JP2018538696A - 基板間ｌｅｄ移送のための、孤立ｉｉｉ族窒化物光アイランド上のレーザリフトオフ - Google Patents

基板間ｌｅｄ移送のための、孤立ｉｉｉ族窒化物光アイランド上のレーザリフトオフ Download PDF

Info

Publication number
JP2018538696A
JP2018538696A JP2018529267A JP2018529267A JP2018538696A JP 2018538696 A JP2018538696 A JP 2018538696A JP 2018529267 A JP2018529267 A JP 2018529267A JP 2018529267 A JP2018529267 A JP 2018529267A JP 2018538696 A JP2018538696 A JP 2018538696A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting device
conductive adhesive
substrate
backplane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018529267A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6806774B2 (ja
JP2018538696A5 (ja
Inventor
ダニエル ブライス トンプソン，
ダニエル ブライス トンプソン，
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GLO AB
Original Assignee
GLO AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by GLO AB filed Critical GLO AB
Publication of JP2018538696A publication Critical patent/JP2018538696A/ja
Publication of JP2018538696A5 publication Critical patent/JP2018538696A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6806774B2 publication Critical patent/JP6806774B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages

Abstract

レーザリフトオフプロセスが提供される。デバイス層は移送基板上に設けられてもよい。デバイス層の残りの部分を含むデバイスがチャネルによって横方向に互いに分離されるように、デバイス層を通じたチャネルが形成されてもよい。移送基板は、接着層を通じてターゲット基板に接着されてもよい。移送基板を通じてデバイスにレーザビームを照射することによって、移送基板とデバイスとの間の界面領域からデバイスの表面部分を取り除いてもよい。レーザ照射はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質を分解する。チャネルは、レーザ照射によって生成された気体産物（例えば、窒素ガス）のための逃げ道を提供する。移送基板は、ターゲット基板およびデバイスの残りの部分を含む接着されたアセンブリから分離される。デバイスは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質を含みうる。
【選択図】図３６Ｆ

