JP2018517300A - シャロートレンチアイソレーション構造(sti)を形成する方法 - Google Patents
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Abstract
集積回路のためのトレンチアイソレーション(例えば、STI)を形成する方法は、半導体基板にわたって、パッド酸化物層、次いで、窒化物層を形成するステップと、構造を通してトレンチエッチングを行い、トレンチを形成するステップと、構造にわたってトレンチ酸化物層を堆積し、充填されたトレンチを形成するステップと、堆積された酸化物にわたって、トレンチ酸化物層に対してエッチング選択的である、犠牲平坦化層を堆積するステップと、犠牲平坦化層を除去し、トレンチ酸化物層の上側表面内の表面変動を減少させる、平坦化エッチングプロセスを行うステップと、トレンチ酸化物層に選択的であって、充填されたトレンチの外側のトレンチ酸化物層の残りの部分を除去する、酸化物エッチングプロセスを行うステップと、残りの窒化物層を除去するステップとを含む。
Description
本開示は、半導体集積回路(IC)加工に関し、より具体的には、例えば、相補的金属酸化膜半導体(CMOS)素子のためのシャロートレンチアイソレーション構造(STI)を形成する方法に関する。
シャロートレンチアイソレーション(STI)は、隣接する半導体素子構成要素間の電流漏出を防止する、集積回路特徴である。STI構造は、一般に、CMOS素子において使用され、典型的には、トランジスタが形成される前に、半導体素子加工プロセスの初期に形成される。従来のSTIプロセスの重要なステップは、シリコン基板内にトレンチのパターンをエッチングすることと、1つまたはそれを上回る誘電材料(例えば、二酸化ケイ素)を堆積し、トレンチを充填することと、化学機械的平坦化(CMP)を使用して、過剰な誘電体を除去することとを伴う。
しかしながら、従来のSTI形成に伴うCMP処理は、1つまたはそれを上回る関連問題を生じさせ得る。例えば、CMPプロセスは、有意な中心/縁間バイアスを生産し、ウエハを横断して瑕疵を生じさせるために十分な変動をもたらし得る。別の実施例として、CMPは、局在不均一性およびフィールド酸化物のディッシングを生じさせ得る。さらに、CMPプロセスは、酸化物残留物を最大活性面積上に残し得、これは、収率損失をもたらす、SiN残留物を生じさせ得る。最後に、CMPを使用した従来のSTI形成処理は、比較的多数のステップを伴う。
本開示の教示によると、トレンチアイソレーション構造、例えば、シャロートレンチアイソレーション(STI)が、CMPを使用せずに、および/または従来の技法と比較して減少された数のステップを用いて形成されることができる。
一実施形態では、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造(例えば、STI)を形成する方法は、半導体基板にわたって薄パッド酸化物層、次いで、窒化物層を形成するステップと、窒化物層、パッド酸化物、および半導体基板の一部を通してトレンチエッチングプロセスを行い、トレンチを形成するステップと、窒化物層の残りの部分にわたってトレンチ酸化物層を堆積し、トレンチの中に延在させ、充填されたトレンチを形成するステップと、堆積された酸化物にわたって犠牲平坦化層を堆積するステップであって、犠牲平坦化層は、トレンチ酸化物層に対してエッチング選択的である、ステップと、犠牲平坦化層を除去し、トレンチ酸化物層の上側表面内の表面変動を減少させる、平坦化エッチングプロセスを行うステップと、充填されたトレンチの外側のトレンチ酸化物層の残りの部分を除去するためにトレンチ酸化物層に対して選択的である、酸化物エッチングプロセスを行うステップと、充填されたトレンチの残りの酸化物が、半導体基板の暴露された上側表面の上方に突出するトレンチアイソレーション構造を画定するように、窒化物層の残りの部分を除去する、窒化物除去プロセスを行うステップとを含む。本技法は、当然ながら、所望に応じて、複数のトレンチアイソレーション構造を形成するために使用されることができる。
