JP2018519417A - 電極 - Google Patents

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Abstract

電気的に非伝導性の材料から形成された担体層(1)に埋め込まれた合成的に製造された電気伝導性ドープダイヤモンド粒子(2)から形成された電極であって、ダイヤモンド粒子(2)が、担体層(1)の両側に突出しており、かつ170〜420μmの粒径範囲に由来するものであり、電極内のダイヤモンド粒子(2)の粒径が互いに50μm以下だけ異なる、電極。ダイヤモンド粒子(2)のうち10%以下は、特定の粒径範囲から外れた粒径を有する。【選択図】図1

Description

本発明は、電気的に非伝導性の材料から形成された担体層に埋め込まれた合成的に製造された電気伝導性ドープダイヤモンド粒子から形成された電極であって、ダイヤモンド粒子が、担体層(1)の両側に突出しており、かつ170〜420μmの粒径範囲に由来するものであり、電極内のダイヤモンド粒子の粒径が互いに50μm以下だけ異なる、電極に関する。
この種の電極は、ダイヤモンド粒子電極とも呼ばれ、例えば、国際公開第2007/116004号パンフレットから既知である。欧州特許出願公開第2631335号の文献には、この種のダイヤモンド粒子電極を製造するための複数の方法が開示されている。
ダイヤモンド粒子電極は、酸素および水素に対する高い過電圧を特徴とするため、水溶液中での多重酸化プロセスに特に適している。ダイヤモンド粒子電極を含む電解セルの特に有益な用途は、陽極酸化による水処理の分野、および合成化学の分野にある。
大いに効果的な電極を提供するためには、ダイヤモンド粒子の自由に突出している部分を、特定の担体層の厚みに合わせて調節してできる限り広くしなければならない。ここで、電極に良好な安定性を付与するためには担体層がいくらかの厚みを有しなくてはならない。
国際公開第2007/116004号パンフレット 欧州特許出願公開第2631335号
したがって、本発明の目的は、担体層から突出しているダイヤモンド粒子の部分の割合を最適化することにより、上記のタイプの電極の品質を向上させることである。
上記の目的は、ダイヤモンド粒子のうち10%以下が、特定の粒径範囲から外れた粒径を有するという点において、本発明によって達成される。
そのため、本発明に係る電極は、粒径が互いからごく僅かしかずれていないので、両側において、ダイヤモンド粒子の突出している部分の割合が高い。このようにして電極の高効率を確保することができる。
本発明の好ましい実施形態では、電極は、粒径が互いに40μm以下だけ異なるダイヤモンド粒子を含む。電極の最適な有効性のためには、ダイヤモンド粒子の粒径が互いに30μm以下だけ異なる実施形態も大いに有益である。
著しく高品質な電極の場合、ダイヤモンド粒子のうち5%以下、好ましくは3%以下が、より大きい粒径および/またはより小さい粒径を有する。本発明のさらなる特徴によれば、担体層の厚みとダイヤモンド粒子の平均粒径との比が1:3〜1:8となるように、ダイヤモンド粒子の平均粒径を担体層の厚みに合わせて調節する。
さらに好ましい実施形態によれば、電極の著しく良好な有効性のためには、担体層の両面において、ダイヤモンド粒子によって占有されていない自由表面の割合が50%以下である場合に特に有益となる。
これより、例示的実施形態を描写する概略図を参照しながら本発明のさらなる特徴、利点および詳細をより詳しく説明することにする。
図1は、電極の一部の断面図を示す。 図2は、電極の製造中の断面図を示す。
本発明は、電気化学セル(電解セル)用の電極に関する。図1に示すように、電極は、ドープされてそれゆえに電気伝導性となったダイヤモンド粒子2から構成され、当該ダイヤモンド粒子2は、プラスチックで作られた担体層1内で互いに接触せずに単一の層に埋め込まれている。ダイヤモンド粒子2は、詳しくは、高圧/高温プロセスで製造された、好ましくはホウ素でドープされた、工業用ダイヤモンドであり、したがって単結晶である。ダイヤモンド粒子2は、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、ニオブ、リチウム、硫黄または酸素でドープされたものであることもできる。
電極は、欧州特許出願公開第2631335号から既知である方法のうちの1つに従って製造することができ、これらの方法のうちの1つを要約して以下に図2を参照して説明することにする。図1に示す担体層1は、化学的に安定なポリマー、例えば、ポリテトラフルオロエチレン(テフロン)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)またはパーフルオロアルコキシアルカン(PVA)、フッ素化エチレンプロピレン(FEP)、エチレンテトラフルオロエチレン(ETFE)、エチレンクロロトリフルオロエチレン(ECTFE)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリ塩化ビニル(PVC)またはポリフェニレンスルフィド(PPS)から形成された、2つの膜4、5から製造される。同じ材料からなり、ダイヤモンド粒子2の大きさに応じて12.5〜250μm、特に25〜100μmの同一または異なる厚みを有する2つの膜4、5をそれぞれ、軟質の可撓性材料から形成された薄い補助層3に重ねる。補助層3の厚みは0.5〜3mmである。例えば、ポリテトラフルオロエチレン(テフロン)、バイトンまたはカプトン(デュポン社のフッ素系エラストマー)、ネオプレンまたはシリコーンは、可能性としての補助層3の材料である。補助層3は、膜4、5と同様に、ロール品の形態またはシートの形態で供給および使用する。
図2は、2つの膜4、5と、それらの間に配置されたダイヤモンド粒子2と、膜4、5の各々の外側に配置された補助層3とを有する、電極の製造中の構造を示す。図2に従って接合させた層を、その後に例えば従来設計のダブルベルトプレスで圧力および熱に曝露する。図2中の矢印は、ダブルベルトプレスにおいて外側から働く圧力の方向を示す。膜4、5は、圧力および熱の作用下で溶融し、互いにしっかりと連結される。それによってダイヤモンド粒子2は溶融物の両側の補助層を貫通し、結果的に補助層は各粒子を取り囲み、それによって上記粒子の表面は溶融材料で覆われることができず、それゆえ膜材料の外側に部分的に露出する。ダブルベルトプレスから出てきた材料複合物は、場合によって冷却され、補助層3が除去される。そして、材料複合物を切断して所望の大きさの電極を形成することができる。
図2に示すように、製造される電極の機械的強度を増大させるために膜4、5のうちの少なくとも1つとそれに対応する補助層3との間の1つ以上の層の中に支持層6を導入することができ、当該支持層は、支持網または支持布などとして製造されるものである。プレスプロセスの間に粒子2は支持網または支持布6も貫通する。あるいは、既に製造した電極の一方の外側または両方の外側に、支持網または支持布6を例えば積層または接着剤による結合によって適用することが可能である。プラスチック、例えば、ポリテトラフルオロエチレン(テフロン)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、パーフルオロアルコキシアルカン(PFA)、フッ素化エチレンプロピレン(FEP)、エチレンテトラフルオロエチレン(ETFE)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)もしくはポリフェニレンスルフィド(PPS)、ガラス繊維、プラスチック被覆ガラス繊維、セラミックまたは金属が、支持網または支持布6の材料として適する。この実施形態では、完成した電極は少なくとも1つの支持層を含有し、当該支持層は、電極を安定させるものであるとともに、比較的薄く作られ、とりわけより薄い膜4、5から作られることができるものである。
(1つ以上の)支持層6の材料は、膜4、5が溶融するときに(1つ以上の)支持層6が溶融しないように、融点に関して膜4、5の材料に合わせて調節される。
ダイヤモンド粒子2は、ダイヤモンド粒子2の自由に突出している部分が担体層1の特定の厚みに応じてできるだけ広くなることを確実にするために、特定の粒径範囲から選択される。この範囲が広すぎるように選択されると、担体層によって完全に覆われたままとなって効果を奏しない可能性さえある小さすぎるダイヤモンド粒子2の割合が比較的大きくなる。本発明に係る電極は、170〜420μmの粒径を有するダイヤモンド粒子2を使用して製造される。ある電極を製造するためには、粒径差が50μm以下、好ましくは40μm以下、特に好ましくは30μm以下である粒径を有するダイヤモンド粒子2を使用する。ダイヤモンド粒子2のうち10%以下、特に5%以下は、特定範囲から外れた粒径を有することができる。完成した電極において、担体層1の自由表面、すなわちそこから突出しているダイヤモンド粒子の部分によって占有されていない表面は、両面とも担体層1の全表面の50%以下でなければならない。さらに、担体層の厚みと電極に使用するダイヤモンド粒子2の平均粒径との比は1:3〜1:8でなければならない。ダイヤモンド粒子2の粒径は、それ自体既知の方法で、細かさの異なる篩を使用して篩い分けることによって、または粒子分析器によって決定される。
1 担体層
2 ダイヤモンド粒子
3 補助層
4、5 膜
6 支持層