Description

本願は、２０１５年１２月７日に提出された米国特許仮出願番号６２／２６３，９５５の優先権の利益を享受する。その仮出願の開示全体は参照により本明細書に組み入れられる。
分野
本発明の実施の形態は主に半導体発光デバイスに関し、特にバックプレーン上の発光デバイスアレイを用いる放射性ディスプレイパネルおよびそれを製造する方法に関する。
発光デバイスなどの発光デバイスは、ラップトップの液晶ディスプレイやＬＥＤテレビ受像機などの電子ディスプレイに用いられている。発光デバイスは発光ダイオード（ＬＥＤ）および光を発するよう構成された種々の他のタイプの電子デバイスを含む。
本開示のある態様によると、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質を含むデバイスを移送する方法が提供される。移送基板とその上のデバイス層との組み合わせが提供される。デバイス層を通じてチャネルが形成される。デバイス層の残りの部分を含むデバイスは、チャネルによって横方向に互いに分離される。移送基板は、接着層を通じてターゲット基板に接着される。移送基板を通じてデバイスにレーザビームを照射することによって、移送基板とデバイスとの間の界面領域からデバイスの表面部分を取り除く。移送基板は、ターゲット基板およびデバイスの残りの部分を含む接着されたアセンブリから分離される。
本開示の他の態様によると、基板と、基板の表面上に設けられた複数の横方向に離間した接着剤部分を含む接着層と、接着層上に設けられたデバイスのアレイと、を備えるデバイスアセンブリが提供され、デバイスのアレイは少なくともひとつの発光デバイスを備え、デバイスのアレイはチャネルによって横方向に相隔てられている。接着剤部分のうちの少なくともひとつは、その上側領域の側壁とその下側領域の側壁との間の横方向オフセットを提供する水平方向の段を備える。
本開示のある態様によると、デバイスアセンブリを形成する方法が提供される。基板上に複数のタイプのはんだ材部分が形成される。複数のタイプのはんだ材部分は、第１はんだ材を含む少なくともひとつの第１はんだ材部分と、第２はんだ材を含む少なくともひとつの第２はんだ材部分と、を備える。複数のタイプのデバイスが提供される。複数のタイプのデバイスは、少なくともひとつの第１接着パッドを含む第１タイプデバイスと、少なくともひとつの第２接着パッドを含む第２タイプデバイスと、を備える。第１接着パッドと第２接着パッドとは共通接着剤を含む。第１はんだ材と共通接着剤とは、第１共晶温度を有する第１共晶系を形成する。第２はんだ材と共通接着剤とは、第１共晶温度よりも高い第２共晶温度を有する第２共晶系を形成する。各第１接着パッドを対応する第１はんだ剤部分上に置き、第１共晶温度より上で第２共晶温度より下の温度まで各第１接着パッドを熱することによって、第１タイプデバイスは基板に接着される。各第２接着パッドを対応する第２はんだ剤部分上に置き、第２共晶温度より上の温度まで各第２接着パッドを熱することによって、第２タイプデバイスは基板に接着される。
本開示のある態様によると、少なくともひとつの集積発光デバイスアセンブリを形成する方法が提供される。第１ソース基板と第１波長の光を発する第１発光デバイスとを備える第１アセンブリがバックプレーン上に設けられる。バックプレーンと第１アセンブリとの間に第１導電性接着構造が設けられる。第１発光デバイスの第１部分集合は第１導電性接着構造を通じてバックプレーンに接着される。第１発光デバイスの第１部分集合に重なっている物質部分のレーザ切除により、第１ソース基板から第１発光デバイスの第１部分集合を取り外す。第１発光デバイスの第１部分集合がバックプレーンに接着されたままである間に、第１ソース基板と第１発光デバイスの第２部分集合とを備えるアセンブリをバックプレーンから分離する。
本開示の他の態様によると、上側に段付き水平面を有するバックプレーンを備える集積発光デバイスアセンブリが提供される。段付き水平面は、第１水平面内に設けられた段付き水平面の第１部分集合と、段付き水平面の第１部分集合よりもバックプレーンの裏側面に近い第２水平面内に設けられた段付き水平面の第２部分集合と、を含む。集積発光デバイスアセンブリは、バックプレーンの段付き水平面に設けられた導電性接着構造を備える。導電性接着構造は、段付き水平面の第１部分集合に重なる第１導電性接着構造と、段付き水平面の第２部分集合に重なる第２導電性接着構造と、を含む。さらに、集積発光デバイスアセンブリは、導電性接着構造に接着された発光デバイスを備える。発光デバイスは、第１波長の光を発すると共に段付き水平面の第１部分集合に重なる第１発光デバイスと、第２波長の光を発すると共に段付き水平面の第２部分集合に重なる第２発光デバイスと、を含む。
本開示のさらに別の態様によると、バックプレーンに接着された第１発光デバイスおよび第２発光デバイスを備える集積発光デバイスアセンブリが提供される。各第１発光デバイスは第１波長の光を発する。各第２発光デバイスは第１波長とは異なる第２波長の光を発する。各第１発光デバイスは、第１接着パッドと第１導電性接着構造とを含む第１スタックを通じて、バックプレーンに接着される。各第２発光デバイスは、第２接着パッドと第２導電性接着構造とを含む第２スタックを通じて、バックプレーンに接着される。第１接着パッドと第１導電性接着構造との間の第１界面を含む第１平面は、第２接着パッドと第２導電性接着構造との間の第２界面を含む第２平面から垂直方向にオフセットしている。
本開示のさらに別の態様によると、バックプレーンに接着された第１発光デバイスおよび第２発光デバイスを備える集積発光デバイスアセンブリが提供される。各第１発光デバイスは第１波長の光を発する。各第２発光デバイスは第１波長とは異なる第２波長の光を発する。各第１発光デバイスは、第１接着パッドと第１導電性接着構造とを含む第１スタックを通じて、バックプレーンに接着される。各第２発光デバイスは、第２接着パッドと第２導電性接着構造とを含む第２スタックを通じて、バックプレーンに接着される。第１導電性接着構造と第２導電性接着構造とは同じ高さを有する。第１導電性接着構造のそれぞれは第１体積を有する。第２導電性接着構造のそれぞれは、第１体積よりも小さい第２体積を有する。
本開示の実施の形態に係る、初期成長基板からの、対応するデバイスを伴う成長基板のアセンブリの生成ステップの模式図である。
本開示の実施の形態に係る、デバイスを通じた第１キャリア基板への成長基板の接着ステップの模式図である。
本開示の実施の形態に係る、成長基板の除去ステップの模式図である。
本開示の実施の形態に係る、第１キャリア基板上に第１接着剤層を形成し、第２キャリア基板を提供し、リリース層および第２接着剤層を形成するステップの模式図である。
本開示の実施の形態に係る、第１キャリア基板と第２キャリア基板との組のそれぞれを接着するステップの模式図である。
本開示の実施の形態に係る、各第１キャリア基板が接着構造から除去されるステップの模式図である。
本開示の実施の形態に係る、第２キャリア基板と、その上の第１発光デバイスのアレイと、第１発光デバイス間の隙間を埋めるオプションの光学保護材層と、の垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、バックプレーン基板の垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、バックプレーン上に種々の誘電体層を形成することによって形成されたバックプレーンの垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、光学保護材を含む光学保護層の形成およびパターン化の後のバックプレーンの垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、段付き水平面の第１部分集合上への第１導電性接着構造の形成後のバックプレーンの垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、段付き水平面の第１部分集合上の第１導電性接着構造への、第１移送基板上の第１発光デバイスの第１部分集合の接着中におけるバックプレーンの垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、第１移送基板中のリリース層の一部に対するレーザ照射および切除を用いて、第１発光デバイスの第１部分集合のなかの発光デバイスを取り外している間のバックプレーンおよび第１移送基板の垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、第１移送基板を分離した後のバックプレーンの垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、第２移送基板とその上の第２発光デバイスとを揃えた後のバックプレーンの垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、第２移送基板中のリリース層の一部に対するレーザ照射および切除を用いて、第２発光デバイスの第１部分集合のなかの発光デバイスを取り外している間のバックプレーンおよび第２移送基板の垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、第２移送基板を分離した後のバックプレーンの垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、第３移送基板中のリリース層の一部に対するレーザ照射および切除を用いて、第３発光デバイスの第１部分集合のなかの発光デバイスを取り外している間のバックプレーンおよび第３移送基板の垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、第３移送基板を分離した後のバックプレーンの垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、第４移送基板中のリリース層の一部に対するレーザ照射および切除を用いて、センサデバイスの第１部分集合のなかのセンサデバイスを取り外している間のバックプレーンおよび第４移送基板の垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、第４移送基板を分離した後のバックプレーンの垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、透明封止誘電層の形成後の、例示的な第１発光デバイスアセンブリの垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、導電性相互接続構造の形成後の、例示的な第１発光デバイスアセンブリの代替的な実施の形態の垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、初期成長基板上のデバイスの代替的な実施の形態である。
本開示の実施の形態に係る、例示的な第１発光デバイスアセンブリの別の代替的な実施の形態の垂直断面図である。
本開示の実施の形態に係る、例示的な第１発光デバイスアセンブリのさらに別の代替的な実施の形態の垂直断面図である。
接着された発光デバイスの上面にダミー基板が設けられる、本開示の代替的な実施の形態における処理ステップを示す。
はんだボールがリフロー温度まで熱せられる間に、ダミー基板が接着された発光ダイオードを押す、本開示の代替的な実施の形態における処理ステップを示す。
本開示の実施の形態に係る、例示的な第１発光デバイスアセンブリのさらに別の代替的な実施の形態を示す。
四つの異なるタイプのデバイスを四つの移送基板から四つのバックプレーンへ移送するための例示的移送シーケンスおよび例示的移送パターンを示す。
図３１Ａ−３１Ｅは、図３０に示される例示的移送パターンにしたがう発光ダイオードの移送の模式的シーケンスである。 図３１Ａ−３１Ｅは、図３０に示される例示的移送パターンにしたがう発光ダイオードの移送の模式的シーケンスである。 図３１Ａ−３１Ｅは、図３０に示される例示的移送パターンにしたがう発光ダイオードの移送の模式的シーケンスである。 図３１Ａ−３１Ｅは、図３０に示される例示的移送パターンにしたがう発光ダイオードの移送の模式的シーケンスである。 図３１Ａ−３１Ｅは、図３０に示される例示的移送パターンにしたがう発光ダイオードの移送の模式的シーケンスである。
図３２Ａ−３２Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第２発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３２Ａ−３２Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第２発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３２Ａ−３２Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第２発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３２Ａ−３２Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第２発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３２Ａ−３２Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第２発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３２Ａ−３２Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第２発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３２Ａ−３２Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第２発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３２Ａ−３２Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第２発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３２Ａ−３２Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第２発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３２Ａ−３２Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第２発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３２Ａ−３２Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第２発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３２Ａ−３２Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第２発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３２Ａ−３２Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第２発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３２Ａ−３２Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第２発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。
図３３Ａ−３３Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第３発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３３Ａ−３３Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第３発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３３Ａ−３３Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第３発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３３Ａ−３３Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第３発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３３Ａ−３３Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第３発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３３Ａ−３３Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第３発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３３Ａ−３３Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第３発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３３Ａ−３３Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第３発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３３Ａ−３３Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第３発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３３Ａ−３３Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第３発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３３Ａ−３３Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第３発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３３Ａ−３３Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第３発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３３Ａ−３３Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第３発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３３Ａ−３３Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第３発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。
図３４Ａ−３４Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第４発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３４Ａ−３４Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第４発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３４Ａ−３４Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第４発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３４Ａ−３４Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第４発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３４Ａ−３４Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第４発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３４Ａ−３４Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第４発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３４Ａ−３４Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第４発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３４Ａ−３４Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第４発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３４Ａ−３４Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第４発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３４Ａ−３４Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第４発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３４Ａ−３４Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第４発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３４Ａ−３４Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第４発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３４Ａ−３４Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第４発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３４Ａ−３４Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第４発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。
図３５Ａ−３５Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第５発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３５Ａ−３５Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第５発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３５Ａ−３５Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第５発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３５Ａ−３５Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第５発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３５Ａ−３５Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第５発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３５Ａ−３５Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第５発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３５Ａ−３５Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第５発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３５Ａ−３５Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第５発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３５Ａ−３５Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第５発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３５Ａ−３５Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第５発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３５Ａ−３５Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第５発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３５Ａ−３５Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第５発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３５Ａ−３５Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第５発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。 図３５Ａ−３５Ｎは、本開示の実施の形態に係る、例示的な第５発光デバイスアセンブリの形成プロセスを示す、連続垂直断面図である。
図３６Ａ、３６Ｂおよび３６Ｄ−３６Ｈは、本開示の実施の形態に係る、ＩＩＩ−Ｖ族化合物物質を含むデバイスをターゲット基板へ移送するために用いられてもよい例示的構造の連続垂直断面図である。 図３６Ａ、３６Ｂおよび３６Ｄ−３６Ｈは、本開示の実施の形態に係る、ＩＩＩ−Ｖ族化合物物質を含むデバイスをターゲット基板へ移送するために用いられてもよい例示的構造の連続垂直断面図である。 図３６Ａ、３６Ｂおよび３６Ｄ−３６Ｈは、本開示の実施の形態に係る、ＩＩＩ−Ｖ族化合物物質を含むデバイスをターゲット基板へ移送するために用いられてもよい例示的構造の連続垂直断面図である。 図３６Ａ、３６Ｂおよび３６Ｄ−３６Ｈは、本開示の実施の形態に係る、ＩＩＩ−Ｖ族化合物物質を含むデバイスをターゲット基板へ移送するために用いられてもよい例示的構造の連続垂直断面図である。 図３６Ａ、３６Ｂおよび３６Ｄ−３６Ｈは、本開示の実施の形態に係る、ＩＩＩ−Ｖ族化合物物質を含むデバイスをターゲット基板へ移送するために用いられてもよい例示的構造の連続垂直断面図である。 図３６Ａ、３６Ｂおよび３６Ｄ−３６Ｈは、本開示の実施の形態に係る、ＩＩＩ−Ｖ族化合物物質を含むデバイスをターゲット基板へ移送するために用いられてもよい例示的構造の連続垂直断面図である。 図３６Ａ、３６Ｂおよび３６Ｄ−３６Ｈは、本開示の実施の形態に係る、ＩＩＩ−Ｖ族化合物物質を含むデバイスをターゲット基板へ移送するために用いられてもよい例示的構造の連続垂直断面図である。
図３６Ｃは、図３６Ｂの例示的構造のトップダウン図である。
上述の通り、本開示は統合されたバックライトユニットのアセンブリおよびそれの製造方法に関する。その種々の態様は以下に説明される。図面を通じて、同様の要素には同じ参照符号が付される。図面は寸法通りではない。要素の複製がないことが明示されない限り、またはそうでなければ要素の複製がないことが明らかに示されない限り、要素の単体が示されている場合にその要素の複数体が複製されてもよい。「第１」、「第２」および「第３」などの序数は単に同様の要素を特定するために用いられており、明細書全体に亘っておよび本開示の請求項に亘って異なる序数が用いられてもよい。
本明細書において、「発光デバイス」は光を発するよう構成された任意のデバイスを指し、発光ダイオード（ＬＥＤ）、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）などのレーザ、および適切な電気バイアスの印加に応じて光を発するよう構成された任意の他の電子デバイスを含むがそれらに限定されない。発光デバイスは、ｐ側接続およびｎ側接続が互いに構造の反対側に設けられる垂直構造（例えば、垂直ＬＥＤ）であってもよいし、ｐ側接続およびｎ側接続が構造の同じ側に設けられる横構造であってもよい。本明細書において、「発光デバイスアセンブリ」は、サポート構造に対して少なくともひとつの発光デバイスが構造的に固定されるアセンブリを指し、例えば基板やマトリクスや少なくともひとつの発光デバイスに安定な機械的サポートを提供するよう構成された任意の他の構造を含んでもよい。
本開示では、デバイスのアレイ（例えば、発光デバイスのアレイやセンサデバイスのアレイ）を成長基板からターゲット基板へ移送するための方法が提供される。ターゲット基板は、任意の配置構成の複数タイプのデバイスの形成が望まれる任意の基板であってもよい。一例では、ターゲット基板は、発光デバイスを駆動するための能動的または受動的マトリクスバックプレーンなどのバックプレーン基板であってもよい。本明細書において、「バックプレーン基板」はその上に複数のデバイスを付着させるよう構成された任意の基板を指す。ある実施の形態では、バックプレーン基板上で隣り合う発光デバイスの中心間距離は、成長基板上で隣り合う発光デバイスの中心間距離の整数倍であってもよい。発光デバイスは、複数の発光デバイス、例えば二つの発光デバイスのグループであって一方が青色光を放つよう構成され他方が緑色光を放つよう構成されるもの、を含んでもよい。発光デバイスは三つの発光デバイスのグループを含んでもよく、そのひとつは青色光を放つよう構成され、もうひとつは緑色光を放つよう構成され、もうひとつは赤色光を放つよう構成される。本明細書において、「隣り合う発光デバイス」は、少なくとも他の発光デバイスよりも近い範囲に配置された複数の発光デバイスを指す。本開示の方法は、成長基板上の発光デバイスアレイからバックプレーン基板への発光デバイスの部分集合の選択的移送を提供することができる。
図１を参照すると、周知の方法を用いて、初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）のそれぞれにデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）を製造することができる。本明細書において、「初期成長基板（initial growth substrate）」は、その上またはその中にデバイスを形成するよう処理される基板を指す。デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）は、発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）および／またはセンサデバイス１０Ｓ（例えば、光検出器）および／または他の電子デバイスを含んでもよい。発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）は、垂直発光デバイスや横発光デバイスやそれらの組み合わせなどの任意のタイプの発光デバイスであってもよい。各初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）上に同じタイプのデバイスを形成することができる。初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）のそれぞれにデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）をアレイとして形成することができる。
ある実施の形態では、初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）は珪素基板などの吸収基板を含んでもよい。本明細書において、「吸収基板」は、紫外範囲、可視範囲および赤外範囲を含むスペクトル範囲内の光エネルギの５０％以上を吸収する基板を指す。本明細書において、「紫外範囲」は１０ｎｍから４００ｎｍまでの波長範囲を指し、「可視範囲」は４００ｎｍから８００ｎｍまでの波長範囲を指し、「赤外範囲」は８００ｎｍから１ｍｍまでの波長範囲を指す。
初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）が吸収基板である場合、デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の各アレイは対応する透明キャリア基板または「透明基板」へ移送されてもよく、これはフルウェハ移送処理により、該処理ではデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の各アレイはその全体が対応する透明基板へ移送される。本明細書において、「透明基板」は、紫外範囲、可視範囲および赤外範囲を含むスペクトル範囲内の波長において、５０％以上の光エネルギを伝える基板を指す。
ある実施の形態では、デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）は、発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）を含んでもよい。ある実施の形態では、各発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）は単一ピーク波長の光を発するよう構成されてもよい。発光デバイスが典型的には単一の波長を中心とする狭い波長帯域の光を発し、光の強度はその単一の波長において最大となり、発光デバイスの波長はそのピーク波長を指すことは理解されるであろう。例えば、第１発光デバイス１０Ｂのアレイは第１タイプ成長基板１００Ｂ上に形成されてもよく、第２発光デバイス１０Ｇのアレイは第２タイプ成長基板１００Ｇ上に形成されてもよく、第３発光デバイス１０Ｒのアレイは第３タイプ成長基板１００Ｒ上に形成されてもよい。加えて、センサデバイス１０Ｓのアレイは第４タイプ成長基板１００Ｓ上に形成されてもよい。あるいはまた、ひとつ以上のタイプの発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）は、少なくとも二つの異なる波長の光を発するよう構成された統合発光デバイスであってもよい。ある実施の形態では、発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）はナノワイヤのアレイまたは他のナノ構造のアレイを備えてもよい。
接触パッドなどの接触構造（明示的に示されてはいない）が各発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）に設けられる。各発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）の接触構造は、アノード接触構造と、カソード接触構造と、を含んでもよい。発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）のうちのひとつ以上が少なくとも二つの異なる波長の光を発するよう構成された統合発光デバイスである場合、共通接触構造（共通カソード接触構造など）が用いられてもよい。例えば、単一の統合発光デバイスとして実現された青色、緑色および赤色の三色発光デバイスは単一のカソード接触を有してもよい。
各初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ）上の発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）のアレイは、次に発光デバイスが移される先のバックプレーン基板上での発光デバイスの中心間距離が初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ）上での発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）の中心間距離の整数倍であるように、構成される。
各初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）およびその上の各発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）は適切なサイズにダイス化されてもよい。本明細書において、初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）のダイス化された各部分は成長基板（１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、１００Ｓ）と称される。このようにして、成長基板（１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、１００Ｓ）とその上の対応するデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）とのアセンブリが生成される。言い換えると、成長基板（１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、１００Ｓ）は初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）の全体またはダイス化された一部のいずれかであり、デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）のアレイは各成長基板（１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、１００Ｓ）上に存在する。各成長基板（１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、１００Ｓ）上のデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）のアレイは同じタイプのデバイスのアレイであってもよい。
各初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）が対応する成長基板（１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、１００Ｓ）へと個片化される前または後に、例えば発光デバイス、発光デバイスのグループ、またはセンサデバイスなどの各デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）は、隣り合うデバイスの組のそれぞれの間に溝を形成することによって、他から機械的に分離されてもよい。一例では、発光デバイスアレイまたはセンサアレイが初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）上に置かれる場合、発光デバイスアレイまたはセンサアレイの最終成長面から初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）の上面まで溝が延びてもよい。
デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の各アレイを対応する透明基板へと移送するために種々のスキームが用いられてもよい。本明細書において、透明基板は移送基板と称される。図２−６は、デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の各アレイを対応する透明基板へと移送するために用いられ得る例示的スキームを示す。
図２を参照すると、成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒ、１０１Ｓ）上でのデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の製造中に、各デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の上側に各デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の接触構造が形成される場合、第１キャリア基板２００がオプションで用いられてもよい。第１キャリア基板２００は、デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）に接着されてもよい任意の適切な基板であってもよく、（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）に構造的サポートを提供してもよい。デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の成長したままの状態のアレイのそれぞれおよび対応する成長基板１００は第１キャリア基板２００に接着される。したがって、各成長基板１００は、対応するデバイス１０を通じて、対応する第１キャリア基板２００に接着されてもよい。言い換えると、各接着構造（１００、１０、２００）内において、デバイス１０は成長基板１００と第１キャリア基板との間に存在する。一例では、第１タイプ成長基板１００Ｂは、第１発光デバイス１０Ｂを通じて、第１タイプ第１キャリア基板２００Ｂに接着されてもよく、第２タイプ成長基板１００Ｇは、第２発光デバイス１０Ｇを通じて、第２タイプ第１キャリア基板２００Ｇに接着されてもよく、第３タイプ成長基板１００Ｒは、第３発光デバイス１０Ｒを通じて、第３タイプ第１キャリア基板２００Ｒに接着されてもよく、第４タイプ成長基板１００Ｓは、センサデバイス１０Ｓを通じて、第４タイプキャリア基板１００Ｓに接着されてもよい。
図３を参照すると、成長基板１００とデバイス１０のアレイと第１キャリア基板２００とのスタックを含む過渡的接着構造から、各成長基板１００を除去してもよい。例えば、成長基板１００が珪素基板である場合、ウェット化学エッチング処理や研削や研磨や分離（例えば、水素埋設層で）やそれらの組み合わせによって、成長基板１００を除去してもよい。例えば、基板の分離は、弱い領域を形成する原子（例えば、半導体材料に埋め込まれた水素原子）を埋め込み、適切な処理条件（例えば、高温でのアニールおよび／または機械的力）を適用することで基板を二つに分離させることで、行われてもよい。
図４を参照すると、各第１キャリア基板２００上に第１接着剤層３０Ａが形成されてもよい。第１接着剤層３０Ａは、適切な処置（例えば、熱および／または圧力の印加）により他の接着剤に接着されうる任意の接着剤を含む。ある実施の形態では、第１接着剤層３０Ａは、珪素酸化物、ほうりんけい酸ガラス（ＢＰＳＧ）、スピンオンガラス（ＳＯＧ）材、および／またはＳＵ−８またはベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）などの接着性接着剤などの誘電体を含んでもよい。第１接着剤層３０Ａの厚さは５０ｎｍから５ミクロンの範囲内であってもよいが、より小さいまたはより大きい厚さを用いてもよい。ある実施の形態では、第１接着剤層３０Ａは約１ミクロンの厚さを有する珪素酸化物層であってもよい。第１接着剤層３０Ａは、化学蒸着や回転塗布などの適切な堆積方法により形成されてもよい。
移送基板３００が提供される。本明細書において、「移送基板」は、その基板から少なくともひとつのデバイスがターゲット基板に移送される基板を指し、ターゲット基板はバックプレーン基板を含んでもよい。ある実施の形態では、各移送基板３００は第２キャリア基板であってもよく、該第２キャリア基板を用いて、対応する第１キャリア基板２００からデバイスのアレイを受け、後続のプロセスにおいてデバイスの部分集合がターゲット基板へ移されるまでデバイスのアレイを担持してもよい。
ある実施の形態では、移送基板３００はオプションで、レーザ波長において透明であってもよい。レーザ波長はレーザビームの波長であり、紫外波長や可視波長や赤外波長であってもよい。後にレーザビームを用いて、対応する移送基板３００からターゲット基板へ、個々のデバイスを選択的に移送する。ある実施の形態では、透明基板３００は、サファイアやガラス（珪素酸化物）や既知の他の光学的に透明な物質を含んでもよい。代替的な実施の形態では、移送基板３００は透明成長基板またはそのダイス化された一部であってもよい。初期成長基板を（例えば、水素や希ガスが埋め込まれた層において）劈開することで薄い基板を提供し、その薄い基板から発光ダイオードをバックプレーンに移送基板の使用なしで移送する他の実施の形態では、初期成長基板はレーザ波長のレーザを吸収してもよい。
各移送基板３００上にリリース層２０および第２接着剤層３０Ｂが順番に設けられてもよい。リリース層２０は、移送基板３００への十分な接着性を提供しつつ、後に後続の選択的移送プロセスにおいて用いられるレーザビームのレーザ波長において吸収性のある物質を含む。例えば、リリース層２０は、レーザ照射により加熱可能なＧａＮ層などのシリコンリッチな珪素窒化物または半導体層を含んでもよい。リリース層２０の厚さは１００ｎｍから１ミクロンの範囲内であってもよいが、より小さいまたはより大きい厚さを用いてもよい。
第２接着剤層３０Ｂは、珪素酸化物などの誘電体を含んでもよい。第２接着剤層３０Ｂの厚さは５０ｎｍから５ミクロンの範囲内であってもよいが、より小さいまたはより大きい厚さを用いてもよい。ある実施の形態では、第２接着剤層３０Ｂは約１ミクロンの厚さを有する珪素酸化物層であってもよい。第２接着剤層３０Ｂは、化学蒸着や回転塗布などの適切な堆積方法により形成されてもよい。
各第１キャリア基板２００について移送基板３００が提供されてもよい。例えば、第１タイプ第１キャリア基板２００Ｂに対して第１移送基板３００Ｂが提供されてもよく、第２タイプ第１キャリア基板２００Ｇに対して第２移送基板３００Ｇが提供されてもよく、第３タイプ第１キャリア基板３００Ｒに対して第３移送基板３００Ｒが提供されてもよく、追加タイプ第１キャリア基板３００Ｓに対して追加移送基板３００Ｓが提供されてもよい。複数スタック化構造が形成されてもよい。該構造は、第１移送基板３００Ｂとリリース層２０と第２接着剤層３０Ｂとのスタックを含む第１スタック化構造（３００Ｂ、２０、３０Ｂ）と、第２移送基板３００Ｇとリリース層２０と第２接着剤層３０Ｂとのスタックを含む第２スタック化構造（３００Ｇ、２０、３０Ｂ）と、第３移送基板３００Ｒとリリース層２０と第２接着剤層３０Ｂとのスタックを含む第３スタック化構造（３００Ｒ、２０、３０Ｂ）と、追加移送基板３００Ｓとリリース層２０と第２接着剤層３０Ｂとのスタックを含む追加スタック化構造（３００Ｓ、２０、３０Ｂ）と、を含む。
本明細書において、第１発光デバイス１０Ｂのアレイと第１移送基板３００Ｂとの組み合わせは第１移送アセンブリ（３００Ｂ、１０Ｂ）と称され、第２発光デバイス１０Ｇと第２移送基板３００Ｇとの組み合わせは第２移送アセンブリ（３００Ｇ、１０Ｇ）と称され、第３発光デバイス１０Ｒと第３移送基板３００Ｒとの組み合わせは第３移送アセンブリ（３００Ｒ、１０Ｒ）と称される。加えて、本明細書において、センサデバイス１０Ｓと第４移送基板３００Ｓとの組み合わせは第４移送アセンブリ（３００Ｓ、１０Ｓ）と称される。
図５を参照すると、第１キャリア基板２００と移送基板３００（これは第２キャリア基板であってもよい）との組のそれぞれが接着されてもよい。例えば、第２接着剤層３０Ｂを、対応する第１キャリア基板２００上の対応する第１接着剤層３０Ａと接着することで、接着剤層３０を形成してもよい。各接着アセンブリは、第１移送基板３００と、リリース層２０と、接着剤層３０と、デバイス１０のアレイと、を含む。
図６を参照すると、例えば研磨、研削、劈開および／または化学エッチングによって、各接着構造（３００、２０、３０、２００）から第１キャリア基板２００を除去する。デバイス２０の各アレイは移送基板３００上に設けられてもよい。移送基板３００はその上にリリース層２０を伴う透明なキャリア基板であり、リリース層２０は透明なキャリア基板とデバイス２０のアレイとの間にある。
図７を参照すると、移送基板３００上のデバイス１０の各アレイは、各デバイス１０が隣のデバイス１０から溝により横方向に離間されるように、構成されてもよい。例えば、第１移送基板３００Ｂ上の第１発光デバイス１０Ｂのアレイは、互いに溝により横方向に離間されてもよい。オプションで、第１光学保護材層１７Ｂを適用することで、第１発光デバイス１０Ｂの間の隙間を埋めてもよい。同様に、光学保護材層を適用することで、他の移送基板（３００Ｇ、３００Ｒ、３００Ｓ）上のデバイス１０の各アレイ間の隙間を埋めてもよい。各光学保護材層は、後に用いられるレーザビームのレーザ波長の光を吸収するか散乱させる物質を含む。各光学保護材層は、例えば、シリコンリッチな珪素窒化物や有機または無機反射防止コーティング（ＡＲＣ）材やフォトレジスト材を含んでもよい。各光学保護材層は、デバイス１０の外側面が光学保護材層によってカバーされないように形成されてもよい。光学保護材層は、例えば、回転塗布により、または堆積およびリセスエッチングの組み合わせにより、形成されてもよい。
移送基板３００とデバイス１０のアレイとを備える各アセンブリ（３００、２０、３０、１０）はさらに、対応する移送基板３００と接し、紫外範囲、可視範囲および赤外範囲から選択された波長の光を吸収する物質を含むリリース層２０と、リリース層２０とデバイス１０の対応するアレイとに接する接着剤層３０と、を備える。
図８を参照すると、バックプレーン基板４００が提供される。バックプレーン基板４００は、後に種々のデバイスが移送されうる基板である。ある実施の形態では、バックプレーン基板４００は、珪素、ガラス、プラスチック、および／または後にそこに移送されるデバイスに構造的サポートを提供できる少なくとも他の物質の基板であってもよい。ある実施の形態では、バックプレーン基板４００は受動的バックプレーン基板であってもよい。受動的バックプレーン基板には例えば金属化ラインを含む交差状グリッドの金属相互接続構造４４０が存在し、かつ、能動的デバイス回路は存在しない。他の実施の形態では、バックプレーン基板４００は能動的バックプレーン基板であってもよい。能動的バックプレーン基板は導電性ラインの交差状グリッドとしての金属相互接続構造４４０を含み、さらに導電性ラインの交差状グリッドのひとつ以上の交点にデバイス回路を含む。デバイス回路はひとつ以上のトランジスタを含んでもよい。
図９を参照すると、段付き水平面を含むバックプレーン４０１が形成される。本明細書において、「段付き水平面」は、垂直方向に離間しかつ段差により接続される水平面の集合を指す。ある実施の形態では、バックプレーン基板４００に、種々の誘電体層４１０と、その追加的な誘電体層４１０に埋め込まれた追加的な金属相互接続構造と、を追加することにより段付き水平面を形成してもよい。ある実施の形態では、種々の誘電体層４１０は、誘電体マトリクスに重なる上側誘電体層４１３の複数の部分と、上側誘電体層４１３と誘電体マトリクスとの間に介在する中間誘電体層４１２の複数の部分と、中間誘電体層４１２と誘電マトリクスとの間に介在する下側誘電体層４１１の複数の部分と、を備えてもよい。あるいはまた、図８の処理ステップで提供されたバックプレーン基板４０１の表面部分を異なる深さまで凹ませることで、段付き水平面を含むバックプレーン４０１を形成してもよい。段付き水平面をバックプレーン４０１の上側に設けてもよい。
段付き水平面の第１部分集合は第１水平表面ＨＳＰ１内に設けられてもよく、この第１水平表面はバックプレーン４０１の一番上の水平表面を含む水平面である。段付き水平面の第２部分集合は第２水平表面ＨＳＰ２内に設けられてもよく、この第２水平表面は、段付き水平面の第１部分集合よりもバックプレーン４０１の裏側面４０９により近いものであってもよい。段付き水平面の第３部分集合は第３水平表面ＨＳＰ３内に設けられてもよく、この第３水平表面は、段付き水平面の第２部分集合よりもバックプレーン４０１の裏側面４０９により近いものであってもよい。段付き水平面の追加的部分集合は追加的水平表面ＨＳＰ４内に設けられてもよく、この追加的水平表面は、段付き水平面の第３部分集合よりもバックプレーン４０１の裏側面４０９により近いものであってもよい。段付き水平面の第１部分集合は第１領域Ｒ１に形成されてもよく、段付き水平面の第２部分集合は第２領域Ｒ２に形成されてもよく、段付き水平面の第３部分集合は第３領域Ｒ３に形成されてもよく、段付き水平面の追加的部分集合は第４領域Ｒ４に形成されてもよい。第１領域Ｒ１は、第１発光デバイス１０Ｂなどの第１タイプデバイスが後に取り付けられる位置を含む。第２領域Ｒ２は、第２発光デバイス１０Ｇなどの第２タイプデバイスが後に取り付けられる位置を含む。第３領域Ｒ３は、第３発光デバイス１０Ｒなどの第３タイプデバイスが後に取り付けられる位置を含む。第４領域Ｒ４は、センサデバイス１０Ｓなどの第４タイプデバイスが後に取り付けられる位置を含む。
