JP2018194675A

JP2018194675A - 光素子実装装置及び光素子実装方法

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Publication number: JP2018194675A
Application number: JP2017098124A
Authority: JP
Inventors: 松田　学; Manabu Matsuda; 松田　　学
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2017-05-17
Filing date: 2017-05-17
Publication date: 2018-12-06

Abstract

【課題】発光素子に電流を供給できるようにしてアクティブアライメントを行なえるようにし、発光素子と他の光素子の位置合わせを十分な精度で行なえるようにする。【解決手段】光素子実装装置を、発光素子１を保持する保持部２と、発光素子からの光を結合させる光導波路を備える光素子３が載置されるステージ４と、アクティブアライメントを行なう際に発光素子に電流を供給する電流源５と、発光素子が保持部に保持された状態で発光素子の第１電極６と電流源の第１端子を接続する第１電源配線７と、発光素子の第２電極８に接続される光素子の電極９から延びる引出配線１０と電流源の第２端子を接続する第２電源配線１１とを備えるものとする。【選択図】図１

Description

本発明は、光素子実装装置及び光素子実装方法に関する。

従来、発光素子を光らせることなく発光素子と他の光素子の位置合わせを行なうパッシブアライメントがある。
また、発光素子を光らせ、発光素子からの光を他の光素子に結合させ、他の光素子から出力される光をモニタして、発光素子と他の光素子の位置合わせを行なうアクティブアライメントもある。

特開２００４−１０９２５５号公報特開昭６２−２１９９７４号公報

しかしながら、パッシブアライメントでは、位置合わせを十分な精度で行なうのは難しい。
一方、アクティブアライメントでは、発光素子を光らせるために発光素子に電流を供給する必要がある。
しかしながら、アクティブアライメントを行なうべく、他の光素子上に発光素子を載せた状態では、発光素子の下側の間隙は狭く、発光素子の下側の電極に電源配線を接続するのが難しく、発光素子に電流を供給するのが難しいため、アクティブアライメントを行なうのが困難である。

本発明は、発光素子に電流を供給できるようにしてアクティブアライメントを行なえるようにし、発光素子と他の光素子の位置合わせを十分な精度で行なえるようにすることを目的とする。

１つの態様では、光素子実装装置は、発光素子を保持する保持部と、発光素子からの光を結合させる光導波路を備える光素子が載置されるステージと、アクティブアライメントを行なう際に発光素子に電流を供給する電流源と、発光素子が保持部に保持された状態で発光素子の第１電極と電流源の第１端子を接続する第１電源配線と、発光素子の第２電極に接続される光素子の電極から延びる引出配線と電流源の第２端子を接続する第２電源配線とを備える。

１つの態様では、光素子実装方法は、保持部によって発光素子を保持して、発光素子の第１電極と電流源の第１端子を第１電源配線によって接続し、発光素子からの光を結合させる光導波路を備え、ステージ上に載置された光素子の電極から延びる引出配線と電流源の第２端子を第２電源配線によって接続し、発光素子の第２電極と光素子の電極を接続することによって電流源から発光素子に電流を供給してアクティブアライメントを行なって、光素子に発光素子を実装する。

１つの側面として、発光素子に電流を供給してアクティブアライメントを行なうことができ、発光素子と他の光素子の位置合わせを十分な精度で行なえるという効果を有する。

本実施形態にかかる光素子実装装置の構成を示す模式的断面図である。本実施形態にかかる光素子実装装置による実装方法を説明するための模式的断面図である。本実施形態にかかる光素子実装装置の構成及び光素子の構成を示す模式的平面図である。本実施形態にかかる光素子実装装置による実装方法を説明するための模式的断面図である。本実施形態にかかる光素子実装装置による実装方法を説明するための模式的断面図である。本実施形態にかかる光素子実装装置による実装方法を説明するための模式的断面図である。本実施形態にかかる光素子実装装置による実装方法を説明するための模式的断面図である。本実施形態にかかる光素子実装装置による実装方法を説明するための模式的断面図である。本実施形態にかかる光素子実装装置による実装方法を説明するための模式的断面図である。本実施形態にかかる光素子実装装置の第１具体例の構成を示す模式的断面図である。本実施形態にかかる光素子実装装置の第１具体例の構成を示す模式的断面図である。本実施形態にかかる光素子実装装置の第１具体例の構成を示す模式的断面図である。本実施形態にかかる光素子実装装置の第２具体例の構成を示す模式的断面図である。本実施形態にかかる光素子実装装置の第２具体例の構成を示す模式的断面図である。本実施形態にかかる光素子実装装置の第２具体例の構成を示す模式的断面図である。（Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態にかかる光素子実装装置の第１及び第２具体例に備えられるコレットの構成を示す模式図である。シリコンプラットフォーム上にＳＯＡを集積した光集積素子である波長可変レーザの構成を示す模式的平面図である。シリコンプラットフォーム上にＳＯＡを集積した光集積素子である波長可変レーザの構成を示す模式的平面図である。（Ａ）、（Ｂ）は、シリコンプラットフォーム上にＳＯＡを集積した光集積素子である波長可変レーザの構成を示す模式的断面図であり、（Ａ）は、図１８のＡ−Ａ´線に沿う断面図であり、（Ｂ）は、図１８のＢ−Ｂ´線に沿う断面図である。

以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる光素子実装装置及び光素子実装方法について、図１〜図１９を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる光素子実装装置は、図１に示すように、発光素子１を保持する保持部２と、発光素子１からの光を結合させる光導波路を備える光素子３が載置されるステージ４と、アクティブアライメントを行なう際に発光素子１に電流を供給する電流源５と、発光素子１が保持部２に保持された状態で発光素子１の第１電極６と電流源５の第１端子を接続する第１電源配線７と、発光素子１の第２電極８に接続される光素子３の電極９から延びる引出配線１０と電流源５の第２端子を接続する第２電源配線１１（ここではプローブ１２を含む）とを備える。

特に、アクティブアライメントを行なう際に、発光素子１の第２電極８と光素子３の電極９を接続することによって流れる電流に基づいて、保持部２（又はステージ４）の高さ方向位置を制御する制御部１３を備えるものとするのが好ましい。
また、本実施形態にかかる光素子実装方法では、保持部２によって発光素子１を保持して、発光素子１の第１電極６と電流源５の第１端子を第１電源配線７によって接続し、発光素子１からの光を結合させる光導波路を備え、ステージ４上に載置された光素子３の電極から延びる引出配線１０と電流源５の第２端子を第２電源配線１１（ここではプローブ１２を含む）によって接続し、発光素子１の第２電極８と光素子３の電極９を接続することによって電流源５から発光素子１に電流を供給してアクティブアライメントを行なって、光素子３に発光素子１を実装する。

