JP2018186134A - Re−t−b系磁石粉末、等方性バルク磁石および等方性バルク磁石の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
実施の形態に係るRE−T−B系磁石粉末を構成するRE−T−B系磁石は、主相としてRE2T14Bを含み、磁気的等方性を示す。
実施の形態に係る等方性バルク磁石の製造方法は、RE−T−B系磁石(REは希土類元素を表し、TはFe、またはFeおよびCoを表す。)の粉末であって、上記RE−T−B系磁石が、REを15原子%以上21原子%以下の量で含むRE−T−B系磁石粉末を調製する粉末調製工程と、上記粉末調製工程で得られた上記RE−T−B系磁石粉末を加圧しながら加熱する加熱工程とを含む。加熱には、RE−T−B系磁の粉末を加圧しながら加熱できる装置を用いればよく、このような装置としては、ホットプレス装置、SPS(SPS:Spark Plasma Sintering)装置が挙げられる。以下では、SPS装置を例に挙げて説明する。
実施の形態に係る等方性バルク磁石は、RE−T−B系の等方性バルク磁石(REは希土類元素を表し、TはFe、またはFeおよびCoを表す。)であって、REを15原子%以上21原子%以下の量で含む。
〔粉末調製工程〕
まず、粉末調製工程において、所望のRE−T−B系磁石の組成となるように原料を秤量し、減圧下で、高周波誘導溶解させた。次に、溶解させた原料を回転ロール上に噴射して急冷し、薄帯とした。次いで、この薄帯を破断した後、粉砕機で粉砕してNd15Fe79B6の粉末(薄帯片)(A)を得た。
次に、加熱工程において、上記粉末(A)を円筒状の金型に入れた。この金型をSPS装置にセットし、10-1Paの減圧下で、金型に対して30MPaの圧力を印加しながら加熱した。具体的には、SPS装置を用いて、上記粉末に対して、電流密度916A/cm2でON−OFF直流パルス通電して昇温した。ここで、パンチの動いた距離をモニターしながら昇温した。温度の上昇とともに変化率が観測され始め、緻密化が進行した。変化率が0になった時点で焼結を終了した。この時の焼結時間は概ね151秒であった。得られた円柱状の等方性バルク磁石(A)の組成は、Nd15Fe79B6であった。
実施例1と同様にして、Nd15Fe79B6、Nd17Fe77B6およびNd19Fe75B6の組成を有する等方性バルク磁石(A)〜(C)を作製した。さらに、粉末調製工程における原料を変えた以外は実施例1と同様にして、N21Fe73B6の粉末(薄帯片)(E)およびN21Fe73B6の組成を有する等方性バルク磁石(E)を作製した。
粉末調製工程において、原料を変えた以外は実施例1と同様にして、Nd19Fe73.5B6Nb0.5Cu0.5Ga0.5の粉末(薄帯片)(F)およびNd19Fe73.5B6Nb0.5Cu0.5Ga0.5の組成を有する等方性バルク磁石(F)を作製した。なお、実施例2と同様にして、合金組成Nd14Fe65Co15B6の粉末(商品名:MQP−C、マグネクエンチ社製)を用いて、等方性バルク磁石(比較例)を作製した。
実施例3と同様にして、Nd19Fe73.5B6Nb0.5Cu0.5Ga0.5の組成を有する等方性バルク磁石(F)を2個作製した。また、粉末調製工程において、原料を変えた以外は実施例1と同様にして、Nd21Fe72.2B6Al0.3Cu0.5の粉末(薄帯片)(G)およびNd21Fe72.2B6Al0.3Cu0.5の組成を有する等方性バルク磁石(G)を2個作製した。なお、実施例2と同様にして、合金組成Nd14.1Fe80.4B6.5の粉末(商品名:MQP−A、マグネクエンチ社製)を用いて、等方性バルク磁石(比較例)を作製した。
Claims (9)
- RE−T−B系磁石(REは希土類元素を表し、TはFe、またはFeおよびCoを表す。)の粉末であって、前記RE−T−B系磁石が、REを15原子%以上21原子%以下の量で含む、RE−T−B系磁石粉末。
- 前記REが、Ndを含む希土類元素を表す、請求項1に記載のRE−T−B系磁石粉末。
- 前記RE−T−B系磁石が、さらに、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Pb、BiおよびCからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含む、請求項1または請求項2に記載のRE−T−B系磁石粉末。
- RE−T−B系の等方性バルク磁石(REは希土類元素を表し、TはFe、またはFeおよびCoを表す。)であって、REを15原子%以上21原子%以下の量で含む、等方性バルク磁石。
- 前記REが、Ndを含む希土類元素を表す、請求項4に記載の等方性バルク磁石。
- 前記RE−T−B系の等方性バルク磁石が、さらに、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Pb、BiおよびCからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含む、請求項4または請求項5に記載の等方性バルク磁石。
- RE−T−B系磁石(REは希土類元素を表し、TはFe、またはFeおよびCoを表す。)の粉末であって、前記RE−T−B系磁石が、REを15原子%以上21原子%以下の量で含むRE−T−B系磁石粉末を調製する粉末調製工程と、
前記粉末調製工程で得られた前記RE−T−B系磁石粉末を加圧しながら加熱する加熱工程とを含む、等方性バルク磁石の製造方法。 - 前記REが、Ndを含む希土類元素を表す、請求項7に記載の等方性バルク磁石の製造方法。
- 前記RE−T−B系磁石が、さらに、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Pb、BiおよびCからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含む、請求項7または請求項8に記載の等方性バルク磁石の製造方法。
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