ある実施の形態では、上側誘電体層４１３の水平上面は段付き水平面の第１部分集合を構成してもよく、中間誘電体層４１２の水平上面は段付き水平面の第２部分集合を構成してもよく、下側誘電体層４１１の水平上面は段付き水平面の第３部分集合を構成してもよく、バックプレーン基板４００の物理的に露出している表面は段付き水平面の第４部分集合を構成してもよい、
デバイスが後に接着されるべき各位置に接着パッド４２０を設けてもよい。例えば、バックプレーン４０１内の金属相互接続構造４４０の交差状ラインの各交点に接着パッド４２０を形成してもよい。接着パッド４２０は、ＳｎやＡｕＳｎやＳＡＣや他のはんだ付け可能金属などの金属物質を含む金属製パッドを含んでもよい。追加的にまたは代替的に、接着パッド４２０は、ＣｕやＡｕや熱圧縮プロセスを通じて別の金属との接触を形成することができる他の金属を含んでもよい。接着パッド４２０は、金属相互接続構造４４０のコンポーネントとしてバックプレーン４０１内に埋め込まれてもよいし、バックプレーン４０１の誘電表面の上に形成されてもよい。
ある実施の形態では、バックプレーン４０１上の接着パッド４２０の中心間距離は、対応する成長基板１００上の、対応する第１キャリア基板２００上の、または対応する移送基板３００上の、デバイス１０の中心間距離の整数倍であってもよい。
ある実施の形態では、バックプレーン４０１は誘電体マトリクス内に埋め込まれた金属相互接続構造４４０を含んでもよい。接着パッド４２０は、バックプレーン４４０内の対応する金属相互接続構造４４０に電気的に接続される。本明細書において、第１要素が第２要素に電気的に短絡されている場合に、第１要素が第２要素に「電気的に接続されて」いるという。
ある実施の形態では、バックプレーン４０１上の接着パッド４２０は（発光デバイスなどの）デバイス１０上の接触パッドと揃うよう構成されてもよい。ひとつ以上の接着パッド４０１がグループで設けられてもよい。例えば、バックプレーン４０１に移送されるべきデバイス１０が複数の赤色、緑色および青色発光ダイオード（ＬＥＤ）を備える場合、ＬＥＤ上の接触パッドと揃うよう配置構成された四つの接着パッド４２０からなるグループがあってもよい。例えば、接着パッド４１０のそのグループは、赤色ＬＥＤのアノード接点と、青色ＬＥＤのアノード接点と、緑色ＬＥＤのアノード接点と、カソード接点と、を含んでもよい。例えば、バックプレーン４０１に移送されるべきデバイス１０が単一のＬＥＤを備える場合、ＬＥＤ上の接触パッドと揃うよう配置構成された二つの接着パッド４２０からなるグループがあってもよい。
図１０を参照すると、光学保護材を含む保護層４２２がオプションでバックプレーン４０１の側方に形成されてもよい。保護層４２２は、後に用いられるレーザビームのレーザ波長の光を吸収するか散乱させる物質を含む。ある実施の形態では、保護層４２２はシリコンリッチの珪素窒化物や反射防止コーティング材などの誘電体を含んでもよい。保護層４２２の厚さは２００ｎｍから２ミクロンの範囲内であってもよいが、より小さいまたはより大きい厚さを用いてもよい。保護層４２２は、後に形成される導電性接着構造（すなわち、接触構造）が接着パッド４２０に接することができるよう、形成されてもよい。保護層４２２に適切な開口を形成してもよい。ある実施の形態では、保護層４２２の全ての開口は同じパターン化ステップで形成されてもよい。他の実施の形態では、例えば導電性接着構造の各集合の形成の直前に、開口を保護層４２２に順番に形成してもよい。
図１１を参照すると、導電性接着構造（４３０Ｂ、４３０Ｇ、４３０Ｒ、４３０Ｓ）はバックプレーン４０１の上側に設けられた段付き水平面上に形成されてもよい。導電性接着構造４３０は、第１領域Ｒ１の段付き水平面の第１部分集合の上に形成された第１導電性接着構造４３０Ｂと、第２領域Ｒ２の段付き水平面の第２部分集合の上に形成された第２導電性接着構造４３０Ｇと、第３領域Ｒ３の段付き水平面の第３部分集合の上に形成された第３導電性接着構造４３０Ｒと、第４領域Ｒ１の段付き水平面の第４部分集合の上に形成された追加的導電性接着構造４３０Ｓと、を含んでもよい。
第１導電性接着構造４３０Ｂは、第１発光デバイス１０Ｂの移送が望まれている位置に形成される。第２導電性接着構造４３０Ｇは、第２発光デバイス１０Ｇの移送が望まれている位置に形成される。第３導電性接着構造４３０Ｒは、第３発光デバイス１０Ｒの移送が望まれている位置に形成される。追加的導電性接着構造４３０Ｓは、センサデバイス１０Ｓの移送が望まれている位置に形成される。
ある実施の形態では、導電性接着構造４３０のそれぞれは、バックプレーン４０１上に設けられた接着パッド４２０と接着可能な金属スタックを含んでもよい。ある実施の形態では、導電性接着構造４３０は銅および／または金を含んでもよく、接着パッドはＳｎから形成されてもよい。ある実施の形態では、導電性接着構造４３０はＡｕ層を含んでもよく、接着パッド４２０はＡｕＳｎまたはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金から形成されてもよい。別の実施の形態では、導電性接着構造４３０は銅から形成されてもよく、接着パッドは銅から形成されてもよい。導電性接着構造４３０は、バックプレーン４０１内の対応する金属相互接続構造４４０に電気的に接続される。一般に、種々の導電性接着構造を本開示の目的のために用いることができ、そのような種々の導電性接着構造は、（１）低導電性物質（例えば、バックプレーンの回路に電気的に取り付けられた銅やアルミニウム）と、（２）低導電性物質を覆うと共に拡散障壁を提供する接着のためのひとつ以上の薄い層（例えば、ＴｉＰｔ層）と、（３）はんだ付け可能物質（例えば、純粋なスズやインジウム、またはＡｕＳｎやＳＡＣなどの合金）と、を含んでもよい。
ある実施の形態では、導電性接着構造４３０を用いることで、バックプレーン４０１への移送対象の種々のデバイスを電気的および機械的に結合してもよい。種々のデバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）サブピクセル、センサピクセル、および他の電子要素を含んでもよい。このステップにおいて、段付き水平面の集合のうちの他の水平面上に追加的接点が形成されてもよいし、後続の処理ステップにおいて形成されてもよい。
垂直方向にオフセットしている複数の水平面上に種々の導電性接着構造（これは導電性接着構造４３０を含む）が形成されてもよい。例えば、センサを含む三色ＲＧＢディスプレイパネルについて、種々の導電性接着構造を四つの異なる水平面に配置してもよい。一例として、ディスプレイパネルの青色サブピクセルの導電性接着構造は、段付き水平面の第１部分集合を含む第１水平面ＨＳＰ１などの第１平面上に設けられてもよい。緑色サブピクセルの全ての種々の導電性接着構造は、段付き水平面の第２部分集合を含む第２水平面ＨＳＰ２などの第２平面上に設けられてもよい。第２平面は、第１平面よりも例えば２ミクロンなどの所定の距離だけ下方に位置してもよい。赤色サブピクセルの全ての種々の導電性接着構造は、段付き水平面の第３部分集合を含む第３水平面ＨＳＰ３などの第３平面上に設けられてもよい。第３平面は、第１接点面よりも例えば４ミクロンだけ下方に位置してもよい。センササブピクセルの全ての導電性接着構造は、段付き水平面の追加的部分集合を含む追加的水平面ＨＳＰ１などの第４平面上に設けられてもよい。第４平面は、第１接点面よりも例えば６ミクロンだけ下方に位置してもよい。四色ディスプレイパネルや五色ディスプレイパネルなどの三色より多い数の色を伴うディスプレイパネルを同様に形成してもよい。三色より多い色を伴うディスプレイパネルの利点のひとつは、そのようなディスプレイパネルが非一様ピクセルまたは死んだ（ｄｅａｄ）ピクセルに対する感度が低いことである。
第２導電性接着構造４３０Ｇのそれぞれは、第１導電性接着構造４３０Ｂの任意の実施の形態と同じ物質スタック（または同じ物質構成）を有してもよい。第２導電性接着構造４３０Ｇは、バックプレーン４０１内の対応する金属相互接続構造４４０に電気的に接続される。ある実施の形態では、第２導電性接着構造４３０Ｇを用いることで、バックプレーン４０１への移送対象の種々のデバイスを電気的および機械的に結合してもよい。ある実施の形態では、第２導電性接着構造４３０Ｇの高さは第１導電性接着構造４３０Ｂの高さよりも大きくてもよい。言い換えると、第１導電性接着構造４３０Ｂの高さは第２導電性接着構造４３０Ｇの高さよりも小さくてもよい。
第３導電性接着構造４３０Ｒのそれぞれは、第１導電性接着構造４３０Ｂまたは第２導電性接着構造４３０Ｇの任意の実施の形態と同じ物質スタック（または同じ物質構成）を有してもよい。第３導電性接着構造４３０Ｒは、バックプレーン４０１内の対応する金属相互接続構造４４０に電気的に接続される。ある実施の形態では、第３導電性接着構造４３０Ｒを用いることで、バックプレーン４０１への移送対象の種々のデバイスを電気的および機械的に結合してもよい。ある実施の形態では、第３導電性接着構造４３０Ｒの高さは第２導電性接着構造４３０Ｇの高さよりも大きくてもよい。言い換えると、第２導電性接着構造４３０Ｇの高さは第３導電性接着構造４３０Ｒの高さよりも小さくてもよい。
追加的導電性接着構造４３０Ｓのそれぞれは、第１導電性接着構造４３０Ｂまたは第２導電性接着構造４３０Ｇまたは第３導電性接着構造４３０Ｒの任意の実施の形態と同じ物質スタック（または同じ物質構成）を有してもよい。追加的導電性接着構造４３０Ｓは、バックプレーン４０１内の対応する金属相互接続構造４４０に電気的に接続される。ある実施の形態では、追加的導電性接着構造４３０Ｓを用いることで、バックプレーン４０１への移送対象の種々のデバイスを電気的および機械的に結合してもよい。ある実施の形態では、追加的導電性接着構造４３０Ｓの高さは第３導電性接着構造４３０Ｒの高さよりも大きくてもよい。言い換えると、第３導電性接着構造４３０Ｒの高さは追加的導電性接着構造４３０Ｓの高さよりも小さくてもよい。
図１２を参照すると、第１移送基板３０１Ｂと第１波長の光を発する第１発光デバイス１０Ｂとを備えるアセンブリがバックプレーン４０１上に置かれる。この場合、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合１１Ｂは第１導電性接着構造４３０Ｂに接するが、第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合１２Ｂはどの導電性接着構造とも接しない。第１移送基板３０１Ｂと第１発光デバイス１０Ｂとを備えるアセンブリは、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合１１Ｂの接触パッド（不図示）が対応する第１導電性接着構造４３０Ｂに接するように、バックプレーン４０１に対して揃えられる。具体的には、各接着パッド４２０および重ねられている第１発光デバイス１０Ｂの対応する接触パッドがそれらの間に位置する第１導電性接着構造４３０Ｂに接するように、第１発光デバイス１０Ｂのアレイがバックプレーン４０１上で位置決めされてもよい。
第１移送基板３０１Ｂ上の第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合１１Ｂは第１導電性接着構造４３０Ｂに接着され、該第１導電性接着構造４３０Ｂはバックプレーン４０１の段付き水平面の第１部分集合上に設けられている。ある実施の形態では、接着パッド４２０ははんだ付け可能接着パッドであってもよく、バックプレーン４０１および第１移送基板３０１Ｂに熱サイクルを適用することで、はんだ材をリフローさせ、接着パッド４２０を第１導電性接着構造４３０Ｂに取り付けてもよい。ある実施の形態では、接着パッド４２０はコールドボンディング（cold bonding）接着パッドであってもよく、第１導電性接着構造４３０ＢはＣｕスタッドバンプなどの金属スタッドバンプであってもよい。この場合、機械的力を印加することによって、各接着パッド４２０と対応する第１導電性接着構造４３０Ｂとが相互接続される。オプションで、バックプレーン４０１と揃えられる前に、第１移送基板３０１Ｂを１００ミクロンよりも薄い厚さまで薄くしてもよい。
図１３を参照すると、第１導電性接着構造４３０Ｂに接着された各第１発光デバイス１０Ｂは個々に第１移送基板３０１Ｂから分離されてもよく、一方で第１導電性接着構造４３０Ｂに接着されていない第１発光デバイス１０Ｂはそのまま残る、すなわち取り外されない。第１導電性接着構造４３０Ｂに接着された第１発光デバイス１０Ｂの集合は第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合１１Ｂであり、第１導電性接着構造４３０Ｂに接着されていない第１発光デバイス１０Ｂの集合は第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合１２Ｂである。レーザ４７７により発せられるターゲットへのレーザ照射を用いることで、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合１１Ｂのなかの各第１発光デバイス１０Ｂを取り外すことができる。レーザビームがリリース層２０によって吸収されるようにリリース層の材質が選択される。レーザビームのサイズまたはレーザビームがラスタ化されるのであればレーザビームのラスタエリアのサイズは、単一の第１発光デバイス１０Ｂのエリアに実質的にマッチするように選択されてもよい。第１光学保護材層１７Ｂが存在する場合、それはそれに二次的に入射するレーザビームの一部を吸収するか反射してもよい。ある実施の形態では、リリース層２０の照射された部分は切除されてもよい。さらに、接着剤層３０のうちリリース層２０の切除部分の下になる部分は、レーザ照射中に二次的に切除されるかまたは構造的に損傷を受けうる。
第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合１１Ｂに重なるリリース層２０の各部分は、順番に、すなわち一度に一つずつ、レーザビームによって照射される。レーザビームによって照射されるリリース層２０の部分はリリース層２０の第１部分と総称され、一方で、レーザビームによって照射されないリリース層２０の部分はリリース層２０の第２部分と総称される。第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合１１Ｂに重なるリリース層２０の第１部分は、第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合１２Ｂに重なるリリース層２０の第２部分が除去されないままで、選択的かつ順番に除去される。第１移送基板３０１Ｂは、レーザ波長において光学的に透明である物質を含む。
ある実施の形態では、リリース層２０は珪素窒化物を含んでもよく、レーザ波長は紫外の波長（例えば２４８ｎｍまたは１９３ｎｍ）であってもよく、レーザビームでリリース層２０の第１部分を照らすことは、リリース層２０の第１部分を切除する。リリース層２０の第２部分を除去せずにリリース層２０の第１部分を選択的に除去するプロセスは、本明細書において、エリア選択的レーザリフトオフプロセス、またはダイ選択的レーザリフトオフプロセスと称される。レーザビームのレーザ照射のエリアのサイズ（すなわち、ショットサイズ）は、レーザ照射のエリアが各第１発光デバイス１０Ｂ（または同時に複数の第１発光デバイス１０Ｂが移送される場合は複数の第１発光デバイス）のエリアよりも少し大きくなるように、選択されてもよい。第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合１１Ｂのみ、すなわち下にある接着パッド４２０と接着された対応する導電性接触構造４３０Ｂを有する第１発光デバイス１０Ｂ（または第１発光デバイス１０Ｂのグループ）の部分集合、が選択的レーザリフトオフプロセスによって処理される。レーザビームは、バックプレーン４０１に接着されていない第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合１２Ｂから逸らされる。
図１４を参照すると、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合１１Ｂに重なるリリース層２０の第１部分の全てが除去された後、第１移送基板３０１Ｂおよび／またはバックプレーン４０１を相手から引き離すことによって、第１移送基板３０１Ｂをバックプレーン４０１から分離することができる。ある実施の形態では、リリース層２０の第１部分がレーザビームで照らされた後、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合１１Ｂのうちの少なくともひとつに、接着剤層３０の残余部分３０Ｆが形成されてもよい。他の実施の形態では、接着剤層３０のうちリリース層２０の照射部分の下にある部分は切除されるかまたは、液化され例えば下の第１発光デバイス１０Ｂの側壁に沿って流れ落ちてもよい。接着剤層３０の部分がリリース層２０の照射部分の下に残る場合、第１移送基板３０１Ｂと第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合１２Ｂとを備えるアセンブリがバックプレーン４０１から分離される間に、そのような部分の周囲は砕けうる。第１移送基板３０１Ｂと第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合１２Ｂとを備えるアセンブリのバックプレーン４０１からの分離は、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合１１Ｂが第１導電性接着構造４３０Ｂに接着されたままである間に、行われてもよい。
第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合１２Ｂを用いて、引き続き、第１発光デバイス１０Ｂの別の部分集合を別のバックプレーン（不図示）へ移送してもよい。第２移送基板３００Ｇ上の第２発光デバイス１０Ｇ（図６参照）を同様に用いて、第２発光デバイス１０Ｇの部分集合をさらに別のバックプレーン（不図示）へ移送してもよい。第３移送基板３００Ｒ上の第３発光デバイス１０Ｒ（図６参照）を同様に用いて、第３発光デバイス１０Ｒの部分集合をさらに別のバックプレーン（不図示）へ移送してもよい。追加的移送基板３００Ｓ上のセンサデバイス１０Ｓ（図６参照）を同様に用いて、センサデバイス１０Ｓの部分集合をさらに別のバックプレーン（不図示）へ移送してもよい。
オプションで、ウェット化学クリーンプロセスを行うことで、バックプレーン４０１およびその上の第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合１１Ｂから残留物を除去してもよい。例えば、薄いフッ化水素酸を用いることで、バックプレーン４０１および第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合１１Ｂの表面から残留物を除去してもよい。
図１５を参照すると、第２移送基板３０１Ｇと第２波長の光を発する第２発光デバイス１０Ｇとを備えるアセンブリが提供される。第２波長は第１波長とは異なる。例えば、第１波長は青色光の波長であってもよく、第２波長は緑色光の波長であってもよい。第２発光デバイス１０Ｇがバックプレーン４０１の上側を向いている構成において、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合が存在するバックプレーン４０１上の位置に対応する位置には、第２発光デバイス１０Ｇは存在しない。言い換えると、第２発光デバイス１０Ｇが下を向き、かつ、バックプレーン４０１上の第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合が上を向く構成において、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合のエリアと重なるエリアには、第２発光デバイス１０Ｇは存在しない。ある実施の形態では、第２発光デバイス１０Ｇの部分集合の移送のために第２移送基板３０１Ｇをバックプレーン４０１と揃える前に、バックプレーン４０１上の既存の第１デバイス１０Ｂと重なる位置に設けられた第２発光デバイス１０Ｇを第２移送基板３０１Ｇから除去してもよい。オプションで、第２発光デバイス１０Ｇの部分集合を重なる位置から除去する前に、第２光学保護材層１７Ｇを適用することで、第２発光デバイス１０Ｇの間の隙間を埋めてもよい。第２光学保護材層１７Ｇは第１光学保護材層１７Ｂと同じ構成を有してもよい。第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合が存在するバックプレーン４０１上の位置に対応する位置には第２発光デバイス１０Ｇが存在しないことを確実にすることで、第２発光デバイス１０Ｇの部分集合を接着するために第２移送基板３０１Ｇが後にバックプレーン４０１に載置されるときに、第２発光デバイス１０Ｇと第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合との衝突の可能性を回避することができる。
第２移送基板３０１Ｇと第２発光デバイス１０Ｇとのアセンブリをバックプレーン４０１に対して揃えた後、第２移送基板３０１Ｇと第２発光デバイス１０Ｇとのアセンブリがバックプレーン４０１上に置かれる。この場合、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合は第２導電性接着構造４３０Ｇに接するが、第２発光デバイス１０Ｇの第２部分集合１２Ｂはどの導電性接着構造とも接しない。第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合の接触パッド（不図示）は対応する第２導電性接着構造４３０Ｇに接する。具体的には、各接着パッド４２０および重ねられている第２発光デバイス１０Ｇの対応する接触パッドがそれらの間に位置する第２導電性接着構造４３０Ｇに接するように、第２発光デバイス１０Ｇのアレイがバックプレーン４０１上で位置決めされてもよい。
第２導電性接着構造４３０Ｇは、第２発光デバイス１０Ｇの移送が望まれている位置に存在する。第２移送基板３０１Ｇ上の第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合は第２導電性接着構造４３０Ｇに接着され、該第２導電性接着構造４３０Ｇはバックプレーン４０１の段付き水平面の第２部分集合上に設けられている。接着パッド４２０と、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合の重なっている接触パッドと、の組のそれぞれは、上述の接着方法の任意のものを用いて、対応する第２導電性接着構造４３０Ｇを通じて接着されてもよい。上述の接着方法とはすなわち、接着パッド４２０と、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合の重なっている接触パッドと、の組を対応する第１導電性接着構造４３０Ｂを通じて接着するために用いられうる接着方法である。
続いて、第２導電性接着構造４３０Ｇに接着された各第２発光デバイス１０Ｇは個々に第２移送基板３０１Ｇから分離されてもよく、一方で第２導電性接着構造４３０Ｇに接着されていない第２発光デバイス１０Ｇはそのまま残る、すなわち取り外されない。第２導電性接着構造４３０Ｇに接着された第２発光デバイス１０Ｇの集合は第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合であり、第２導電性接着構造４３０Ｇに接着されていない第２発光デバイス１０Ｇの集合は第２発光デバイス１０Ｇの第２部分集合である。以前の処理ステップにおいて第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合を取り外すために用いられたのと同じ方法で、レーザ４７７により発せられるターゲットへのレーザ照射を用いることで、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合のなかの各第２発光デバイス１０Ｇを取り外すことができる。したがって、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合に重なるリリース層２０の第１部分は、第２発光デバイス１０Ｇの第２部分集合に重なるリリース層２０の第２部分が除去されないままで、選択的かつ順番に除去される。第２移送基板３０１Ｇは、レーザ波長において光学的に透明である物質を含む。ある実施の形態では、リリース層２０は珪素窒化物を含んでもよく、レーザ波長は紫外の波長（例えば２４８ｎｍまたは１９３ｎｍ）であってもよく、レーザビームでリリース層２０の第１部分を照らすことは、リリース層２０の第１部分を切除する。
図１７を参照すると、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合に重なるリリース層２０の第１部分の全てが除去された後、第２移送基板３０１Ｇおよび／またはバックプレーン４０１を相手から引き離すことによって、第２移送基板３０１Ｇをバックプレーン４０１から分離することができる。ある実施の形態では、リリース層２０の第１部分がレーザビームで照らされた後、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合のうちの少なくともひとつに、接着剤層３０の残余部分３０Ｆが形成されてもよい。他の実施の形態では、接着剤層３０のうちリリース層２０の照射部分の下にある部分は切除されるかまたは、液化され例えば下の第２発光デバイス１０Ｇの側壁に沿って流れ落ちてもよい。接着剤層３０の部分がリリース層２０の照射部分の下に残る場合、第２移送基板３０１Ｇと第２発光デバイス１０Ｇの第２部分集合とを備えるアセンブリがバックプレーン４０１から分離される間に、そのような部分の周囲は砕けうる。第２移送基板３０１Ｇと第２発光デバイス１０Ｇの第２部分集合とを備えるアセンブリのバックプレーン４０１からの分離は、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合が第２導電性接着構造４３０Ｇに接着されたままである間に、行われてもよい。
第２発光デバイス１０Ｇの第２部分集合を用いて、引き続き、第２発光デバイス１０Ｇの別の部分集合を別のバックプレーン（不図示）へ移送してもよい。オプションで、ウェット化学クリーンプロセスを行うことで、バックプレーン４０１並びに第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合および第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合から残留物を除去してもよい。例えば、薄いフッ化水素酸を用いることで、バックプレーン４０１、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合および第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合の表面から残留物を除去してもよい。
図１８を参照すると、第３移送基板３０１Ｒと第３波長の光を発する第３発光デバイス１０Ｒとを備えるアセンブリが提供される。第３波長は第１波長とも第２波長とも異なる。例えば、第１波長は青色光の波長であってもよく、第２波長は緑色光の波長であってもよく、第３波長は赤色光の波長であってもよい。第３発光デバイス１０Ｒがバックプレーン４０１の上側を向いている構成において、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合または第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合が存在するバックプレーン４０１上の位置に対応する位置には、第３発光デバイス１０Ｒは存在しない。言い換えると、第３発光デバイス１０Ｒが下を向き、かつ、バックプレーン４０１上の第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合および第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合が上を向く構成において、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合または第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合のエリアと重なるエリアには、第３発光デバイス１０Ｒは存在しない。
ある実施の形態では、第３発光デバイス１０Ｒの部分集合の移送のために第３移送基板３０１Ｒをバックプレーン４０１と揃える前に、バックプレーン４０１上の既存のデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ）と重なる位置に設けられた第３発光デバイス１０Ｒを第３移送基板３０１Ｒから除去してもよい。オプションで、第３発光デバイス１０Ｒの部分集合を重なる位置から除去する前に、第３光学保護材層１７Ｒを適用することで、第３発光デバイス１０Ｒの間の隙間を埋めてもよい。第３光学保護材層１７Ｒは第１光学保護材層１７Ｂと同じ構成を有してもよい。第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合および第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合が存在するバックプレーン４０１上の位置に対応する位置には第３発光デバイス１０Ｒが存在しないことを確実にすることで、第３発光デバイス１０Ｒの部分集合を接着するために第３移送基板３０１Ｒが後にバックプレーン４０１に載置されるときに、第３発光デバイス１０Ｒと第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合との衝突の可能性および第３発光デバイス１０Ｒと第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合との衝突の可能性を回避することができる。
第３移送基板３０１Ｒと第３発光デバイス１０Ｒとのアセンブリをバックプレーン４０１に対して揃えた後、第３移送基板３０１Ｒと第３発光デバイス１０Ｒとのアセンブリがバックプレーン４０１上に置かれる。この場合、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合は第３導電性接着構造４３０Ｒに接するが、第３発光デバイス１０Ｒの第２部分集合はどの導電性接着構造とも接しない。第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合の接触パッド（不図示）は対応する第３導電性接着構造４３０Ｒに接する。具体的には、各接着パッド４２０および重ねられている第３発光デバイス１０Ｒの対応する接触パッドがそれらの間に位置する第３導電性接着構造４３０Ｒに接するように、第３発光デバイス１０Ｒのアレイがバックプレーン４０１上で位置決めされてもよい。
第３導電性接着構造４３０Ｒは、第３発光デバイス１０Ｒの移送が望まれている位置にのみ形成される。第３移送基板３０１Ｒ上の第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合は第３導電性接着構造４３０Ｒに接着され、該第３導電性接着構造４３０Ｒはバックプレーン４０１の段付き水平面の第３部分集合上に設けられている。接着パッド４２０と、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合の重なっている接触パッドと、の組のそれぞれは、上述の接着方法の任意のものを用いて、対応する第３導電性接着構造４３０Ｒを通じて接着されてもよい。上述の接着方法とはすなわち、接着パッド４２０と、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合の重なっている接触パッドと、の組を対応する第１導電性接着構造４３０Ｂを通じて接着するために用いられうる接着方法である。
続いて、第３導電性接着構造４３０Ｒに接着された各第３発光デバイス１０Ｒは個々に第３移送基板３０１Ｒから分離されてもよく、一方で第３導電性接着構造４３０Ｒに接着されていない第３発光デバイス１０Ｒはそのまま残る、すなわち取り外されない。第３導電性接着構造４３０Ｒに接着された第３発光デバイス１０Ｒの集合は第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合であり、第３導電性接着構造４３０Ｒに接着されていない第３発光デバイス１０Ｒの集合は第３発光デバイス１０Ｒの第２部分集合である。以前の処理ステップにおいて第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合を取り外すために用いられたのと同じ方法で、レーザ４７７により発せられるターゲットへのレーザ照射を用いることで、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合のなかの各第３発光デバイス１０Ｒを取り外すことができる。したがって、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合に重なるリリース層２０の第１部分は、第３発光デバイス１０Ｒの第２部分集合に重なるリリース層２０の第２部分が除去されないままで、選択的かつ順番に除去される。第３移送基板３０１Ｒは、レーザ波長において光学的に透明である物質を含む。ある実施の形態では、リリース層２０は珪素窒化物を含んでもよく、レーザ波長は紫外の波長（例えば２４８ｎｍまたは１９３ｎｍ）であってもよく、レーザビームでリリース層２０の第１部分を照らすことは、リリース層２０の第１部分を切除する。
図１９を参照すると、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合に重なるリリース層２０の第１部分の全てが除去された後、第３移送基板３０１Ｒおよび／またはバックプレーン４０１を相手から引き離すことによって、第３移送基板３０１Ｒをバックプレーン４０１から分離することができる。ある実施の形態では、リリース層２０の第１部分がレーザビームで照らされた後、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合のうちの少なくともひとつに、接着剤層３０の残余部分３０Ｆが形成されてもよい。他の実施の形態では、接着剤層３０のうちリリース層２０の照射部分の下にある部分は切除されるかまたは、液化され例えば下の第３発光デバイス１０Ｒの側壁に沿って流れ落ちてもよい。接着剤層３０の部分がリリース層２０の照射部分の下に残る場合、第３移送基板３０１Ｒと第３発光デバイス１０Ｒの第２部分集合とを備えるアセンブリがバックプレーン４０１から分離される間に、そのような部分の周囲は砕けうる。第３移送基板３０１Ｒと第３発光デバイス１０Ｒの第２部分集合とを備えるアセンブリのバックプレーン４０１からの分離は、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合が第３導電性接着構造４３０Ｒに接着されたままである間に、行われてもよい。
第３発光デバイス１０Ｒの第２部分集合を用いて、引き続き、第３発光デバイス１０Ｒの別の部分集合を別のバックプレーン（不図示）へ移送してもよい。オプションで、ウェット化学クリーンプロセスを行うことで、バックプレーン４０１、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合および第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合から残留物を除去してもよい。例えば、薄いフッ化水素酸を用いることで、バックプレーン４０１、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合および第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合の表面から残留物を除去してもよい。
種々のデバイスを接着する順序は、異なる高さおよび同じ水平ピッチ、すなわち二つの水平方向に沿った同じ周期性、を有する複数タイプのデバイスの接着を可能とするべく可換であることは理解される。総じて、バックプレーン４０１上に既に存在する接着されたデバイスと接着対象の新たなデバイスとの間の衝突を避けるように、異なるデバイス１０を接着する順番と対応する導電性接着構造の高さとを選択してもよい。デバイスと、バックプレーン４０１上に載置された移送基板の接着剤層と、の間の界面を含む水平面は、バックプレーン４０１上の既存のデバイスの最上面よりも上方に位置する。
図２０を参照すると、追加的移送基板３０１Ｓと少なくともひとつのパラメータを検出するセンサデバイスとを備えるアセンブリが提供される。少なくともひとつのパラメータは、明るさ、圧力、温度、および／または他の物理的パラメータであってもよい。センサデバイス１０Ｓがバックプレーン４０１の上側を向いている構成において、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合、または第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合が存在するバックプレーン４０１上の位置に対応する位置には、センサデバイス１０Ｓは存在しない。言い換えると、センサデバイス１０Ｓが下を向き、かつ、バックプレーン４０１上の第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合および第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合が上を向く構成において、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合または第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合のエリアと重なるエリアには、センサデバイス１０Ｓは存在しない。ある実施の形態では、センサデバイス１０Ｓの部分集合の移送のために追加的移送基板３０１Ｓをバックプレーン４０１と揃える前に、バックプレーン４０１上の既存のデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）と重なる位置に設けられたセンサデバイス１０Ｓを追加的移送基板３０１Ｓから除去してもよい。オプションで、センサデバイス１０Ｓの部分集合を重なる位置から除去する前に、第４光学保護材層１７Ｓを適用することで、センサデバイス１０Ｓの間の隙間を埋めてもよい。第４光学保護材層１７Ｓは第１光学保護材層１７Ｂと同じ構成を有してもよい。第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合および第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合が存在するバックプレーン４０１上の位置に対応する位置にはセンサデバイス１０Ｓが存在しないことを確実にすることで、センサデバイス１０Ｓの部分集合を接着するために追加的移送基板３０１Ｓが後にバックプレーン４０１に載置されるときに、センサデバイス１０Ｓと発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）との衝突の可能性を回避することができる。
追加的移送基板３０１Ｒとセンサデバイス１０Ｓとのアセンブリをバックプレーン４０１に対して揃えた後、追加的移送基板３０１Ｓとセンサデバイス１０Ｓとのアセンブリがバックプレーン４０１上に置かれる。この場合、センサデバイス１０Ｓの第１部分集合は追加的導電性接着構造４３０Ｓに接するが、センサデバイス１０Ｓの第２部分集合はどの導電性接着構造とも接しない。センサデバイス１０Ｓの第１部分集合の接触パッド（不図示）は対応する追加的導電性接着構造４３０Ｓに接する。具体的には、各接着パッド４２０および重ねられているセンサデバイス１０Ｓの対応する接触パッドがそれらの間に位置する追加的導電性接着構造４３０Ｓに接するように、センサデバイス１０Ｓのアレイがバックプレーン４０１上で位置決めされてもよい。
追加的導電性接着構造４３０Ｓは、センサデバイス１０Ｓの移送が望まれている位置にのみ形成される。追加的移送基板３０１Ｓ上のセンサデバイス１０Ｓの第１部分集合は追加的導電性接着構造４３０Ｓに接着され、該追加的導電性接着構造４３０Ｓはバックプレーン４０１の段付き水平面の第４部分集合上に設けられている。接着パッド４２０と、センサバイス１０Ｓの第１部分集合の重なっている接触パッドと、の組のそれぞれは、上述の接着方法の任意のものを用いて、対応する追加的導電性接着構造４３０Ｓを通じて接着されてもよい。上述の接着方法とはすなわち、接着パッド４２０と、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合の重なっている接触パッドと、の組を対応する第１導電性接着構造４３０Ｂを通じて接着するために用いられうる接着方法である。
続いて、追加的導電性接着構造４３０Ｓに接着された各センサデバイス１０Ｓは個々に追加的移送基板３０１Ｇから分離されてもよく、一方で追加的導電性接着構造４３０Ｓに接着されていないセンサデバイス１０Ｓはそのまま残る、すなわち取り外されない。追加的導電性接着構造４３０Ｇに接着されたセンサデバイス１０Ｓの集合はセンサデバイス１０Ｓの第１部分集合であり、第２導電性接着構造４３０Ｇに接着されていないセンサデバイス１０Ｓの集合はセンサデバイス１０Ｓの第２部分集合である。以前の処理ステップにおいて第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合を取り外すために用いられたのと同じ方法で、レーザ４７７により発せられるターゲットへのレーザ照射を用いることで、センサデバイス１０Ｓの第１部分集合のなかの各センサデバイス１０Ｓを取り外すことができる。したがって、センサデバイス１０Ｓの第１部分集合に重なるリリース層２０の第１部分は、センサデバイス１０Ｓの第２部分集合に重なるリリース層２０の第２部分が除去されないままで、選択的かつ順番に除去される。追加的移送基板３０１Ｓは、レーザ波長において光学的に透明である物質を含む。ある実施の形態では、リリース層２０は珪素窒化物を含んでもよく、レーザ波長は紫外の波長（例えば２４８ｎｍまたは１９３ｎｍ）であってもよく、レーザビームでリリース層２０の第１部分を照らすことは、リリース層２０の第１部分を切除する。
図２１を参照すると、センサデバイス１０Ｓの第１部分集合に重なるリリース層２０の第１部分の全てが除去された後、追加的移送基板３０１Ｓおよび／またはバックプレーン４０１を相手から引き離すことによって、追加的移送基板３０１Ｓをバックプレーン４０１から分離することができる。ある実施の形態では、リリース層２０の第１部分がレーザビームで照らされた後、センサデバイス１０Ｓの第１部分集合のうちの少なくともひとつに、接着剤層３０の残余部分３０Ｆが形成されてもよい。他の実施の形態では、接着剤層３０のうちリリース層２０の照射部分の下にある部分は切除されるかまたは、液化され例えば下のセンサデバイス１０Ｓの側壁に沿って流れ落ちてもよい。接着剤層３０の部分がリリース層２０の照射部分の下に残る場合、追加的移送基板３０１Ｓとセンサデバイス１０Ｓの第２部分集合とを備えるアセンブリがバックプレーン４０１から分離される間に、そのような部分の周囲は砕けうる。追加的移送基板３０１Ｓとセンサデバイス１０Ｓの第２部分集合とを備えるアセンブリのバックプレーン４０１からの分離は、センサデバイス１０Ｓの第１部分集合が追加的導電性接着構造４３０Ｓに接着されたままである間に、行われてもよい。
センサデバイス１０Ｓの第２部分集合を用いて、引き続き、センサデバイス１０Ｓの別の部分集合を別のバックプレーン（不図示）へ移送してもよい。オプションで、ウェット化学クリーンプロセスを行うことで、バックプレーン４０１、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合およびセンサデバイス１０Ｓの第１部分集合から残留物を除去してもよい。例えば、薄いフッ化水素酸を用いることで、バックプレーン４０１、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合およびセンサデバイス１０Ｓの第１部分集合の表面から残留物を除去してもよい。
図２２を参照すると、電子コンポーネント（発光デバイスサブピクセル、センサ、または他のコンポーネント）は透明封止材によって封止されてもよい。透明封止材は発光デバイスサブピクセルからの光の抽出を高め、それによりディスプレイパネルによって発せられる光の量を増やす。透明封止材は、山谷の高さ変動がより小さいディスプレイパネルの上面を提供してもよい。透明材料をバックプレーン４０１上に堆積させることで、透明封止誘電体層４７０を形成してもよい。封止材は、誘電樹脂（例えば、ベンゾシクロブテン、ポリメチルメタクリレート、ポリベンゾオキサゾール、またはポリイミド）や珪素や誘電体（例えば、ＴｉＯ２またはＳｉＯ２）や低融点ガラスやスピンオンガラスなどの広範囲の材料のうちのいずれかであってもよい。
導電性接着構造の厚さおよび／または電子コンポーネント（発光デバイス、センサ、または他の電子要素）の厚さはコンポーネントのグループごとに異なっていてもよい。センサを備える三色ＲＧＢディスプレイパネルの例では、第１発光デバイス１０Ｂは青色発光デバイスであり、第２発光デバイスは緑色発光デバイスであり、第３発光デバイスは赤色発光デバイスであってもよい。青色発光デバイスは６ミクロンの厚さを有してもよく、バックプレーン基板と青色発光デバイスとの間の第１導電性接着構造４３０Ｂは厚さが約２ミクロンであってもよい。緑色発光デバイスは７ミクロンの厚さを有してもよく、バックプレーン基板と緑色発光デバイスとの間の第２導電性接着構造４３０Ｇは厚さが約４ミクロンであってもよい。赤色発光デバイスは８ミクロンの厚さを有してもよく、バックプレーン基板と赤色発光デバイスとの間の第３導電性接着構造４３０Ｒは厚さが約５ミクロンであってもよい。センサデバイス１０Ｓは８ミクロンの厚さを有してもよく、バックプレーン基板とセンサとの間の追加的導電性接着構造４３０Ｓは厚さが約７ミクロンであってもよい。この例では、バックプレーン基板の面からの電子コンポーネントの遠位面（バックプレーン４３０から最も遠い発光デバイスまたはセンサの面）の高さは、青色発光デバイス、緑色発光デバイス、赤色発光デバイス、センサについてそれぞれ８ミクロン、１１ミクロン、１３ミクロン、１５ミクロンであってもよい。
上記の例に記載されるように、ディスプレイパネルにおいて、電子コンポーネント（発光デバイス、センサ、等）の導電性接着構造の厚さは異なっていてもよく、電子コンポーネント（発光デバイス、センサ、等）の厚さは異なっていてもよく、それらの組み合わせであってもよい。
導電性接着構造（４３０Ｂ、４３０Ｇ、４３０Ｒ、４３０Ｓ）は、バックプレーン４０１に固定された各要素へのひとつ以上の電気接点を作るよう構成されてもよい。ある実施の形態では、緑色発光デバイスサブピクセルは、二つの導電性接着構造によってバックプレーン基板に固定されてもよい。第１導電性接着構造は緑色発光デバイスのカソードをバックプレーン４３０内の電子回路に接続し、第２導電性接着構造は発光デバイスのアノードをバックプレーン４０１内の電子回路に接続する。ある実施の形態では、第１導電性接着構造と第２導電性接着構造とは異なる水平面上に設けられてもよい。例えば、アノード接点面はカソード接点面よりも０．５ミクロンほど高いところにあってもよい。ある実施の形態では、第１導電性接着構造と第２導電性接着構造とは異なる厚さを有してもよい。例えば、アノード接着構造の厚さはカソード接着構造よりも０．５マイクロメートルほど厚くてもよい。
他の実施の形態では、青色発光デバイスサブピクセルは、ひとつの導電性接着構造によってバックプレーン４３０に固定されてもよく、このひとつの導電性接着構造はアノード接着構造またはカソード接着構造のいずれかであってもよい。他の実施の形態では、シリコン光検出器デバイスは、二つの導電性接着構造によってバックプレーン４０１に固定されてもよい。他の実施の形態では、三つのシリコン光検出器のアレイは、六つの導電性接着構造によってバックプレーン４０１に固定されてもよい。他の実施の形態では、シリコン光検出器デバイスは、ひとつの導電性接着構造によってバックプレーン４３０に固定されてもよく、このひとつの導電性接着構造はアノードまたはカソード接着構造またはカソード接着構造のいずれかであってもよい。
ある実施の形態では、青色光を発するよう構成された発光デバイスは、緑色光を発するよう構成された発光デバイスの隣に、かつ、赤色光を発するよう構成された発光デバイスの隣に、形成されてもよい。ある実施の形態では、バックプレーン４０１に固定される電子デバイスへの全ての接点はバックプレーン４０１と電子コンポーネントとの間に設けられてもよく、透明封止誘電体層４７０は単一の上面を有してもよい（すなわち、平坦化されてもよい）。他の実施の形態では、透明封止誘電体層４７０は、例えば各電子コンポーネント上のドーム状表面を伴うマイクロレンズアレイとなるよう形成されてもよい。
電子コンポーネント（発光デバイスサブピクセル、センサ、または他のコンポーネント）とバックプレーン４０１との間の導電性接着構造はＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｂｉ、Ｓｂを含んでもよい。導電性接着構造は、複数の金属や合金を含む複数の層を含んでもよい。デバイスの異なる複数のグループのための導電性接着構造は、異なる金属や合金を含んでもよい。例えば、青色発光デバイスをバックプレーン４０１に固定する導電性接着構造はＡｕＳｎを含んでもよく、緑色発光デバイスをバックプレーン４０１に固定する導電性接着構造はＮｉＳｎを含んでもよく、赤色発光デバイスをバックプレーンに固定する導電性接着構造はＩｎＳｎを含んでもよい。
図２２の例示的構造は、上側に段付き水平面を有するバックプレーン４０１を備える例示的第１発光デバイスアセンブリである。段付き水平面は、第１水平面ＨＳＰ１内に設けられた段付き水平面の第１部分集合と、段付き水平面の第１部分集合とバックプレーン４０１の裏側面４０９との間よりもバックプレーン４０１の裏側面４０９との間が近い第２水平面ＨＳＰ２内に設けられた段付き水平面の第２部分集合と、段付き水平面の第２部分集合とバックプレーン４０１の裏側面４０９との間よりもバックプレーン４０１の裏側面４０９との間が近い第３水平面ＨＳＰ３内に設けられた段付き水平面の第３部分集合と、段付き水平面の第３部分集合とバックプレーン４０１の裏側面４０９との間よりもバックプレーン４０１の裏側面４０９との間が近い第４水平面ＨＳＰ４内に設けられた段付き水平面の第４部分集合と、を含む。各連続する平面間の各段差の高さは０ミクロンから３ミクロンの範囲内（例えば、０．２ミクロンから２ミクロンの範囲内）にあってもよい。有限の高さの段差の存在または不存在は選択的に発光デバイス（またはセンサデバイス）を取り付けるのに用いられる方法に依存し、該方法は本開示の方法を実現するために用いられる実施の形態に依存する。言い換えると、ある実施の形態では段差は存在しないことがあり、この場合、全ての水平面（ＨＳＰ１、ＨＳＰ２、ＨＳＰ３、ＨＳＰ４）が同じ水平面内に位置しうる。段差が存在することにより、種々の電子コンポーネント（例えば、発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）およびセンサデバイス１０Ｓ）の最上面を、そうでない場合に可能な高さの差よりも小さな高さの差で形成することをより容易にすることができる。
集積発光デバイスアセンブリはさらに、バックプレーン４０１の段付き水平面に設けられた導電性接着構造（４３０Ｂ、４３０Ｇ、４３０Ｒ、４３０Ｓ）を備える。導電性接着構造（４３０Ｂ、４３０Ｇ、４３０Ｒ、４３０Ｓ）は、段付き水平面の第１部分集合に接する第１導電性接着構造４３０Ｂと、段付き水平面の第２部分集合に接する第２導電性接着構造４３０Ｇと、段付き水平面の第３部分集合に接する第３導電性接着構造４３０Ｒと、段付き水平面の第４部分集合に接する追加的導電性接着構造４３０Ｓと、を備える。
集積発光デバイスアセンブリはさらに、各導電性接着構造（４３０Ｂ、４３０Ｇ、４３０Ｒ、４３０Ｓ）に接着された発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）を備えてもよい。発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）は、第１波長の光を発すると共に段付き水平面の第１部分集合に重なる第１発光デバイス１０Ｂと、第２波長の光を発すると共に段付き水平面の第２部分集合に重なる第２発光デバイス１０Ｇと、第３波長の光を発すると共に段付き水平面の第３部分集合に重なる第３発光デバイス１０Ｒと、を含む。
集積発光デバイスアセンブリはさらに、第４導電性接着構造４３０Ｓを通じてバックプレーン４０１に接着されたセンサデバイス１０Ｓを備えてもよい。センサデバイス１０Ｓは段付き水平面の第４部分集合に重なってもよい。
種々の接着されるコンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の位置、種々の導電性接着構造（４３０Ｂ、４３０Ｇ、４３０Ｒ、４３０Ｓ）の高さ、および種々の段付き水平面の高さを組み合わせることで、バックプレーン４０１に接着されたときの接着されるコンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の最上面の間の高さの差を種々の接着されるコンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の間の高さの差よりも小さくすることができる。ある実施の形態では、第１発光デバイス１０Ｂと第１導電性接着構造４０３Ｂとの間の界面を含む第１水平界面ＨＩＰ１と第２水平面ＨＳＰ２（または第４水平面ＨＳＰ４や裏側面４０９などの他の水平参照平面）との距離は、第２発光デバイス１０Ｇと第２導電性接着構造４３０Ｇとの間の第２水平界面ＨＩＰ２と第２水平面ＨＳＰ２（または第４水平面ＨＳＰ４や裏側面４０９などの他の水平参照平面）との距離よりも大きくてもよい。