別の実施形態では、半導体ダイは、半導体基板と、半導体基板にわたって薄パッド酸化物層、次いで、窒化物層を形成するステップと、窒化物層、パッド酸化物、および半導体基板の一部を通してトレンチエッチングプロセスを行い、複数のトレンチを形成するステップと、窒化物層の残りの部分にわたってトレンチ酸化物層を堆積し、トレンチの中に延在させ、複数の充填されたトレンチを形成するステップと、堆積された酸化物にわたって犠牲平坦化層を堆積するステップであって、犠牲平坦化層は、トレンチ酸化物層に対してエッチング選択的である、ステップと、犠牲平坦化層を除去し、トレンチ酸化物層の上側表面内の表面変動を減少させる、平坦化エッチングプロセスを行うステップと、充填されたトレンチの外側のトレンチ酸化物層の残りの部分を除去するためにトレンチ酸化物層に対して選択的である、酸化物エッチングプロセスを行うステップと、各充填されたトレンチの残りの酸化物が、半導体基板の暴露された上側表面の上方に突出するトレンチアイソレーション構造を画定するように、窒化物層の残りの部分を除去する、窒化物除去プロセスを行うステップとを含む、プロセスによって、半導体基板内に形成される複数のトレンチアイソレーション構造(例えば、STI)とを含んでもよい。
他の実施形態では、CMOS素子は、前述のように形成される複数のトレンチアイソレーション構造を含む、半導体構造を含む。
いくつかの実施形態では、犠牲平坦化層は、有機ケイ酸塩を含む。特定の実施形態では、犠牲平坦化層は、例えば、化学式RxCH3ySiOzによる、有機シロキサン系ポリマーを含み、Rは、有機発色団である。例えば、いくつかの実施形態では、犠牲平坦化層は、101 Columbia Rd, Morristown, NJ 07960に所在地を有する、Honeywell Electronic Materialsによって供給される、DUO(TM)193またはDUO(TM)248反射防止コーティングを含んでもよい。
例示的実施形態が、図面を参照して以下に議論される。
本開示の教示によると、レンチアイソレーション構造、例えば、シャロートレンチアイソレーション(STI)が、CMPを使用せずに、および/または従来の技法と比較して減少された数のステップを用いて、形成されることができる。そのようなプロセスは、CMP処理に関連する1つまたはそれを上回る問題を低減もしくは排除し得、および/またはSTIを形成するコストならびに複雑性を低減させ得る。
ここで図面を参照すると、具体的例示的実施形態の詳細が、概略的に図示される。図面中の同様の要素は、同様の番号によって表され、類似要素は、異なる小文字添字を伴う同様の番号によって表されるであろう。
図1A−1Hは、例示的実施形態による、集積回路、例えば、CMOS素子のためのトレンチアイソレーション構造(例えば、STI)を形成するス例示的プロセスのステップを図示する。
図1Aに示されるように、集積回路構造10は、ウエハ表面上に形成される、半導体基板12、例えば、シリコン(Si)基板を含む。酸化物層13、例えば、二酸化ケイ素(SiO2)の薄パッド酸化物層が、半導体基板12にわたって形成または堆積され、基板に対する窒化物の応力/接着を支援する。窒化物層16、例えば、窒化ケイ素(SiN)が、パッド酸化物層13にわたって堆積され、トレンチエッチングプロセス、例えば、STIエッチングが、任意の好適なフォトリソグラフィ技法を使用して、窒化物層16、パッド酸化物層13、および半導体基板12の一部を通して行われ、1つまたはそれを上回るトレンチ20を形成する。酸化物層13は、窒化物層16に先立って形成または堆積され、基板に対する窒化物の応力/接着を支援し、堆積された窒化物層16の厚さの約1/10の厚さを有してもよい。エッチング後、線形酸化は、線形酸化物層14を半導体基板12の暴露された表面上に形成し得る。
図1Bに示されるように、トレンチ酸化物層24、例えば、二酸化ケイ素(SiO2)が、構造にわたって堆積され、エッチングトレンチ20の中に延在し、充填されたトレンチを形成する。いくつかの実施形態では、トレンチ酸化物層24は、高密度プラズマ化学蒸着(HDP CVD)によって堆積される。示されるように、堆積されたトレンチ酸化物層24は、例えば、下層構造のトポグラフィに起因して、非平坦トポグラフィを有し得る。特に、トレンチ酸化物層24のトポグラフィは、いくつかの上向きに突出または延在する特徴または領域26を画定し得る。
図1Cに示されるように、犠牲平坦化層30が、トレンチ酸化物層24にわたって堆積される。犠牲平坦化層30は、トレンチ酸化物層24に対してエッチング選択的である。いくつかの実施形態では、平坦化層は、有機ケイ酸塩を含む。例えば、平坦化層30は、有機シロキサン系ポリマー、例えば、化学式RxCH3ySiOzを伴う有機シロキサン系ポリマーを含んでもよく、Rは、有機発色団である。例示的実施形態では、犠牲平坦化層30は、101 Columbia Rd, Morristown, NJ 07960に所在地を有する、Honeywell Electronic Materialsによって供給される、DUO(TM)193またはDUO(TM)248反射防止コーティングを含む。平坦化層30は、任意の好適な様式で堆積されてもよい。いくつかの実施形態では、平坦化層30は、トレンチ酸化物層24にわたってスピンコーティングされ、これは、部分的平坦化効果を提供する。