特に、アクティブアライメントを行なう際に、制御部１３が、発光素子１の第２電極８と光素子３の電極９を接続することによって流れる電流に基づいて、保持部２（又はステージ４）の高さ方向位置を制御するのが好ましい。
このように、実装時に、発光素子１の第２電極８と光素子３の電極９が接触すると、電流源５から第１電源配線７及び第２電源配線１１を介して発光素子１に電流が流れ、これにより、発光素子１が発光し、その光が他方の光素子３の光導波路に最大限結合するように、アクティブアライメントを行なうようになっている。

ここでは、保持部２は、発光素子１を吸着して保持するコレットである。コレット２は、導体によって構成されており、第１電源配線７の一部として機能するものとしても良いし、吸着面まで延びる第１電源配線７を備えるものとしても良い。なお、コレット２の吸着面の第１電源配線７に接続されている部分を電極ともいう。
また、コレット２は、面内方向位置（ｘ−ｙ軸方向位置）及び高さ方向位置（ｚ軸方向位置）を調整する位置調整機構を備えるものとし、この位置調整機構が制御部１３（例えばコントローラなど）によって制御されるようにすれば良い。

なお、これに限られるものではなく、ステージ４が、面内方向位置（ｘ−ｙ軸方向位置）及び高さ方向位置（ｚ軸方向位置）を調整する位置調整機構を備えるものとし、この位置調整機構が制御部１３（例えばコントローラなど）によって制御されるようにしても良い。
また、第２電源配線１１の端部には、プローブ１２が設けられている。なお、プローブ１２を電流プローブ、電極、あるいは、針状電極ともいう。

また、発光素子１は、例えば半導体光アンプ（ＳＯＡ；半導体発光素子）であり、光素子３は、例えばシリコンプラットフォームであり、シリコンプラットフォーム３上にＳＯＡ１をアクティブアライメントでフリップチップ実装して、光集積素子とするようになっている。
このため、光素子実装装置を、半導体発光素子実装装置ともいう。また、光素子実装装置は、一の光素子である発光素子１（例えばＳＯＡ）を、他の光素子３（例えばシリコンプラットフォーム）上に、アクティブアライメントによって光結合調整して、実装する装置である。なお、発光素子１を実装物ともいい、他の光素子３を被実装物ともいう。

ところで、このような構成及び方法を採用しているのは、以下の理由による。
近年、長距離大容量光伝送システムとして市場規模が拡大しているディジタル・コヒーレント通信向けに、広い波長範囲で波長を変えられ、かつ、波長線幅が約１００ｋＨｚ以下と狭い波長可変レーザの開発が精力的に行なわれている。
この波長可変レーザの例として、シリコン系材料で構成されたシリコン細線導波路並びに波長フィルタ機能を有するシリコンプラットフォームと、化合物半導体で構成された利得素子（例えば半導体光アンプ：ＳＯＡ）を組み合わせた波長可変レーザがある（例えば図１７参照）。

このような波長可変レーザでは、例えば図１７に示すように、シリコンプラットフォーム（Ｓｉ導波路プラットフォーム）２０は、シリコン基板上に設けられ、シリコン細線導波路コア２１及びこれを覆うクラッド（ここではＳｉＯ_２クラッド）からなるシリコン細線導波路（Ｓｉ導波路）と、ヒータ付きの２つのリング共振器２２、２３を備える波長フィルタ２４と、ループミラー２５と、位相調整器（ここでは位相調整用ヒータ）２６とを備える。

そして、発光導波路コア２７を備えるＳＯＡ２８が、シリコンプラットフォーム２０上に集積され、シリコンプラットフォーム２０に設けられた電気配線２９が、バンプ［図１９（Ａ）中、符号３５参照］を介して、ＳＯＡ２８の下側に設けられた一方の電極［ここではｐ側電極；図１９（Ａ）中、符号３３参照］に接続され、他の電気配線３０が、ワイヤ（ここでは金ワイヤ）３１を介して、ＳＯＡ２８の上側に設けられた他方の電極［ここではｎ側電極；図１９（Ａ）中、符号３４参照］に接続される。

この波長可変レーザ３２は、ＳＯＡ２８の導波路コア２７の端部から発せられる光をシリコンプラットフォーム２０側の導波路コア２１に結合させることで動作する。このため、その特性を最大限に発揮させるためには、これらの２つの光素子２０、２８の導波路コア２７、２１間の光結合を最適にして、光結合損失を最小にする必要がある。
従来は、両素子２０、２８を組み合わせて実装する装置において、シリコンプラットフォーム２０上の表面に形成されたマークとＳＯＡ２８の電極表面上に形成されたマークを上からカメラで見て画像認識し、画像データを解析処理することで最適な所定の位置に移動し、位置決めした後、コレットで保持したＳＯＡ２８を下降させ、図１８、図１９に示すように、ＳＯＡ２８上に形成されたテラス（突当部）とシリコンプラットフォーム２０上に形成されたテラス（突当部）が接するまで押下し、ＳＯＡ２８のｐ側電極３３と、ＳＯＡ２８のｐ側電極３３に電流を供給するためのシリコンプラットフォーム２０上に形成された電気配線（表面電気配線）２９上に設けられた電極（バンプ）３５を接続し、バンプ３５を融着させて、両者を固定するようにしている。

これは、発光素子を光らせることなく２つの光素子（光学素子）の光結合を合わせるパッシブアライメントの例であるが、アクティブアライメントでは、例えば、発光素子は固定しておき、光を結合させたい光学素子に結合して出力される光の強度をモニタし、光を結合させたい光学素子の位置を位置調整機構で調整して、そのモニタ光強度が最大となる位置で固定するようにしている。

ところが、図１７に示すような発光素子（ＳＯＡ）２８とシリコンプラットフォーム２０をアクティブアライメントでフリップチップ実装する場合には、発光素子（ＳＯＡ）２８を発光させるための電流ループを確保する必要がある。
この場合、発光素子２８の一方の電極［ここではｎ側電極；図１９（Ａ）中、符号３４参照］には、発光素子２８を吸着するコレットを通して電流を供給し、もう一方の電極［ここではｐ側電極；図１９（Ａ）中、符号３３参照］、即ち、被実装素子と接する側の電極には、直接プローブ等を通して電流パスを形成することが望ましいが、その間隙はプローブを挿入するには狭いため、このままではアクティブアライメントを行なうことは困難である。