ある実施の形態では、種々の導電性接着構造（４３０Ｂ、４３０Ｇ、４３０Ｒ、４３０Ｓ）が異なる高さを有することで、接着されるコンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の最上面の間の高さの差を低減できる。ある実施の形態では、第２導電性接着構造４３０Ｇの高さは第１導電性接着構造４３０Ｂの高さよりも大きくてもよい。第３導電性接着構造４３０Ｒの高さは第２導電性接着構造４３０Ｇの高さよりも大きくてもよい。追加的導電性接着構造４３０Ｓの高さは第３導電性接着構造４３０Ｒの高さよりも大きくてもよい。種々の接着されるコンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の間の生来的な高さの差、バックプレーン４０１の段付き水平面の間の段の高さの差、および種々の接着されるコンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の位置を組み合わせることで種々の移送基板（３００Ｂ、３００Ｇ、３００Ｒ、３００Ｓ）の連続する接着の間での衝突を防ぐことができる場合、種々の導電性接着構造（４３０Ｂ、４３０Ｇ、４３０Ｒ、４３０Ｓ）の間の高さの差はオプションであってもよい。
ある実施の形態では、第１発光デバイス１０Ｂの上面を含む第１水平上面ＨＴＰ１と第２水平面ＨＳＰ２（または第４水平面ＨＳＰ４や裏側面４０９などの他の水平参照平面）との距離は、第２発光デバイス１０Ｇの上面を含む第２水平上面ＨＴＰ２と第２水平面ＨＳＰ２（または第４水平面ＨＳＰ４や裏側面４０９などの他の水平参照平面）との距離よりも小さくてもよい。第２発光デバイス１０Ｇの上面を含む第２水平上面ＨＴＰ２と第２水平面ＨＳＰ２（または第４水平面ＨＳＰ４や裏側面４０９などの他の水平参照平面）との距離は、第３発光デバイス１０Ｒの上面を含む第３水平上面ＨＴＰ３と第２水平面ＨＳＰ２（または第４水平面ＨＳＰ４や裏側面４０９などの他の水平参照平面）との距離よりも小さくてもよい。第３発光デバイス１０Ｒの上面を含む第３水平上面ＨＴＰ３と第２水平面ＨＳＰ２（または第４水平面ＨＳＰ４や裏側面４０９などの他の水平参照平面）との距離は、センサデバイス１０Ｓの上面を含む第４水平上面ＨＴＰ４と第２水平面ＨＳＰ２（または第４水平面ＨＳＰ４や裏側面４０９などの他の水平参照平面）との距離よりも小さくてもよい。
ある実施の形態では、第２発光デバイス１０Ｇの高さは第１発光デバイス１０Ｂの高さよりも大きくてもよく、第３発光デバイス１０Ｒの高さは第２発光デバイス１０Ｇの高さよりも大きくてもよく、センサデバイス１０Ｓの高さは第３発光デバイス１０Ｒの高さよりも大きくてもよい。
ある実施の形態では、バックプレーン４０１は誘電体マトリクス内に埋め込まれた金属相互接続構造４４０を含む。導電性接着構造（４３０Ｂ、４３０Ｇ、４３０Ｒ、４３０Ｓ）は、バックプレーン４０１内の対応する金属相互接続構造４４０に電気的に接続される。金属相互接続構造４４０は、バックプレーン４１０上に設けられたまたはバックプレーン４１０内に埋め込まれた接着パッド４２０を備えてもよい。接着パッド４２０は、導電性接着構造（４３０Ｂ、４３０Ｇ、４３０Ｒ、４３０Ｓ）の対応する底面に接する。ある実施の形態では、導電性接着構造（４３０Ｂ、４３０Ｇ、４３０Ｒ、４３０Ｓ）は、対応する接着パッド４２０および対応する発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）または対応するセンサデバイス１０Ｓに接着されたはんだボールを含んでもよい。
ある実施の形態では、接着剤層の残余部分３０Ｆは接着されるコンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）のうちのひとつ以上の上に存在してもよい。例えば、珪素酸化物材部分は発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｓ）の対応する上面に接し、互いに横方向に離間していてもよい。ある実施の形態では、透明封止誘電体層４７０はバックプレーン４０１の上に重なり、発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）およびセンサデバイス１０Ｓが埋め込まれてもよい。
オプションで、段付き水平面上およびバックプレーン４０１の側壁上に保護材層４２２が設けられてもよい。保護材層４２２は、紫外光、可視光および赤外光を含む波長範囲内の光を吸収する材料を含んでもよい。ある実施の形態では、発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）および／またはセンサデバイス１０Ｓは周期的アレイに配列されてもよく、そのアレイでは、水平方向に沿った隣り合う発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）の中心間距離は単位距離の整数倍である。ある実施の形態では、周期的アレイは、発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）および／またはセンサデバイス１０Ｓが矩形格子の格子サイトに配置される矩形アレイであってもよい。
図２３を参照すると、集積発光デバイスアセンブリの代替的実施の形態が示される。例えば、リソグラフィパターニングおよび少なくともひとつのエッチング処理の組み合わせによって線状空洞およびビア空洞を形成し、線状空洞およびビア空洞を少なくともひとつの導電性材料で満たすことによって、透明封止誘電体層４７０の中に導電性相互接続構造４８０を形成することができる。代替的にまたは追加的に、例えば、導電材料層を堆積させ、リソグラフィパターニングおよび少なくともひとつのエッチング処理の組み合わせによってその導電材料層をパターニングすることによって、透明封止誘電体層４７０の上に導電性相互接続構造４８０を形成することができる。導電性相互接続構造４８０は接着されるコンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）のうちのひとつ以上と電気的に接してもよい。例えば、導電性相互接続構造４８０は透明封止誘電体層４７０内に埋め込まれ、対応する発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）および／または対応するセンサデバイス１０Ｓに電気的に接してもよい。ある実施の形態では、導電性相互接続構造４８０のうちの少なくともひとつは、バックプレーン４０１内に埋め込まれた対応する金属相互接続構造４４０に電気的に接続されてもよい。
ある実施の形態では、電子コンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）への電気接点の第１部分のみが、コンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）とバックプレーン４０１との間に形成された導電性接着構造（４３０Ｂ、４３０Ｇ、４３０Ｒ、４３０Ｓ）によって提供されてもよい。電子コンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）への電気接点の第２部分は導電性相互接続構造４８０によって実現される上部接触層によって提供されてもよい。導電性相互接続構造４８０は電子コンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の上に形成され、透明封止誘電体層４７０内に埋め込まれるか、および／または透明封止誘電体層４７０の上に形成されてもよい。
ある実施の形態では、透明封止誘電体層４７０はディスプレイパネルの上面を部分的に平坦化してもよく、ディスプレイパネルは本開示の集積発光デバイスアセンブリを組み入れる。透明封止誘電体層４７０内の各電子コンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｓ）の上面の直上にビア空洞を設けてもよく、ＩＴＯやＡＺＯや銀ナノワイヤメッシュや銀メッシュ電極や他の透明または半透明接点構造などの透明導電性酸化物が封止材および電子コンポーネントの上に設けられてもよく、それにより導電性相互接続構造４８０として実現されるｏｐ接点構成を形成してもよい。例えば、ワイヤボンディングによって、または透明封止誘電体層４７０を貫通して延びる接点ビア構成によって、ある特定のサイトにおいて上部接点構成をバックプレーン４０１に電気的に結合してもよい。上部接点構成は、バックプレーン４０１上の全ての電子コンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）をカバーするフルシート（full sheet）接点であってもよいし、特定のコンポーネントまたはコンポーネントのグループに複数の上部接点構成を提供するようパターン化されてもよく、後者の場合、例えばワイヤボンディングによって、またはバックプレーン４０１上に形成される金属電極との接触によって、いくつかの特定のサイトにおいて上部接点構成をバックプレーン４０１に電気的に結合してもよい。
図２４を参照すると、成長基板５００上のデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の代替的実施の形態が示される。この場合、周知のデバイス製造技術を用いることで、成長基板５００から、デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）を成長させるか製造することができる。例えば、成長基板５００は半導体物質を含む半導体基板であってもよく、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板（例えば、ＧａＡｓまたはＧａＮ基板）であってもよく、サファイアなどの絶縁基板であってもよい。各成長基板５００は内部リリース層５２０を備えてもよい。内部リリース層５２０は、例えば、水素埋め込み層や酸素埋め込み層や窒素埋め込み層などの物質埋め込み層、またはレーザ照射によるまたは他の方法での局所加熱による劈開を促進する他の原子種の埋め込みにより形成される層、であってもよい。内部リリース層５２０は上述のリリース層２０の機能を行う。
各成長基板５００はソース基板５３０を備えてもよい。ソース基板５３０は成長基板５００の物質の薄い層であってもよい。ソース基板５３０は、内部リリース層５２０の隣接部分のレーザ照射の際に砕けるか、切除されるか、そうでなければ除去されるのに十分なほど薄い。ソース基板５３０の厚さは５０ｎｍから３ミクロンの範囲内であってもよいが、より小さいまたはより大きい厚さを用いてもよい。ある実施の形態では、第１発光デバイス１０Ｂは第１成長基板５００Ｂの上で製造されてもよく、第２発光デバイス１０Ｇは第２成長基板５００Ｇの上で製造されてもよく、第３発光デバイス１０Ｒは第３成長基板５００Ｒの上で製造されてもよく、センサデバイス１０Ｓは第４成長基板５００Ｓの上で製造されてもよい。
図２５を参照すると、上述のものと同じ処理シーケンスを用いて集積発光デバイスアセンブリを形成してもよい。各レーザ照射プロセス中にソース基板５３０の一部が切除される。各成長基板５００上にソース基板５３０が存在するので、透明封止誘電体層４７０内の接着されるコンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の上にソース基板５３０の残余部分５３０Ｆが存在してもよい。
本開示の方法は放射性ディスプレイパネルを形成するために用いられてもよい。放射性ディスプレイパネルは直視型ディスプレイであり、そこでは、視る者は異なる色の発光サブピクセルからの異なる色の光放射により作られる画像を直接見る。サブピクセルは、発光ダイオードなどの無機発光デバイスであってもよい。したがって、直視型ディスプレイは液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のバックライトとは異なる。後者では、バックライトからの異なる色の光を組み合わせてウィッチ光を形成し、その光を用いてＬＣＤの液晶材料および色フィルタを照らす。視る者は色フィルタおよび液晶材料を通過した異なる色の光を見る。バックプレーン４０１上の要素および発光デバイスはディスプレイパネルの組み立てを容易にすることができる。放射性ディスプレイパネルは、同様の方法でディスプレイパネルに組み入れられるセンサや他の電子要素を含んでもよい。センサ要素および／または電子要素はディスプレイパネルの組み立てを容易にする。
有機発光ダイオード（ＬＥＤ）を放射要素として用いて放射性ディスプレイパネルを製造するためには、数百万ものＬＥＤをバックプレーン基板に取り付けなければならない。バックプレーン４０１はエレクトロニクスを含み、該エレクトロニクスが個々のＬＥＤサブピクセルを流れる電流を駆動することで、光が発せられ、ディスプレイ上に像が形成される。
ある実施の形態では、ディスプレイは三色ディスプレイパネルであり、ディスプレイの各ピクセルの中に、赤色光、緑色光および青色光を発する三つのサブピクセルがある。各サブピクセルは有機ＬＥＤであってもよい。青および緑サブピクセルはＩｎＧａＮのＬＥＤから形成されてもよい。赤サブピクセルはＩｎＧａＮまたはＡｌＩｎＧａＰまたはＡｌＧａＡｓのＬＥＤから形成されてもよい。ディスプレイパネルはより多くの色を有してもよい。例えば、四色ディスプレイはピクセルごとに四つのサブピクセルを含んでもよい。サブピクセルは、約４７０ｎｍ波長の青色光と、約５０５ｎｍ波長のエメラルドグリーン色光と、約５７０ｎｍ波長の黄緑色光と、約６１０ｎｍ波長の赤色光と、を発してもよい。ある実施の形態では、サブピクセルは全てＩｎＧａＮにより形成されてもよい。
サブピクセルを形成する発光デバイスはナノワイヤのアレイを含んでもよく、この場合、各ナノワイヤは発光デバイスである。いくつかの理由から、ナノワイヤ発光ダイオード（ＬＥＤ）はサブピクセルを形成するのに有利である。第一に、ナノワイヤＬＥＤは横方向において１ミクロン程度の小ささでありうる。これは、各サブピクセルを形成するために用いられなければならないＬＥＤ材料の量を最小化する。これはまた、サブピクセルをより小さいピッチで配置することで高解像度ディスプレイを形成することを可能とする。第二に、ナノワイヤＬＥＤは小電力で駆動された場合、良好な効能（電気入力電力１ワット当たりのルーメン）を有する。
図２６を参照すると、本開示の構成の別の代替的な実施の形態が示される。段付き水平面を有する段付きバックプレーン４０１を有することに加えて、段付き発光デバイス表面を用いることで発光デバイスアセンブリを形成してもよい。ある実施の形態では、各発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）または各センサ構造１０Ｓの、バックプレーン４０１に接着される側に設けられるはんだ付け可能金属化構造の異なる厚さまたは部分的欠如を用いることで、段付き発光デバイス面が提供されてもよい。ある実施の形態では、はんだ付け可能金属化構造は異なる厚さの接触パッド（１５、１６）の集合であってもよく、その集合は少なくとも、第１厚さを有する第１接触パッド１５と、第１厚さとは異なる第２厚さを有する第２接触パッド１６と、を含む。第１厚さと第２厚さとの組み合わせのそれぞれは、接着されるコンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の各タイプについて同じ厚さの導電性接着構造（４３０Ｂ、４３０Ｇ、４３０Ｒ、４３０Ｓ）を用いることができるように、選択されてもよい。異なる厚さの接触パッド（１５、１６）の集合などのはんだ付け可能金属化構造は、例えば、初期成長基板（１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ、１００Ｓ）をダイシングする前の電気めっきにより形成することができる。接着されるコンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）のひとつ以上のタイプは異なる厚さの接触パッド（１５、１６）を有してもよい。あるいはまた、接着されるコンポーネント（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）のひとつ以上のタイプは同じ厚さを有する一様厚さ接触パッド（１５、１６）を有してもよい。
バックプレーン４０１に種々のタイプのデバイスを接着してもよい。例えば、センサデバイス１０Ｓを接着することに加えてまたはその代わりに、バックプレーン４０１にプローブまたは他の電子的プロセッサ集積チップ（ＩＣ）を接着してもよい。プローブの非限定的説明用例は高出力赤外光発光ダイオード（ＩＲ ＬＥＤ）や垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）であり、ＶＣＳＥＬは検出器と組み合わせて使うことで、ジェスチャ認識の機能を提供する。電子的ＩＣの非限定的説明用例は低密度高コストプロセッサチップであり、これについては、アクティブなバックプレーン上での直接製造は経済的ではなく、成長基板からバックプレーンへの移送がより経済的である。
複数の接着ステップを用いることで、複数のセンサ、プローブ、および／または電子的ＩＣをバックプレーン４０１上に集積することができる。ある実施の形態では、複数の垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）を用いることで投影ディスプレイを形成することができる。
透明封止誘電体層４７０を形成する前に、本開示の組み立てプロセスの任意のステップにおいて必要に応じてテストおよび再作業プロセスを行うことができる。再作業プロセスは高速抽出および配置動作を含んでもよい。そこでは、バックプレーン４０１に接着されている既知の不良電子コンポーネント（１０Ｇ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）を選択的に抽出（pick）し（例えば、対応する導電性接着構造の局所加熱を用いることで）、その代わりに機能的交換用電子コンポーネント（１０Ｇ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）を配置してもよい。機能的交換用電子コンポーネントを接着する前に、適切な洗浄および導電性接着構造の新たな集合の配置が行われてもよい。再作業プロセスがより後ろの段階で行われる場合、交換用電子コンポーネントはバックプレーン４０１上に既に存在する電子コンポーネントの高さよりも大きな高さを有してもよく（例えば、より厚い接着剤層を加えるか、より高さの大きな電子コンポーネントを製造することで）、または隣の電子コンポーネントと干渉しない配置方法が用いられてもよい。
ある実施の形態では、本開示の導電性接着構造（４３０Ｂ、４３０Ｇ、４３０Ｒ、４３０Ｓ）ははんだ材部分、すなわちはんだ「ボール」であってもよい。はんだ「ボール」が球状であってもなくてもよく、円柱状等の他の形状がはんだ「ボール」として用いられてもよいことは理解される。図２７を参照すると、本開示の処理シーケンスを変更することで、バックプレーン４０１からの、接着されたデバイスの上面の共面性を向上することができる。デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒまたは１０Ｓ）をバックプレーン４０１に接着し移送アセンブリの残りを取り除いた後、例えば図１４の処理ステップの後、図１７の処理ステップの後、図１９の処理ステップの後、および／または図２１の処理ステップの後、平面の底面を有するダミー基板７００を、バックプレーン４０１上の、新たに接着されたデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒまたは１０Ｓ）の上面に設けてもよい。
図２７は、バックプレーン４０１から第１移送基板３０１Ｂと第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合とを備えるアセンブリを分離した後に、平面の底面を有するダミー基板７０１を第１発光デバイス１０Ｂの上面に設けた後の例示的構造を示す。移送基板（３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒ、３０１Ｓ）のいずれかを分離した後に、同じ方法を適用してもよい。ダミー基板７０１は繰り返し用いられてもよいし、使用ごとに新たなものに置き換えられてもよい。ダミー基板７０１の底面が平坦な硬い面、すなわち水平ユークリッド二次元面に実質的に一致する面、を含む限りにおいて、ダミー基板７０１は、絶縁体、導体、半導体、またはそれらの組み合わせを含んでもよい。
図２８を参照すると、導電性接着構造（４３０Ｂ、４３０Ｇ、４３０Ｒ、４３０Ｓ）、すなわちはんだボール、がリフロー温度に熱せられている間に、ダミー基板７００に下向きの圧力を印加してもよい。この処理ステップの間、ダミー基板７００は新たに接着されたデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒまたは１０Ｓ）をバックプレーン４０１に向けて押す。ある実施の形態では、最後のリフローステップの間に、移送されたデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒまたは１０Ｓ）の上面をダミー基板７００を用いて押し下げることで、全ての移送されたダイの上面が同じ水平面に配置されることを確実にすることができる。他のいくつかの実施の形態では、以前に接着されたデバイスの上面の高さを注意深く選択することによって、以前に接着されたデバイスは以降の移送に影響を与えなくてもよい（例えば、後に接着されるデバイスの上面が以前に接着されたデバイスよりも各バックプレーン４０１から遠くなるように、接着パッド４２０の段付き面の高さと複数のバックプレーン４０１の導電性接着構造４３０の高さとを選択することによって）。図２８は、ダミー基板７００が移送された第１発光デバイス１０Ｂをバックプレーン４１０に向けて押している間に、第１導電性接着構造４３０Ｂをリフローするステップを示す。
図２９を参照すると、上述の実施の形態のいずれかを用い、後続処理ステップを行うことで、接着されたデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）を封止することができる。導電性接着構造（４３０Ｂ、４３０Ｇ、４３０Ｒ、４３０Ｓ）は、リフローされたはんだ材部分に特有の特徴、例えば凸状リフロー面、を含んでもよい。
複数の移送アセンブリおよび複数のバックプレーンを用いることで、各バックプレーンに異なるタイプのデバイスを移送し、各バックプレーン上にデバイス集合の周期的アレイを形成することができる。各移送アセンブリにおけるデバイスは、一連のデバイス移送の前に、同じ二次元的周期性を有してもよい。デバイス集合の周期的アレイはバックプレーンに亘って同じであってもよく、移送アセンブリ上のデバイスの二次元的周期性の掛け合わせである二次元的周期性を有してもよい。
図３０を参照すると、四つの異なるタイプのデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）（例えば、それぞれ、青色、緑色および赤色発光ＬＥＤおよびセンサ）を四つのバックプレーン（ＢＰ１、ＢＰ２、ＢＰ３、ＢＰ４）へ移送するときの、例示的移送パターンおよび例示的移送シーケンスが示される。四つの異なるタイプのデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）は四つのソース基板（Ｂ、Ｇ、Ｒ、Ｓ）上に設けられ、それらのソース基板は四つの移送基板（３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒ、３０１Ｓ）または四つの成長基板（１００／５００Ａ、１００／５００Ｂ、１００／５００Ｃ、１００／５００Ｄ）、またはそれらの組み合わせを含んでもよい。第１発光デバイス１０Ｂは第１ソース基板Ｂに設けられてもよく、第２発光デバイス１０Ｇは第２ソース基板Ｇに設けられてもよく、第３発光デバイス１０Ｒは第３ソース基板Ｒに設けられてもよく、センサデバイス１０Ｓは第４ソース基板Ｓに設けられてもよい。
「１」の符号が付されている第１デバイス１０Ｂの部分集合は、第１ソース基板Ｂから、「１」とマークされている第１バックプレーンＢＰ１上の位置へ移送されてもよい。続いて、「２」の符号が付されている第２デバイス１０Ｇの部分集合は、第２ソース基板Ｇから、「２」とマークされている第２バックプレーンＢＰ２上の位置へ移送されてもよい。徐々に増える数値インデックスの符号が付されるデバイスの各集合について順番に移送が続き、これは数値インデックス「１６」の符号が付されているデバイスの集合まで続く。
移送シーケンスの各ステップにおける、ソース基板（Ｂ、Ｇ、Ｒ、Ｓ）およびバックプレーン（ＢＰ１、ＢＰ２、ＢＰ３、ＢＰ４）上の種々のデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の存否の変化が図３１Ａ−３１Ｅに示される。図３１Ａはデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の移送の前の構成に対応し、図３１Ｂは移送ステップ１−４を行った後の構成に対応し、図３１Ｃはステップ５−８を行った後の構成に対応し、図３１Ｄはステップ９−１２を行った後の構成に対応し、図３１Ｅはステップ１３−１６を行った後の構成に対応する。ステップ１−４は互いに独立であるから図３１Ｂに示されるステップ１−４を任意の順序にシャッフルしてもよいこと、ステップ５−８は互いに独立であるから図３１Ｃに示されるステップ５−８を任意の順序にシャッフルしてもよいこと、ステップ９−１２は互いに独立であるから図３１Ｄに示されるステップ９−１２を任意の順序にシャッフルしてもよいこと、ステップ１３−１６は互いに独立であるから図３１Ｅに示されるステップ１３−１６を任意の順序にシャッフルしてもよいこと、は注意されるべきである。
四つのソース基板（Ｂ、Ｇ、Ｒ、Ｓ）および四つのバックプレーン（ＢＰ１、ＢＰ２、ＢＰ３、ＢＰ４）が用いられる場合について例示的な移送パターンおよび例示的な移送シーケンスが説明されたが、本開示の方法はｍ個の移送アセンブリおよびｎ個のバックプレーンが用いられる任意の場合に適用可能である。ここで、ｍは１よりも大きな整数であり、ｎは１よりも大きな整数であり、ｎはｍよりも小さくない。ｎ個のバックプレーンがｍ個の移送アセンブリからのデバイスと接着されることで、ｎ個の集積発光デバイスアセンブリを形成できる。ある実施の形態では、ｎはｍと同じか、それよりも大きい。
複数の移送アセンブリ、例えばｍ個の移送アセンブリ、が提供される。ｍ個の移送アセンブリのそれぞれは、対応するソース基板（Ｂ、Ｇ、Ｒ、Ｓ）と、同じ二次元周期性を有する二次元アレイ内の対応するデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）と、を備える。本明細書において、複数の構造についての同じ二次元周期性は以下の構成を指す。複数の構造のそれぞれは対応する単位構造を有し、対応する単位構造のインスタンスは二つの独立した周期性方向（例えば、第１周期性方向および第２周期性方向）に沿って繰り返され、全ての複数の構造について単位構造は対応する第１周期性方向に沿って同じ第１ピッチで繰り返されると共に対応する第２周期性方向に沿って同じ第２ピッチで繰り返され、全ての複数の構造について第１周期性方向と第２周期性方向との間の角度は同じである。ｎ個のバックプレーンのそれぞれは、ｍタイプのデバイスを取り付けるよう構成された対応する単位導電性接着構造パターンの周期的繰り返しを有する。
ｍタイプのデバイスのそれぞれは、ｍ個の移送アセンブリのうちのひとつの対応する移送アセンブリ内のデバイスのうちのひとつであってもよい。各単位導電性接着構造パターンのピッチであってｎ個のバックプレーンのそれぞれ内における二つの独立な方向に沿ったピッチは、ｍ個の移送アセンブリのそれぞれ内のデバイスの二次元周期性の対応するピッチの倍数であってもよい。説明的な例において、デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）のそれぞれは、第１方向に沿った第１周期性ａと第２方向（これは第１方向に垂直であってもよい）に沿った第２周期性ｂとを伴う対応する移送アセンブリ内において周期的であってもよい。各バックプレーン内の単位導電性接着パッドパターンは、第１方向に沿った第１周期性２ａ（これはａの整数倍）と、第２方向（これは第１方向に垂直であってもよい）に沿った第２周期性２ｂ（これはｂの整数倍）と、を有してもよい。
ｍ個の移送アセンブリのそれぞれからのデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）の部分集合はｎ個のバックプレーンのうちの対応するバックプレーン（ＢＰ１、ＢＰ２、ＢＰ３、ＢＰ４）に順番に移送されうる。これは、対応する移送アセンブリ上に存在するデバイスと、対応するバックプレーン（ＢＰ１、ＢＰ２、ＢＰ３、ＢＰ４）に以前に接着されたデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）（もしあれば）のいずれかと、の衝突を起こらないようにする、対応するバックプレーン（ＢＰ１、ＢＰ２、ＢＰ３、ＢＰ４）上の位置に、各対応する移送アセンブリを配置することによる。
図３２Ａを参照すると、工程内の構造が示される。これは、本開示の実施の形態に係る例示的な第２発光デバイスアセンブリを形成するのに用いられ得る。その実施の形態では、異なる高さの接着パッドが用いられる。本明細書において、「プロトタイプ」構造または「工程内」構造は、そのなかの少なくともひとつのコンポーネントの形状または組成が後に変更される過渡的構造を指す。例示的な第２発光デバイスアセンブリの工程内構造は、その中に金属相互接続構造４４０を含むバックプレーン基板４００を含んでもよい。第１発光ダイオード１０Ｂは切除材層１３０を介してソース基板３０１Ｂに取り付けられてもよい。切除材層１３０は、上述のリリース層２０であってもよく、または上述のソース基板５３０の一部であってもよい。本実施の形態では、バックプレーン基板４００は実質的に平坦な（すなわち、段付きでない）上面を有してもよいし、または図９に示されるような段付き上面を有してもよい。
種々のデバイスが後に接着されるべき位置に接着パッド（４２１、４２２、４２３）を設けてもよい。上述の通り、種々のデバイスは、第１発光デバイス１０Ｂと、第２発光デバイス１０Ｇと、第３発光デバイス１０Ｒと、および／またはセンサデバイス１０Ｓと、を含んでもよい。種々のデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）はソース基板（Ｂ、Ｇ、Ｒ、Ｓ；図３０参照）上に設けられ、それらのソース基板は移送基板（３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒ、３０１Ｓ）または成長基板（１００／５００Ｂ、１００／５００Ｇ、１００／５００Ｒ、１００／５００Ｓ）、またはそれらの組み合わせを含んでもよい。バックプレーン４０１は、バックプレーン基板４００と、接着パッド（４２１、４２２、４２３）と、を含む。
接着パッド（４２１、４２２、４２３）は、上述の接着パッド４２０と同じ組成を有してもよい。接着パッド（４２１、４２２、４２３）は異なる厚さを有する複数のタイプを含んでもよい。例えば、接着パッド（４２１、４２２、４２３）は、第１厚さを有する第１接着パッド４２１と、第２厚さを有する第２接着パッド４２２と、第３厚さを有する第３接着パッド４２３と、を含んでもよい。異なる厚さを有する追加的な接着パッド（不図示）を用いてもよい。ある実施の形態では、第１厚さは第２厚さよりも大きく、第２厚さは第３厚さよりも大きくてもよい。第１厚さと第２厚さとの差は０．３ミクロンから１０ミクロンの範囲（例えば、１ミクロンから５ミクロン）にあってもよく、第２厚さと第３厚さとの差は０．３ミクロンから１０ミクロンの範囲（例えば、１ミクロンから５ミクロン）にあってもよい。最も薄い接着パッドの厚さは１ミクロンから２０ミクロンの範囲（例えば、２ミクロンから１０ミクロン）内であってもよいが、より小さいまたはより大きい厚さを用いてもよい。
ある実施の形態では、バックプレーン４０１への移送対象のデバイスの上に導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）を形成してもよい。例えば、第１発光ダイオード１０Ｂが、バックプレーン基板４００に移送される最初のデバイスであってもよい。第１発光ダイオード１０Ｂは第１ソース基板３０１Ｂ上に設けられてもよい。第１ソース基板３０１Ｂは第１移送基板３００Ｂであってもよいし、第１タイプ成長基板１００Ｂまたは５００Ｂであってもよい。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は上述の導電性接着構造４３０のいずれかであってもよい。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は、バックプレーン基板４００へ後に移送される第１発光ダイオード１０Ｂの第１部分集合上に形成される第１導電性接着構造４３１と、他のバックプレーン基板（不図示）へ後に移送される第１発光ダイオード１０Ｂの第２部分集合上に形成される第２導電性接着構造４３２と、さらに他のバックプレーン基板へ後に移送される第１発光ダイオード１０Ｂの第３部分集合上に形成される第３導電性接着構造４３３と、またさらに他のバックプレーン基板へ後に移送される第１発光ダイオード１０Ｂの他の部分集合上に形成されるオプションの追加的な導電性接着構造と、を含んでもよい。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は第１発光ダイオード１０Ｂ上に同時に形成されてもよい。
あるいはまた、バックプレーン４０１の接着パッド（４２１、４２２、４２３）上に導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）を形成してもよい。この場合、全ての接着パッド（４２１、４２２、４２３）上に同時に導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）を形成してもよい。
さらなる代替として、各導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は二つの物理的に分離された部分として形成されてもよい。この場合、各導電性接着構造（４３１、４３２、または４３３）の一方の部分は第１発光ダイオード１０Ｂ上に形成され、対応する導電性接着構造（４３１、４３２、または４３３）の他方の部分はマッチする接着パッド（４２１、４２２、または４２３）の表面上に形成される。ある実施の形態では、各導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は二つの分離された部分として形成されてもよく、それらの部分は第１発光ダイオード１０Ｂ上に形成される上側部分と接着パッド（４２１、４２２、または４２３）上に形成される下側部分との間でほぼ均等に分割される。
ある実施の形態では、導電性接着構造（４３１、４３２、４３２）のそれぞれは同じ高さ（または、二つの部分として形成される場合はトータルの高さ）を有してもよい。ある実施の形態では、導電性接着構造（４３１、４３２、４３２）のそれぞれは同じ高さおよび同じ体積（または、二つの部分として形成される場合はトータルの体積）を有してもよい。ある実施の形態では、導電性接着構造（４３１、４３２、４３２）のそれぞれは同じ高さ、同じ体積、および同じ形状（または、二つの部分として形成される場合は二つの形状の同じ集合）を有してもよい。導電性接着構造（４３１、４３２、４３２）の高さは１５ミクロンから１００ミクロンの範囲（例えば、２０ミクロンから６０ミクロン）内であってもよいが、より小さいまたはより大きい高さを用いてもよい。ある実施の形態では、導電性接着構造（４３１、４３２、４３２）は実質的に球状、実質的に楕円体状、または実質的に円柱状であってもよい。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）のそれぞれの最大水平寸法（例えば、球状や円柱状の直径）は１５ミクロンから１００ミクロンの範囲（例えば、２０ミクロンから６０ミクロン）内であってもよいが、より小さいまたはより大きい最大水平寸法を用いてもよい。
図３２Ｂを参照すると、各第１導電性接着構造４３１が第１発光デバイス１０Ｂおよび第１接着パッド４２１のうちの一方に取り付けられると共に第１発光デバイス１０Ｂおよび第１接着パッド４２１のうちの他方と接するように、バックプレーン４０１と、第１発光ダイオード１０Ｂを含むアセンブリと、が配置される。種々のタイプの接着パッド（４２１、４２２、４２３）の厚さの差により、第２導電性接着構造４３２および第３導電性接着構造４３３はその下の接着パッド（４２２、４２３）のいずれとも接しない（第２導電性接着構造４３２および第３導電性接着構造４３３が第１発光デバイス１０Ｂに取り付けられる場合）か、またはその上の第１発光デバイス１０Ｂと接しない（第２導電性接着構造４３２および第３導電性接着構造４３３が第２接着パッド４２２または第３接着パッド４２３に取り付けられる場合）。
続いてリフロー処理が行われる。導電性接着構造（４３１、４３２、４３２）の材料のリフロー温度まで環境温度が上昇してもよい。第１導電性接着構造４３１のみが、その下の第１接着パッド４２１と（第１導電性接着構造４３１が第１発光デバイス１０Ｂに既に接着されている場合）、またはその上の第１発光デバイス１０Ｂと（第１導電性接着構造４３１が第１接着パッド４２１に既に接着されている場合）、追加的な接着を形成する。したがって、各第１導電性接着構造４３１はその上の第１発光デバイス１０Ｂとその下の第１接着パッド４２１との両方に接着されるようになり、その一方で、リフロー処理中に、第２および第３導電性接着構造（４３２、４３３）については追加的な接着は形成されない。リフロー処理の前に、バックプレーン４０１と、第１発光ダイオード１０Ｂを含むアセンブリと、が互いに近づいて接する実施の形態を用いて本開示を説明したが、バックプレーン４０１と、第１発光ダイオード１０Ｂを含むアセンブリと、の機械的な動きがリフロー処理と同時に、例えばリフロー処理の温度上昇ステップ中に、行われる実施の形態もまた、本明細書において明示的に想定されている。説明を容易にするために、第１接着パッド４２１を「下にある」ものとして説明すると共に第１発光デバイスを「上にある」ものとして説明したが、処理中にコンポーネントを逆さまに配置してもよい（すなわち、第１接着パッド４２１が「下にあり」、第１発光デバイスが「下にある」）し、または他の任意の位置に配置してもよいことは理解されるべきである。
図３２Ｃを参照すると、レーザ照射処理を行うことで、第１ソース基板から各接着された第１発光デバイス１０Ｂを分離する。上述と同じレーザ照射処理が用いられてもよい。切除材層１３０のうち第１発光ダイオード１０Ｂの第１部分集合（これはバックプレーン４０１に接着される）の上にある部分にレーザビームを照射し、切除する。第１部分集合内の各第１発光ダイオード１０Ｂについてレーザ切除を順番に行ってもよい。
図３２Ｄを参照すると、第１ソース基板３０１Ｂと、取り付けられている第１発光ダイオード１０Ｂ（すなわち、第１発光ダイオード１０Ｂの第１部分集合の補集合）と、のアセンブリは、バックプレーン４０１および第１発光ダイオード１０Ｂの第１部分集合から分離される。第１発光ダイオード１０Ｂの第１部分集合は第１導電性接着構造４３１を通じてバックプレーン４０１に取り付けられ、これにより例示的な工程内第２発光デバイスアセンブリが形成される。
図３２Ｅを参照すると、任意の適切な圧力プレート、例えばダミー基板７００を用いることで、第１導電性接着構造４３１上の第１発光ダイオード１０Ｂをバックプレーン４０１に向けて押す。ダミー基板７００が第１発光ダイオード１０Ｂをバックプレーン４０１に向けて押している間に、工程内第２発光デバイスアセンブリの温度が第１導電性接着構造４３１のリフロー温度まで上昇し、これにより第１導電性接着構造４３１のリフローが誘起される。第１接着パッド４２１の底面と第１発光ダイオード１０Ｂの上面との間の垂直距離が、最も薄い接着パッド（例えば、第３接着パッド４２１）の厚さと、導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）の高さ（これは導電性接着構造の間で同じ）と、後に取り付けられるデバイス（１０Ｇ、１０Ｒ）の最も小さい高さ（高さが異なる場合）または後に取り付けられるデバイス（１０Ｇ、１０Ｒ）の共通高さ（高さが同じ場合）と、の和よりも小さくなるよう、押し込み距離が選択される。
図３２Ａ−３２Ｅの処理ステップは図３１Ｂに示されるステップ１に対応してもよく、そこではバックプレーン４０１は図３１ＢのバックプレーンＢＰ１に対応する。第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合を第２ソース基板Ｇ（これは、第２移送基板３００Ｇまたは第２タイプ成長基板１００／５００Ｇであってもよい）から図３１Ｂに示される移送パターン（または任意の他のパターン）を用いる第２バックプレーンＢＰ２の第１接着パッド４２１へ移送するために、等価な処理ステップ（図３１Ｂに示されるステップ２に相当）が行われてもよい。そのような処理ステップは第２ソース基板Ｇを提供してもよく、その第２ソース基板Ｇから、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合が、バックプレーン４０１上の第１発光ダイオード１０Ｂのパターンと合同なパターンで除去される。
図３２Ｆを参照すると、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合は第２ソース基板（例えば、第２移送基板３０１Ｇ）から除去される。第２ソース基板は例示的な工程内第２発光デバイスアセンブリの上に置かれ、第２発光ダイオード１０Ｇの第２部分集合が第２接着パッド４２２の上になるように位置決めされる。
図３２Ｇを参照すると、各第２導電性接着構造４３２が第２発光デバイス１０Ｇおよび第２接着パッド４２２のうちの一方に取り付けられると共に第２発光デバイス１０Ｇおよび第２接着パッド４２２のうちの他方と接するように、バックプレーン４０１と、第２発光ダイオード１０Ｇを含むアセンブリと、が配置される。第２および第３接着パッド（４２２、４２３）の厚さの差により、第３導電性接着構造４３３はその下の接着パッド４２３と接しない（第２導電性接着構造４３２および第３導電性接着構造４３３が第２発光デバイス１０Ｇに取り付けられる場合）か、またはその上の第２発光デバイス１０Ｇと接しない（第２導電性接着構造４３２および第３導電性接着構造４３３が第２接着パッド４２２または第３接着パッド４２３に取り付けられる場合）。
続いてリフロー処理が行われる。導電性接着構造（４３１、４３２、４３２）の材料のリフロー温度まで環境温度が上昇してもよい。第２導電性接着構造４３２が、その下の第２接着パッド４２２と（第２導電性接着構造４３２が第２発光デバイス１０Ｇに既に接着されている場合）、またはその上の第２発光デバイス１０Ｇと（第２導電性接着構造４３２が第２接着パッド４２２に既に接着されている場合）、追加的な接着を形成する。したがって、各第２導電性接着構造４３２はその上の第２発光デバイス１０Ｇとその下の第２接着パッド４２２との両方に接着されるようになり、その一方で、リフロー処理中に、第３導電性接着構造４３３については追加的な接着は形成されない。
図３２Ｈを参照すると、レーザ照射処理を行うことで、第２ソース基板から各接着された第２発光デバイス１０Ｇを分離する。切除材層１３０のうち第２発光ダイオード１０Ｇの接着された部分集合（すなわち、第２部分集合）（これはバックプレーン４０１に接着される）の上にある部分にレーザビームを照射し、切除する。バックプレーン４０１に接着された第２発光ダイオード１０Ｇの部分集合内の各第２発光ダイオード１０Ｇについてレーザ切除を順番に行ってもよい。
図３２Ｉを参照すると、第２ソース基板３０１Ｇと、取り付けられている第２発光ダイオード１０Ｇ（第２ソース基板上に残っている第２発光ダイオード１０Ｇの第３部分集合）と、のアセンブリは、バックプレーン４０１およびバックプレーン４０１に取り付けられている第２発光ダイオード１０Ｇの第２部分集合から分離される。第２発光ダイオード１０Ｇの第２部分集合は第２導電性接着構造４３２を通じてバックプレーン４０１に取り付けられ、これにより例示的な工程内第２発光デバイスアセンブリが形成される。
図３２Ｊを参照すると、ダミー基板７００を用いることで、第２導電性接着構造４３２上の第２発光ダイオード１０Ｇをバックプレーン４０１に向けて押す。ダミー基板７００が第２発光ダイオード１０Ｇをバックプレーン４０１に向けて押している間に、工程内第２発光デバイスアセンブリの温度が第２導電性接着構造４３２のリフロー温度まで上昇し、これにより第２導電性接着構造４３２のリフローが誘起される。第２接着パッド４２２の底面と第２発光ダイオード１０Ｇの上面との間の垂直距離が、最も薄い接着パッド（例えば、第３接着パッド４２３）の厚さと、最初に提供されたときの導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）の高さ（これは導電性接着構造の間で同じ）と、後に取り付けられるデバイス（１０Ｒおよびオプションで１０Ｓ）の最も小さい高さ（高さが異なる場合）または後に取り付けられるデバイス（１０Ｒおよびオプションで１０Ｓ）の共通高さ（高さが同じ場合）と、の和よりも小さくなるよう、押し込み距離が選択される。
図３２Ｆ−３２Ｊの処理ステップは図３１Ｃに示されるステップ６に対応してもよく、そこではバックプレーン４０１は図３１ＣのバックプレーンＢＰ１に対応する。第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合および第２部分集合を第３ソース基板Ｒ（これは、第３移送基板３００Ｒまたは第３タイプ成長基板１００／５００Ｒであってもよい）から図３１Ｂおよび図３１Ｃに示される移送パターン（または任意の他のパターン）を用いる追加的なバックプレーン（例えば、図３１ＢのＢＰ３および図３１ＣのＢＰ４）の接着パッドへ移送するために、図３１Ｂのステップ３および図３１Ｃのステップ７に対応する処理ステップが行われてもよい。そのような処理ステップは第３ソース基板Ｒを提供してもよく、その第３ソース基板Ｒから、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合および第２部分集合が、バックプレーン４０１上の第１発光ダイオード１０Ｂおよび第２発光ダイオード１０Ｇの合成パターンと合同なパターンで除去される。
図３２Ｋを参照すると、以前の処理ステップにおいて、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合および第２部分集合は第３ソース基板（例えば、第３移送基板３０１Ｒ）から除去された。第３ソース基板は例示的な工程内第２発光デバイスアセンブリの上に置かれ、第３発光ダイオード１０Ｒの第３部分集合が第３接着パッド４２３の上になるように位置決めされる。
図３２Ｌを参照すると、各第３導電性接着構造４３３が第３発光デバイス１０Ｒおよび第３接着パッド４２３のうちの一方に取り付けられると共に第３発光デバイス１０Ｒおよび第３接着パッド４２３のうちの他方と接するように、バックプレーン４０１と、第３発光ダイオード１０Ｒを含むアセンブリと、が配置される。より小さい厚さを有する追加的な接着パッド（不図示）が存在する場合、そのような追加的接着パッドの上の追加的な導電性接着構造（不図示）はその下の追加的な接着パッドと接しない（追加的導電性接着構造が第３ソース基板に取り付けられる場合）か、またはその上の第３発光デバイス１０Ｒと接しない（追加的導電性接着構造が追加的接着パッドに取り付けられる場合）。
続いてリフロー処理が行われる。導電性接着構造（４３１、４３２、４３２）の材料のリフロー温度まで環境温度が上昇してもよい。第３導電性接着構造４３３が、その下の第３接着パッド４２３と（第３導電性接着構造４３３が第３発光デバイス１０Ｒに既に接着されている場合）、またはその上の第３発光デバイス１０Ｒと（第３導電性接着構造４３３が第３接着パッド４２３に既に接着されている場合）、追加的な接着を形成する。したがって、各第３導電性接着構造４３３はその上の第３発光デバイス１０Ｒとその下の第３接着パッド４２３との両方に接着されるようになり、その一方で、リフロー処理中に、追加的導電性接着構造（もしあれば）については追加的な接着は形成されない。
図３２Ｍを参照すると、レーザ照射処理を行うことで、第３ソース基板から各接着された第３発光デバイス１０Ｒを分離する。切除材層１３０のうち第３発光ダイオード１０Ｒの接着された部分集合（すなわち、第３部分集合）（これはバックプレーン４０１に接着される）の上にある部分にレーザビームを照射し、切除する。バックプレーン４０１に接着された第３発光ダイオード１０Ｒの部分集合内の各第３発光ダイオード１０Ｒについてレーザ切除を順番に行ってもよい。
図３２Ｎを参照すると、第３ソース基板３０１Ｒと、残っている第３発光ダイオード１０Ｒ（もしあれば）と、のアセンブリは、バックプレーン４０１およびバックプレーン４０１に取り付けられている第３発光ダイオード１０Ｒの第３部分集合から分離される。第３発光ダイオード１０Ｒの第３部分集合は第３導電性接着構造４３３を通じてバックプレーン４０１に取り付けられ、これにより例示的な第２発光デバイスアセンブリが形成される。
オプションで、ダミー基板７００を用いることで、第３導電性接着構造４３３上の第３発光ダイオード１０Ｒをバックプレーン４０１に向けて押してもよい。ダミー基板７００が第３発光ダイオード１０Ｒをバックプレーン４０１に向けて押している間に、第２発光デバイスアセンブリの温度が第３導電性接着構造４３３のリフロー温度まで上昇し、これにより第３導電性接着構造４３３のリフローが誘起される。追加的なデバイス（例えば、センサデバイス１０Ｓ）が後にバックプレーン４０１に取り付けられる場合、第３接着パッド４２３の底面と第３発光ダイオード１０Ｒの上面との間の垂直距離が、追加的な接着パッドの厚さと、追加的な導電性接着構造の高さ（これは最初に提供されたときの他の導電性接着パッド（４３１、４３２、４３３）の高さと同じ）と、後に取り付けられるデバイス（例えば、センサデバイス１０Ｓ）の最も小さい高さと、の和よりも小さくなるよう、押し込み距離が選択されてもよい。
図３３Ａを参照すると、工程内の構造が示される。これは、本開示の実施の形態に係る例示的な第３発光デバイスアセンブリを形成するのに用いられ得る。例示的な工程内第３発光デバイスアセンブリは、接着パッド（４２１、４２２、４２３）について同じ厚さを用いると共に導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）について異なる高さを用いることによって、図３２Ａの例示的な工程内第２発光デバイスアセンブリから導かれうる。接着パッド（４２１、４２２、４２３）は、上述の接着パッド４２０と同じ組成を有してもよい。本実施の形態では、バックプレーン基板４００は実質的に平坦な（すなわち、段付きでない）上面を有してもよいし、または図９に示されるような段付き上面を有してもよい。接着パッド（４２１、４２２、４２３）は図３２Ａに示されるように同じ高さまたは異なる高さを有してもよい。
導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は異なる高さを有する複数のタイプを含んでもよい。例えば、導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は、第１高さを有する第１導電性接着構造４３１と、第２高さを有する第２導電性接着構造４３２と、第３高さを有する第３導電性接着構造４３３と、を含んでもよい。異なる高さを有する追加的な導電性接着構造（不図示）を用いてもよい。ある実施の形態では、第１高さは第２高さよりも大きく、第２高さは第３高さよりも大きくてもよい。第１高さと第２高さとの差は０．３ミクロンから１０ミクロンの範囲（例えば、１ミクロンから５ミクロン）にあってもよく、第２高さと第３高さとの差は０．３ミクロンから１０ミクロンの範囲（例えば、１ミクロンから５ミクロン）にあってもよい。最も短い導電性接着構造（例えば、４３３）の高さは１０ミクロンから８０ミクロンの範囲（例えば、１５ミクロンから５０ミクロン）内であってもよいが、より小さいまたはより大きい高さを用いてもよい。
ある実施の形態では、バックプレーン４０１への移送対象のデバイスの上に導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）を形成してもよい。例えば、第１発光ダイオード１０Ｂが、バックプレーン基板４００に移送される最初のデバイスであってもよい。第１発光ダイオード１０Ｂは第１ソース基板Ｂ上に設けられてもよい。第１ソース基板Ｂは第１移送基板３０Ｂであってもよいし、第１タイプ成長基板１００Ｂであってもよい。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は上述の導電性接着構造４３０のいずれかであってもよい。導電性接着構造４３１は、後にバックプレーン基板４００に移送される第１発光ダイオード１０Ｂの第１部分集合の上に形成される。導電性接着構造４３２は、後に他のバックプレーン基板（不図示）に移送される第１発光ダイオード１０Ｂの第２部分集合の上に形成される。導電性接着構造４３３は、後にさらに他のバックプレーン基板に移送される第１発光ダイオード１０Ｂの第３部分集合の上に形成される。オプションで、追加的導電性接着構造は、後にさらに他のバックプレーン基板に移送される第１発光ダイオード１０Ｂの他の部分集合の上に形成されてもよい。
