板支持トレー）
１３ 第１の溝
１３ａ 円弧領域
１４ 切削ユニット
１５ 溝の重なり領域
１７ 凹部
１７ａ 凹部の縁
１７ｂ 凹部の底面
１９ 側壁
２１，２３ 切削溝
2 Cutting device 5 Rectangular substrate 7 Notch 10 Chuck table 11 Rectangular substrate (rectangular substrate support tray)
13 First groove 13a Arc region 14 Cutting unit 15 Groove overlap region 17 Recess 17a Recess edge 17b Recess bottom 19 Side wall 21, 23 Cutting groove
Claims (2)
該矩形基板の長辺の長さより大きい直径を有するウェーハをチャックテーブルで保持するウェーハ保持ステップと、
該チャックテーブルで保持した該ウェーハの上方から切削ブレードを該ウェーハの表面に所望の深さ切り込ませ、該チャックテーブルを加工送りすることにより、該矩形基板の横幅と同じ長さの第１の溝を該ウェーハの表面に形成する溝形成ステップと、
該ウェーハの上方から該切削ブレードを該第１の溝に隣接して該ウェーハの表面に該所望の深さ切り込ませ、該チャックテーブルを加工送りすることにより、該第１の溝と同じ長さ及び同じ切り込み深さの第２の溝を形成し、該第１の溝を拡幅する溝拡幅ステップと、
該溝拡幅ステップで形成した凹部の幅が該矩形基板の縦の長さになるまで該溝拡幅ステップを繰り返す繰り返しステップと、
該保持ステップを実施した後、該切削ブレードを該ウェーハの横方向から該ウェーハに該所望の深さ切り込ませ、該チャックテーブルを加工送りすることにより、該凹部の端部で該切削ブレードの円弧が転写した又は転写する領域に沿って該所望の深さの溝を形成し、該円弧領域を除去して該矩形基板の縦の辺が嵌合する該凹部の側壁を形成する円弧領域除去ステップと、を備え、
矩形状底部と該底部から立設する４つの側壁により画成される該矩形基板が嵌合する矩形状凹部を該切削ブレードで形成することを特徴とする矩形基板支持トレーの製造方法。 A method of manufacturing a rectangular substrate support tray having a recess into which a rectangular substrate is fitted,
A wafer holding step of holding a wafer having a diameter larger than the length of the long side of the rectangular substrate with a chuck table;
A cutting blade is cut into the surface of the wafer to a desired depth from above the wafer held by the chuck table, and the chuck table is processed and fed, so that the first length having the same length as the lateral width of the rectangular substrate is obtained. Forming a groove on a surface of the wafer;
The cutting blade is cut into the surface of the wafer adjacent to the first groove from the upper side of the wafer to the desired depth, and the chuck table is processed and fed to the same length as the first groove. And a groove widening step for forming a second groove having the same depth of cut and widening the first groove;
Repeating the groove widening step until the width of the recess formed in the groove widening step is the vertical length of the rectangular substrate; and
After performing the holding step, the cutting blade is cut into the wafer to the desired depth from the lateral direction of the wafer, and the chuck table is processed and fed, so that the cutting blade is cut at the end of the recess. Arc region removal that forms a groove of the desired depth along the region where the arc is transferred or transferred, and removes the arc region to form the side wall of the recess into which the vertical sides of the rectangular substrate fit. And comprising steps
A method of manufacturing a rectangular substrate support tray, wherein a rectangular recess portion into which the rectangular substrate defined by a rectangular bottom portion and four side walls standing from the bottom portion is fitted is formed by the cutting blade.
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|---|---|---|---|---|
| CN111136813A (en) * | 2020-01-10 | 2020-05-12 | 高邮市平丹实验设备经营部 | Manual cutting device for wafer and glass sheet |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0563076A (en) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | Fujitsu Ltd | Cutting method of semiconductor wafer |
| JPH09219438A (en) * | 1996-02-09 | 1997-08-19 | Tera Tec:Kk | Jig for sample support use |
| JPH11121414A (en) * | 1997-10-15 | 1999-04-30 | Toyota Motor Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JP2003142563A (en) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Auxiliary jig for surface inspection and same point measuring method using it |
| JP2007208145A (en) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor device manufacturing method |
| JP2017050319A (en) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 株式会社東京精密 | Dicing method and dicing device |
-
2017
- 2017-06-29 JP JP2017127229A patent/JP6893732B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0563076A (en) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | Fujitsu Ltd | Cutting method of semiconductor wafer |
| JPH09219438A (en) * | 1996-02-09 | 1997-08-19 | Tera Tec:Kk | Jig for sample support use |
| JPH11121414A (en) * | 1997-10-15 | 1999-04-30 | Toyota Motor Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JP2003142563A (en) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Auxiliary jig for surface inspection and same point measuring method using it |
| JP2007208145A (en) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor device manufacturing method |
| JP2017050319A (en) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 株式会社東京精密 | Dicing method and dicing device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111136813A (en) * | 2020-01-10 | 2020-05-12 | 高邮市平丹实验设备经营部 | Manual cutting device for wafer and glass sheet |
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