一方、上述のようなパッシブアライメントにおいては、例えば図１８、図１９に示すように、テラス同士の突き合わせによって２つの導波路の高さ方向（ｚ軸方向）の位置合わせは精度良く決められるが、上から見た位置決め、即ち、ｘ軸，ｙ軸方向の位置決めに関してはマークを用いた画像認識の精度で決まるため、ｚ軸方向ほどの精度は実現できず、光結合にばらつきと最適値からのズレが生じ、その結果として、光集積素子の内部損失の増加による光出力の減少、発振に必要な駆動電流の増大による消費電力の増加等の問題が生じることとなる。

そこで、本実施形態では、素子を上から見た時の素子端面に平行な方向（ｙ軸方向）及び素子端面に直交する方向（ｘ軸方向）のアライメントをより正確に行なえるように、上述のような構成及び方法を採用している（図１参照）。
具体的には、位置決め時にＳＯＡに電流が流れて発光するような装置構成にし、アクティブアライメントによって、ＳＯＡからの光がシリコン導波路に結合した光の強さをモニタしてその値が最大になるようにＳＯＡの位置決めを行なうようにしている。

実際の手順は、以下のようにしている。
まず、図１に示すように、発光素子（ＳＯＡ）１を、真空吸着機構を有するコレット（保持部）２によって保持する。
ここでは、コレット２の吸着面にＳＯＡ１のｎ側電極（第１電極）６が接する。装置側の治具であるコレット２には、アクティブアライメントを行なう際にＳＯＡ１に電流を供給する電流源（電流供給源）５のマイナス側の回路が接続されている。

また、コレット２に電流源５のマイナス側の端子（第１端子）に接続された電源配線（第１電源配線）７が設けられており、この電源配線７によってＳＯＡ１のｎ側電極（第１電極）６と電流源５のマイナス側の端子（第１端子）が接続されている。なお、ここでは、コレット２を導体で構成し、コレット自体が電源配線７の一部として機能するようにしている。

一方、ステージ４上に、ＳＯＡ１からの光を結合させる光導波路を備える光素子であるシリコンプラットフォーム３を載置する。
ここでは、シリコンプラットフォーム３は、装置の台座であるステージ４側に真空吸着によって仮固定される。
また、シリコンプラットフォーム３のＳＯＡ１を搭載する領域（発光素子搭載領域）には、電気配線（引出配線を含む）１０、及び、この電気配線１０上に設けられ、ＳＯＡ１のｐ側電極（第２電極）８が接続されるバンプ９（バンプ電極；光素子３の電極）が設けられている。

そして、電気配線１０は、バンプ９の下方からシリコンプラットフォーム３の側面へ向けて引き出されており、この電気配線１０の引き出された部分（引出配線部分）の上方は開放され、表面が露出した状態になっている。なお、この表面が露出した部分を、バンプ９から配線された表面電極ともいう。
そこで、この引出配線１０の表面が露出した部分を利用し、ここに電流源５のプラス側の回路を接続する。ここでは、電流源５のプラス側の端子（第２端子）に接続された電源配線（第２電源配線）１１の端部に設けられたプローブ１２を、引出配線１０の表面が露出した部分に当てることで、電源配線１１によってＳＯＡ１のｐ側電極８に接続されるバンプ９から延びる引出配線１０と電流源５のプラス側の端子が接続されている。

そして、コレット２によって保持されたＳＯＡ１を、シリコンプラットフォーム３上に形成されたマークとＳＯＡ１上に形成されたマークを画像認識して、図１に示すように、シリコンプラットフォーム３上の所定の位置へ移動させる。
その後、図２に示すように、コレット２で保持したＳＯＡ１をゆっくりと下降させ、ＳＯＡ１のｐ側電極８をシリコンプラットフォーム３上のバンプ９に軽く接触させる。

この場合、最初からコレット２に設けられた第１電源配線７及びプローブ１２に接続された第２電源配線１１を介して電流源５から電流を供給しておくことで、ＳＯＡ１のｐ側電極８とバンプ９が接触した時点で電流が流れるため、これをスイッチ代わりとして検知して、制御部１３によって、ＳＯＡ１のｐ側電極８とバンプ９が接触（接続）することによって流れる電流に基づいて、コレット２の押下（高さ方向位置）を制御する。

なお、これに限られるものではなく、制御部１３によって、ＳＯＡ１のｐ側電極８とバンプ９が接触（接続）することによって流れる電流に基づいて、ステージ４の上昇（高さ方向位置）を制御するようにしても良い（後述の第２具体例参照）。
そして、このようにしてＳＯＡ１に電流が流れることで放射されるＡＳＥ光は、シリコンプラットフォーム３上の光導波路に結合する。

このため、図３に示すように、シリコンプラットフォーム３上の光導波路の途中に例えばＭＭＩなどによる光分岐回路１４を設け、分岐されたモニタ用出力導波路１５からの光出力をモニタ用光受光器（例えばフォトディテクタ；ＰＤ）１６で検出し、その検出した値が最大値をなるように、図４に示すように、コレット２で保持したＳＯＡ１のｘ−ｙ平面内での位置（面内方向位置）を調整する。なお、モニタ用光受光器１６は実装装置側に固定しておけば良い。また、ここでは、シリコンプラットフォーム３やＳＯＡ１の基本構成は、図１７〜１９を参照しながら説明したシリコンプラットフォームと同様の構成になっている。

そして、図５に示すように、最適な面内方向位置で、そのまま、コレット２で保持したＳＯＡ１を下降させ、ＳＯＡ１上に形成されたテラスとシリコンプラットフォーム３上に形成されたテラスが突き当たって接するまでｚ軸方向に押下し、バンプ９が弾性変形して若干つぶれた状態とし、ＳＯＡ１のｐ側電極８とシリコンプラットフォーム３上のバンプ９を融着させて両者を固定する。

具体的には、コレット２に接続された移動装置（位置調整機構）をコントローラ（ここではステージコントローラ）で制御する際の最小移動グリッド単位でｘ−ｙ平面上に測定点の碁盤目状マトリクスを作成する。
そして、図６に示すように、その碁盤目状マトリクス上の最初の測定点（測定ポイント）にコレット２を移動し、図７に示すように、コレット２を押下し、ＳＯＡ１のｐ側電極８をバンプ９に軽く接触させる。