あるいはまた、バックプレーン４０１の接着パッド（４２１、４２２、４２３）上に導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）を形成してもよい。この場合、全ての接着パッド（４２１、４２２、４２３）上に同時に導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）を形成してもよい。
さらなる代替として、各導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は二つの物理的に分離された部分として形成されてもよい。この場合、各導電性接着構造（４３１、４３２、または４３３）の一方の部分は第１発光ダイオード１０Ｂ上に形成され、対応する導電性接着構造（４３１、４３２、または４３３）の他方の部分はマッチする接着パッド（４２１、４２２、または４２３）の表面上に形成される。ある実施の形態では、各導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は二つの分離された部分として形成されてもよく、それらの部分は第１発光ダイオード１０Ｂ上に形成される上側部分と接着パッド（４２１、４２２、または４２３）上に形成される下側部分との間でほぼ均等に分割される。
異なるタイプの導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は第１発光ダイオード１０Ｂ上に順番に形成されてもよい。第１導電性接着構造４３１は第２導電性接着構造４３２よりも大きな体積を有してもよく、第２導電性接着構造４３２は第３導電性接着構造４３３よりも大きな体積を有してもよい。ある実施の形態では、異なるタイプの導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は実質的に同じ最大横方向寸法（例えば、球状または円柱状の直径）を有してもよい。
ある実施の形態では、導電性接着構造（４３１、４３２、４３２）は、実質的に楕円体状、または実質的に円柱状であってもよい。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）のそれぞれの最大水平寸法（例えば、球状や円柱状の直径）は１５ミクロンから１００ミクロンの範囲（例えば、２０ミクロンから６０ミクロン）内であってもよいが、より小さいまたはより大きい最大水平寸法を用いてもよい。
図３３Ｂを参照すると、各第１導電性接着構造４３１が第１発光デバイス１０Ｂおよび第１接着パッド４２１のうちの一方に取り付けられると共に第１発光デバイス１０Ｂおよび第１接着パッド４２１のうちの他方と接するように、バックプレーン４０１と、第１発光ダイオード１０Ｂを含むアセンブリと、が配置される。種々のタイプの導電性接着構造（４３１、４３２、４３２）の高さの差により、第２導電性接着構造４３２および第３導電性接着構造４３３はその下の接着パッド（４２２、４２３）のいずれとも接しない（第２導電性接着構造４３２および第３導電性接着構造４３３が第１発光デバイス１０Ｂに取り付けられる場合）か、またはその上の第１発光デバイス１０Ｂと接しない（第２導電性接着構造４３２および第３導電性接着構造４３３が第２接着パッド４２２または第３接着パッド４２３に取り付けられる場合）。
図３２Ｂの処理ステップと実質的に同じ態様でリフロー処理が行われてもよい。
図３３Ｃを参照すると、図３２Ｃの処理ステップと同じ態様で、レーザ照射処理を行うことで、第１ソース基板から各接着された第１発光デバイス１０Ｂを分離する。
図３３Ｄを参照すると、第１ソース基板３０１Ｂと、取り付けられている第１発光ダイオード１０Ｂ（すなわち、第１発光ダイオード１０Ｂの第１部分集合の補集合）と、のアセンブリは、バックプレーン４０１および第１発光ダイオード１０Ｂの第１部分集合から分離される。
図３３Ｅを参照すると、図３２Ｅの処理ステップと同じ態様で第１導電性接着構造４３１をリフローしている間に、ダミー基板７００を用いることで、第１導電性接着構造４３１上の第１発光ダイオード１０Ｂをバックプレーン４０１に向けて押す。
図３３Ａ−３３Ｅの処理ステップは図３１Ｂに示されるステップ１に対応してもよく、そこではバックプレーン４０１は図３１ＢのバックプレーンＢＰ１に対応する。第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合を第２ソース基板Ｇ（これは、第２移送基板３００Ｇまたは第２タイプ成長基板１００／５００Ｇであってもよい）から図３１Ｂに示される移送パターン（または任意の他のパターン）を用いる第２バックプレーンＢＰ２の第１接着パッド４２１へ移送するために、等価な処理ステップ（図３１Ｂに示されるステップ２に相当）が行われてもよい。そのような処理ステップは第２ソース基板Ｇを提供してもよく、その第２ソース基板Ｇから、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合が、バックプレーン４０１上の第１発光ダイオード１０Ｂのパターンと合同なパターンで除去される。
図３３Ｆを参照すると、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合は第２ソース基板（例えば、第２移送基板３０１Ｇ）から除去される。第２ソース基板は例示的な工程内第４発光デバイスアセンブリの上に置かれ、第２発光ダイオード１０Ｇの第２部分集合が第２接着パッド４２２の上になるように位置決めされる。
図３３Ｇを参照すると、各第２導電性接着構造４３２が第２発光デバイス１０Ｇおよび第２接着パッド４２２のうちの一方に取り付けられると共に第２発光デバイス１０Ｇおよび第２接着パッド４２２のうちの他方と接するように、バックプレーン４０１と、第２発光ダイオード１０Ｇを含むアセンブリと、が配置される。第２および第３導電性接着構造（４３２、４３３）の高さの差により、第３導電性接着構造４３３はその下の接着パッド４２３と接しない（第２導電性接着構造４３２および第３導電性接着構造４３３が第２発光デバイス１０Ｇに取り付けられる場合）か、またはその上の第２発光デバイス１０Ｇと接しない（第２導電性接着構造４３２および第３導電性接着構造４３３が第２接着パッド４２２または第３接着パッド４２３に取り付けられる場合）。
図３２Ｇの処理ステップと実質的に同じ態様でリフロー処理が行われてもよい。各第２導電性接着構造４３２はその上の第２発光デバイス１０Ｇとその下の第２接着パッド４２２との両方に接着されるようになり、その一方で、リフロー処理中に、第３導電性接着構造４３３については追加的な接着は形成されない。
図３３Ｈを参照すると、レーザ照射処理を行うことで、第２ソース基板から各接着された第２発光デバイス１０Ｇを分離する。図３２Ｈの処理ステップにおけるものと同じレーザ照射処理が用いられてもよい。
図３３Ｉを参照すると、第２ソース基板３０１Ｇと、取り付けられている第２発光ダイオード１０Ｇ（第２ソース基板上に残っている第２発光ダイオード１０Ｇの第３部分集合）と、のアセンブリは、バックプレーン４０１およびバックプレーン４０１に取り付けられている第２発光ダイオード１０Ｇの第２部分集合から分離される。
図３３Ｊを参照すると、図３２Ｊの処理ステップと同じ態様で、ダミー基板７００を用いることで、第２導電性接着構造４３２上の第２発光ダイオード１０Ｇをバックプレーン４０１に向けて押す。
図３３Ｆ−３３Ｊの処理ステップは図３１Ｃに示されるステップ６に対応してもよく、そこではバックプレーン４０１は図３１ＣのバックプレーンＢＰ１に対応する。第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合および第２部分集合を第３ソース基板Ｒ（これは、第３移送基板３００Ｒまたは第３タイプ成長基板１００／５００Ｒであってもよい）から図３１Ｂおよび図３１Ｃに示される移送パターン（または任意の他のパターン）を用いる追加的なバックプレーン（例えば、図３１ＢのＢＰ３および図３１ＣのＢＰ４）の接着パッドへ移送するために、図３１Ｂのステップ３および図３１Ｃのステップ７に対応する処理ステップが行われてもよい。そのような処理ステップは第３ソース基板Ｒを提供してもよく、その第３ソース基板Ｒから、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合および第２部分集合が、バックプレーン４０１上の第１発光ダイオード１０Ｂおよび第２発光ダイオード１０Ｇの合成パターンと合同なパターンで除去される。
図３３Ｋを参照すると、以前の処理ステップにおいて、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合および第２部分集合は第３ソース基板（例えば、第３移送基板３０１Ｒ）から除去された。第３ソース基板は例示的な工程内第２発光デバイスアセンブリの上に置かれ、第３発光ダイオード１０Ｒの第３部分集合が第３接着パッド４２３の上になるように位置決めされる。
図３３Ｌを参照すると、各第３導電性接着構造４３３が第３発光デバイス１０Ｒおよび第３接着パッド４２３のうちの一方に取り付けられると共に第３発光デバイス１０Ｒおよび第３接着パッド４２３のうちの他方と接するように、バックプレーン４０１と、第３発光ダイオード１０Ｒを含むアセンブリと、が配置される。より小さい高さを有する追加的な導電性接着構造（不図示）が存在する場合、そのような追加的接着パッドの上の追加的な導電性接着構造（不図示）はその下の追加的な接着パッドと接しない（追加的導電性接着構造が第３ソース基板に取り付けられる場合）か、またはその上の第３発光デバイス１０Ｒと接しない（追加的導電性接着構造が追加的接着パッドに取り付けられる場合）。
図３２Ｌの処理ステップと実質的に同じ態様でリフロー処理が行われてもよい。
図３３Ｍを参照すると、図３２Ｍの処理ステップと同じ態様で、レーザ照射処理を行うことで、第３ソース基板から各接着された第３発光デバイス１０Ｒを分離する。
図３３Ｎを参照すると、図３２Ｎの処理ステップと同じ態様で、第３ソース基板３０１Ｒと、残っている第３発光ダイオード１０Ｒ（もしあれば）と、のアセンブリは、バックプレーン４０１およびバックプレーン４０１に取り付けられている第３発光ダイオード１０Ｒの第３部分集合から分離される。
オプションで、図３２Ｎの処理ステップと同じ態様で、ダミー基板７００を用いることで、第３導電性接着構造４３３上の第３発光ダイオード１０Ｒをバックプレーン４０１に向けて押してもよい。
図３４Ａを参照すると、工程内の構造が示される。これは、本開示の実施の形態に係る例示的な第４発光デバイスアセンブリを形成するのに用いられ得る。その実施の形態では、選択的レーザはんだ付けを用いてバックプレーンにデバイスを接着する。例示的な工程内第４発光デバイスアセンブリは、接着パッド（４２１、４２２、４２３）について同じ厚さを用いると共に導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）について同じ高さを用いることによって、図３２Ａの例示的な工程内第２発光デバイスアセンブリまたは図３３Ａの例示的な工程内第３発光デバイスアセンブリから導かれうる。接着パッド（４２１、４２２、４２３）は、上述の接着パッド４２０と同じ組成を有してもよい。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は、上述の導電性接着構造４３０と同じ組成を有してもよい。本実施の形態では、バックプレーン基板４００は実質的に平坦な（すなわち、段付きでない）上面を有してもよいし、または図９に示されるような段付き上面を有してもよい。接着パッド（４２１、４２２、４２３）は、図３２Ａに示されるように同じ高さまたは異なる高さを有してもよい。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は、図３３Ａに示されるように同じ高さまたは異なる高さを有してもよい。
ある実施の形態では、バックプレーン４０１への移送対象のデバイスの上に導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）を形成してもよい。例えば、第１発光ダイオード１０Ｂが、バックプレーン基板４００に移送される最初のデバイスであってもよい。第１発光ダイオード１０Ｂは第１ソース基板３０１Ｂ上に設けられてもよい。第１ソース基板３０１Ｂは第１移送基板３００Ｂであってもよいし、第１タイプ成長基板１００／５００Ｂであってもよい。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は上述の導電性接着構造４３０のいずれかであってもよい。導電性接着構造４３１は、後にバックプレーン基板４００に移送される第１発光ダイオード１０Ｂの第１部分集合の上に形成される。導電性接着構造４３２は、後に他のバックプレーン基板（不図示）に移送される第１発光ダイオード１０Ｂの第２部分集合の上に形成される。導電性接着構造４３３は、後にさらに他のバックプレーン基板に移送される第１発光ダイオード１０Ｂの第３部分集合の上に形成される。オプションで、追加的導電性接着構造は、後にさらに他のバックプレーン基板に移送される第１発光ダイオード１０Ｂの他の部分集合の上に形成されてもよい。
あるいはまた、バックプレーン４０１の接着パッド（４２１、４２２、４２３）上に導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）を形成してもよい。この場合、全ての接着パッド（４２１、４２２、４２３）上に同時に導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）を形成してもよい。
さらなる代替として、各導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は二つの物理的に分離された部分として形成されてもよい。この場合、各導電性接着構造（４３１、４３２、または４３３）の一方の部分は第１発光ダイオード１０Ｂ上に形成され、対応する導電性接着構造（４３１、４３２、または４３３）の他方の部分はマッチする接着パッド（４２１、４２２、または４２３）の表面上に形成される。ある実施の形態では、各導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は二つの分離された部分として形成されてもよく、それらの部分は第１発光ダイオード１０Ｂ上に形成される上側部分と接着パッド（４２１、４２２、または４２３）上に形成される下側部分との間でほぼ均等に分割される。
ある実施の形態では、導電性接着構造（４３１、４３２、４３２）は実質的に球状、実質的に楕円体状、または実質的に円柱状であってもよい。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）のそれぞれの最大水平寸法（例えば、球状や円柱状の直径）は１５ミクロンから１００ミクロンの範囲（例えば、２０ミクロンから６０ミクロン）内であってもよいが、より小さいまたはより大きい最大水平寸法を用いてもよい。
図３４Ｂを参照すると、各導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）が第１発光デバイス１０Ｂおよび接着パッド（４２１、４２２または４２３）のうちの一方に取り付けられると共に第１発光デバイス１０Ｂおよび接着パッド（４２１、４２２または４２３）のうちの他方と接するように、バックプレーン４０１と、第１発光ダイオード１０Ｂを含むアセンブリと、が配置される。ある実施の形態では、各第１導電性接着構造４３１はその上の第１発光デバイス１０Ｂおよび第１接着パッド４２１のうちの一方に取り付けられると共にその上の第１発光デバイス１０Ｂおよび第１接着パッド４２１のうちの他方と接してもよく、各第２導電性接着構造４３２はその上の第１発光デバイス１０Ｂおよび第２接着パッド４２２のうちの一方に取り付けられると共にその上の第１発光デバイス１０Ｂおよび第２接着パッド４２２のうちの他方と接してもよく、各第３導電性接着構造４３３はその上の第１発光デバイス１０Ｂおよび第３接着パッド４２３のうちの一方に取り付けられると共にその上の第１発光デバイス１０Ｂおよび第３接着パッド４２３のうちの他方と接してもよい。
加熱レーザ４６７を用いることで、第１導電性接着構造４３１をリフローしてもよい。加熱レーザ４６７は、導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）の材料内において、ソース基板３０１Ｂの材料内におけるエネルギ吸収または移送対象のデバイス（例えば、第１発光デバイス１０Ｂ）の材料内におけるエネルギ吸収よりも大きなエネルギ吸収を誘起する波長を有してもよい。例えば、加熱レーザ４６７は０．８ミクロンから２０ミクロン、例えば１から２ミクロン、の範囲内の波長を有してもよく、これにより、リフローされるべき導電性接着構造４３１の材料とリフローされるべきでない導電性接着構造４３２、４３３の材料との間での選択加熱が提供される。導電性接着構造４３１とソース基板３０１Ｂおよび移送対象のデバイスの材料との間でも選択加熱が提供される。加熱層４６７からのレーザビームの連続照射によって第１導電性接着構造４３１を選択的に加熱することによって、各第１導電性接着構造４３１をリフローし、各第１導電性接着構造４３１をその上の第１発光デバイス１０Ｂおよびその下の第１接着パッド４２１の両方に接着してもよい。ソース基板３０１Ｂを通してレーザビームを提供することが好ましい。レーザビームはソース基板３０１Ｂを通過し、デバイスを通過し、選択加熱のために導電性接着構造４３１に至ってもよい。あるいはまた、導電性接着構造４３１の隣のソース基板やデバイスによってレーザビームが吸収されることによって、導電性接着構造４３１を、残りの導電性接着構造（４３２、４３３）をリフローすることなしに、選択的に加熱してリフローすることができる。
図３４Ｃを参照すると、図３２Ｃの処理ステップと同じ態様で、レーザ照射処理を行うことで、第１ソース基板から各接着された第１発光デバイス１０Ｂを分離する。レーザ４７７（これは本明細書では「切除レーザ」と称される）の波長は加熱レーザ４６７の波長とは異なって（例えば、より短くて）もよく、例えば０．１ミクロンと０．７５ミクロンとの間、例えば０．２５から０．５ミクロン、であってもよい。レーザは、切除材層１３０の材料に、ソース基板３０１Ｂおよび移送されたデバイス（例えば、第１発光ダイオード１０Ｂ）の材料に対するものよりも大きな熱を提供する。第１導電性接着構造４３１の上にある切除材層１３０の各部分をレーザ４７７からのレーザビームで順番に照射することにより、下にある各第１発光デバイス１０Ｂを切り離してもよい。
図３４Ｄを参照すると、第１ソース基板３０１Ｂと、取り付けられている第１発光ダイオード１０Ｂ（すなわち、第１発光ダイオード１０Ｂの第１部分集合の補集合）と、のアセンブリは、バックプレーン４０１および第１発光ダイオード１０Ｂの第１部分集合から分離される。
図３４Ｅを参照すると、図３２Ｅの処理ステップと同じ態様で第１導電性接着構造４３１をリフローしている間に、ダミー基板７００を用いることで、第１導電性接着構造４３１上の第１発光ダイオード１０Ｂをバックプレーン４０１に向けて押す。
図３４Ａ−３４Ｅの処理ステップは図３１Ｂに示されるステップ１に対応してもよく、そこではバックプレーン４０１は図３１ＢのバックプレーンＢＰ１に対応する。第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合を第２ソース基板Ｇ（これは、第２移送基板３００Ｇまたは第２タイプ成長基板１００／５００Ｇであってもよい）から図３１Ｂに示される移送パターン（または任意の他のパターン）を用いる第２バックプレーンＢＰ２の第１接着パッド４２１へ移送するために、等価な処理ステップ（図３１Ｂに示されるステップ２に相当）が行われてもよい。そのような処理ステップは第２ソース基板Ｇを提供してもよく、その第２ソース基板Ｇから、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合が、バックプレーン４０１上の第１発光ダイオード１０Ｂのパターンと合同なパターンで除去される。
図３４Ｆを参照すると、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合は第２ソース基板（例えば、第２移送基板３０１Ｇ）から除去される。第２ソース基板は例示的な工程内第４発光デバイスアセンブリの上に置かれ、第２発光ダイオード１０Ｇの第２部分集合が第２接着パッド４２２の上になるように位置決めされる。
図３４Ｇを参照すると、各第２導電性接着構造４３２が第２発光デバイス１０Ｇおよび第２接着パッド４２２のうちの一方に取り付けられると共に第２発光デバイス１０Ｇおよび第２接着パッド４２２のうちの他方と接するように、バックプレーン４０１と、第２発光ダイオード１０Ｇを含むアセンブリと、が配置される。
ある実施の形態では、各第２導電性接着構造４３２はその上の第２発光デバイス１０Ｇおよび第２接着パッド４２２のうちの一方に取り付けられると共にその上の第２発光デバイス１０Ｇおよび第２接着パッド４２２のうちの他方と接してもよく、各第３導電性接着構造４３３はその上の第２発光デバイス１０Ｇおよび第３接着パッド４２３のうちの一方に取り付けられると共にその上の第２発光デバイス１０Ｇおよび第３接着パッド４２３のうちの他方と接してもよい。
加熱レーザ４６７を用いることで、第２導電性接着構造４３２を、残りの導電性接着構造（４３１、４３３）をリフローすることなしに、リフローすることができる加熱レーザ４６７は、導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）の材料内において、ソース基板３０１Ｇの材料内におけるエネルギ吸収または移送対象のデバイス（例えば、第２発光デバイス１０Ｇ）の材料内におけるエネルギ吸収よりも大きなエネルギ吸収を誘起する波長を有してもよい。図３４Ｂの処理ステップにおけるものと同じ加熱レーザが用いられてもよい。加熱層４６７からのレーザビームによって第２導電性接着構造４３２を連続的に照射することによって、各第２導電性接着構造４３２をリフローし、各第２導電性接着構造４３２をその上の第２発光デバイス１０Ｇおよびその下の第２接着パッド４２２の両方に接着してもよい。
図３４Ｈを参照すると、図３２Ｈの処理ステップと同じ態様で、レーザ照射処理を行うことで、第２ソース基板から各接着された第２発光デバイス１０Ｇを分離する。レーザ４７７の波長は加熱レーザ４６７の波長と異なっていてもよく、レーザ４７７は、切除材層１３０の材料に、ソース基板３０１Ｇおよび移送されたデバイス（例えば、第２発光ダイオード１０Ｇ）の材料に対するものよりも大きな熱を提供する。第２導電性接着構造４３２の上にある切除材層１３０の各部分をレーザ４７７からのレーザビームで順番に照射することにより、下にある各第２発光デバイス１０Ｇを切り離してもよい。
図３４Ｉを参照すると、第２ソース基板３０１Ｇと、取り付けられている第２発光ダイオード１０Ｇ（第２ソース基板上に残っている第２発光ダイオード１０Ｇの第３部分集合）と、のアセンブリは、バックプレーン４０１およびバックプレーン４０１に取り付けられている第２発光ダイオード１０Ｇの第２部分集合から分離される。
図３４Ｊを参照すると、図３２Ｊの処理ステップと同じ態様で、ダミー基板７００を用いることで、第２導電性接着構造４３２上の第２発光ダイオード１０Ｇをバックプレーン４０１に向けて押す。
図３４Ｆ−３４Ｊの処理ステップは図３１Ｃに示されるステップ６に対応してもよく、そこではバックプレーン４０１は図３１ＣのバックプレーンＢＰ１に対応する。第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合および第２部分集合を第３ソース基板Ｒ（これは、第３移送基板３００Ｒまたは第３タイプ成長基板１００／５００Ｒであってもよい）から図３１Ｂおよび図３１Ｃに示される移送パターン（または任意の他のパターン）を用いる追加的なバックプレーン（例えば、図３１ＢのＢＰ３および図３１ＣのＢＰ４）の接着パッドへ移送するために、図３１Ｂのステップ３および図３１Ｃのステップ７に対応する処理ステップが行われてもよい。そのような処理ステップは第３ソース基板Ｒを提供してもよく、その第３ソース基板Ｒから、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合および第２部分集合が、バックプレーン４０１上の第１発光ダイオード１０Ｂおよび第２発光ダイオード１０Ｇの合成パターンと合同なパターンで除去される。
図３４Ｋを参照すると、以前の処理ステップにおいて、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合および第２部分集合は第３ソース基板（例えば、第３移送基板３０１Ｒ）から除去された。第３ソース基板は例示的な工程内第４発光デバイスアセンブリの上に置かれ、第３発光ダイオード１０Ｒの第３部分集合が第３接着パッド４２３の上になるように位置決めされる。
図３４Ｌを参照すると、各第３導電性接着構造４３３が第３発光デバイス１０Ｒおよび第３接着パッド４２３のうちの一方に取り付けられると共に第３発光デバイス１０Ｒおよび第３接着パッド４２３のうちの他方と接するように、バックプレーン４０１と、第３発光ダイオード１０Ｒを含むアセンブリと、が配置される。追加的な導電性接着構造（不図示）が存在する場合、そのような追加的接着パッドの上の追加的な導電性接着構造（不図示）はその下の追加的な接着パッドおよびその上の第３発光デバイス１０Ｒと接してもよく、かつ、その下の追加的な接着パッドまたはその上の第３発光デバイス１０Ｒに取り付けられてもよい。
加熱レーザ４６７を用いることで、第３導電性接着構造４３３をリフローする。加熱レーザ４６７は、第３導電性接着構造４３３の材料内において、ソース基板３０１Ｒの材料内におけるエネルギ吸収または移送対象のデバイス（例えば、第３発光デバイス１０Ｒ）の材料内におけるエネルギ吸収よりも大きなエネルギ吸収を誘起する波長を有してもよい。図３４Ｂまたは図３４Ｇの処理ステップにおけるものと同じ加熱レーザが用いられてもよい。加熱層４６７からのレーザビームによって第３導電性接着構造４３３を連続的に照射することによって、各第３導電性接着構造４３３をリフローし、各第３導電性接着構造４３３をその上の第３発光デバイス１０Ｒおよびその下の第３接着パッド４２３の両方に接着してもよい。
図３４Ｍを参照すると、図３２Ｍの処理ステップと同じ態様で、レーザ照射処理を行うことで、第３ソース基板から各接着された第３発光デバイス１０Ｒを分離する。
図３４Ｎを参照すると、図３２Ｎの処理ステップと同じ態様で、第３ソース基板３０１Ｒと、残っている第３発光ダイオード１０Ｒ（もしあれば）と、のアセンブリは、バックプレーン４０１およびバックプレーン４０１に取り付けられている第３発光ダイオード１０Ｒの第３部分集合から分離される。
オプションで、図３２Ｎの処理ステップと同じ態様で、ダミー基板７００を用いることで、第３導電性接着構造４３３上の第３発光ダイオード１０Ｒをバックプレーン４０１に向けて押してもよい。
図３５Ａを参照すると、工程内の構造が示される。これは、本開示の実施の形態に係る例示的な第５発光デバイスアセンブリを形成するのに用いられ得る。その実施の形態では、選択的レーザ加熱によるのではなくむしろ非選択的加熱によって同時にコンポーネントが接着される。例示的な工程内第５発光デバイスアセンブリは、図３４Ａの例示的な工程内第４発光デバイスアセンブリと同じであってもよい。本実施の形態では、バックプレーン基板４００は実質的に平坦な（すなわち、段付きでない）上面を有してもよいし、または図９に示されるような段付き上面を有してもよい。接着パッド（４２１、４２２、４２３）は、図３２Ａに示されるように同じ高さまたは異なる高さを有してもよい。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は、図３３Ａに示されるように同じ高さまたは異なる高さを有してもよい。
ある実施の形態では、バックプレーン４０１への移送対象のデバイスの上に導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）を形成してもよい。例えば、第１発光ダイオード１０Ｂが、バックプレーン基板４００に移送される最初のデバイスであってもよい。第１発光ダイオード１０Ｂは第１ソース基板Ｂ上に設けられてもよい。第１ソース基板Ｂは第１移送基板３００Ｂであってもよいし、第１タイプ成長基板１００／５００Ｂであってもよい。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は上述の導電性接着構造４３０のいずれかであってもよい。
あるいはまた、バックプレーン４０１の接着パッド（４２１、４２２、４２３）上に導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）を形成してもよい。この場合、全ての接着パッド（４２１、４２２、４２３）上に同時に導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）を形成してもよい。
さらなる代替として、各導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は二つの物理的に分離された部分として形成されてもよい。この場合、各導電性接着構造（４３１、４３２、または４３３）の一方の部分は第１発光ダイオード１０Ｂ上に形成され、対応する導電性接着構造（４３１、４３２、または４３３）の他方の部分はマッチする接着パッド（４２１、４２２、または４２３）の表面上に形成される。ある実施の形態では、各導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は二つの分離された部分として形成されてもよく、それらの部分は第１発光ダイオード１０Ｂ上に形成される上側部分と接着パッド（４２１、４２２、または４２３）上に形成される下側部分との間でほぼ均等に分割される。
ある実施の形態では、導電性接着構造（４３１、４３２、４３２）は実質的に球状、実質的に楕円体状、または実質的に円柱状であってもよい。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）のそれぞれの最大水平寸法（例えば、球状や円柱状の直径）は１５ミクロンから１００ミクロンの範囲（例えば、２０ミクロンから６０ミクロン）内であってもよいが、より小さいまたはより大きい最大水平寸法を用いてもよい。
図３５Ｂを参照すると、各導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）が第１発光デバイス１０Ｂおよび接着パッド（４２１、４２２または４２３）のうちの一方に取り付けられると共に第１発光デバイス１０Ｂおよび接着パッド（４２１、４２２または４２３）のうちの他方と接するように、バックプレーン４０１と、第１発光ダイオード１０Ｂを含むアセンブリと、が配置される。ある実施の形態では、各第１導電性接着構造４３１はその上の第１発光デバイス１０Ｂおよび第１接着パッド４２１のうちの一方に取り付けられると共にその上の第１発光デバイス１０Ｂおよび第１接着パッド４２１のうちの他方と接してもよく、各第２導電性接着構造４３２はその上の第１発光デバイス１０Ｂおよび第２接着パッド４２２のうちの一方に取り付けられると共にその上の第１発光デバイス１０Ｂおよび第２接着パッド４２２のうちの他方と接してもよく、各第３導電性接着構造４３３はその上の第１発光デバイス１０Ｂおよび第３接着パッド４２３のうちの一方に取り付けられると共にその上の第１発光デバイス１０Ｂおよび第３接着パッド４２３のうちの他方と接してもよい。
リフロー処理を実行することで、導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）をリフローする。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）に均一な加熱を提供することによって、例えば、バックプレーン４０１と、その上に取り付けられた構造を伴う第１ソース基板３０１Ｂと、のアセンブリを炉または他の温度制御環境に置くことによって、リフロー処理を実行してもよい。各導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）はその上の第１発光デバイス１０Ｂおよびその下の接着パッド（４２１、４２２、４２３）に接着されてもよい。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）の接着は実質的に同時に起こってもよい。
図３５Ｃを参照すると、図３２Ｃの処理ステップと同じ態様で、レーザ照射処理を行うことで、第１ソース基板から各接着された第１発光デバイス１０Ｂを分離する。レーザ４７７の波長は、切除材層１３０の材料に、ソース基板３０１Ｂおよび移送されたデバイス（例えば、第１発光ダイオード１０Ｂ）の材料に対するものよりも大きな熱を提供する。第１導電性接着構造４３１の上にある切除材層１３０の各部分を層４７７からのレーザビームで順番に照射することにより、下にある各第１発光デバイス１０Ｂを切り離してもよい。ある実施の形態では、導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）の温度はレーザ照射を用いた分離プロセス中はリフロー温度よりも低く維持されてもよい。あるいはまた、導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）の温度はレーザ照射を用いた分離プロセス中はリフロー温度付近に維持されてもよい。
図３５Ｄを参照すると、導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）の温度はプリセット温度へと変更されてもよい。プリセット温度は本明細書では炉加熱などの非選択的加熱による「分離温度」と称される。分離温度は、第２および第３導電性接着構造（４３２、４３３）のそれぞれが第２および第３接着構造（４３２、４３３）に追加的な割れを生じさせることなく二つの部分に分離されうる温度である。分離温度は、リフロー温度と同じであってもよく、リフロー温度よりも（例えば、摂氏１０度分よりも少ないだけ）低くてもよく、またはリフロー温度よりも（例えば摂氏２０度分よりも少ないだけ）高くてもよい。ある実施の形態では、図３５Ｂの処理ステップにおいて導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）の温度はリフロー温度であってもよく、図３５Ｃの処理ステップにおいてリフロー温度よりも低い処理温度まで下げられてもよく、図３５Ｄの処理ステップにおいて分離温度まで上げられてもよい。
図３５Ｃのレーザ切除処理の後、第１導電性接着構造４３１は第１ソース基板３０１Ｂに取り付けられていない。第１ソース基板３０１Ｂと、取り付けられている第１発光ダイオード１０Ｂ（すなわち、第１発光ダイオード１０Ｂの第１部分集合の補集合）と、のアセンブリが、分離温度において、バックプレーン４０１および第１発光ダイオード１０Ｂの第１部分集合から引き離されるとき、第２および第３導電性接着構造（４３２、４３３）のそれぞれは二つの部分に分割されてもよい。例えば、各第２導電性接着構造４３２は、第１発光デバイス１０Ｂに取り付けられた上側第２導電性接着材料部分４３２Ｕと、バックプレーン４０１に取り付けられた下側第２導電性接着材料部分４３２Ｌと、に分割されてもよく、各第３導電性接着構造４３３は、第１発光デバイス１０Ｂに取り付けられた上側第３導電性接着材料部分４３３Ｕと、バックプレーン４０１に取り付けられた下側第３導電性接着材料部分４３３Ｌと、に分割されてもよい。上側導電性接着材料部分（４３２Ｕまたは４３３Ｕ）の導電性接着材料の量の、その下の下側導電性接着材料部分（４３２Ｌまたは４３３Ｌ）の導電性接着材料の量に対する比は、分離温度の選択に依存して、約１または１より下であってもよい。
図３５Ｅを参照すると、図３２Ｅの処理ステップと同じ態様で第１導電性接着構造４３１をリフローしている間に、ダミー基板７００を用いることで、第１導電性接着構造４３１上の第１発光ダイオード１０Ｂをバックプレーン４０１に向けて押す。
図３５Ａ−３５Ｅの処理ステップは図３１Ｂに示されるステップ１に対応してもよく、そこではバックプレーン４０１は図３１ＢのバックプレーンＢＰ１に対応する。第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合を第２ソース基板Ｇ（これは、第２移送基板３００Ｇまたは第２タイプ成長基板１００／５００Ｇであってもよい）から図３１Ｂに示される移送パターン（または任意の他のパターン）を用いる第２バックプレーンＢＰ２の第１接着パッド４２１へ移送するために、等価な処理ステップ（図３１Ｂに示されるステップ２に相当）が行われてもよい。そのような処理ステップは第２ソース基板Ｇを提供してもよく、その第２ソース基板Ｇから、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合が、バックプレーン４０１上の第１発光ダイオード１０Ｂのパターンと合同なパターンで除去される。
図３５Ｆを参照すると、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合は第２ソース基板（例えば、第２移送基板３０１Ｇ）から除去される。第２ソース基板は例示的な工程内第５発光デバイスアセンブリの上に置かれ、第２発光ダイオード１０Ｇの第２部分集合が第２接着パッド４２２の上になるように位置決めされる。位置決めプロセスの後、各上側導電性接着材料部分（４３２Ｕまたは４３３Ｕ）は、その下の下側導電性接着材料部分（４３２Ｌまたは４３３Ｌ）に対して位置決めされてもよい。
図３５Ｇを参照すると、上側導電性接着材料部分（４３２Ｕまたは４３３Ｕ）および下側導電性接着材料部分（４３２Ｌまたは４３３Ｌ）の材料のリフロー温度へと温度が上げられている間に、バックプレーン４０１と、第２発光ダイオード１０Ｇを含むアセンブリと、が互いに近づいて接する。温度のランプアップと、上側導電性接着材料部分（４３２Ｕ、４３３Ｕ）と下側導電性接着材料部分（４３２Ｌ、４３３Ｌ）との間の分離距離の低減と、を同時に行うことによって、それらの部分の形状の不規則性に起因する、上側導電性接着材料部分（４３２Ｕ、４３３Ｕ）および下側導電性接着材料部分（４３２Ｌ、４３３Ｌ）の割れおよび／またはそれらの間のずれを避けることができる。
上側第２導電性接着材料部分４３２Ｕと下側第２導電性接着材料部分４３２Ｌとの垂直方向に隣り合う組のそれぞれが一体化することで、第２導電性接着構造４３２が形成される。上側第３導電性接着材料部分４３３Ｕと下側第３導電性接着材料部分４３３Ｌとの垂直方向に隣り合う組のそれぞれが一体化することで、第２導電性接着構造４３３が形成される。各第２導電性接着構造４３２はその上の第２発光デバイス１０Ｇおよびその下の第２接着パッド４２２に接着される。各第３導電性接着構造４３３はその上の第２発光デバイス１０Ｇおよびその下の第３接着パッド４２３に接着される。
図３５Ｈを参照すると、図３２Ｈの処理ステップと同じ態様で、レーザ照射処理を行うことで、第２ソース基板から各接着された第２発光デバイス１０Ｇを分離する。レーザ４７７の波長は、切除材層１３０の材料に、ソース基板３０１Ｇおよび移送されたデバイス（例えば、第２発光ダイオード１０Ｇ）の材料に対するものよりも大きな熱を提供する。第２導電性接着構造４３２の上にある切除材層１３０の各部分をレーザ４７７からのレーザビームで順番に照射することにより、下にある各第２発光デバイス１０Ｇを切り離してもよい。
図３５Ｉを参照すると、図３５Ｃのレーザ切除処理の後、第２導電性接着構造４３２は第２ソース基板３０１Ｂに取り付けられていない。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）の温度は分離温度へと変更されてもよく、第２ソース基板３０１Ｇと、取り付けられている第２発光ダイオード１０Ｇと、のアセンブリが、分離温度において、バックプレーン４０１および第１発光ダイオード１０Ｂの第１部分集合から引き離されてもよい。第３導電性接着構造４３３のそれぞれが二つの部分に分割されてもよい。特に、各第３導電性接着構造４３３は、第１発光デバイス１０Ｂに取り付けられた上側第３導電性接着材料部分４３３Ｕと、バックプレーン４０１に取り付けられた下側第３導電性接着材料部分４３３Ｌと、に分割されてもよい。上側第３導電性接着材料部分４３３Ｕの導電性接着材料の量の、その下の下側第３導電性接着材料部分４３３Ｌの導電性接着材料の量に対する比は、分離温度の選択に依存して、約１または１より下であってもよい。
図３５Ｊを参照すると、図３２Ｊの処理ステップと同じ態様で、ダミー基板７００を用いることで、第２導電性接着構造４３２上の第２発光ダイオード１０Ｇをバックプレーン４０１に向けて押す。
図３５Ｆ−３５Ｊの処理ステップは図３１Ｃに示されるステップ６に対応してもよく、そこではバックプレーン４０１は図３１ＣのバックプレーンＢＰ１に対応する。第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合および第２部分集合を第３ソース基板Ｒ（これは、第３移送基板３００Ｒまたは第３タイプ成長基板１００／５００Ｒであってもよい）から図３１Ｂおよび図３１Ｃに示される移送パターン（または任意の他のパターン）を用いる追加的なバックプレーン（例えば、図３１ＢのＢＰ３および図３１ＣのＢＰ４）の接着パッドへ移送するために、図３１Ｂのステップ３および図３１Ｃのステップ７に対応する処理ステップが行われてもよい。そのような処理ステップは第３ソース基板Ｒを提供してもよく、その第３ソース基板Ｒから、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合および第２部分集合が、バックプレーン４０１上の第１発光ダイオード１０Ｂおよび第２発光ダイオード１０Ｇの合成パターンと合同なパターンで除去される。
図３５Ｋを参照すると、以前の処理ステップにおいて、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合および第２部分集合は第３ソース基板（例えば、第３移送基板３０１Ｒ）から除去された。第３ソース基板は例示的な工程内第５発光デバイスアセンブリの上に置かれ、第３発光ダイオード１０Ｒの第３部分集合が第３接着パッド４２３の上になるように位置決めされる。位置決めプロセスの後、各上側第３導電性接着材料部分４３３Ｕは、その下の下側第３導電性接着材料部分４３３Ｌに対して位置決めされてもよい。
図３５Ｌを参照すると、上側第３導電性接着材料部分４３３Ｕおよび下側第３導電性接着材料部分４３３Ｌの材料のリフロー温度へと温度が上げられている間に、バックプレーン４０１と、第２発光ダイオード１０Ｇを含むアセンブリと、が互いに近づいて接する。温度のランプアップと、上側第３導電性接着材料部分４３３Ｕと下側第３導電性接着材料部分４３３Ｌとの間の分離距離の低減と、を同時に行うことによって、それらの部分の形状の不規則性に起因する、上側第３導電性接着材料部分４３３Ｕおよび下側第３導電性接着材料部分４３３Ｌの割れおよび／またはそれらの間のずれを避けることができる。
上側第３導電性接着材料部分４３３Ｕと下側第３導電性接着材料部分４３３Ｌとの垂直方向に隣り合う組のそれぞれが一体化することで、第２導電性接着構造４３３が形成される。各第３導電性接着構造４３３はその上の第２発光デバイス１０Ｇおよびその下の第３接着パッド４２３に接着される。
図３５Ｍを参照すると、図３２Ｍの処理ステップと同じ態様で、レーザ照射処理を行うことで、第３ソース基板から各接着された第３発光デバイス１０Ｒを分離する。
図３５Ｎを参照すると、図３２Ｎの処理ステップと同じ態様で、第３ソース基板３０１Ｒと、残っている第３発光ダイオード１０Ｒ（もしあれば）と、のアセンブリは、バックプレーン４０１およびバックプレーン４０１に取り付けられている第３発光ダイオード１０Ｒの第３部分集合から分離される。
オプションで、図３２Ｎの処理ステップと同じ態様で、ダミー基板７００を用いることで、第３導電性接着構造４３３上の第３発光ダイオード１０Ｒをバックプレーン４０１に向けて押してもよい。
本開示の種々の実施の形態によると、少なくともひとつの集積発光デバイスアセンブリを形成する方法が提供される。第１ソース基板３０１Ｂと第１波長の光を発する第１発光デバイス１０Ｂとを備える第１アセンブリがバックプレーン４０１上に設けられる。バックプレーン４０１と第１アセンブリとの間に第１導電性接着構造（４３０Ｂまたは４３１）が設けられる。第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合は第１導電性接着構造（４３０Ｂまたは４３１）を通じてバックプレーン４０１に接着される。第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合に重なっている物質部分１３０のレーザ切除により、第１ソース基板３０１Ｂから第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合を取り外す。図１４、３２Ｄ、３３Ｄ、３４Ｄおよび３５Ｄに示されるように、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合がバックプレーン４０１に接着されたままである間に、第１ソース基板３０１Ｂと第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合とを備えるアセンブリをバックプレーン４０１から分離する。
ある実施の形態では、第２ソース基板３０１Ｇと第２発光デバイス１０Ｇとを備える第２アセンブリが提供される。第２発光デバイス１０Ｇは第１波長とは異なる第２波長の光を発する。第２発光デバイス１０Ｇは、第１パターン（例えば図３１Ｂの第２ソース基板Ｇのパターンまたは空き）を形成する空き位置には存在しない。第２ソース基板３０１Ｇと第２発光デバイス１０Ｇとを備える第２アセンブリはバックプレーン４０１上に設けられる。バックプレーン４０１と第２アセンブリとの間に第２導電性接着構造４３２が設けられる。図１５、１６、３２Ｆ、３２Ｇ、３３Ｆ、３３Ｇ、３４Ｆ、３４Ｇ、３５Ｆおよび３５Ｇに示されるように、第２アセンブリがバックプレーン４０１上に設けられた場合、第１パターンの空き位置はバックプレーン４０２に接着された第１発光デバイス１０Ｂの全ての領域を覆う。
ある実施の形態では、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合は第２導電性接着構造（４３０Ｇまたは４３２）を通じてバックプレーン４０１に接着される。第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合に重なっている物質部分１３０のレーザ切除により、第２ソース基板３０１Ｇから第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合を取り外す。図１７、３２Ｉ、３３Ｉ、３４Ｉおよび３５Ｉに示されるように、第２発光デバイス１０Ｇの第１部分集合がバックプレーン４０１に接着されたままである間に、第２ソース基板３０１Ｇと第２発光デバイス１０Ｇの第２部分集合とを備えるアセンブリをバックプレーン４０１から分離する。
ある実施の形態では、第３ソース基板３０１Ｒと第３発光デバイス１０Ｒとを備える第３アセンブリが提供される。第３発光デバイス１０Ｒは第１波長とも第２波長とも異なる第３波長の光を発する。第３発光デバイス１０Ｒは、第２パターン（例えば図３１Ｃの第３ソース基板Ｒ上の空き位置のパターン）を形成する空き位置には存在しない。第３ソース基板３０１Ｒと第３発光デバイス１０Ｒとを備える第３アセンブリはバックプレーン４０１上に設けられる。バックプレーン４０１と第３アセンブリとの間に第３導電性接着構造（４３０Ｒまたは４３３）が設けられる。図１８、３２Ｋ、３２Ｌ、３３Ｋ、３３Ｌ、３４Ｋ、３４Ｌ、３５Ｋおよび３５Ｌに示されるように、第３アセンブリがバックプレーン４０１上に設けられた場合、第２パターンの空き位置はバックプレーン４０１に接着された第１および第２発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ）の全ての領域を覆う。
ある実施の形態では、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合は第３導電性接着構造（４３０Ｒまたは４３３）を通じてバックプレーン４０１に接着される。第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合に重なっている物質部分１３０のレーザ切除により、第３ソース基板３０１Ｒから第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合を取り外す。図３２Ｍ、３３Ｍ、３４Ｍまたは３５Ｍの処理ステップの直後に続く処理ステップにおいて、または図１９に示されるように、第３発光デバイス１０Ｒの第１部分集合がバックプレーン４０１に接着されたままである間に、第３ソース基板３０１Ｒと第３発光デバイス１０Ｒの第２部分集合とを備えるアセンブリをバックプレーン４０１から分離する。
第１接着パッド（４２０または４２１）および第２接着パッド（４２０または４２１）がバックプレーン４０１上に設けられる。第１アセンブリがバックプレーン４０１の上に設けられた場合、第１導電性接着構造（４３０Ｂまたは４３１）は第１接着パッド（４２０または４２１）の上にあり、第２導電性接着構造（４３０Ｇまたは４３２）は第２接着パッド（４２０または４２２）の上にある。図１２、３２Ｂ、３３Ｂ、３４Ｂおよび３５Ｂに示されるように、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合がバックプレーン４０１に接着されるとき、第１導電性接着構造（４３０Ｂまたは４３１）は第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合および第１接着パッド（４２０または４２１）に接着される。
ある実施の形態では、図１３、３２Ｂおよび３３Ｂに示されるように、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合がバックプレーン４０１に接着された場合、第２接着パッド（４２０または４２２）および第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合から選択された一つの構造集合｛（４２０もしくは４２２）または１０Ｂ｝は第２導電性接着構造（４３０Ｇまたは４３２）に物理的に接しない。ある実施の形態では、図１１および１２に示されるように、また例示的な第５集積発光デバイスアセンブリについて上述した通り、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合がバックプレーン４０１に接着される前またはその間、第１導電性接着構造（４３０Ｂまたは４３１）は第１接着パッド（４２０または４２１）に接着されると共に第２導電性接着構造（４３０Ｇまたは４３２）は第２接着パッド（４２０または４２２）に接着される。ある実施の形態では、例示的な第１集積発光デバイスアセンブリについて上述した通り、また図３２Ａ、３２Ｂ、３３Ａ、３３Ｂ、３４Ａ、３４Ｂ、３５Ａおよび３５Ｂに示されるように、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合がバックプレーン４０１に接着される前またはその間、第１導電性接着構造（４３０Ｂまたは４３１）のそれぞれは対応する第１発光デバイス１０Ｂに接着される。
ある実施の形態では、図１２、３２Ａ、３２Ｂ、３３Ａ、３３Ｂ、３４Ａ、３４Ｂ、３５Ａおよび３５Ｂに示されるように、第１アセンブリがバックプレーン上に置かれた場合、第１発光ダイオード１０Ｂの近位面（すなわち、第１発光ダイオード１０Ｂの底面などのバックプレーン４０１に最も近い面）は水平面内にある。図１２、３２Ａおよび３２Ｂに示されるように、第１アセンブリがバックプレーン４０１上に置かれた場合、第１接着パッド（４２０または４２１）は第２接着パッド（４２０または４２２）よりも水平面により近い。ある実施の形態では、図３２Ａ−３２Ｎに示されるように、第１接着パッド４２１の厚さは第２接着パッド４２２の厚さよりも大きい。ある実施の形態では、図１２に示されるように、第１アセンブリがバックプレーン４０１上に置かれた場合、第１接着パッド４２０の裏側面と水平面との間の垂直方向の離間距離は、第２接着パッド４２０の裏側面と水平面との間の垂直方向の離間距離よりも小さい。ある実施の形態では、図９−１２に示されるように、バックプレーン４０１は段付き面を有し、該段付き面はバックプレーン４０１の裏側平面４０９から異なる離間距離を有し、第１接着パッド４２０は第２接着パッド４２０とは異なる段付き面に設けられる。
ある実施の形態では、図３３Ａに示されるように、第１接着パッド４２１および第２接着パッド４２２は同じ厚さを有し、形成時、第１導電性接着構造４３１の高さは第２導電性接着構造４３２の高さよりも大きい。
ある実施の形態では、図３４Ｂおよび３５Ｂに示されるように、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合がバックプレーン４０１に接着された場合、第２接着パッド４２２および第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合は第２導電性接着構造４３２に物理的に接する。
