JP2018179842A - ガス検知装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記ヒータ部位に通電して前記ガス検知部位及び前記触媒部位を加熱するとともに前記検知対象ガスを検知するガス検知装置に関する。
以下、これら文献に記載のガス検出装置を一例として説明する。
ガス検知装置は、ガスセンサと、このガスセンサを加熱駆動するための加熱制御部と、ガス検知部位の特性の変化を検出するためのガス検出部とを備えて構成さており、加熱制御部によってヒータ部位による加熱を制御することにより、ガス検知部位及びその表面側に設けられた触媒部位を、検知対象ガスの種類に応じた適切な温度に加熱してガスの検知を行う。
図4(a)からも判明するように、ヒータ部位への通電は、通電を実行するガス検知工程Tsと、このガス検知工程Tsに続いて行う加熱休止工程Trとからなり、所定のガス検知周期Rtで、ガス検知が繰り返される。
検知対象ガスの検知は、概ね、これらの図面に黒丸で示したように通電停止の直前で行うこととされている。
ガスセンサが、被加熱部の熱容量が小さく、加熱応答性も高いパルス加熱駆動可能なガスセンサである場合、ガス検知工程Tsでの通電は、その通電時間を0.05秒〜0.5秒程度とする形態であり、このパルス通電が、加熱休止工程Trを介して20秒〜60秒程度のガス検知周期で繰り返されることによって省電力な駆動を実現することができる。即ち、この例では、ガス検知工程Tsにおける加熱がパルス加熱とされ、当該パルス加熱を、加熱休止工程Trを挟んで所定のガス検知周期Rtで繰り返す。
このような場合、加熱休止工程Trの時間が圧倒的に長く、ガスセンサは極短時間加熱されるだけである。
このようなガスセンサにあっては、その熱容量が低い等の理由から、ガス検出のための加熱駆動は、所謂、パルス加熱でよく、電源として電池を使用できる省電力のガス検知装置となっている。
これまで紹介してきた背景技術で使用した文言との対応を、(特許文献1の文言、特許文献2の文言)で示しておくと、ガス検知部位は(感知層57、ガス感知層5)となり、触媒部位は(選択燃焼層58、ガス選択燃焼層5d)となる。
さらに、特許文献2では湿度によるガスセンサの経年劣化が解決課題とされているが、同明細書の図1に示されるような吸湿抑制駆動を採ることが提案されている。
特許文献2に開示の技術は、このような湿度の高い環境下でガス検知装置が使用される場合に採用することが可能な一対策を提案するものであるが、加熱休止工程において吸湿抑制駆動を行う必要があり、省電力なガス検知装置を得るという目的にそぐわない。
さらに、検知対象ガスに対するセンサ感度を考えると、その感度ができるだけ高いことが好ましいが、今般行った発明者らの検討により、従来型のアルミナ担体のガスセンサに関して改善の余地があることが判明した。
さらに、このようなガス検知装置に使用することができるガスセンサを得ることにある。
前記ヒータ部位に通電して前記ガス検知部位及び前記触媒部位を加熱するとともに前記検知対象ガスを検知するガス検知装置であって、
前記触媒部位が、遷移金属酸化物を主成分とする担体に、白金を主成分とする触媒金属を担持して構成される点にある。
その結果、還元性ガスその他の妨害ガスを燃焼する触媒部位としての機能、およびガス検知機能が変化する。また水分の吸着・蓄積により、アルミナが変質し表面に担持されたパラジウム等の触媒金属の分散状態を悪化させ、触媒金属の表面積が減少し、同様に触媒部位としての機能が劣化し、回復しなくなる(不可逆的変化)。
さらには、検知対象ガスを検知するのに必要な温度まで温度が上昇しなくなる。これらの要因により、上述した検知対象ガスに対する感度が経時的に変化するものと推測される。
これらの新しい知見に基づいて発明者らは、触媒部位の担体の材質について検討し、遷移金属酸化物を担体の主成分として選定した。