Claims (7)

  1. 電気的に非伝導性の材料から形成された担体層(1)に埋め込まれた合成的に製造された電気伝導性ドープダイヤモンド粒子(2)から形成された電極であって、前記ダイヤモンド粒子(2)が、前記担体層(1)の両側に突出しており、かつ170〜420μmの粒径を有し、前記電極内の前記ダイヤモンド粒子(2)の粒径が互いに50μm以下だけ異なり、前記ダイヤモンド粒子(2)のうち、前記特定の粒径範囲から外れた粒径を有するものが10%以下であることを特徴とする、電極。
  2. 前記ダイヤモンド粒子(2)の粒径が互いに40μm以下だけ異なることを特徴とする請求項1に記載の電極。
  3. 前記ダイヤモンド粒子(2)の粒径が互いに30μm以下だけ異なることを特徴とする請求項1または2に記載の電極。
  4. 前記ダイヤモンド粒子(2)のうち、前記特定の粒径範囲から外れた粒径を有するものが5%以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電極。
  5. 前記担体層(1)の厚みと前記ダイヤモンド粒子(2)の平均粒径との比が1:3〜1:8であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の電極。
  6. 前記担体層(1)の両面において、前記ダイヤモンド粒子(2)によって占有されていない自由表面の割合が50%以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の電極。
  7. 前記電極が、前記電極を安定させる少なくとも1つの支持層(6)を含有していることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の電極。
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