平坦化エッチングプロセスが、次いで、例えば、上向きに突出または延在する特徴または領域26を低減もしくは排除することによって、犠牲平坦化層30を除去し、トレンチ酸化物層24の上側表面内の表面変動を減少させるために行われる。平坦化エッチングプロセスは、単一エッチングプロセスまたは一連の異なるエッチングプロセスを含んでもよい。以下に議論される実施例では、図1Dおよび1Eに示される平坦化エッチングプロセスは、3つの異なるエッチングを伴う。
図1Dを参照すると、ウエハは、最初に、平坦化層を開放するための調整エッチング、次いで、トレンチ酸化物層24に対して選択的である短い酸化物エッチングを伴う、酸化物エッチング剤中でエッチングされる。第2のエッチングは、上向きに突出する酸化物面積26をエッチングさせるであろう一方、酸化物層24の下側フィールド面積は、犠牲平坦化層30によって保護される。一実施形態では、第2のエッチングは、最高点26がバルク平坦化層30と略同じ高さになると停止される。
本書では、第2の物質/層より高速の第1の物質/層を通してエッチングするエッチングプロセスは、第2の物質/層より第1の物質/層「に対して選択的である」と言われる。
図1Eを参照すると、第3のエッチングが、次いで、行われ、これは、トレンチ酸化物層24および犠牲平坦化層30に対して非選択的であって、平坦化層30が除去されるまで、トレンチ酸化物層24および犠牲平坦化層30を類似率で除去する。本エッチングは、図1Eに示されるように、窒化物層16に到達する前に停止され得る。
図1Fに示されるように、トレンチ酸化物層24に対して高度に選択的である酸化物エッチングが、次いで、行われ、充填されたトレンチ20の外側のトレンチ酸化物層24の残りの部分を除去し、それによって、フィールド酸化物40を各トレンチ20内に画定する。いくつかの実施形態では、画定された量のオーバーエッチングが、行われ、フィールド酸化物40を掘溝し、残りの窒化物層16上のいかなる残留物も一掃し得る。
図1Gに示されるように、随意の湿式エッチングが、行われ、窒化物層16上の酸化物残留物を除去する、および/またはフィールド酸化物40の高さを制御する。湿式エッチングは、図1Gに距離D1として示される、基板12の上部に対するフィールド酸化物40の画定された高さを提供するように設計されてもよく、その高さは、後続処理ステップと関連付けられた高さ減少の知識に基づいて、図1Hに距離D2として示される、フィールド酸化物40の最終高さを提供するために選択されてもよい。
図1Hに示されるように、窒化物層16は、次いで、任意の好適な除去プロセスを使用して、例えば、フィールド酸化物40および基板12の材料より窒化物層16に対して選択的であるエッチングによって、除去される。示されるように、残りのフィールド酸化物40、すなわち、トレンチアイソレーション構造は、D2に示される標的ステップ高さ、すなわち、基板12の上部表面52に対するフィールド酸化物40の上部表面の高さだけ、半導体基板12の暴露された上側表面の上方に突出し得る。いくつかの実施形態では、フィールド酸化物40のステップ高さD2および/または上部形状は、所望に応じて、任意の好適なプロセス、例えば、プラズマエッチング、湿式エッチングを行うことによって、または長期湿式除去プロセス(例えば、湿式SiN除去)を実行することによって、窒化物層16の残りの部分を除去するように制御されてもよい。
したがって、いくつかの実施形態では、トレンチアイソレーション構造40(例えば、STI)は、任意の化学機械的平坦化(CMP)プロセスを使用せずに形成され得、これは、前述のように、種々の利点を提供し得る。窒化物除去ステップはまた、随意の湿式エッチングがスキップさる場合、平坦化エッチングの残りを用いて、原位置で行われてもよく、それによって、ステップの総数をさらに減少させる。
図2は、図1A−1Hに対応する例示的実施形態による、集積回路、例えば、CMOS素子のためのシャロートレンチアイソレーションを形成する例示的方法100のフローチャートである。ステップ102では、シリコン基板が、ウエハ上に形成される。ステップ104では、パッド酸化プロセスが、シリコン基板の表面にわたってパッド酸化物を形成する。ステップ106では、窒化ケイ素層が、シリコン基板にわたって堆積される。ステップ108では、トレンチエッチング、例えば、STIエッチングが、行われ、複数のトレンチを形成する。ステップ109では、線形酸化プロセスが、線形酸化物を形成されたトレンチ内に形成する。ステップ110では、二酸化ケイ素層(トレンチ酸化物層)が、高密度プラズマ化学蒸着(HDP CVD)によって、ウエハにわたって堆積され、エッチングされたトレンチを充填する。堆積された二酸化ケイ素層は、例えば、下層構造のトポグラフィに起因して、非平面トポグラフィを有し得る。特に、二酸化ケイ素層は、いくつかの上向きに突出または延在する特徴もしくは領域を画定し得る。