ここでは、図８に示すように、ＳＯＡ１のｐ側電極８をバンプ９に接触させると電流が流れるため、電流が流れる閉回路の抵抗を電流計１７及び電圧計１８の値から測定し、抵抗値が一定値をとるように、コレット２の押下（高さ方向位置）を制御する。
そして、ＳＯＡ１に電流が流れて発光し、シリコンプラットフォーム３の光導波路に結合するため、シリコンプラットフォーム３のモニタ用出力導波路１５（図３参照）からの光出力を測定する。ここでは、モニタ用出力導波路１５（図３参照）からの光出力をモニタ用光受光器１６（図３参照）で検出し、その検出した値を記憶する。

次に、次の測定ポイントの測定に移る際に、そのままコレット２を横滑りさせると、ＳＯＡ１のｐ側電極８とそれが接するバンプ９が擦れてしまうため、測定が終わったら、図９に示すように、ＳＯＡ１のｐ側電極８とそれが接するバンプ９との接触が解除される程度にコレット２を上昇させて、次の測定ポイントへ移動させる。
そして、再び、コレット２を押下し、ＳＯＡ１のｐ側電極８をバンプ９に軽く接触させる。

ここでは、ＳＯＡ１のｐ側電極８をバンプ９に接触させると電流が流れるため、電流が流れる閉回路の抵抗を電流計１７及び電圧計１８の値から測定し、抵抗値が一定値をとるように、コレット２の押下（高さ方向位置）を制御する。
そして、ＳＯＡ１に電流が流れて発光し、シリコンプラットフォーム３の光導波路に結合するため、シリコンプラットフォーム３のモニタ用出力導波路１５（図３参照）からの光出力を測定する。ここでは、モニタ用出力導波路１５（図３参照）からの光出力をモニタ用光受光器１６（図３参照）で検出し、その検出した値を記憶する。

このような工程を碁盤目状マトリクス上のすべての測定ポイントで行ない、モニタ光強度が最大になる位置、即ち、各測定ポイントにおいてモニタ用光受光器１６（図３参照）で検出した値の中の最大値の位置を求め、その位置へとコレット２を移動させて位置決めした後、そのままコレット２で保持したＳＯＡ１を下降させ、ＳＯＡ１上に形成されたテラスとシリコンプラットフォーム３上に形成されたテラスが接するまで押下し、ＳＯＡ１のｐ側電極８とシリコンプラットフォーム３上のバンプ９を圧力によって融着させて両者を固定する。

上述のように、各測定ポイントにおいて、バンプ９とＳＯＡ１のｐ側電極８との接触抵抗が一定値になるようにコレット２の押下量（ｚ軸方向高さ）を制御することで、ｚ軸方向のずれに依存するＳＯＡ１からの光の結合は一定に保たれるため、各測定ポイントにおける光出力の検出値からｚ軸方向の位置ずれによるばらつきが排除され、後述のようにしてモニタ光強度が最大になる位置を求める際の精度を高めることができる。また、最終的にバンプ９に圧力をかけて融着する前に、バンプ９がつぶれてしまい、最終的なバンプ９の接合が難しくなるのを防止することもできる。

以下、具体例を挙げて説明する。
まず、第１具体例として、コレット可動機構を備える場合を、図１０〜図１２、図１６を参照しながら説明する。
ここで、図１０〜図１２は、それぞれ、第１具体例にかかる光素子実装装置を正面から見た図、正面から向かって左側から見た図、上側から見た図である。

第１具体例にかかる光素子実装装置は、図１０〜図１２に示すように、装置筐体１０１と、コレット可動機構（位置調整機構）１０２と、真空吸着コレット１０３と、プローブ１０４と、被実装素子固定治具（ステージ；吸着ステージ）１０５と、電流供給源（電流源）並びにコレット及びプローブへの電源配線（第１及び第２電源配線）１１３と、筐体１０１側に設置されたモニタ用受光素子（モニタ用光受光器）１１４と、マーク認識用カメラ１１５と、電流計１２３と、電圧計１２４と、制御部（図示せず）とを備える。

ここで、コレット可動機構１０２は、ｘ軸方向、ｙ軸方向、ｚ軸方向へ移動させる移動機構（移動機構３軸）、及び、各軸回りに回転させる回転機構（回転機構３軸）を備える。
真空吸着コレット１０３は、実装素子を吸着する部分及び電流供給部が金属（導体）で構成されている。

例えば、真空吸着コレット１０３は、図１６（Ａ）に示すように、実装素子を吸着する部分となる先端部（図中、下側）が平坦になっている円錐形状とし、無垢の真鍮からなるものとし、それ自体がＳＯＡ１００に電流を供給するための電源配線（表面電極を含む；電源供給部；第１電源配線）の一部として機能するようにすれば良い。また、ＳＯＡ１００を吸着する側（吸着面）の外径は約２００μｍとし、装置に固定される側の外径は約２ｍｍとし、その長さは約１ｃｍ程度とし、吸着面にＳＯＡ１００を真空吸着するための穴が開けられたものとし、その径は約１００μｍとすれば良い。

なお、これに限られるものではなく、例えば、図１６（Ｂ）に示すように、耐熱プラスチック、アクリル等の絶縁材料からなるものとし、吸着面及び円錐の表面にＳＯＡ１００に電流を供給するための電源配線（表面電極を含む；電源供給部；第１電源配線）１２６としての金属（例えば金メッキ又は金箔など）を形成した構成としても良い。
実装素子であるＳＯＡ（発光素子；光素子）１００は、図１０、図１１に示すように、Ａｕからなるｐ側電極（第２電極）１１０と、両サイドにフィン（テラス）が形成され、ＩｎＰ基板上に作製され、ＧａＩｎＡｓＰ系ＭＱＷ活性層導波路を内包したＳＯＡ本体１１１と、Ａｕからなるｎ側電極（第１電極）１１２とを備える。

なお、ここでは、発光素子１００は、両端面無反射コーティングのＳＯＡとしているが、これに限られるものではなく、用途によっては、発振する半導体レーザとしても良い。また、発光素子としてのＳＯＡやレーザを構成する半導体材料は、用途によって選択されるものであり、上述の例に限定されるものではない。
被実装素子であるシリコンプラットフォーム１２５は、図１０〜図１２に示すように、シリコン基板からなる部分１０６と、ＳｉＯ_２からなるクラッド部及びＳｉ導波路を内包した部分１０７と、表面に形成されたＡｌによる電気配線（引出配線を含む）１０８と、ＳＯＡ１００のｐ側電極１１０と接続されるバンプ（ここではＡｕＳｎバンプ；電極）１０９と、表面に形成されたＡｌによる電気配線１１６と、クラッド部内に内包されたループミラー１１７と、クラッド部上に形成されたＴｉからなる位相調整用ヒータ１１８と、クラッド部内に形成されたリング共振器及びクラッド部上に形成されたＴｉからなる波長制御用ヒータ１１９と、クラッド部内に形成されたリング共振器及びクラッド部上に形成されたＴｉからなる波長制御用ヒータ１２０と、ＭＭＩ型光分岐器（光分岐回路）１２１と、モニタ光用導波路（モニタ用出力導波路）１２２とを備える。