ある実施の形態では、図３４Ｂに示されるように、各第１導電性接着構造１０Ｂを選択的に加熱するレーザビームによる照射によって、第１導電性接着構造４３１は下の第１接着パッド４２１および上の第１発光デバイス１０Ｂと接着される。ある実施の形態では、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合がバックプレーン４０１に接着された場合、第２接着パッド４２２および第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合から選択された一つの構造集合（４２２または１０Ｂ）は第２導電性接着構造４３２に接着されない。
ある実施の形態では、図１２，３２Ｂ、３３Ｂおよび３５Ｂに示されるように、第１導電性接着構造（４３０Ｂまたは４３１）を一様に加熱することによって、第１導電性接着構造（４３０Ｂまたは４３１）は下の第１接着パッド（４２０または４２１）および上の第１発光デバイス１０Ｂと接着される。
ある実施の形態では、図３５Ｂに示されるように、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合がバックプレーン４０１に接着された場合、第２導電性接着構造４３２は第２接着パッド４２２と第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合とに接着される。この場合、図３５Ｄに示されるように、第１ソース基板３０１Ｂと第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合とを備えるアセンブリをバックプレーン４０１から分離する間に、第２導電性接着構造４３２のそれぞれを二つの部分（４３２Ｕ、４３２Ｌ）に分離することができる。二つの部分（４３２Ｕ、４３２Ｌ）は、第２集合内の対応する第１発光デバイス１０Ｂに接着される上側部分４３２Ｕと、対応する第２接着パッド４２１に接着される下側部分４３２Ｌと、を備えてもよい。
ある実施の形態では、図３５Ｂの処理ステップにおいて、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合は第１接着パッド４２１に、第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合は第２接着パッド４２２に、それぞれ同時にリフロー温度において接着される。図３５Ｃの処理ステップにおいて、レーザ切除はリフロー温度よりも低い温度で行われうる。図３５Ｄの処理ステップにおいて、第１ソース基板３０１Ｂと第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合とを備えるアセンブリは、分離温度において、バックプレーン４０１から分離される。いくつかの場合において、分離温度はリフロー温度以上となるよう選択されてもよい。
ある実施の形態では、図２７、２８、３２Ｅ、３３Ｅ、３４Ｅおよび３５Ｅに示されるように、第１ソース基板３０１Ｂと第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合とを備えるアセンブリがバックプレーン４０１から分離された後、第１導電性接着構造のリフロー中に、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合をバックプレーンに近づけるように押す。ある実施の形態では、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合を押している間の垂直押し込み距離は、第２導電性接着構造（４３０Ｇまたは４３２）と、上の第１発光ダイオード１０Ｂおよび下の第２接着パッド（４２０または４２２）から選択された構造と、の間の隙間のなかで最大の高さよりも大きくてもよい。隙間は、図１２および１３に示されるように第２導電性接着構造（４３０Ｇまたは４３２）とその上の第１発光ダイオード１０Ｂとの間にあってもよく、または図３２Ｂおよび３３Ｂに示されるように第２導電性接着構造（４３０Ｇまたは４３２）とその下の第２接着パッド（４２０または４２２）との間にあってもよい。
ある実施の形態では、他のソース基板（４０１Ｓまたは１０１Ｓ）とセンサデバイス１０Ｓとを備える追加的アセンブリが提供されてもよい。センサデバイス１０Ｓは他のパターンを形成する空き位置には存在しない。他のパターンは例えば図３１Ｄの第４ソース基板Ｓの空き位置のパターンであってもよい。追加的ソース基板（４０１Ｓまたは１０１Ｓ）とセンサデバイス１０Ｓとを備える追加的アセンブリはバックプレーン４０１上に設けられてもよい。図１９に示されるように、バックプレーン４０１と追加的アセンブリとの間に追加的導電性接着構造４２０が設けられてもよく、追加的アセンブリがバックプレーン４０１上に設けられた場合、追加的パターンの空き位置はバックプレーン４０１に接着された第１発光デバイス１０Ｂ（および存在するなら第２および第３発光デバイス（１０Ｇ、１０Ｒ））の全ての領域を覆う。第２から第５集積発光デバイスアセンブリについてセンサデバイス１０Ｓのバックプレーン４０１への移送は明示的には説明されていないが、同じデバイス移送方法を繰り返し用いることで、バックプレーン４０１上の移送済みの個別デバイスと同じピッチを有するアレイに配列された任意の数の異なるタイプの個別デバイスを移送できることは理解される。
ある実施の形態では、センサデバイス１０Ｓの第１部分集合は追加的導電性接着構造４２０を通じてバックプレーン４０１に接着されてもよい。図２０に示されるように、センサデバイス１０Ｓの第１部分集合に重なっている物質部分２０のレーザ切除により、追加的ソース基板（４０１Ｓまたは１０１Ｓ）からセンサデバイス２０Ｓの第１部分集合を取り外してもよい。図２１に示されるように、センサデバイス１０の第１部分集合がバックプレーン４０１に接着されたままである間に、追加的ソース基板（４０１Ｓまたは１０１Ｓ）とセンサデバイス１０Ｓの第２部分集合とを備えるアセンブリをバックプレーン４０１から分離してもよい。
ある実施の形態では、図１３、３２Ｃ、３３Ｃ、３４Ｃおよび３５Ｃに示されるように、第１部分集合の各第１発光デバイス１０Ｂに順番にレーザビームを照射することによって、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合は第１ソース基板（４０１Ｂまたは１０１Ｂ）から一度に一つずつ取り外される。
バックプレーン４０１上に第１接着パッド（４２０、４２１）が設けられ、第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合がバックプレーン４０１に接着された場合、第１導電性接着構造（４３０Ｂまたは４３１）のそれぞれは対応する第１接着パッド（４２０、４２１）と第１部分集合内の対応する第１発光デバイス１０Ｂとに接着される。ある実施の形態では、図１３、３２Ｂおよび３３Ｂに示されるように、第１発光ダイオードの第１部分集合をバックプレーン４０１に接着するとき、第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合とバックプレーン４０１上に設けられた第２接着パッド（４２０、４２２）との間に第２導電性接着構造（４３０Ｇまたは４３２）が置かれ、第２導電性接着構造（４３０Ｇまたは４３２）のそれぞれは、第２部分集合内の上の第１発光デバイス１０Ｂおよび下の第２接着パッド（４２０、４２２）のうちの一方と接着され、かつ、第２部分集合内の上の第１発光デバイス１０Ｂおよび下の第２接着パッド（４２０、４２２）のうちの他方とは物理的に接しない。
ある実施の形態では、図９−２３および２５−２９に示されるように、バックプレーン４０１は上側に段付き水平面を備える。図９に示されるように、段付き水平面は、第１水平面ＨＳＰ１内に設けられた段付き水平面の第１部分集合と、段付き水平面の第１部分集合よりもバックプレーン４０１の裏側平面４０９に近い第２水平面ＨＳＰ２内に設けられた段付き水平面の第２部分集合と、を含んでもよい。この場合、第１導電性接着構造４２０は、段付き水平面の第１部分集合に形成されてもよく、第２導電性接着構造４２０は、段付き水平面の第２部分集合に形成されてもよい。段付き水平面は、段付き水平面の第２部分集合よりもバックプレーン４０１の裏側面４０９に近い第３水平面ＨＳＰ３内に設けられた段付き水平面の第３部分集合を含んでもよく、第３導電性接着構造４２０は段付き水平面の第３部分集合に形成されてもよい。
ある実施の形態では、第１ソース基板（４０１Ｂ、１０１Ｂ）と第１発光デバイス１０Ｂとを備える第１アセンブリはさらに、第１ソース基板と接し、紫外範囲、可視範囲および赤外範囲から選択された波長の光を吸収する物質を含むリリース層２０を備えてもよい。接着材料層３０はリリース層２０と第１発光デバイス１０Ｂとに接してもよい。
第１発光デバイス１０Ｂの第１部分集合に重なるリリース層２０（これは切除材層１３０である）の第１部分は、第１発光デバイス１０Ｂの第２部分集合に重なるリリース層２０の第２部分が除去されないままで、選択的に除去されうる。ある実施の形態では、リリース層２０は珪素窒化物を含んでもよく、レーザ波長は紫外の波長であってもよく、レーザビームでリリース層２０の第１部分を照らすことは、リリース層２０の第１部分を切除する。
ある実施の形態では、第１ソース基板は成長基板５００Ｂの上側部分５３０であってもよく、成長基板５００Ｂ上で第１発光デバイス１０Ｂが製造される。第１ソース基板１０１Ｂは、成長基板５００Ｂの上側部分５３０を成長基板５００Ｂの下側部分から分離することによって提供されてもよい。ある実施の形態では、成長基板５００ＢはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質を含んでもよく、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板であってもよい。
本開示のある実施の形態によると、上側に段付き水平面を有するバックプレーン４０１を備える集積発光デバイスアセンブリが提供される。図９に示されるように、段付き水平面は、第１水平面ＨＳＰ１内に設けられた段付き水平面の第１部分集合と、段付き水平面の第１部分集合よりもバックプレーン４０１の裏側面４０９に近い第２水平面ＨＳＰ２内に設けられた段付き水平面の第２部分集合と、を含む。集積発光デバイスアセンブリは、バックプレーン４０１の段付き水平面に重なる導電性接着構造４３０を備えてもよい。導電性接着構造４３０は、段付き水平面の第１部分集合に重なる第１導電性接着構造４３０Ｂと、段付き水平面の第２部分集合に重なる第２導電性接着構造４３０Ｇと、を含む。集積発光デバイスアセンブリはさらに、導電性接着構造４３０に接着された発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）を備えてもよい。発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）は、第１波長の光を発すると共に段付き水平面の第１部分集合に重なる第１発光デバイス１０Ｂと、第２波長の光を発すると共に段付き水平面の第２部分集合に重なる第２発光デバイス１０Ｇと、を含んでもよい。
ある実施の形態では、図２２、２３、２４、２５および２９に示されるように、第１発光デバイス１０Ｂと第１導電性接着構造４３０Ｂとの間のインタフェースを含む第１水平界面は、第２発光デバイス１０Ｇと第２導電性接着構造４３０Ｇとの間の第２水平界面よりも、第２水平面から遠い。ある実施の形態では、図９に示されるように、段付き水平面はさらに、第３水平表面ＨＳＰ３内に設けられた段付き水平面の第３部分集合を備え、この第３水平表面は、段付き水平面の第２部分集合よりもバックプレーン４０１の裏側面４０９により近い。導電性接着構造４３０はさらに、段付き水平面の第３部分集合に重なる第３導電性接着構造４３０Ｒを備えてもよい。
ある実施の形態では、発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）はさらに、第３波長の光を発し、かつ段付き水平面の第３部分集合に重なる第３発光デバイス１０Ｒを備える。図２２、２３、２４、２５および２９に示されるように、第３発光デバイス１０Ｒと第３導電性接着構造４３０Ｒとの間のインタフェースを含む第３水平界面は、第２水平界面よりも、第２水平面ＨＳＰ２に近くてもよい。
ある実施の形態では、図２２、２３、２４、２５および２９に示されるように、第２導電性接着構造４３０Ｇの高さは第１導電性接着構造４３０Ｂの高さよりも大きい。ある実施の形態では、図２２、２３、２４、２５および２９に示されるように、第３導電性接着構造４３０Ｒの高さは第２導電性接着構造４３０Ｇの高さよりも大きい。ある実施の形態では、集積発光デバイスアセンブリは、第４導電性接着構造４３０Ｓを通じてバックプレーン４０１に接着されたセンサデバイス１０Ｓを備えてもよい。
ある実施の形態では、図２２、２３、２４、２５および２９に示されるように、第１発光デバイス１０Ｂの上面を含む第１水平上面と第２水平面ＨＳＰ２との距離は、第２発光デバイス１０Ｇの上面を含む第２水平上面と第２水平面ＨＳＰ２との距離よりも小さくてもよい。
ある実施の形態では、発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）はさらに、第３波長の光を発し、かつ段付き水平面の第３部分集合に重なる第３発光デバイス１０Ｒを備える。図２２、２３、２４、２５および２９に示されるように、第３発光デバイス１０Ｒの上面を含む第３水平上面と第２水平面との距離は、第２水平上面と第２水平面との距離よりも大きくてもよい。
ある実施の形態では、図２２、２３、２４、２５および２９に示されるように、第２発光デバイス１０Ｇの高さは第１発光デバイス１０Ｇの高さよりも大きくてもよい。ある実施の形態では、第３発光デバイス１０Ｒの高さは第２発光デバイス１０Ｇの高さよりも大きくてもよい。
ある実施の形態では、発光デバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ）は周期的アレイに配列されてもよく、そのアレイでは、水平方向に沿った隣り合う発光デバイスの中心間距離は単位距離の整数倍である。
本開示のある実施の形態によると、バックプレーン４０１に接着された第１発光デバイス１０Ｂおよび第２発光デバイス１０Ｇを備える集積発光デバイスアセンブリが提供される。各第１発光デバイス１０Ｂは第１波長の光を発し、各第２発光デバイス１０Ｇは第１波長とは異なる第２波長の光を発する。各第１発光デバイス１０Ｂは、第１接着パッド（４２０または４２１）と第１導電性接着構造（４３０Ｂまたは４３１）とを含む第１スタックを通じて、バックプレーン４０１に接着される。各第２発光デバイス１０Ｇは、第２接着パッド（４２０または４２２）と第２導電性接着構造（４３０Ｇまたは４３２）とを含む第２スタックを通じて、バックプレーン４０１に接着される。図２２、２３、２４、２５、２９および３２に示されるように、第１接着パッド（４２０または４２１）と第１導電性接着構造（４３０Ｂまたは４３１）との間の第１界面を含む第１平面は、第２接着パッド（４２０または４２２）と第２導電性接着構造（４３０Ｇまたは４３２）との間の第２界面を含む第２平面から垂直方向にオフセットしている。
ある実施の形態では、図３２Ｎに示されるように、第１発光デバイス１０Ｂおよび第２発光デバイス１０Ｇの遠位面（すなわち、上面）は同じ平面内にあってもよく、第１平面および第２平面と離間しかつそれらと平行である。ある実施の形態では、図３２Ｎに示されるように、第１接着パッド４２１は第１厚さを有し、第２接着パッド４２２は第１厚さよりも小さい第２厚さを有してもよい。
ある実施の形態では、第１接着パッド４２０および第２接着パッド４２０は同じ厚さを有し、段付き面に設けられる。図２２、２３、２４、２５および２９に示されるように、第１接着パッド４２０の底面は段付き面の第１部分集合に設けられ、第２接着パッド４２０の底面は段付き面の第２部分集合であって段付き面の第１部分集合から垂直方向にオフセットしている第２部分集合に設けられる。
ある実施の形態では、図３２Ｎに示されるように、第１導電性接着構造４３２は第１高さを有し、第２導電性接着構造４３２は第１高さよりも小さい第２高さを有してもよい。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）のそれぞれは製造時（例えば、図３２Ａの処理ステップにおいて）同じ体積で形成されてもよく、第１導電性接着構造４３１および第２導電性接着構造４３２のそれぞれは同じ体積を有してもよい。第１導電性接着構造４３１と第２導電性接着構造４３２とは同じ材料組成を有してもよい。ある実施の形態では、図３２Ｎに示されるように、第１接着パッド４２１は第１厚さを有し、第２接着パッド４２２は第２厚さを有し、第１厚さと第１導電性接着構造４３１の第１高さとの和は、第２厚さと第２導電性接着構造４３２の第２高さとの和と同じであってもよい。
ある実施の形態では、第３発光デバイス１０Ｒはバックプレーン４０１に接着されてもよい。各第３発光デバイス１０Ｒは第１波長とも第２波長とも異なる第３波長の光を発する。各第３発光デバイス１０Ｒは、第３接着パッド４２３と第３導電性接着構造４３３とを含む第３スタックを通じて、バックプレーン４０１に接着されてもよい。第３接着パッド４２３と第３導電性接着構造４３３との間の第３界面を含む第３平面は、第１平面から垂直方向にオフセットし、かつ、第２平面から垂直方向にオフセットしていてもよい。
本開示のある実施の形態によると、バックプレーン４０１に接着された第１発光デバイス１０Ｂおよび第２発光デバイス１０Ｇを備える集積発光デバイスアセンブリが提供される。各第１発光デバイス１０Ｂは第１波長の光を発し、各第２発光デバイス１０Ｇは第１波長とは異なる第２波長の光を発する。各第１発光デバイス１０Ｂは、第１接着パッド４２１と第１導電性接着構造４３１とを含む第１スタックを通じて、バックプレーン４０１に接着されてもよく、各第２発光デバイス１０Ｇは、第２接着パッド４２２と第２導電性接着構造４３２とを含む第２スタックを通じて、バックプレーン４０１に接着されてもよい。第１導電性接着構造４３１と第２導電性接着構造４３２とは同じ高さを有してもよい。図３３Ｎに示されるように、第１導電性接着構造４３１のそれぞれは第１体積を有し、第２導電性接着構造４３２のそれぞれは第１体積よりも小さい第２体積を有してもよい。第１導電性接着構造４３１、第２導電性接着構造４３２および第３導電性接着構造４３３は、図３３Ａの処理ステップにおいて形成されるような異なる体積を有してもよい。例えば、第１導電性接着構造４３１の体積は第２導電性接着構造４３２の体積よりも大きくてもよく、第２導電性接着構造４３２の体積は第３導電性接着構造４３３の体積よりも大きくてもよい。導電性接着構造（４３１、４３２、４３３）は、図３３Ａの処理ステップで形成されるように、ほぼ同じ横方向広がりおよび異なる垂直方向広がりを有してもよい。
ある実施の形態では、第１発光デバイス１０Ｂおよび第２発光デバイス１０Ｇの遠位面（すなわち、上面）は同じ水平面内にあってもよく、その水平面はバックプレーン４０１の上面およびバックプレーン４０１の裏側面４０９と離間しかつそれらと平行であってもよい。
ある実施の形態では、図３３Ｎに示されるように、第１接着パッド４２１および第２接着パッド４２２は同じ厚さを有してもよい。ある実施の形態では、第１接着パッド４２１および第２接着パッド４２２の底面は、バックプレーン４０１の上面を含む同じ平面内に設けられてもよい。ある実施の形態では、第１導電性接着構造４２１と第２導電性接着構造４２２とは同じ材料組成を有してもよい。
ある実施の形態では、第３発光デバイス１０Ｒはバックプレーン４０１に接着されてもよい。各第３発光デバイス１０Ｒは第１波長とも第２波長とも異なる第３波長の光を発する。各第３発光デバイス１０Ｒは、第３接着パッド４２３と第３導電性接着構造４３３とを含む第３スタックを通じて、バックプレーン４０１に接着されてもよい。第１導電性接着構造４３１、第２導電性接着構造４３２および第３導電性接着構造４３３は同じ高さを有してもよく、第３導電性接着構造４３３のそれぞれは第２体積よりも小さな第３体積を有してもよい。
本開示のある態様によると、低融点金属や共晶や急速拡散反応の周りで、熱に敏感な処理についての極低温接合を設計することができる。個別の接着パッド組み合わせを合成することで、選択的ダイ接合と呼ばれる処理を導くことができる。インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）およびテルル（Ｔｅ）を含む三つの物質の組み合わせを用いて本開示を説明したが、以下の表１から選択され異なる融点を有する複数の物質の組み合わせを、対応する接着パッド冶金と合わせてはんだ材の集合として用いることで、複数の段階でのダイ（デバイス）の連続的接合が可能となる。
さらに、種々のタイプの接合材料を用いることで、本開示の特徴を実装することができる。三つの実施の形態は、完全に可逆な純金属接合、部分的に可逆な共晶反応、およびほぼ不可逆な低温拡散反応、を含む。
Ｉｎ（融点１５６度）、Ｓｎ（融点２３２度）およびＴｅ（融点４４９度）を伴う完全に可逆な純金属接合は、接合対象のデバイスの一方の側または両側に設けられる。接合の界面は数回、再溶解および再作用が可能である。各金属は、その下にあるデバイスや基板に整合する適切な拡散バリアおよび接着層の上に設けられなければならない。例えば、ＳｎはＰｔ／Ｔｉ／Ｃｒの上に用いられ得る。層の厚さは１０ｎｍから数ミクロンまでの範囲にあってもよい。接合条件、接合パッド幾何形状、ウェット層のデザインおよび熱圧縮接合パラメータは溶けたはんだの横方向流れを制御する。
部分的に可逆な共晶反応は接合であり、そこでは合金系が相図（例えば、Ｃｕ−Ｓｎ）系における一連のカスケード的共晶反応を含むか、または共晶点に接する拡張二相液体プラス固体相を有する。二つの合金成分の混合（拡散）が合金の温度で増大するが、依然として低融点を伴う純粋成分および固体ソリューションを含むように接合界面の組成が加工される場合、これらの接合は部分的に可逆である。反応した合金が、低温では再溶融しない金属間化合物を形成するので、反応は部分的に可逆である。低融点物質を完全に消費してより安定性の高い金属間化合物を得るように金属層の厚さを加工した場合、このタイプのダイ接合方法は永続的な接合を与えうる。これらのシステムは一般に少なくとも一回の再溶融および再接合シーケンスを許し、四回以上のもの（Ａｕ−Ｓｎ）もある。最初の接合は最も低温で溶ける成分の融点よりわずかに高温でなされうる。再作用温度は最初の接合温度よりも約１０度−１５度ほど高い。合金形成において、より高い温度の成分がより多く消費されるほど、再接合／再加工温度も高くなる。各金属は、その下にあるデバイスや基板に整合する適切な拡散バリアおよび接着層の上に設けられなければならない。例えば、ＳｎはＰｔ／Ｔｉ／Ｃｒの上に用いられ得る。層の厚さは１０ｎｍから数ミクロンまでの範囲にあってもよい。接合条件、接合パッド幾何形状、ウェット層のデザインおよび熱圧縮接合パラメータは溶けたはんだの横方向流れを制御する。
ほぼ不可逆な低温拡散反応は、急速な拡散プロセスおよび安定な高温化合物の形成のため、ただ一度しか接合ジョイントを再加工できない系である。反応は急速ではあるが、急速な熱処理と共に用いることで化合物形成を阻止し、残りの低温固体ソリューションの融解を可能とすることができる。各金属は、その下にあるデバイスや基板に整合する適切な拡散バリアおよび接着層の上に設けられなければならない。例えば、ＳｎはＰｔ／Ｔｉ／Ｃｒの上に用いられ得る。層の厚さは１０ｎｍから数ミクロンまでの範囲にあってもよい。接合条件、接合パッド幾何形状、ウェット層のデザインおよび熱圧縮接合パラメータは溶けたはんだの横方向流れを制御する。
例示的な系は、部分的にまたは完全に可逆であることが示された４５０度より低い反応温度のものを含むが、それに限定されない。純金属、完全可逆系はＩｎ−Ｉｎ、Ｓｎ−ＳｎおよびＴｅ−Ｔｅである。完全および部分的可逆接合はＩｎ、ＳｎまたはＴｅのうちのひとつ以上を含む。スズベースのジョイントについて、最も注意すべき例はＩｎ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｓｎ、Ａｇ−Ｓｎ、Ａｌ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｓｎである。インジウムベースのジョイントについて、最も顕著な系はＩｎ−Ｓｎ、Ａｇ−Ｉｎ、Ａｕ−Ｉｎ、Ｃｕ−Ｉｎ、Ｉｎ−Ｐｔ、Ｉｎ−Ｐｄである。関心のあるテルル系はＩｎ−Ｔｅ、Ｓｎ−Ｔｅ、Ａｇ、Ｔｅ、Ｃｕ−ＴｅおよびＧｅ−Ｔｅである。
接合系の選択的な領域においてこれらの基本的な低温反応を組み合わせることで、混合技術またはダイのタイプの選択的移送が可能となる。基板は異なるタイプのはんだ材を備えてもよい。ある実施の形態では、はんだ材は、上述の導電性接着構造（４３０、４３１、４３２、４３３）として具現化されてもよい。あるいはまた、接合スキームが接合パッド−接合パッド間直接接合を用いる場合、上述の接合パッド（４２０、４２１、４２２、４２３）ははんだ材を含んでもよい。
例えば、支持基板がＩｎ、ＳｎおよびＴｅの接合パッドからなり、かつ、係合部分が銅の接合パッドを有する場合、以下のシーケンスを用いることでＩｎ、ＳｎまたはＴｅ位置だけにおいて部材を選択的に接合できる。
第１に、Ｃｕとの第１共晶点（これは三つの共晶点のなかで最も低い共晶点である）を有する第１物質（例えば、Ｉｎ）で始めると、基板を第１共晶点（例えば、Ｉｎ−Ｃｕ系の場合１５６度）よりも少し高い温度まで加熱し、第１Ｃｕ−パッド含有ダイ、すなわち銅接合パッドを含む第１デバイス１０Ｂ、に接触させる。これにより共晶合金が形成され、時間の長さおよび温度に依存して、第１Ｃｕ−パッド含有ダイは接触状態に維持され、ジョイントは後続の再加熱処理中に３１０度より高くなるまで再溶融しない安定な金属間物を形成する。そのような低温では、ＳｎやＴｅを伴う他のどの位置でもＣｕ物質との認識可能な反応はない。
第２に、第２Ｃｕ−パッド含有ダイ、すなわち銅接合パッドを含む第２デバイス１０Ｇ、は、第２Ｃｕ−パッド含有ダイを配置し接触部分の温度をＣｕと第２物質（例えばＳｎ）との第２共晶点よりも少し高い温度まで上げることにより、基板に接合されうる。第２共晶点は第１共晶点よりも高く、Ｃｕと第３物質との第３共晶点よりも低い。Ｓｎが第２物質である場合、第２共晶温度は１８６度である。基板を第２共晶点よりも少し高い温度まで加熱し、第２Ｃｕ−パッド含有ダイ、すなわち第２デバイス１０Ｇの銅接合パッド、に接触させる。これにより共晶合金が形成され、時間の長さおよび温度に依存して、第２Ｃｕ−パッド含有ダイは接触状態に維持され、ジョイントは後続の再加熱処理中に３４０度より高くなるまで再溶融しない安定な金属間物を形成する。金属間化合物はジョイントを安定化する。
最後に、第３Ｃｕ−パッド含有ダイ、すなわち銅接合パッドを含む第３デバイス１０Ｒ、は、第３Ｃｕ−パッド含有ダイを配置し接触部分の温度をＣｕと第３物質（例えばＴｅ）との第３共晶点よりも少し高い温度まで上げることにより、基板に接合されうる。第３物質がＴｅである場合、第３共晶温度は約３４０度である。
基板（例えば、バックプレーン４０１）およびダイ（これはデバイスのいずれかであってもよい）が互い違いの反応温度を有する複数の合成冶金を有する追加的な接合スキームが提供される。例えば、基板はＩｎ、ＳｎおよびＴｅ接合パッドを伴うサイトを含んでもよい。少なくともひとつのＡｕ接合パッドを伴う第１ダイ（例えば、第１発光デバイス１０Ｂ）は１４４度でＩｎサイトと接合可能であり、少なくともひとつのＣｕ接合パッドを伴う第２ダイ（例えば、第２発光デバイス１０Ｇ）は１８６度−２２７度でＳｎサイトと接合可能であり、少なくともひとつのＡｇ接合パッドを伴う第３ダイ（例えば、第３発光デバイス１０Ｒ）は２９５度−３５３度でＴｅサイトと接合可能である。多くの組み合わせが可能であり、種々のタイプの接合パッドの層の厚さは、各選択的ダイ取り付け段階において、個々の接合の再溶融および再加工を可能とするのに十分な量のＩｎ、ＳｎまたはＴｅが残るように、調製可能である。
共通の接合パッド物質（例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、ＳｎまたはＩｎ）を伴う異なる共晶温度を有する複数タイプのはんだ材を用いる種々の方法は、上述のダイ（デバイス）移送方法のいずれかと合わせて用いられうる。
表１は、関心のある冶金系および初期選択的ダイ取り付けの最低接合温度をリストする。
表１：本開示の種々の接合スキームについて、異なる共晶温度を有する共晶系の集合を提供するために用いられうる、例示的な共晶系および対応する共晶温度。
図３６Ａを参照すると、基板間発光デバイス移送のための、孤立ＩＩＩ族窒化物光アイランド上のレーザリフトオフに用いられうる例示的構造が示されている。移送基板８００とデバイス層１０Ｌとの組み合わせが提供されてもよい。ある実施の形態では、移送基板８００は上述の移送基板３００のうちのいずれかであってもよい。特に、移送基板８００は、上述の初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒまたは１０１Ｓ）のうちのいずれか、上述の第１キャリア基板（２００、２００Ｂ、２００Ｇ、２００Ｒ、または２００Ｓ）のうちのいずれか、または上述の第２キャリア基板や移送基板（３００、３００Ｂ、３００Ｇ、３００Ｒ、３００Ｇ）のうちのいずれかであってもよい。デバイス層１０Ｌは、上述のデバイス（１０、１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）のうちのいずれかを含んでもよい。
ある実施の形態では、デバイス層１０Ｌはパターニングおよび／または横方向分離の前に、デバイスのアレイを含んでもよい。ある実施の形態では、移送基板８００は初期成長基板であってもよく、デバイス層１０Ｌは横方向に離間されていない複数のデバイスを含んでもよくおよび／またはパターン化でディスクリートデバイスのアレイへと分割可能な連続物質層を含んでもよい。
ある実施の形態では、移送基板８００は透明基板であってもよい。例えば、移送基板８００はサファイア基板（酸化アルミニウム基板）またはガラス基板であってもよい。ある実施の形態では、移送基板８００は、単結晶酸化アルミニウムなどの単結晶透明物質を含む初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒまたは１０１Ｓ）であってもよく、デバイス層１０Ｌは少なくともひとつの単結晶ＩＩＩ族Ｎ化合物半導体層などの少なくともひとつの化合物半導体物質層を含んでもよい。
ある実施の形態では、デバイス層１０Ｌは、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓまたはそれらの組み合わせまたは積層体などの少なくともひとつのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質層を含んでもよい。ある実施の形態では、デバイス層１０Ｌは、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮまたはそれらの組み合わせまたは積層体などの少なくともひとつのＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質層を含んでもよい。例えば、デバイス層は、ｐ型ドープ半導体層およびｎ型半導体層およびオプションの真性半導体層などのいくつかの半導体層を含むことで、発光ダイオードのｐ−ｎ接合またはｐ−ｉ−ｎ接合を形成してもよい。望まれるなら、デバイス層１０Ｌはまた、ＬＥＤ電極として機能する導電性層または複数のそのような層を含んでもよい。本明細書で用いられる場合、ＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質は、窒素原子が支配的Ｖ族元素として用いられる場合の、すなわち窒素原子がＶ族元素の５０％より多くを占める場合の、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質を指す。ある実施の形態では、デバイス層１０Ｌは、痕跡レベル以上で（例えば、１ｐｐｍより多く）存在する唯一のＶ族元素が窒素原子である場合の少なくともひとつのＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質を含んでもよい。ある実施の形態では、ＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質はデバイス層１０Ｌのうち少なくとも最も上の部分に設けられてもよい。ある実施の形態では、移送基板８００は初期成長基板であってもよく、デバイス層１０ＬはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質を含む少なくともひとつの物質の形成によりその初期成長基板上に形成される。
デバイス層１０Ｌの上面上にオプションの第１接着層３０Ａが形成されてもよい。第１接着層３０Ａは、存在する場合、後続の接着プロセス中に別の接着層と接着可能な誘電体物質を含む。例えば、第１接着層３０Ａは、珪素酸化物層（例えば、ＴＥＯＳ酸化物層）を含んでもよい。他の実施の形態では、第１接着剤層３０Ａは金属を含んでもよい。第１接着剤層３０Ａについて使用可能な金属は、同じ金属の別の部分と、または異なる金属と接してアニールされることで、例えば粒成長を通じて接着面を形成できる任意の金属であってもよい。例えば、第１接着剤層３０Ａは銅を含んでもよい。第１接着剤層３０Ａの厚さは１０ｎｍから１０ミクロンの範囲内、例えば５０ｎｍから５ミクロンの範囲内、であってもよいが、より小さいまたはより大きい厚さを用いてもよい。第１接着層３０Ａは、例えば化学蒸着や物理蒸着（スパッタリング）や回転塗布によって形成されてもよい。あるいはまた、第１接着層３０Ａについて、有機接着剤（例えば、エポキシ）または無機接着剤を用いてもよい。
図３６Ｂおよび３６Ｃを参照すると、第１接着層３０Ａの上面の上にフォトレジスト層５７が塗布され、それをリソグラフィ的にパターン化することで、第１接着層３０Ａの上に横方向に分離されたアイランド（すなわち、ディスクリートな残余部分）のアレイを形成してもよい。ある実施の形態では、単一のリソグラフィ露光および現像プロセスによってフォトレジスト層５７をパターン化することで、フォトレジスト層５７の残余部分を横方向に分離するチャネルを形成してもよい。他の実施の形態では、ある方向に沿って交番するライン−スペースパターンおよび別の方向に沿って交番する別のライン−スペースパターンなどの複数のリソグラフィ露光およびその後の現像プロセスによってフォトレジスト層５７をパターン化することで、フォトレジスト層５７の残余部分を横方向に分離するチャネルを形成してもよい。ある実施の形態では、チャネルの幅として、クリティカルディメンション（すなわち、リソグラフィで印刷可能な最小の寸法）を用いてもよい。ある実施の形態では、フォトレジスト層の残余部分間のチャネルの幅は、現在のリソグラフィプロセスにより可能な最小の寸法であってもよい。ある実施の形態では、フォトレジスト層５７をパターン化するために用いられるリソグラフィツールのクリティカルディメンションよりも小さいチャネル寸法を提供するために、リソグラフィ方法と連携して、非リソグラフィ技術（例えば、トリミングエッチング）を用いてもよい。
フォトレジスト層５７の残余部分をエッチングマスクとして用いるエッチングプロセスを用いることで、フォトレジスト層５７におけるチャネルのパターンを第１接着層３０Ａおよびデバイス層１０Ｌを通じて移すことができる。エッチングプロセスは、反応性イオンエッチングなどの異方性エッチングプロセスや、ウェットエッチングプロセスなどの等方性エッチングプロセスであってもよい。フォトレジスト層５７は、エッチングプロセスのエッチングマスクとして用いられてもよい。エッチングプロセスは、第１接着層３０Ａおよび／またはデバイス層１０Ｌの物質について一様な物質除去レートを提供してもよい。説明例では、プラズマエッチャーを用いてもよい。フォトレジスト層５７の適切な厚さが選択されてもよく、それは１０ｎｍから１５ミクロンの範囲内であってもよいが、より小さいまたはより大きい厚さを用いてもよい。
ある実施の形態では、フォトレジスト層の残余部分間のチャネルの幅は、１０ｎｍから５０ミクロンの範囲内、例えば２０ｎｍから１ミクロンの範囲内にあってもよい。デバイス層１０Ｌの厚さは１０ｎｍから１ミクロンまでの範囲にあってもよい。ある実施の形態では、異方性エッチングを用いることで、デバイス層１０Ｌの残余部分の横方向エッチングを最小化してもよい。ある実施の形態では、移送基板８００の上面は、異方性エッチングプロセスのエッチングストップ面として用いられてもよい。
チャネル１９は、第１接着層３０Ａおよびデバイス層１０Ｌを通って形成される。デバイス層１０Ｌの各残余部分はデバイス１０を含んでもよく、そのデバイスは上述のＬＥＤデバイス（１０Ｂ、１０Ｇ、１０Ｒ、１０Ｓ）のうちのいずれかであってもよい。チャネル１９は本明細書において「デバイス間チャネル」と称される。チャネル１９は、実質的に矩形の水平断面形状のデバイス１０を横方向に囲む碁盤の目状の横切スペースを形成してもよい。デバイス層１０Ｌの残りの部分を含むデバイス１０は、チャネル１９によって横方向に互いに分離される。ある実施の形態では、デバイス１０は、第１水平方向に沿った第１周期性および第２水平方向に沿った第２周期性を有するデバイスの矩形アレイを形成してもよい。デバイス１０は、移送基板８００の上面上にメサ構造として形成される。続いて、フォトレジスト層５７は、例えば灰化により除去されてもよい。
図３６Ｄを参照すると、ターゲット基板９００が提供される。移送基板８００が初期成長基板（１０１Ｂ、１０１Ｇ、１０１Ｒまたは１０１Ｓ）である場合、ターゲット基板９００は上述の第１キャリア基板（２００、２００Ｂ、２００Ｇ、２００Ｒ、または２００Ｓ）、第２キャリア基板（３００、３００Ｂ、３００Ｇ、３００Ｒ、または３００Ｓ）、移送基板３００、または上述のターゲット基板４００であってもよい。移送基板８００が第１キャリア基板（２００、２００Ｂ、２００Ｇ、２００Ｒ、または２００Ｓ）である場合、ターゲット基板９００は、第２キャリア基板（３００、３００Ｂ、３００Ｇ、３００Ｒ、または３００Ｓ）、移送基板３００、または上述のターゲット基板４００であってもよい。移送基板８００が第２キャリア基板である場合、ターゲット基板９００は、移送基板３００、または上述のターゲット基板４００であってもよい。移送基板８００が移送基板３００である場合、ターゲット基板９００は上述のターゲット基板４００であってもよい。あるいはまた、ターゲット基板９００はブランク基板、すなわち平面状の上面を有するパターン化されていない基板、であってもよい。
ターゲット基板９００の上面上に第２接着層３０Ｂが形成されてもよい。第２接着層３０Ｂは、後続の接着プロセス中に第１接着層３０Ａと接着可能な誘電体物質を含む。例えば、第２接着層３０Ｂは、珪素酸化物層（例えば、ＴＥＯＳ酸化物層）を含んでもよい。他の実施の形態では、第２接着剤層３０Ｂは金属を含んでもよい。第２接着剤層３０Ｂについて使用可能な金属は、同じ金属の別の部分と、または異なる金属と接してアニールされることで、例えば粒成長を通じて接着面を形成できる任意の金属であってもよい。例えば、第２接着剤層３０Ｂは銅を含んでもよい。第２接着剤層３０Ｂの厚さは１０ｎｍから１０ミクロンの範囲内、例えば５０ｎｍから５ミクロンの範囲内、であってもよいが、より小さいまたはより大きい厚さを用いてもよい。第２接着層３０Ｂは、例えば化学蒸着や物理蒸着や回転塗布によって形成されてもよい。あるいはまた、ターゲット基板９００がプラズマ酸化や熱的酸化によって酸化物を形成する半導体物質（例えば、珪素やシリコンゲルマニウム合金）を含む場合、第２接着層３０Ｂはプラズマ酸化または熱的酸化によって形成されてもよい。ターゲット基板９００の上面は、段付き面（不図示）を有しても有しなくてもよい。ターゲット基板９００が段付き面を含む場合、平坦化プロセス（例えば、化学機械的研磨）を行うことで、第２接着層３０Ｂの平面状の上面を提供してもよい。ターゲット基板９００が第２接着層３０Ｂの形成前に平面状の上面を有する場合、第２接着層３０Ｂの形成後に平坦化プロセスは必要ない。あるいはまた、第２接着層３０Ｂについて、有機接着剤（例えば、エポキシ）または無機接着剤を用いてもよい。
第２接着層３０Ｂは、第１接着層３０Ａの鏡像を用いてパターン化されてもよい。第１接着層および第２接着層（３０Ａ、３０Ｂ）を並置した際に第１接着層３０Ａのパターンが第２接着層３０Ｂのパターンとマッチするように、移送基板８００とターゲット基板９００とを適切に位置決めすることによって、第１接着層３０Ａと第２接着層３０Ｂとを互いに物理的に接触させてもよい。例えば、ターゲット基板９００（その上面上に第２接着層３０Ｂを伴う）を裏返して、第１接着層３０Ａの上面に置いてもよい。
図３６Ｅを参照すると、第１接着層３０Ａと第２接着層３０Ｂとを接着するために、高い温度でのアニールプロセスを行ってもよい。アニールプロセスの高い温度は、摂氏１００度から摂氏９００度の範囲内（例えば、摂氏４００度から摂氏６５０度の範囲内）であってもよいが、より低いまたはより高い温度を用いてもよい。第１接着層および第２接着層（３０Ａ、３０Ｂ）が有機接着剤や無機接着剤を含む場合、接着剤の硬化を誘導する適切なアニール温度を用いてもよい。接着された接着層（３０Ａ、３０Ｂ）は一緒に接着層３０を形成する。接着層３０は誘電体材料および金属から選択された物質を含んでもよい。移送基板８００は、接着層３０を通じてターゲット基板に接着される。移送基板８００、デバイス１０（アレイ配置にあるダイの形で）、接着層３０およびターゲット基板９００は一緒に接着構造（８００、１０、３０、９００）を構成する。
接着層３０は、横方向に離れた接着剤部分を含む。ある実施の形態では、接着剤部分は、デバイス１０のアレイのパターンを模した二次元アレイ状に配置構成されてもよい。第１接着層３０Ａと第２接着層３０Ｂとの並置中に導入された生来的な重ね合わせ変動のため、接着された接着剤部分のうちの少なくともひとつにおいて水平方向の段が提供されうる。したがって、接着層３０内の接着剤部分のうちの少なくともひとつは、その接着剤部分の上側領域の側壁とその接着剤部分の下側領域の側壁との間の横方向オフセットを提供する水平方向の段を含んでもよい。上側領域および下側領域のうちの一方は第１接着層３０Ａから導かれた接着剤を含み、上側領域および下側領域のうちの他方は第２接着層３０Ｂから導かれた接着剤を含む。
ある実施の形態では、第１接着層３０Ａの接着剤部分と第２接着層３０Ｂの接着剤部分とはマッチするサイズを有するよう形成されてもよい。この場合、第１接着層と第２接着層（３０Ａ、３０Ｂ）との並置のプロセス中に提供されてもよい重ね合わせオフセットは、第１接着層と第２接着層（３０Ａ、３０Ｂ）との間の界面内に一対の水平方向の段を導入しうる。第１接着層と第２接着層と（３０Ａ、３０Ｂ）がマッチする鏡像パターンでパターン化され、かつ、第１接着層と第２接着層と（３０Ａ、３０Ｂ）の並置中に重ね合わせオフセットが導入された場合、接着された接着剤部分の上側領域と下側領域とは各接着剤部分について同じ横方向寸法を有してもよい。
一対の水平方向の段は接着された接着剤部分の両側に形成され、この場合、一方の段は上を向き、他方の段は下を向いてもよい。接着剤部分の各段付き水平面について、接着剤部分は水平方向の段の反対側に設けられたもうひとつの水平方向の段を含んでもよい。もうひとつの水平方向の段は、もとの水平方向の段と同じ横方向寸法を有し、もとの水平方向の段と反対向きを向いていてもよい。一方の水平方向の段が上を向く場合、他方の水平方向の段は下を向く。
ある実施の形態では、接着層３０の上側領域（第１接着層および第２接着層（３０Ａ、３０Ｂ）のうちの一方から導かれる）のエリアは、接着層３０の下側領域（第１接着層および第２接着層（３０Ａ、３０Ｂ）のうちの他方から導かれる）のエリアのパターンと合同なパターンを有してもよい。第１接着層と第２接着層（３０Ａ、３０Ｂ）との間に有限の重ね合わせオフセットがある場合、上側領域のエリアは接着層３０の下側領域のエリアに対して横方向にずれてもよい。
ある実施の形態では、デバイス１０の側壁は第１接着層３０Ａの側壁と垂直方向に一致してもよい。これは、図３６Ｂの処理ステップにおいて第１接着剤の個片化部分として提供される。本明細書で用いられる場合、第１面と第２面とを含む垂直面が存在する場合、第１面は第２面と「垂直方向に一致する」。この場合、接着層３０の上側領域のエリアはデバイスのアレイのエリアと合同でありかつ重なり合ってもよい。
図３６Ｆを参照すると、移送基板８００がレーザ４７７に面するように接着構造（８００、１０、３０、９００）を向けてもよい。移送基板８００を通じてデバイス１０にレーザビームを照射することによって、移送基板８００とデバイス１０との間の界面領域からデバイス１０の表面部分を取り除いてもよい。ある実施の形態では、レーザ４７７からのレーザビームがデバイス１０の近位部分（すなわち、移送基板８００と接する部分）のＩＩＩ−Ｖ族化合物物質によって吸収され、かつ、移送基板８００の物質によって吸収されないように、レーザ４７７の波長を選択してもよい。言い換えると、レーザ４７７の波長は、移送基板８００がレーザ４７７の波長において透明となるように選択されてもよい。
ある実施の形態では、レーザビームはあるピーク波長を有し、移送基板８００はそのピーク波長において透明であり、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質はそのピーク波長においてエネルギを吸収する。したがって、レーザ４７７からの照射ビームは顕著な吸収無しに移送基板８００を通過し、デバイス１０のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質の近位部分（すなわち、移送基板８００に接するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質の部分）によって吸収される。レーザビームがデバイス１０と移送基板８００との間の界面の領域全体に亘って走査するにつれて、対応して被照射領域４７８も動き回り、デバイス１０と移送基板８００との間の界面全体をカバーする。デバイス１０の表面部分にあって移送基板８００の近くにあるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質はレーザ照射によって分離されうる。このプロセスは、本明細書において、レーザリフトオフ（ＬＬＯ）プロセスと称される。説明例として、２４８ｎｍの波長の放射を発するフッ化クリプトン（ＫｒＦ）レーザがレーザとして用いられ、移送基板８００が２４８ｎｍの放射を吸収しないサファイア（酸化アルミニウム）を含み、各デバイス１０の上部のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質が、２４８ｎｍ波長の光を吸収する窒化ガリウム（ＧａＮ）を含んでもよい。
レーザ４７７からの光を吸収すると、デバイス１０の表面部分は、化合物半導体物質内の原子の分離により移送基板８００への接着力を失う。ある実施の形態では、デバイス１０の表面部分にあって移送基板８００の近くにあるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質はＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質であってもよい。ある実施の形態では、レーザビームの照射によって、デバイス１０の表面部分におけるＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質の部分は窒素ガスとＩＩＩ族金属部分とに分解されてもよい。例えば、ＧａＮが用いられる場合、デバイス１０の表面部分のうち少なくとも移送基板８００に接する部分において、ＧａＮは、高いパワー密度のレーザ照射（例えば、２４８ｎｍの）を吸収すると、固体（金属）のガリウムと窒素ガスとに分解される。一般に、ＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質が分解されると、ＩＩＩ族金属部分１１はデバイス１０の各残余部分の上面に残る。ＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質の分解により生成された窒素ガスはチャネル１９を通じて外気へと逃れてもよい。例えば、窒素ガスは、移送基板８００とデバイス１０との間の界面と平行な平面方向９９に沿って逃れてもよい。ＩＩＩ族金属部分１１の厚さは０.５ｎｍから１００ｎｍの範囲内（例えば１ｎｍから１０ｎｍの範囲内）であってもよいが、より小さいまたはより大きい厚さを用いてもよい。ある実施の形態では、ＩＩＩ族金属部分１１の厚さは、下にあるデバイス１０から生成される光の透過を許すのに十分なほど薄くてもよい。
チャネル１９がない場合、ＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質のレーザ照射により形成された窒素ガスはその窒素ガスの発生源たるＧａＮの体積よりも大きな体積を占める。窒素分子はデバイス１０と移送基板８００との間の界面に沿って動き回る。チャネル１９がない場合、界面領域に窒素ガスの圧力が蓄積され、それにより、ＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質にランダムに生成されるひび割れが誘起されうる。本開示の態様によると、チャネル１９はレーザ照射プロセス中に生成される窒素ガスのための逃げ道を提供し、それにより、ＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質のランダムなひび割れを低減または防止する。したがって、本開示のデバイス１０におけるランダムなひび割れの形成は、チャネル１９の利用を通じて回避または低減されうる。
ある実施の形態では、移送基板８００は酸化アルミニウムを含んでもよく、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質はＧａＮおよびＧａＩｎＮ、ＡｌＧａＮから選択された物質を含んでもよく、デバイス１０は発光ダイオードを含んでもよい。
図３６Ｇを参照すると、移送基板８００は、ターゲット基板９００およびデバイス１０の残りの部分を含む接着されたアセンブリから分離される。特に、移送基板８００は、ターゲット基板９００、接着層３０、デバイス１０およびＩＩＩ族金属部分１１の残余接着アセンブリから分離されてもよい。
図３６Ｇの例示的な構造は、基板９００と、基板９００の表面上に設けられた接着層３０と、接着層３０上に設けられたデバイス１０のアレイと、を備えるデバイスアセンブリを含み、デバイス１０のアレイは少なくともひとつの発光デバイスを備え、デバイス１０のアレイはチャネル１９によって横方向に相隔てられている。チャネル１９の下にある接着層３０の第１部分は第１厚さｔ１を有し、デバイス１０の下にある接着層３０の第２部分は、第１厚さｔ１よりも大きな第２厚さｔ２を有する。後続の処理ステップにおいてＩＩＩ族金属部分１１が除去されない場合、デバイスアセンブリは、デバイス１０の表面上に設けられ、デバイス１０によって接着層３０から隔てられているＩＩＩ族金属部分１１のアレイを備えてもよい。
ある実施の形態では、図３６Ｇの各デバイス１０は単一の発光ダイオードであってもよい。他の実施の形態では、図３６Ｇの各デバイスは、青色発光の発光ダイオードと緑色発光の発光ダイオードと赤色発光の発光ダイオードとのセットなどの複数の発光ダイオードであってもよい。ある実施の形態では、図３６Ｇの各デバイスは、少なくともひとつの発光ダイオードに加えて、センサ（例えば、センサ１０Ｓ）を含んでもよい。ある実施の形態では、各デバイス１０は、直視型ディスプレイデバイスのピクセルまたはサブピクセルであってもよい。この場合、デバイス１０のアレイは、カラーイメージを表示可能な直視型ピクセルのアレイを含んでもよく、また、該アレイはオプションで検出能力を提供する（デバイス１０のなかにセンサが含まれる場合）。
ある実施の形態では、図３６Ａの処理ステップにおいて、デバイス層１０Ｌは複数種類の発光デバイスを含んでもよく、デバイス１０のそれぞれはチャネル１９によって横方向に囲まれていてもよく、デバイス１０のそれぞれは異なる複数の波長の光を発する発光デバイスの組み合わせを備えてもよい。ある実施の形態では、デバイス１０は、発光デバイスの矩形アレイを備え、チャネル１９は矩形格子を形成し、矩形アレイの発光デバイスはその矩形格子によって横方向に相隔てられている。ある実施の形態では、デバイスアセンブリは、赤色波長、緑色波長および青色波長の発光ダイオードおよびセンサをデバイス１０として含む直視型ディスプレイパネルを含む。デバイス１０は、接着層３０を通じて基板９００に接着される。
図３６Ｈを参照すると、ＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質の残っている部分に対して選択的にＩＩＩ族金属部分１１を取り除くことができる。例えば、オプションで、下にあるデバイス１０のＩＩＩ族Ｎ化合物物質を相当量除去すること無く、ＩＩＩ族金属部分１１の金属を除去する選択的エッチングプロセスを用いることで、ＩＩＩ族金属部分１１を除去することができる。
上記は具体的な好適な実施の形態を参照するが、本発明はそれに限定されないことは理解されるであろう。開示された実施の形態に対して種々の変更がなされうること、および、そのような変更が本発明の範囲内にあることが意図されていること、は当業者には理解されるであろう。本開示では具体的な構成および／または配置を用いる実施の形態を説明したが、本発明は、機能的に同等な他の可換な構成および／または配置によって、そのような代替が明示的に禁止されるかそうでなければ当業者にそれが不可能であると知られているということがない限りにおいて、実施されうることは理解される。