ステップ112では、有機シロキサン系ポリマー(例えば、DUO(TM)193またはDUO(TM)248)の犠牲平坦化層が、二酸化ケイ素層にわたって堆積される。ステップ114では、調整エッチングが、犠牲平坦化層を開放するために行われ、その後、ステップ116において、二酸化ケイ素層に対して選択的である短い酸化物エッチングが続く。ステップ116におけるエッチングは、少なくとも部分的に、二酸化ケイ素の上向きに突出する面積をエッチングし得る一方、二酸化ケイ素の下側面積は、犠牲平坦化層によって保護される。ステップ118では、非選択的エッチングが、犠牲平坦化層が除去されるまで、二酸化ケイ素層および犠牲平坦化層を通して類似率でエッチングするために行われる。本エッチングは、下層窒化ケイ素層に到達する前に、停止され得る。
ステップ120では、二酸化ケイ素に対して高度に選択的である酸化物エッチングが、次いで、行われ、充填されたトレンチの上方および外側の二酸化ケイ素層の部分を除去し、それによって、フィールド酸化物を各トレンチ内に画定する。いくつかの実施形態では、画定された量のオーバーエッチングが、行われ、これは、フィールド酸化物を掘溝し、残りの窒化ケイ素層上のいかなる残留物も一掃し得る。ステップ122では、随意の湿式エッチングが、行われ、残りの窒化ケイ素層上の酸化物残留物を除去し、および/またはフィールド酸化物の高さを制御する。ステップ124では、窒化ケイ素層は、任意の好適な除去プロセス、例えば、二酸化ケイ素フィールド酸化物およびシリコン基板より窒化ケイ素に対して選択的であるエッチングを使用して除去される。残りのフィールド酸化物、すなわち、トレンチアイソレーション構造が、標的ステップ高さだけ、シリコン基板の暴露された上側表面の上方に突出し得、これは、所望に応じて、任意の好適な仕上げプロセスを使用して、制御または成形されてもよい。
したがって、このように、シャロートレンチアイソレーションは、任意の化学機械的平坦化(CMP)プロセスを使用せずに形成され得、これは、前述のように、種々の利点を提供し得る。
図3A−3Hは、集積回路、例えば、CMOS素子のためのトレンチアイソレーション構造(例えば、STI)を形成するためのプロセスの別の例示的実施形態のステップを図示する。
プロセスの初期ステップは、前述の実施形態のものに類似し得る。したがって、図3A−3Cに対応するステップは、前述の図1A−1Cのものに類似し得る。
図3Aに示されるように、集積回路構造10は、ウエハ表面上に形成される、半導体基板12、例えば、シリコン(Si)基板を含む。酸化物層13、例えば、二酸化ケイ素(SiO2)の薄パッド酸化物層が、半導体基板12にわたって形成または堆積され、基板への窒化物の応力/接着を支援する。窒化物層16、例えば、窒化ケイ素(SiN)が、パッド酸化物層13にわたって堆積され、トレンチエッチングプロセス、例えば、STIエッチングが、窒化物層16、パッド酸化物層13、および半導体基板12の一部を通して行われ、例えば、図1Aを参照して前述のように、任意の好適なフォトリソグラフィ技法を使用して、1つまたはそれを上回るトレンチ20を形成する。エッチング後、線形酸化は、線形酸化物層14を半導体基板12の暴露された表面上に形成し得る。
図3Bに示されるように、トレンチ酸化物層24、例えば、二酸化ケイ素(SiO2)が、構造にわたって堆積され、各トレンチ20の中に延在し、充填されたトレンチを形成する。いくつかの実施形態では、トレンチ酸化物層24は、高密度プラズマ化学蒸着(HDP CVD)によって堆積される。示されるように、堆積されたトレンチ酸化物層24は、例えば、下層構造のトポグラフィに起因して、非平面トポグラフィを有し得る。特に、トレンチ酸化物層24のトポグラフィは、いくつかの上向きに突出または延在する特徴または領域26を画定し得る。
図3Cに示されるように、犠牲平坦化層30が、トレンチ酸化物層24にわたって堆積される。犠牲平坦化層30は、トレンチ酸化物層24に対してエッチング選択的である。いくつかの実施形態では、平坦化層は、有機ケイ酸塩を含む。例えば、平坦化層30は、有機シロキサン系ポリマー、例えば、化学式RxCH3ySiOzを伴う有機シロキサン系ポリマーを含んでもよく、Rは、有機発色団である。例示的実施形態では、犠牲平坦化層30は、例えば、図1Aを参照して前述のように、DUO(TM)193またはDUO(TM)248反射防止コーティングを含む。平坦化層30は、任意の好適な様式で堆積されてもよい。いくつかの実施形態では、平坦化層30は、トレンチ酸化物層24にわたってスピンコーティングされ、これは、部分的平坦化効果を提供する。