なお、ここでは、被実装素子を、導波路を内包したシリコンプラットフォーム１２５としているが、これに限られるものではなく、例えば、石英系のＰＬＣであっても良いし、有機ポリマー系の導波路を有するプラットフォームであっても良い。つまり、被実装素子は、実装素子との光結合を最適にしたいと望む導波路を有する素子であれば、その構造については特に限定されるものではない。また、ここでは、モニタ光導出のための光分波器（光分岐器）としてＭＭＩを用いているが、これに限られるものではなく、例えば、Ｙ分波器（Ｙ分岐器）や方向性結合器など、所望の分波特性（分岐特性）が得られる光分波器（光分岐器）であれば、どのような光分波器（光分岐器）を用いても良い。

なお、図１２では、コレット可動機構１０２、コレット１０３、プローブ１０４、電流供給源１１３、カメラ１１５は図示を省略している。
上述のように構成される装置を用い、実装素子であるＳＯＡ１００と被実装素子であるシリコン導波路内包シリコンプラットフォーム１２５の光学的結合を上述したような手順で行なうことによって最適化する。

つまり、まず、真空吸着コレット１０３で保持されたＳＯＡ１００を、シリコンプラットフォーム１２５上に形成されたマークとＳＯＡ１００上に形成されたマークを画像認識して、シリコンプラットフォーム１２５上の所定の位置へと移動させる（例えば図１、図６参照）。
そして、真空吸着コレット１０３で保持されたＳＯＡ１００をゆっくりと下降させ、ＳＯＡ１００のｐ側電極１１０をシリコンプラットフォーム１２５上のバンプ１０９に軽く接触させる（例えば図２、図７参照）。

プローブ１０４とコレット１０３には最初から電流を供給しておいて、ＳＯＡ１００のｐ側電極１１０とバンプ１０９が接触した時点で電流が流れるため、それをスイッチ代わりとして検知して、コレット１０３の押下を制御する（例えば図８参照）。
このとき、電流が流れる閉回路の抵抗を、電流計１２３と電圧計１２４の値から測定し、抵抗値が常にある一定値をとるように、制御部によって、コレット１０３の押下を制御する（例えば図８参照）。すなわち、制御部によって、バンプ１０９とＳＯＡ１００のｐ側電極１１０との接触抵抗を一定値に制御することで、ＳＯＡ１００の押下量（ｚ軸方向高さ）を制御する。

これにより、ｚ軸方向のずれに依存するＳＯＡ１００からの光の結合は一定に保たれるため、後述するＳＯＡ１００のｘ−ｙ平面内での光出力の検出値からｚ軸方向の位置ずれによるばらつきは排除されるため、ｘ−ｙ平面内での最大値の検出の精度を高めることができる。また、最終的にバンプ１０９に圧力をかけて融着する前に、バンプ１０９がつぶれてしまい、最終的なバンプ１０９の接合が難しくなるのを防止することもできる。

そして、電流を流すことで放射されるＡＳＥ光はシリコンプラットフォーム１２５上の光導波路に結合するため、シリコンプラットフォーム１２５上の光導波路の途中に設けられた例えばＭＭＩによる光分岐回路１２３から分岐されたモニタ光用導波路１２４を通した光出力（モニタ光強度）をモニタ用受光素子１１４で検出し、検出後はコレット１０３を引き上げてＳＯＡ１００のｐ側電極１１０とバンプ１０９の接触を開放し、コレット１０３を次の測定点へと移動し（例えば図９参照）、コレット１０３の移動と押下、接触抵抗値によるｚ軸方向へのコレット１０３の押下量の制御、モニタ用受光素子１１４による光強度の測定、コレット１０３の引き上げによるコレット１０３とＳＯＡ１００のｐ側電極１１０の接触の開放を繰り返す。

そして、その検出した値が最大値をとるように真空吸着コレット１０３で保持されたＳＯＡ１００のｘ−ｙ平面内での位置を調整し（例えば図４参照）、その最適な位置でそのまま真空吸着コレット１０３で保持されたＳＯＡ１００を下降させ、ＳＯＡ１００上に形成されたテラスとシリコンプラットフォーム１２５上に形成されたテラスが接するまで押下し、ＳＯＡ１００のｐ側電極１１０とシリコンプラットフォーム１２５上のバンプ１０９を融着させて両者を固定する（例えば図５参照）。

より詳細には、以下の手順で行なうのが好ましい。
真空吸着コレット１０３に接続された移動装置（コレット可動機構１０２）をコントローラ（ここではステージコントローラ）で制御する際の最小移動グリッド単位でｘ−ｙ平面上に測定点の碁盤目状マトリクスを作成する。
そして、その碁盤目状マトリクス上の最初の測定点（測定ポイント）に真空吸着コレット１０３を移動し（例えば図１、図６参照）、真空吸着コレット１０３を押下し、ＳＯＡ１００のｐ側電極１１０をシリコンプラットフォーム１２５上のバンプ１０９に軽く接触させる（例えば図２、図７参照）。

これにより、ＳＯＡ１００に電流が流れて発光し、シリコンプラットフォーム１２５の光導波路に結合するため、シリコンプラットフォーム１２５のモニタ光用導波路１２４からの光出力を測定する。ここでは、モニタ光用導波路１２４からの光出力をモニタ用受光素子１１４で検出し、その検出した値を記憶する。
次に、次の測定ポイントの測定に移る際に、そのまま真空吸着コレット１０３を横滑りさせると、ＳＯＡ１００のｐ側電極１１０とそれが接するバンプ１０９が擦れてしまうため、測定が終わったら、ＳＯＡ１００のｐ側電極１１０とそれが接するバンプ１０９との接触が解除される程度に真空吸着コレット１０３を上昇させ、次の測定ポイントへ移動させる（例えば図９参照）。

そして、再び、真空吸着コレット１０３を押下し、ＳＯＡ１００のｐ側電極１１０をシリコンプラットフォーム１２５上のバンプ１０９に軽く接触させる（例えば図２、図７参照）。
これにより、ＳＯＡ１００に電流が流れて発光し、シリコンプラットフォーム１２５の光導波路に結合するため、シリコンプラットフォーム１２５のモニタ光用導波路１２４からの光出力を測定する。ここでは、モニタ光用導波路１２４からの光出力をモニタ用受光素子１１４で検出し、その検出した値を記憶する。