Claims (25)

  1. デバイスを移送する方法であって、
    移送基板とその上のデバイス層との組み合わせを提供することと、
    前記デバイス層を通じたチャネルを形成することであって、前記デバイス層の残りの部分を含むデバイスが前記チャネルによって横方向に互いに分離される、形成することと、
    接着層を通じてターゲット基板に前記移送基板を接着することと、
    前記移送基板を通じて前記デバイスにレーザビームを照射することによって、前記移送基板と前記デバイスとの間の界面領域から前記デバイスの表面部分を取り除くことと、
    前記ターゲット基板および前記デバイスの残りの部分を含む接着されたアセンブリから前記移送基板を分離することと、を含む方法。
  2. 前記デバイス層はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質を含む請求項１に記載の方法。
  3. 前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質はＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質である請求項２に記載の方法。
  4. 前記レーザビームの照射によって、前記デバイスの前記表面部分における前記ＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質の部分は窒素ガスとＩＩＩ族金属部分とに分解され、
    前記窒素ガスは前記チャネルを通じて外に逃れる請求項３に記載の方法。
  5. 前記ＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質の残っている部分に対して選択的に前記ＩＩＩ族金属部分を取り除くことをさらに含む請求項４に記載の方法。
  6. 前記デバイス層上に第１接着層を形成することと、
    前記ターゲット基板上に第２接着層を形成することと、
    前記第１接着層と前記第２接着層とを接着することによって前記接着層を形成することと、をさらに含む請求項１に記載の方法。
  7. 前記デバイス層の上にフォトレジスト層を形成することと、
    前記フォトレジスト層をリソグラフィ的にパターン化することによって、前記デバイス層の上に、前記フォトレジスト層の個片化された残りの部分を形成することと、
    前記パターン化されたフォトレジスト層をエッチマスクとして用いるエッチングプロセスを行うことで、前記デバイス層を通じて前記フォトレジスト層のパターンを移送することと、をさらに含む請求項１に記載の方法。
  8. 前記デバイスは少なくともひとつの発光デバイスを備える請求項１に記載の方法。
  9. 前記接着されたアセンブリは、前記ターゲット基板に接着された、赤色波長、緑色波長および青色波長の発光ダイオードおよびセンサを含む直視型ディスプレイパネルを含む請求項１に記載の方法。
  10. 前記移送基板は酸化アルミニウムを含み、
    前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮおよびＧａＩｎＮから選択された物質を含み、
    前記デバイスは発光ダイオードを含む請求項２に記載の方法。
  11. 前記デバイスは発光デバイスの矩形アレイを含み、
    前記チャネルは矩形格子を形成し、前記矩形アレイの前記発光デバイスはその矩形格子によって横方向に相隔てられている請求項１に記載の方法。
  12. 前記チャネルは１３ｎｍから１ミクロンの範囲の幅を有する請求項１２に記載の方法。
  13. 前記レーザビーム放射はあるピーク波長を有し、前記移送基板はそのピーク波長において前記放射に対して透明であり、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質はそのピーク波長における前記レーザビーム放射を吸収する請求項１１に記載の方法。
  14. 前記移送基板は初期成長基板であり、前記デバイス層は前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質を含む少なくともひとつの層の形成により前記初期成長基板上に形成される請求項１に記載の方法。
  15. 前記デバイス層は複数種類の発光デバイスを含み、
    前記デバイスのそれぞれは、チャネルによって横方向に囲まれており、かつ、異なる複数の波長の光を発する発光デバイスの組み合わせを含む請求項１に記載の方法。
  16. 基板と、
    前記基板の表面上に設けられた複数の横方向に離間した接着剤部分を含む接着層と、
    前記接着層上に設けられたデバイスのアレイであって、少なくともひとつの発光デバイスを備え、チャネルによって横方向に相隔てられているデバイスのアレイと、を備え、
    接着剤部分のうちの少なくともひとつは、その上側領域の側壁とその下側領域の側壁との間の横方向オフセットを提供する水平方向の段を備えるデバイスアセンブリ。
  17. 前記接着剤部分のうちの少なくともひとつのそれぞれについて、前記上側領域と前記下側領域とは同じ横方向寸法を有する請求項１６に記載のデバイスアセンブリ。
  18. 前記接着剤部分のうちの前記少なくともひとつのそれぞれは前記水平方向の段の反対側に設けられた別の水平方向の段を含み、前記別の水平方向の段は前記水平方向の段と同じ横方向寸法を有し、前記水平方向の段に対して反対方向を向いている請求項１６に記載のデバイスアセンブリ。
  19. 前記接着層の上側領域のエリアは前記接着層の下側領域のエリアのパターンと合同なパターンを有し、前記接着層の前記下側領域の前記エリアに対して横方向に移動している請求項１６に記載のデバイスアセンブリ。
  20. 前記接着層の上側領域のエリアはデバイスの前記アレイのエリアと合同でありかつ重なり合う請求項１６に記載のデバイスアセンブリ。
  21. 前記接着層は誘電体材料および金属から選択された物質を含む請求項１６に記載のデバイスアセンブリ。
  22. 前記デバイスは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質を含む請求項１６に記載のデバイスアセンブリ。
  23. 前記デバイスの表面上に設けられ、前記デバイスによって前記接着層から隔てられているＩＩＩ族金属部分のアレイをさらに備える請求項１６に記載のデバイスアセンブリ。
  24. 前記デバイスアセンブリは、前記接着層を通じて前記基板に接着された前記デバイスとして、赤色波長、緑色波長および青色波長の発光ダイオードおよびセンサを含む直視型ディスプレイパネルを含む請求項１６に記載のデバイスアセンブリ。
  25. 前記デバイスは発光デバイスの矩形アレイを含み、
    前記チャネルは矩形格子を形成し、前記矩形アレイの前記発光デバイスはその矩形格子によって横方向に相隔てられている請求項１６に記載のデバイスアセンブリ。
JP2018529267A 2015-12-07 2016-10-31 基板間ｌｅｄ移送のための、孤立ｉｉｉ族窒化物光アイランド上のレーザリフトオフ Active JP6806774B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562263955P 2015-12-07 2015-12-07
US62/263,955 2015-12-07
PCT/US2016/059736 WO2017099905A1 (en) 2015-12-07 2016-10-31 Laser lift-off on isolated iii-nitride light islands for inter-substrate led transfer