一連のエッチングが、次いで、以下に議論されるように、トレンチアイソレーション構造をトレンチ20内に形成するために行われ、これは、トレンチアイソレーション構造を形成するプロセスにおいて、犠牲平坦化層30を除去し、例えば、上向きに突出または延在する特徴または領域26を低減もしくは排除することによって、トレンチ酸化物層24の上側表面内の表面変動を減少させる。
図3Dを参照すると、概して、非選択的エッチング(例えば、DUO(TM)コーティングを使用する実施形態では、DUOエッチングと称され得る)が、行われ、これは、トレンチ酸化物層24および犠牲平坦化層30、例えば、DUO(TM)コーティング(および関連する場合、窒化物層16)を同一または略同一率でエッチングする。本略非選択的エッチングは、図3Dに示されるように、犠牲平坦化層30の一部を構造の低位面積、例えば、トレンチ20の上方に残し得る。エッチングは、トレンチ酸化物層24の上向きに突出する酸化物面積26の部分を除去し得る一方、酸化物層24の下側フィールド面積は、犠牲平坦化層30によって保護される。一実施形態では、第2のエッチングは、最高点26がバルク平坦化層30と略同じ高さになると停止される。
図3Eを参照すると、酸化物エッチングが、行われ、これは、犠牲平坦化層30および窒化物層16よりトレンチ酸化物層24に対して選択的である。示されるように、酸化物エッチングは、犠牲平坦化層30をトレンチ面積にわたって残し得る一方、図3Dに示される領域26(例えば、窒化物層16の上方領域)は、犠牲平坦化層30の下方の深度までエッチングされる。
図3Fを参照すると、第2の非選択的または略非選択的一掃エッチングが、次いで、行われ、これは、特に、トレンチ20(フィールド酸化物)にわたって平面化し、残りの犠牲平坦化層30を全面積から除去し得る。いくつかの実施形態では、本エッチングは、図3Eに示されるように、窒化物層16に到達する前に停止され得る。
図3Gに示されるように、犠牲平坦化層30および窒化物層16よりトレンチ酸化物層24に対して選択的である、酸化物エッチングが、次いで、行われ、充填されたトレンチ20の外側のトレンチ酸化物層24の残りの部分を除去し、それによって、フィールド酸化物40を各トレンチ20内に画定する。いくつかの実施形態では、画定された量のオーバーエッチングが、行われ、これは、フィールド酸化物40を掘溝し、それによって、最終フィールド酸化物高さを設定し、残りの窒化物層16上のいかなる残留物も一掃し得る。
図3Hに示されるように、窒化物層16が、次いで、任意の好適な除去プロセスを使用して、例えば、フィールド酸化物40および基板12の材料より窒化物層16に対して選択的であるエッチング(例えば、SiNエッチング)によって、除去される。示されるように、残りのフィールド酸化物40、すなわち、トレンチアイソレーション構造は、D2に示される標的ステップ高さ、すなわち、基板12の上部表面52に対するフィールド酸化物40の上部表面の高さだけ、半導体基板12の暴露された上側表面の上方に突出し得る。いくつかの実施形態では、フィールド酸化物40のステップ高さD2および/または上部形状は、所望に応じて、任意の好適なプロセス、例えば、プラズマエッチング、湿式エッチングを行うことによって、または長期湿式除去プロセス(例えば、湿式SiN除去)を実行することによって、窒化物層16の残りの部分を除去するように制御されてもよい。
したがって、いくつかの実施形態では、トレンチアイソレーション構造40(例えば、STI)は、任意の化学機械的平坦化(CMP)プロセスを使用せずに形成され得、これは、前述のように、種々の利点を提供し得る。窒化物除去ステップはまた、随意の湿式エッチングがスキップされる場合、平坦化エッチングの残りを用いて、原位置で行われてもよく、それによって、ステップの総数をさらに減少させる。
図3Gに示される酸化物エッチングが、スキップされる、または平坦化エッチングプロセスに含まれる、いくつかの実施形態では、図3Hに示される最終窒化物エッチングは、平坦化エッチングプロセスを用いて、原位置で完了されることができる。
図4は、図3A−3Hに対応する例示的実施形態による、集積回路、例えば、CMOS素子のためのシャロートレンチアイソレーションを形成する例示的方法200のフローチャートである。