ここでは、電流閉回路の抵抗を電流計１２３及び電圧計１２４の値から測定し、抵抗値が常に一定値となるように、即ち、ＳＯＡ１００のｐ側電極１１０とこれに接するバンプ１０９の接触抵抗が一定値となるように、制御部によって、各測定ポイントにおける真空吸着コレット１０３の押下量を制御し、ＳＯＡ１００のｚ軸方向位置（高さ方向位置）を制御する。

このような工程を碁盤目状マトリクス上のすべての測定ポイントで行ない、モニタ光強度が最大になる位置へと真空吸着コレット１０３を移動させて位置決めした後、そのまま真空吸着コレット１０３で保持したＳＯＡ１００を下降させ、ＳＯＡ１００上に形成されたテラスとシリコンプラットフォーム１２５上に形成されたテラスが接するまで押下し、ＳＯＡ１００のｐ側電極１１０とシリコンプラットフォーム１２５上に形成された電気配線１０８上に設けられたバンプ１０９を圧力によって融着させて両者を固定する。

これにより、実装素子であるＳＯＡ１００と被実装素子であるシリコン導波路内包シリコンプラットフォーム１２５の光学的結合が最適に行なわれ、これらの光結合を従来よりも安定して高めることが可能となり、光集積素子の特性向上、即ち、内部損失の削減による光出力の増大、発振に必要な駆動電流の低減による消費電力の削減等を実現することが可能となる。

次に、第２具体例として、ステージ可動機構を備える場合を、図１３〜図１６を参照しながら説明する。
ここで、図１３〜図１５は、それぞれ、第２具体例にかかる光素子実装装置を正面から見た図、正面から向かって左側から見た図、上側から見た図である。
第２具体例にかかる光素子実装装置は、図１３〜図１５に示すように、装置筐体２０１と、ステージ可動機構（位置調整機構）２０２と、真空吸着コレット２０３と、プローブ２０４と、被実装素子固定治具（ステージ；吸着ステージ）２０５と、電流供給源（電流源）並びにコレット及びプローブへの電源配線（第１及び第２電源配線）２１３と、筐体２０１側に設置されたモニタ用受光素子（モニタ用光受光器）２１４と、マーク認識用カメラ２１５と、電流計２２３と、電圧計２２４と、制御部（図示せず）とを備える。

ここで、ステージ可動機構２０２は、ｘ軸方向、ｙ軸方向、ｚ軸方向へ移動させる移動機構（移動機構３軸）、及び、各軸回りに回転させる回転機構（回転機構３軸）を備える。
真空吸着コレット２０３は、実装素子を吸着する部分及び電流供給部が金属（導体）で構成されている。具体的は、上述の第１具体例の場合（図１６参照）と同様に構成されているものとすれば良い。

実装素子であるＳＯＡ（発光素子；光素子）２００は、図１３、図１４に示すように、Ａｕからなるｐ側電極（第２電極）２１０と、両サイドにフィン（テラス）が形成され、ＩｎＰ基板上に作製され、ＧａＩｎＡｓＰ系ＭＱＷ活性層導波路を内包したＳＯＡ本体２１１と、Ａｕからなるｎ側電極（第１電極）２１２とを備える。
なお、ここでは、発光素子２００は、両端面無反射コーティングのＳＯＡとしているが、これに限られるものではなく、用途によっては、発振する半導体レーザとしても良い。また、発光素子としてのＳＯＡやレーザを構成する半導体材料は、用途によって選択されるものであり、上述の例に限定されるものではない。

被実装素子であるシリコンプラットフォーム２２５は、図１３〜図１５に示すように、シリコン基板からなる部分２０６と、ＳｉＯ_２からなるクラッド部及びＳｉ導波路を内包した部分２０７と、表面に形成されたＡｌによる電気配線（引出配線を含む）２０８と、ＳＯＡ２００のｐ側電極２１０と接続されるバンプ（ここではＡｕＳｎバンプ；電極）２０９と、表面に形成されたＡｌによる電気配線２１６と、クラッド部内に内包されたループミラー２１７と、クラッド部上に形成されたＴｉからなる位相調整用ヒータ２１８と、クラッド部内に形成されたリング共振器及びクラッド部上に形成されたＴｉからなる波長制御用ヒータ２１９と、クラッド部内に形成されたリング共振器及びクラッド部上に形成されたＴｉからなる波長制御用ヒータ２２０と、ＭＭＩ型光分岐器（光分岐回路）２２１と、モニタ光用導波路（モニタ用出力導波路）２２２とを備える。

なお、ここでは、被実装素子を、導波路を内包したシリコンプラットフォーム２２５としているが、これに限られるものではなく、例えば、石英系のＰＬＣであっても良いし、有機ポリマー系の導波路を有するプラットフォームであっても良い。つまり、被実装素子は、実装素子との光結合を最適にしたいと望む導波路を有する素子であれば、その構造については特に限定されるものではない。また、ここでは、モニタ光導出のための光分波器（光分岐器）としてＭＭＩを用いているが、これに限られるものではなく、例えば、Ｙ分波器（Ｙ分岐器）や方向性結合器など、所望の分波特性（分岐特性）が得られる光分波器（光分岐器）であれば、どのような光分波器（光分岐器）を用いても良い。

なお、図１５では、ステージ可動機構２０２、コレット２０３、プローブ２０４、電流供給源２１３、カメラ２１５は図示を省略している。
上述のように構成される装置を用い、実装素子であるＳＯＡ２００と被実装素子であるシリコン導波路内包シリコンプラットフォーム２２５の光学的結合を上述したような手順と同様の手順（コレット可動機構に代えてステージ可動機構を用いる）で行なうことによって最適化する。

つまり、まず、ステージ２０５上に保持されたシリコンプラットフォーム２２５を、シリコンプラットフォーム２２５上に形成されたマークとＳＯＡ２００上に形成されたマークを画像認識して、真空吸着コレット２０３で保持されたＳＯＡ２００の下方の所定の位置へと移動させる。
そして、ステージ２０５上に保持されたシリコンプラットフォーム２２５をゆっくりと上昇させ、シリコンプラットフォーム２２５上のバンプ２０９にＳＯＡ２００のｐ側電極２１０を軽く接触させる。