一般的には、遷移金属酸化物の代表例である酸化ジルコニウムは、その比表面積がアルミナに比べて小さいことから、触媒部位の担体として、これまで積極的に用いられる物質ではなかった。アルミナの比表面積が約120m2/gであるのに対して、酸化ジルコニウムは約30m2/gであり、約4倍の差がある。従来は、表面積が大きいほど気体と相互作用する面積も大きいため、触媒部位の担体として用いた場合、アルミナの方が触媒部位としての性能が高く、酸化ジルコニウムの方が性能が低いと考えられてきた。
前記触媒部位が、遷移金属酸化物を主成分とする担体に、白金を主成分とする触媒金属を担持している。
また、その加熱量を小さくすることで、電力消費も低く抑えることができる。
なお、基本加熱形態とは、検知遅れ対策、誤報抑制、故障診断、性能向上目的のための定期的または不定期に上記の加熱条件から外れる場合を除く通常時での加熱方法を言う。
本発明の構成では、例えば、電池駆動によるメタン検知を行う場合にあっても、ガス検知装置に求められる所定の期間にわたって、良好にガス検知を行える。
ガス検知装置100は、センサ素子20(ガスセンサの一例)、加熱制御部12、及びガス検出部13を有して構成されている。
ガス検知装置100は、電池15が装着された状態で、その電池15から電力を得て検知対象ガスを検知する。
センサ素子20は、支持層5の端部がシリコン基板1に支持された、ダイアフラム構造をとる。支持層5は、熱酸化膜2と、窒化シリコン(Si3N4)膜3と、酸化シリコン(SiO2)膜4とが順に積層されて形成されている。そして支持層5の上にヒータ層6が形成され、ヒータ層6の全体を覆って絶縁層7が形成され、絶縁層7の上に一対の接合層8が形成され、接合層8の上に電極層(電極の一例)9が形成されている。ヒータ層6は通電により発熱してガス検知層10及び触媒層11を加熱する。センサ素子20は、各層が比較的厚いバルク構造をとってもよく、ヒータ層6は、電極層を兼用してもよい。また、支持構造として、所謂、ブリッジ構造が採用できる。
なお、メタン検知のみを実施する場合には、白金の質量は、0.3質量%以上、6質量%以下とするのが好適である。
メタンを検知するガス検知装置100を例に説明する。これまでも説明してきたように、その検知での加熱駆動信号を図4(a)(b)に示している。
加熱制御部12は、ヒータ層6に通電する通電動作(この通電動作を行うタイミングが本発明におけるガス検知工程Tsとなる)と、ヒータ層6に通電しない非通電動作(この非通電動作を行うタイミングが本発明における加熱休止工程Trとなる)とを行うように構成されている。この通電動作(ガス検知工程Ts)は、ガス検知周期Rtで繰り返される。即ち、パルス加熱をガス検知周期Rtで繰り返して行っている。
具体的には加熱制御部12は、電池15電源から電源供給を受け、センサ素子20のヒータ層6に通電して、センサ素子20を加熱する。加熱する温度、すなわちガス検知層10および触媒層11の到達温度は、例えばヒータ層6に印加する電圧を変更することにより、制御される。
ガス検出部13は、ガス検知工程Tsの適切なタイミングでガス検知層10の特性の変化を測定して検知対象ガスを検知する。本実施形態ではガス検出部13は、一対の電極層9の間の電気抵抗値(特性の一例)を測定することにより、ガス検知層10の抵抗値を測定して、その変化から検知対象ガスの濃度を検知する。
以上の様に構成されたガス検知装置100にてメタン、プロパン等の可燃性ガス(検知対象ガス)を検知する場合を説明する。
そして、このガス検知工程Tsは、20秒〜60秒のガス検知周期Rtで繰り返すこととなるが、ガス検知工程Tsの後は、先にも示したように通電は停止offされる(加熱休止工程Tr)。
担体材料の種類によるセンサ感度の経時的な変動への影響を調べるため、担体の種類のみを変えたサンプルを作成し、センサ感度(メタン感度)の経時的な変化を測定した。
担体としての酸化ジルコニウム(ZrO2)に5質量%の白金(Pt)および2質量%のイリジウム(Ir)を担持させたサンプル。
(高温暴露実験例2)