ステップ202−210におけるステップ202では、シリコン基板が、ウエハ上に形成される。ステップ204では、パッド酸化プロセスが、シリコン基板の表面にわたってパッド酸化物を形成する。ステップ206では、窒化ケイ素層が、シリコン基板にわたって堆積される。ステップ208では、トレンチエッチング、例えば、STIエッチングが、行われ、複数のトレンチを形成する。ステップ209では、線形酸化プロセスが、線形酸化物を形成されたトレンチ内に形成する。ステップ210では、二酸化ケイ素層(トレンチ酸化物層)が、高密度プラズマ化学蒸着(HDP CVD)によって、ウエハにわたって堆積され、エッチングされたトレンチを充填する。堆積された二酸化ケイ素層は、例えば、下層構造のトポグラフィに起因して、非平面トポグラフィを有し得る。特に、二酸化ケイ素層は、いくつかの上向きに突出または延在する特徴もしくは領域を画定し得る。
ステップ112では、有機シロキサン系ポリマー(例えば、DUO(TM)193またはDUO(TM)248)の犠牲平坦化層が、二酸化ケイ素層にわたって堆積される。ステップ214では、非選択的エッチング(例えば、DUOエッチング)が、行われ、二酸化ケイ素層の高いまたは上向きに突出する領域を除去し、犠牲平坦化層の部分的深度を除去する。ステップ214におけるエッチングは、少なくとも部分的に、二酸化ケイ素の上向きに突出する面積をエッチングし得る一方、二酸化ケイ素の下側面積は、犠牲平坦化層によって保護される。ステップ216では、選択的酸化物エッチングが、行われ、二酸化ケイ素層の一部を残りの犠牲平坦化層の下方のある深度までエッチングする。ステップ218では、非選択的「一掃」エッチングが、行われ、特に、トレンチ(フィールド酸化物)にわたって構造を平面化し、犠牲平坦化層の任意の残りの部分を除去する。本エッチングは、下層窒化ケイ素層に到達する前に、停止され得る。
ステップ220では、二酸化ケイ素に対して高度に選択的である酸化物エッチングが、次いで、行われ、充填されたトレンチの上方および外側の二酸化ケイ素層の部分を除去し、それによって、フィールド酸化物を各トレンチ内に画定する。いくつかの実施形態では、画定された量のオーバーエッチングが、行われ、これは、フィールド酸化物を掘溝し、残りの窒化ケイ素層上のいかなる残留物も一掃し得る。ステップ224では、窒化ケイ素層が、任意の好適な除去プロセス、例えば、二酸化ケイ素フィールド酸化物およびシリコン基板より窒化ケイ素に対して選択的であるSiNエッチングを使用して除去される。残りのフィールド酸化物、すなわち、トレンチアイソレーション構造が、標的ステップ高さだけ、シリコン基板の暴露された上側表面の上方に突出し得、これは、所望に応じて、任意の好適な仕上げプロセスを使用して、制御または成形されてもよい。
したがって、このように、シャロートレンチアイソレーションは、任意の化学機械的平坦化(CMP)プロセスを使用せずに形成され得、これは、前述のように、種々の利点を提供し得る。
開示される実施形態は、本開示において詳細に説明されるが、種々の変更、代用、および改変が、その精神および範囲から逸脱することなく、実施形態に行われることができることを理解されたい。
Claims (28)
- 集積回路のためのトレンチアイソレーション構造を形成する方法であって、
半導体基板にわたって窒化物層を形成するステップと、
前記窒化物層および前記半導体基板の一部を通してトレンチエッチングプロセスを行い、トレンチを形成するステップと、
前記窒化物層の残りの部分にわたってトレンチ酸化物層を堆積し、前記トレンチの中に延在させ、充填されたトレンチを形成するステップと、
前記トレンチ酸化物層にわたって犠牲平坦化層を堆積するステップであって、前記犠牲平坦化層は、前記トレンチ酸化物層に対してエッチング選択的である、ステップと、
多重ステップエッチングプロセスを行うステップであって、
前記犠牲平坦化層を除去し、前記トレンチ酸化物層の上側表面内の表面変動を減少させ、
前記充填されたトレンチの外側の前記トレンチ酸化物層の残りの部分を除去する、ステップと、
前記充填されたトレンチの残りの酸化物が、前記半導体基板の暴露された上側表面の上方に突出するトレンチアイソレーション構造を画定するように、前記窒化物層の残りの部分を除去するステップと
を含む、方法。 - 多重ステップエッチングプロセスは、
(a)前記犠牲平坦化層を除去し、前記トレンチ酸化物層の上側表面内の表面変動を減少させる、平坦化エッチングプロセスと、
(b)前記充填されたトレンチの外側の前記トレンチ酸化物層の残りの部分を除去するために前記トレンチ酸化物層に対して選択的である、酸化物エッチングプロセスと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記トレンチエッチングプロセスは、複数のトレンチを形成し、