プローブ２０４とコレット２０３には最初から電流を供給しておいて、ＳＯＡ２００のｐ側電極２１０とバンプ２０９が接触した時点で電流が流れるため、それをスイッチ代わりとして検知して、ステージ２０５の押上を制御する。
このとき、電流が流れる閉回路の抵抗を、電流計２２３と電圧計２２４の値から測定し、抵抗値が常にある一定値をとるように、制御部によって、ステージ２０５の押上を制御する。すなわち、制御部によって、バンプ２０９とＳＯＡ２００のｐ側電極２１０との接触抵抗を一定値に制御することで、シリコンプラットフォーム２２５の押上量（ｚ軸方向高さ）を制御する。

これにより、ｚ軸方向のずれに依存するＳＯＡ２００からの光の結合は一定に保たれるため、後述するシリコンプラットフォーム２２５のｘ−ｙ平面内での光出力の検出値からｚ軸方向の位置ずれによるばらつきは排除されるため、ｘ−ｙ平面内での最大値の検出の精度を高めることができる。また、最終的にバンプ２０９に圧力をかけて融着する前に、バンプ２０９がつぶれてしまい、最終的なバンプ２０９の接合が難しくなるのを防止することもできる。

そして、電流を流すことで放射されるＡＳＥ光はシリコンプラットフォーム２２５上の光導波路に結合するため、シリコンプラットフォーム２２５上の光導波路の途中に設けられた例えばＭＭＩによる光分岐回路２２３から分岐されたモニタ光用導波路２２４を通した光出力（モニタ光強度）をモニタ用受光素子２１４で検出し、検出後はステージ２０５を引き下げてＳＯＡ２００のｐ側電極２１０とバンプ２０９の接触を開放し、ステージ２０５を次の測定点へと移動し、ステージ２０５の移動と押上、接触抵抗値によるｚ軸方向へのステージ２０５の押上量の制御、モニタ用受光素子２１４による光強度の測定、ステージ２０５の引き下げによるＳＯＡ２００のｐ側電極２１０とバンプ２０９の接触の開放を繰り返す。

そして、その検出した値が最大値をとるようにステージ２０５上に保持されたシリコンプラットフォーム２２５のｘ−ｙ平面内での位置を調整し、その最適な位置でそのままステージ２０５上に保持されたシリコンプラットフォーム２２５を上昇させ、ＳＯＡ２００上に形成されたテラスとシリコンプラットフォーム２２５上に形成されたテラスが接するまで押上し、ＳＯＡ２００のｐ側電極２１０とシリコンプラットフォーム２２５上のバンプ２０９を融着させて両者を固定する。

より詳細には、以下の手順で行なうのが好ましい。
ステージ２０５に接続された移動装置（ステージ可動機構２０２）をコントローラ（ここではステージコントローラ）で制御する際の最小移動グリッド単位でｘ−ｙ平面上に測定点の碁盤目状マトリクスを作成する。
そして、その碁盤目状マトリクス上の最初の測定点（測定ポイント）にステージ２０５を移動し、ステージ２０５を押上し、シリコンプラットフォーム２２５上のバンプ２０９をＳＯＡ２００のｐ側電極２１０に軽く接触させる。

これにより、ＳＯＡ２００に電流が流れて発光し、シリコンプラットフォーム２２５の光導波路に結合するため、シリコンプラットフォーム２２５のモニタ光用導波路２２４からの光出力を測定する。ここでは、モニタ光用導波路２２４からの光出力をモニタ用受光素子２１４で検出し、その検出した値を記憶する。
次に、次の測定ポイントの測定に移る際に、そのままステージ２０５を横滑りさせると、ＳＯＡ２００のｐ側電極２１０とそれが接するバンプ２０９が擦れてしまうため、測定が終わったら、ＳＯＡ２００のｐ側電極２１０とそれが接するバンプ２０９との接触が解除される程度にステージ２０５を下降させ、次の測定ポイントへ移動させる。

そして、再び、ステージ２０５を押上し、シリコンプラットフォーム２２５上のバンプ２０９をＳＯＡ２００のｐ側電極２１０に軽く接触させる。
これにより、ＳＯＡ２００に電流が流れて発光し、シリコンプラットフォーム２２５の光導波路に結合するため、シリコンプラットフォーム２２５のモニタ光用導波路２２４からの光出力を測定する。ここでは、モニタ光用導波路２２４からの光出力をモニタ用受光素子２１４で検出し、その検出した値を記憶する。

ここでは、電流閉回路の抵抗を電流計２２３及び電圧計２２４の値から測定し、抵抗値が常に一定値となるように、即ち、ＳＯＡ２００のｐ側電極２１０とこれに接するバンプ２０９の接触抵抗が一定値となるように、制御部によって、各測定ポイントにおけるステージ２０５の押上量を制御し、シリコンプラットフォーム２２５のｚ軸方向位置（高さ方向位置）を制御する。

このような工程を碁盤目状マトリクス上のすべての測定ポイントで行ない、モニタ光強度が最大になる位置へとステージ２０５を移動させて位置決めした後、そのままステージ２０５上に保持されたシリコンプラットフォーム２２５を上昇させ、ＳＯＡ２００上に形成されたテラスとシリコンプラットフォーム２２５上に形成されたテラスが接するまで押上し、ＳＯＡ２００のｐ側電極２１０とシリコンプラットフォーム２２５上に形成された電気配線２０８上に設けられたバンプ２０９を圧力によって融着させて両者を固定する。

これにより、実装素子であるＳＯＡ２００と被実装素子であるシリコン導波路内包シリコンプラットフォーム２２５の光学的結合が最適に行なわれ、これらの光結合を従来よりも安定して高めることが可能となり、光集積素子の特性向上、即ち、内部損失の削減による光出力の増大、発振に必要な駆動電流の低減による消費電力の削減等を実現することが可能となる。

したがって、本実施形態にかかる光素子実装装置及び光素子実装方法によれば、発光素子１（１００、２００）に電流を供給してアクティブアライメントを行なうことができ、発光素子１（１００、２００）と他の光素子３（１２５、２２５）の位置合わせを十分な精度で行なえるという効果を有する。
なお、本発明は、上述した実施形態、変形例及び具体例に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。

以下、上述の実施形態、変形例及び具体例に関し、更に、付記を開示する。
（付記１）
発光素子を保持する保持部と、
前記発光素子からの光を結合させる光導波路を備える光素子が載置されるステージと、
アクティブアライメントを行なう際に前記発光素子に電流を供給する電流源と、
前記発光素子が前記保持部に保持された状態で前記発光素子の第１電極と前記電流源の第１端子を接続する第１電源配線と、
前記発光素子の第２電極に接続される前記光素子の電極から延びる引出配線と前記電流源の第２端子を接続する第２電源配線とを備えることを特徴とする光素子実装装置。