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018538696A true JP2018538696A (ja) 2018-12-27
JP2018538696A5 JP2018538696A5 (ja) 2019-12-05
JP6806774B2 JP6806774B2 (ja) 2021-01-06

Family

ID=58800382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018529267A Active JP6806774B2 (ja) 2015-12-07 2016-10-31 基板間ｌｅｄ移送のための、孤立ｉｉｉ族窒化物光アイランド上のレーザリフトオフ

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9941262B2 (ja)
EP (1) EP3387882B1 (ja)
JP (1) JP6806774B2 (ja)
WO (1) WO2017099905A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020035933A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 芝浦メカトロニクス株式会社 素子実装装置及び素子実装基板の製造方法
WO2022202945A1 (ja) * 2021-03-26 2022-09-29 デクセリアルズ株式会社 表示装置の製造方法

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107851586B (zh) 2015-01-23 2021-07-06 维耶尔公司 到受体衬底的选择性微型器件转移
US10700120B2 (en) 2015-01-23 2020-06-30 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
US10134803B2 (en) * 2015-01-23 2018-11-20 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
WO2017099905A1 (en) 2015-12-07 2017-06-15 Glo Ab Laser lift-off on isolated iii-nitride light islands for inter-substrate led transfer
KR101754528B1 (ko) * 2016-03-23 2017-07-06 한국광기술원 건식 접착구조를 갖는 ｌｅｄ 구조체 어레이의 전사체와 이를 이용한 ｌｅｄ 구조체 어레이의 이송방법 및 ｌｅｄ 구조체
US10193038B2 (en) 2016-04-04 2019-01-29 Glo Ab Through backplane laser irradiation for die transfer
JP2019522226A (ja) 2016-04-15 2019-08-08 グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ 集積バックライトユニット
CN105870265A (zh) * 2016-04-19 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管基板及其制备方法、显示装置
CN109478580B (zh) * 2016-08-22 2021-07-09 歌尔股份有限公司 微发光二极管转移方法、制造方法及器件
DE102016221533B4 (de) * 2016-11-03 2018-09-20 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zum Transfer elektronischer Komponenten von einem Trägersubstrat auf ein Zwischenträgersubstrat
US10205075B2 (en) 2016-12-01 2019-02-12 Glo Ab Semiconductor light emitting device including cap structure and method of making same
US10002856B1 (en) * 2017-01-26 2018-06-19 International Business Machines Corporation Micro-LED array transfer
WO2018227453A1 (en) * 2017-06-15 2018-12-20 Goertek Inc. Method for transferring micro-light emitting diodes, micro-light emitting diode device and electronic device
CN108475661B (zh) * 2017-07-24 2022-08-16 歌尔股份有限公司 微发光二极管显示装置及其制造方法
CN109378365B (zh) 2017-08-08 2021-09-14 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光二极管装置及其制作方法
CN109390437B (zh) * 2017-08-08 2021-06-15 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光二极管装置及其制作方法
US11302842B2 (en) 2017-08-08 2022-04-12 PlayNitride Inc. Micro light emitting diode device and manufacturing method thereof
US10964851B2 (en) * 2017-08-30 2021-03-30 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Single light emitting diode (LED) structure
EP3692580A4 (en) 2017-10-06 2022-07-13 Nanosys, Inc. LED WITH OXIDIZED METAL CONTACTS
US11362238B2 (en) 2017-10-06 2022-06-14 Nanosys, Inc. Light emitting diode containing oxidized metal contacts
US10622342B2 (en) * 2017-11-08 2020-04-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Stacked LED structure and associated manufacturing method
EP3487269A1 (en) * 2017-11-21 2019-05-22 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Light induced selective transfer of components
US10627673B2 (en) 2018-04-06 2020-04-21 Glo Ab Light emitting diode array containing a multilayer bus electrode and method of making the same
US10707190B2 (en) 2018-04-10 2020-07-07 Glo Ab LED backplane having planar bonding surfaces and method of making thereof
WO2019199946A1 (en) 2018-04-11 2019-10-17 Glo Ab Light emitting diodes formed on nanodisk substrates and methods of making the same
WO2019204748A1 (en) 2018-04-20 2019-10-24 Glo Ab Subpixel light emitting diodes for direct view display and methods of making the same
US10770620B2 (en) 2018-06-14 2020-09-08 Glo Ab Epitaxial gallium nitride based light emitting diode and method of making thereof
US10985046B2 (en) * 2018-06-22 2021-04-20 Veeco Instruments Inc. Micro-LED transfer methods using light-based debonding
WO2019246366A1 (en) * 2018-06-22 2019-12-26 Veeco Instruments Inc. Micro-led transfer methods using light-based debonding
US10998215B2 (en) * 2018-06-27 2021-05-04 Facebook Technologies, Llc Monitoring dry-etching of polymer layer for transferring semiconductor devices
US11127720B2 (en) 2019-01-21 2021-09-21 Nanosys, Inc. Pixel repair method for a direct view display device
CN111525013A (zh) 2019-02-01 2020-08-11 隆达电子股份有限公司 发光二极管及其制造方法
CN109819407B (zh) * 2019-02-13 2020-11-03 新加坡Gme科技公司 对海事及海洋工程建造现场进行安全管理的管理系统
KR20200114077A (ko) 2019-03-27 2020-10-07 삼성전자주식회사 마이크로 led 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 led 전사 방법
KR102659865B1 (ko) 2019-03-29 2024-04-24 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈의 제조 방법
US11430830B2 (en) 2019-04-05 2022-08-30 Nanosys, Inc. White light emitting diode (LED) and method of repairing light emitting device using same
US11637219B2 (en) 2019-04-12 2023-04-25 Google Llc Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate
KR20200126234A (ko) 2019-04-29 2020-11-06 삼성전자주식회사 마이크로 led 전사 방법 및 이에 의해 제조된 디스플레이 모듈
US11246251B2 (en) 2019-05-02 2022-02-08 Seagate Technology Llc Micro-component transfer systems, methods, and devices
KR20200128987A (ko) 2019-05-07 2020-11-17 삼성전자주식회사 마이크로 led 전사 방법 및 이에 의해 제조된 디스플레이 모듈
US10923378B2 (en) 2019-05-13 2021-02-16 Seagate Technology Llc Micro-component batch transfer systems, methods, and devices
KR20200142685A (ko) * 2019-06-13 2020-12-23 삼성전자주식회사 마이크로 led 전사 방법 및 이에 의해 제조된 디스플레이 모듈
JP2023509343A (ja) 2019-12-11 2023-03-08 ナノシス， インコーポレイテッド ダイ転送中の部分レーザリフトオフプロセス、および、それによって形成される構造
CN113380681B (zh) * 2020-03-10 2022-03-25 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种巨量转移方法
US11211245B2 (en) * 2020-06-02 2021-12-28 Intel Corporation III-N multichip modules and methods of fabrication
TWI735263B (zh) * 2020-06-19 2021-08-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 紅光晶片承載結構的製作方法
TWI736334B (zh) 2020-06-23 2021-08-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體
WO2022021003A1 (zh) * 2020-07-27 2022-02-03 重庆康佳光电技术研究院有限公司 转接板、巨量转移方法及Micro-LED显示器
US20230327047A1 (en) * 2020-08-27 2023-10-12 Lg Electronics Inc. Transfer device for semiconductor light emitting device and display device of semiconductor light emitting device using same
TWI765332B (zh) 2020-08-31 2022-05-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型半導體結構及其製造方法
CN112967983B (zh) * 2020-09-21 2022-05-20 重庆康佳光电技术研究院有限公司 转移系统和转移方法
CN112310252B (zh) * 2020-10-16 2022-02-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Micro LED晶粒、Micro LED基板及其制备方法
CN114597138A (zh) * 2020-12-03 2022-06-07 群创光电股份有限公司 半导体封装的制造方法
US20240088323A1 (en) * 2021-01-20 2024-03-14 Coherent Lasersystems Gmbh & Co. Kg Microelectronic device transfer with uv-transmissive adhesive and laser lift-off
KR20230030385A (ko) * 2021-08-25 2023-03-06 레이저쎌 주식회사 전사 방식을 이용한 초소형 led 칩 리웍장치 및 리웍방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5617385A (en) * 1979-07-20 1981-02-19 Tokyo Shibaura Electric Co Production of display device
JPH07283438A (ja) * 1994-04-08 1995-10-27 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄディスプレイ
JP2003303993A (ja) * 2002-04-08 2003-10-24 Shiro Sakai 窒化ガリウム系化合物半導体装置の製造方法及び発光装置
JP2006147876A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Sony Corp 半導体発光装置、その製造方法、及び画像表示装置の製造方法
JP2006216933A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Epistar Corp 発光素子及びその製造方法
US20110151602A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Cooledge Lighting, Inc. Method of manufacturing transferable elements incorporating radiation enabled lift off for allowing transfer from host substrate
US20130026511A1 (en) * 2011-07-25 2013-01-31 Industrial Technology Research Institute Transfer-bonding method for the light emitting device and light emitting device array
WO2014114731A1 (fr) * 2013-01-24 2014-07-31 Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) Procede de fabrication de diodes blanches monolithiques

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004014938A (ja) 2002-06-10 2004-01-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US8409672B2 (en) * 2008-04-24 2013-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device
US8367544B2 (en) 2009-10-20 2013-02-05 International Business Machines Corporation Self-aligned patterned etch stop layers for semiconductor devices
US8232117B2 (en) 2010-04-30 2012-07-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED wafer with laminated phosphor layer
JP5665511B2 (ja) * 2010-12-10 2015-02-04 株式会社東芝 半導体装置の製造方法、製造プログラム、および製造装置
JP2013211443A (ja) 2012-03-30 2013-10-10 Toyohashi Univ Of Technology 発光装置の製造方法
EP3235347B1 (en) 2014-12-19 2020-05-13 Glo Ab Method of making a light emitting diode array on a backplane
WO2017099905A1 (en) 2015-12-07 2017-06-15 Glo Ab Laser lift-off on isolated iii-nitride light islands for inter-substrate led transfer

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5617385A (en) * 1979-07-20 1981-02-19 Tokyo Shibaura Electric Co Production of display device
JPH07283438A (ja) * 1994-04-08 1995-10-27 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄディスプレイ
JP2003303993A (ja) * 2002-04-08 2003-10-24 Shiro Sakai 窒化ガリウム系化合物半導体装置の製造方法及び発光装置
JP2006147876A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Sony Corp 半導体発光装置、その製造方法、及び画像表示装置の製造方法
JP2006216933A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Epistar Corp 発光素子及びその製造方法
US20110151602A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Cooledge Lighting, Inc. Method of manufacturing transferable elements incorporating radiation enabled lift off for allowing transfer from host substrate
US20130026511A1 (en) * 2011-07-25 2013-01-31 Industrial Technology Research Institute Transfer-bonding method for the light emitting device and light emitting device array
WO2014114731A1 (fr) * 2013-01-24 2014-07-31 Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) Procede de fabrication de diodes blanches monolithiques

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020035933A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 芝浦メカトロニクス株式会社 素子実装装置及び素子実装基板の製造方法
JP7132040B2 (ja) 2018-08-30 2022-09-06 芝浦メカトロニクス株式会社 素子実装装置及び素子実装基板の製造方法
WO2022202945A1 (ja) * 2021-03-26 2022-09-29 デクセリアルズ株式会社 表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3387882A4 (en) 2019-10-16
JP6806774B2 (ja) 2021-01-06
US20170162552A1 (en) 2017-06-08
EP3387882A1 (en) 2018-10-17
US9941262B2 (en) 2018-04-10
WO2017099905A1 (en) 2017-06-15
EP3387882B1 (en) 2021-05-12
US10229899B2 (en) 2019-03-12
US20180190633A1 (en) 2018-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6892481B2 (ja) バックプレーン上に発光ダイオードアレイを生成する方法
JP6806774B2 (ja) 基板間ｌｅｄ移送のための、孤立ｉｉｉ族窒化物光アイランド上のレーザリフトオフ
JP6853882B2 (ja) 発光ダイオード、ディスプレイデバイス、および、直視型ディスプレイデバイス
US20180175262A1 (en) Micro-lensed light emitting device
JP7312772B2 (ja) エピタキシャル窒化ガリウムベース発光ダイオード、および、その製造方法
KR102480160B1 (ko) 평면 접합면들을 갖는 led 백플레인 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191021

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191021

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20191021

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20191127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191209

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200305

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200515

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20200814

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200904

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201106

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201204

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6806774

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350