前記トレンチ酸化物層は、前記複数のトレンチの中に堆積され、複数の充填されたトレンチを形成し、
前記酸化物エッチングプロセスは、前記複数の充填されたトレンチの外側の前記トレンチ酸化物層の残りの部分を除去し、
前記窒化物除去プロセスは、前記複数の充填されたトレンチのそれぞれの前記残りの酸化物が、前記半導体基板の暴露された上側表面の上方に突出するトレンチアイソレーション構造を画定するように、前記窒化物層の残りの部分を除去する、請求項1または請求項2に記載の方法。 - 前記平坦化エッチングプロセスは、
前記トレンチ酸化物層にわたる前記平坦化層に対して選択的である、第1のエッチングと、
前記平坦化層にわたる前記トレンチ酸化物層に対して選択的である、第2のエッチングと、
前記第1のエッチングより選択的ではない、第3のエッチングと
を含み、
前記第2のエッチングは、前記平坦化層が除去されるまで、前記トレンチ酸化物層および前記平坦化層を類似率で除去する、請求項2または請求項3に記載の方法。 - 前記酸化物エッチングプロセスは、酸化物充填トレンチの上部表面が、前記酸化物充填トレンチに隣接する前記窒化物層の残りの部分の上部表面の下方に所定の距離までエッチングされるまで行われる、請求項2−4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記酸化物エッチングプロセスは、酸化物充填トレンチの上部表面が、前記酸化物充填トレンチに隣接する前記半導体基板の上部表面の上方に所定の距離までエッチングされるまで行われる、請求項2−4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記多重ステップエッチングプロセスは、多重ステップ平坦化エッチングプロセスを含み、
前記窒化物層の残りの部分を除去するステップは、前記多重ステップ平坦化エッチングプロセスによって行われる、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。 - 多重ステップエッチングプロセスは、4ステップ平坦化エッチングプロセスを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記多重ステップ平坦化エッチングプロセスは、酸化物充填トレンチの上部表面が、前記酸化物充填トレンチに隣接する前記半導体基板の上部表面の上方に所定の距離までエッチングされるまで行われる、酸化物に対して選択的であるエッチングを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記平坦化層は、有機ケイ酸塩を含む、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
- 前記平坦化層は、有機シロキサン系ポリマーを含む、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
- 前記有機ケイ酸塩は化学式RxCH3ySiOzを伴う有機シロキサン系ポリマーを含み、Rは、有機発色団である、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
- 前記平坦化層は、前記堆積された酸化物にわたってスピンコーティングされる、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
- 前記方法は、化学機械的平坦化(CMP)プロセスを伴わずに行われる、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
- 半導体基板にわたって前記窒化物層を形成するステップは、前記半導体基板にわたって薄パッド酸化物を形成し、続いて、前記薄パッド酸化物にわたって前記窒化物層を形成するステップを含む、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。
- 半導体ダイであって、
半導体基板と、
複数のトレンチアイソレーション構造と
を備え、
前記複数のトレンチアイソレーション構造は、
前記半導体基板にわたって窒化物層を形成するステップと、
前記窒化物層および前記半導体基板の一部を通してトレンチエッチングプロセスを行い、複数のトレンチを形成するステップと、
前記窒化物層の残りの部分にわたってトレンチ酸化物層を堆積し、前記複数のトレンチの中に延在させ、複数の充填されたトレンチを形成するステップと、
前記堆積された酸化物にわたって犠牲平坦化層を堆積するステップであって、前記犠牲平坦化層は、前記トレンチ酸化物層に対してエッチング選択的である、ステップと、
