JP2019009173A - 化合物半導体基板の凹凸識別方法、および、これに用いる化合物半導体基板の表面検査装置 - Google Patents
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Abstract
Description
なお、上記に示した角度の範囲内で、測定光照射部3または反射光受光部4の位置を適時変化させて、識別に最適な角度を確保しながら測定してもよい。
直径6インチ、厚さ1000μm、p型で比抵抗0.01Ωcm、面方位(111)のオリフラ付シリコン基板を基板1として準備した。そして、オリフラ部左側の外周から2mm内側に、レーザーマーカーを用いて、1mm四方当たり1文字で英数字10個の刻印を形成した。
上記のようにして作製した窒化物半導体基板10枚を用意し、目視にて、刻印の読み取りを行った。すなわち、本発明のステップ3を、人の目視作業が担当した。読み取りは、クリーンブース内で、LED光源を有するスポットライトを用い、1枚ずつバキュームピンセットで裏面を吸着して、スポットライトの光源からの光の角度を、照射角は20°近辺、反射光の角度は60°近辺になるように、適時調整した。なお、照射されるスポットライトの口径は2mmとした。
結果を表2に示す。
照度についていえば、実施例1〜4では、照度を4000〜6000Lxとしたが、照度が6000〜20000Lxの範囲では、問題なく刻印を視認できることがわかった。また、前記範囲内では、照度が高いほど、すなわち明るくなるほど、容易に視認できた。また、前記範囲内では、照度が高いほど、入射と観測角度を制限することなく視認可能になる傾向にあった。
1 基板
2 化合物半導体層
M 刻印
3 測定光照射部
4 反射光受光部
5 解析装置
6 基板支持台
S 孔の内表面
p1 窒化ガリウムの発光強度・発光ピーク波長
Claims (4)
- 化合物半導体基板の一主面に形成された凹凸を識別する方法であって、
化合物半導体層の凹凸を含む表面に測定光を照射するステップ1と、
前記凹凸を含む表面から反射された反射光を受光するステップ2と、
前記受光した反射光を解析するステップ3と
を少なくとも備え、さらに、
前記測定光は、化合物半導体の室温でのバンドギャップエネルギーに対応する波長での発光強度よりも小さい発光強度の波長域にある可視光であることを特徴とする、化合物半導体基板の凹凸識別方法。 - 前記化合物半導体がガリウム系窒化物半導体である場合、
前記測定光の波長は、600nm以上700nm以下、又は400nm以上500nm以下であり、
前記測定光の照度は4000Lx以上6000Lx以下であることを特徴とする、請求項1に記載の化合物半導体基板の凹凸識別方法。 - 前記ステップ3における解析が目視による場合、
前記測定光の波長は600nm以上700nm以下であることを特徴とする、請求項2に記載の化合物半導体基板の凹凸識別方法。 - 請求項1又は2に記載の化合物半導体層表面の凹凸識別方法に使用する、化合物半導体基板の表面検査装置。
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