（付記２）
アクティブアライメントを行なう際に、前記発光素子の前記第２電極と前記光素子の前記電極を接続することによって流れる電流に基づいて、前記保持部又は前記ステージの高さ方向位置を制御する制御部を備えることを特徴とする、付記１に記載の光素子実装装置。

（付記３）
前記保持部は、前記発光素子を吸着して保持するコレットであり、
前記コレットは、導体によって構成されており、前記第１電源配線の一部として機能することを特徴とする、付記１又は２に記載の光素子実装装置。
（付記４）
前記保持部は、前記発光素子を吸着して保持するコレットであり、
前記コレットは、吸着面まで延びる前記第１電源配線を備えることを特徴とする、付記１又は２に記載の光素子実装装置。

（付記５）
保持部によって発光素子を保持して、前記発光素子の第１電極と電流源の第１端子を第１電源配線によって接続し、
前記発光素子からの光を結合させる光導波路を備え、ステージ上に載置された光素子の電極から延びる引出配線と前記電流源の第２端子を第２電源配線によって接続し、
前記発光素子の第２電極と前記光素子の前記電極を接続することによって前記電流源から前記発光素子に電流を供給してアクティブアライメントを行なって、前記光素子に前記発光素子を実装することを特徴とする光素子実装方法。

（付記６）
アクティブアライメントを行なう際に、制御部が、前記発光素子の前記第２電極と前記光素子の前記電極を接続することによって流れる電流に基づいて、前記保持部又は前記ステージの高さ方向位置を制御することを特徴とする、付記５に記載の光素子実装方法。

１発光素子（ＳＯＡ）
２保持部（コレット）
３光素子（シリコンプラットフォーム）
４ステージ
５電流源
６第１電極（ｎ側電極）
７第１電源配線（電源配線）
８第２電極（ｐ側電極）
９電極（バンプ）
１０引出配線（電気配線）
１１第２電源配線（電源配線）
１２プローブ
１３制御部
１４光分岐回路
１５モニタ用出力導波路
１６モニタ用光受光器
１７電流計
１８電圧計
２０シリコンプラットフォーム（Ｓｉ導波路プラットフォーム）
２１シリコン細線導波路コア
２２、２３リング共振器
２４波長フィルタ
２５ループミラー
２６位相調整器（位相調整用ヒータ）
２７発光導波路コア
２８ＳＯＡ（発光素子）
２９電気配線
３０他の電気配線
３１ワイヤ
３２波長可変レーザ
３３一方の電極（ｐ側電極）
３４他方の電極（ｎ側電極）
３５電極（バンプ）
１００ＳＯＡ（発光素子）
１０１装置筐体
１０２コレット可動機構（位置調整機構）
１０３真空吸着コレット
１０４プローブ
１０５被実装素子固定治具（ステージ；吸着ステージ）
１０６シリコン基板からなる部分
１０７ＳｉＯ_２からなるクラッド部及びＳｉ導波路を内包した部分
１０８表面に形成されたＡｌによる電気配線（引出配線を含む）
１０９バンプ（電極）
１１０ｐ側電極（第２電極）
１１１ＳＯＡ本体
１１２ｎ側電極（第１電極）
１１３電流供給源並びにコレット及びプローブへの電源配線
１１４モニタ用受光素子（モニタ用光受光器）
１１５マーク認識用カメラ
１１６電気配線
１１７ループミラー
１１８位相調整用ヒータ
１１９波長制御用ヒータ
１２０波長制御用ヒータ
１２１ＭＭＩ型光分岐器（光分岐回路）
１２２モニタ光用導波路（モニタ用出力導波路）
１２３電流計
１２４電圧計
１２５シリコンプラットフォーム（光素子）
２００ＳＯＡ（発光素子）
２０１装置筐体
２０２ステージ可動機構（位置調整機構）
２０３真空吸着コレット
２０４プローブ
２０５被実装素子固定治具（ステージ；吸着ステージ）
２０６シリコン基板からなる部分
２０７ＳｉＯ_２からなるクラッド部及びＳｉ導波路を内包した部分
２０８表面に形成されたＡｌによる電気配線（引出配線を含む）
２０９バンプ（電極）
２１０ｐ側電極（第２電極）
２１１ＳＯＡ本体
２１２ｎ側電極（第１電極）
２１３電流供給源並びにコレット及びプローブへの電源配線
２１４モニタ用受光素子（モニタ用光受光器）
２１５マーク認識用カメラ
２１６電気配線
２１７ループミラー
２１８位相調整用ヒータ
２１９波長制御用ヒータ
２２０波長制御用ヒータ
２２１ＭＭＩ型光分岐器（光分岐回路）
２２２モニタ光用導波路（モニタ用出力導波路）
２２３電流計
２２４電圧計
２２５シリコンプラットフォーム（光素子）

Claims

発光素子を保持する保持部と、
前記発光素子からの光を結合させる光導波路を備える光素子が載置されるステージと、
アクティブアライメントを行なう際に前記発光素子に電流を供給する電流源と、
前記発光素子が前記保持部に保持された状態で前記発光素子の第１電極と前記電流源の第１端子を接続する第１電源配線と、
前記発光素子の第２電極に接続される前記光素子の電極から延びる引出配線と前記電流源の第２端子を接続する第２電源配線とを備えることを特徴とする光素子実装装置。
アクティブアライメントを行なう際に、前記発光素子の前記第２電極と前記光素子の前記電極を接続することによって流れる電流に基づいて、前記保持部又は前記ステージの高さ方向位置を制御する制御部を備えることを特徴とする、請求項１に記載の光素子実装装置。
前記保持部は、前記発光素子を吸着して保持するコレットであり、
前記コレットは、導体によって構成されており、前記第１電源配線の一部として機能することを特徴とする、請求項１又は２に記載の光素子実装装置。
前記保持部は、前記発光素子を吸着して保持するコレットであり、
前記コレットは、吸着面まで延びる前記第１電源配線を備えることを特徴とする、請求項１又は２に記載の光素子実装装置。
保持部によって発光素子を保持して、前記発光素子の第１電極と電流源の第１端子を第１電源配線によって接続し、
前記発光素子からの光を結合させる光導波路を備え、ステージ上に載置された光素子の電極から延びる引出配線と前記電流源の第２端子を第２電源配線によって接続し、
前記発光素子の第２電極と前記光素子の前記電極を接続することによって前記電流源から前記発光素子に電流を供給してアクティブアライメントを行なって、前記光素子に前記発光素子を実装することを特徴とする光素子実装方法。