多重ステップエッチングプロセスを行うステップであって、
前記犠牲平坦化層を除去し、前記トレンチ酸化物層の上側表面内の表面変動を減少させ、
前記複数の充填されたトレンチの外側の前記トレンチ酸化物層の残りの部分を除去する、ステップと、
各充填されたトレンチの残りの酸化物が、前記半導体基板の暴露された上側表面の上方に突出するトレンチアイソレーション構造を画定するように、前記窒化物層の残りの部分を除去するステップと
を含むプロセスによって、前記半導体基板内に形成される、半導体ダイ。 - 多重ステップエッチングプロセスは、
(c)前記犠牲平坦化層を除去し、前記トレンチ酸化物層の上側表面内の表面変動を減少させる、平坦化エッチングプロセスと、
(d)前記充填されたトレンチの外側の前記トレンチ酸化物層の残りの部分を除去するために前記トレンチ酸化物層に対して選択的である、酸化物エッチングプロセスと
を含む、請求項16に記載の半導体ダイ。 - 前記平坦化エッチングプロセスは、
前記トレンチ酸化物層にわたる前記平坦化層に対して選択的である、第1のエッチングと、
前記平坦化層にわたる前記トレンチ酸化物層に対して選択的である、第2のエッチングと、
前記第1のエッチングより選択的ではない、第3のエッチングと
を含み、
前記第2のエッチングは、前記平坦化層が除去されるまで、類似率で前記トレンチ酸化物層および前記平坦化層を除去する、請求項17に記載の半導体ダイ。 - 前記酸化物エッチングプロセスは、酸化物充填トレンチの上部表面が、前記酸化物充填トレンチに隣接する前記窒化物層の残りの部分の上部表面の下方に所定の距離までエッチングされるまで行われる、請求項17に記載の半導体ダイ。
- 前記酸化物エッチングプロセスは、酸化物充填トレンチの上部表面が、前記酸化物充填トレンチに隣接する前記半導体基板の上部表面の上方に所定の距離までエッチングされるまで行われる、請求項17に記載の半導体ダイ。
- 前記多重ステップエッチングプロセスは、多重ステップ平坦化エッチングプロセスを含み、
前記窒化物層の残りの部分を除去するステップは、前記多重ステップ平坦化エッチングプロセスによって行われる、
請求項16−20のいずれか1項に記載の半導体ダイ。 - 多重ステップエッチングプロセスは、4ステップ平坦化エッチングプロセスを含む、請求項16−21のいずれか1項に記載の半導体ダイ。
- 前記多重ステップ平坦化エッチングプロセスは、酸化物充填トレンチの上部表面が、前記酸化物充填トレンチに隣接する前記半導体基板の上部表面の上方に所定の距離までエッチングされるまで行われる、酸化物に対して選択的であるエッチングを含む、請求項21に記載の半導体ダイ。
- 前記平坦化層は、有機シロキサン系ポリマーを含む、請求項16−23のいずれか1項に記載の半導体ダイ。
- 前記有機ケイ酸塩は、化学式RxCH3ySiOzを伴う有機シロキサン系ポリマーを含み、Rは、有機発色団である、請求項16−24のいずれか1項に記載の半導体ダイ。
- 前記方法は、化学機械的平坦化(CMP)プロセスを伴わずに行われる、請求項16−25のいずれか1項に記載の半導体ダイ。
- 相補的金属酸化物半導体(CMOS)素子であって、
半導体基板と、
複数のトレンチアイソレーション構造と
を備える半導体構造を備え、
前記複数のトレンチアイソレーション構造は、
前記半導体基板にわたって窒化物層を形成するステップと、
前記窒化物層および前記半導体基板の一部を通してトレンチエッチングプロセスを行い、複数のトレンチを形成するステップと、
前記窒化物層の残りの部分にわたってトレンチ酸化物層を堆積し、前記複数のトレンチの中に延在させ、複数の充填されたトレンチを形成するステップと、
前記堆積された酸化物にわたって犠牲平坦化層を堆積するステップであって、前記犠牲平坦化層は、前記トレンチ酸化物層に対してエッチング選択的である、ステップと、
多重ステップエッチングプロセスを行うステップであって、
前記犠牲平坦化層を除去し、前記トレンチ酸化物層の上側表面内の表面変動を減少させ、
前記複数の充填されたトレンチの外側の前記トレンチ酸化物層の残りの部分を除去する、ステップと、
各充填されたトレンチの残りの酸化物が、前記半導体基板の暴露された上側表面の上方に突出するトレンチアイソレーション構造を画定するように、前記窒化物層の残りの部分を除去するステップと
を含むプロセスによって、前記半導体基板内に形成される、CMOS素子。 - 前記平坦化層は、有機シロキサン系ポリマーを含む、請求項27に記載のCMOS素子。
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