担体としての酸化チタニウム(TiO2)に5質量%の白金(Pt)をおよび2質量%のイリジウム(Ir)担持させたサンプル。
(高温暴露実験例3)
担体としてのアルミナ(Al2O3)に5質量%の白金(Pt)および2質量%のイリジウム(Ir)を担持させたサンプル。
ガス検知は、これまで説明してきたパルス加熱をガス検知周期Rtで繰り返して行っている(後述するメタン感度実験において同じ)。
触媒層11における水との相互作用は、以下の3段階からなる。
(2)加熱時に飛ばし切れない水分子(物理吸着水)が蓄積する、
(3)吸着水がバルク(担体)と反応して水和物を形成する、
の3段階である。
担体の種類と触媒金属の種類・量の違いによるメタン感度を比較するため、主に触媒金属の種類・量を変更した19サンプルを作成し、通常環境下でのメタン感度を測定した。メタン感度は、環境条件を除いて、先に〔高湿暴露実験〕で説明したと同様である。即ち、メタン感度は、400℃加熱時の3000ppmのメタンガス中での抵抗値RCh4を400℃加熱時のAir中の抵抗値Rairで除したものRCh4/Rairとしている。
先に高湿暴露実験で使用した高温暴露実例1、2はサンプル16、サンプル18である。
測定対象とした各サンプルに関して以下に整理する。
サンプル 1〜17 酸化ジルコニウム
18 酸化チタニウム
19 アルミナ
2.触媒金属
検討対象とした触媒金属はパラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、の3種類とした。
同図上段にサンプル番号を、同図下段に金属酸化触媒の種類と濃度(質量%)を示した。
両サンプルにおいて、サンプル17のほうが、別途行った高湿暴露実験においても感度が変化しない好ましい結果であった。
さらに、比較対象とした酸化ジルコニウムを担体とするサンプル(1〜17)は、全サンプルにおいてサンプル19よりメタンに対して高感度であった。
また、比較対象とした酸化チタニウムを担体とするサンプル18は、サンプル19よりメタンに対して高感度であった。
先に説明した高温暴露実験例3(アルミナ担体・5質量%白金、2質量%イリジウム)と比較すると、サンプル1から18は、この高温暴露実験例3以上のメタン感度を示した。
結果、担体としての酸化ジルコニウムに対して触媒金属として白金のみを使用する組み合わせが、ガスセンサとして、特に好ましいことが判明した。
(1)上記の実験では、可燃性ガスの一例として、メタンに関する実験例で、本発明の意義に関して述べたが、これまでも説明してきたように、プロパン等の低炭素数の炭化水素ガスの検知は、本発明に係るガス検知装置で検知可能である。
さらに、触媒金属に関しては、本発明にあっては、白金を主成分とし、担体との合計質量に対する質量%を触媒濃度として0.3〜9質量%とするのが好適である。
ここで、白金を主成分とするとは、前記範囲内で白金が担持され、他の金属酸化触媒(パラジウム、イリジウムから選択される一種以上)を含む場合は、その量が、白金の量より少ないことを意味する。
図4(c)においては、メタン検知に引き続いて、連続して一酸化炭素の検知を行っているが、両検知間にヒータ部位への通電を停止する加熱休止工程を介在させてもよい。
この通電形態は、所謂、パルス加熱を所定のガス検知周期Rtで繰り返す形態であり、先にも説明したように、通常時に基本とする通電形態の一例である。
従って、この基本通電形態を実行しながら、例えばメタンを検知した可能性がある場合に、パルス通電(パルス加熱)の周期であるガス検知周期を、例えば、5秒〜10秒周期とする等、任意の短周期とすることもできる。
一方、ガス検知工程における加熱時間と加熱休止工程の加熱停止時間との関係に関しては、先にも示したように、前者が後者より短いことが省電力性において好ましい。
しかしながら、本発明の趣旨からは、前記加熱休止工程Trに相当する時間帯に、ヒータ部位に通電して、ガス検知部位及び触媒部位が、加熱されているほうが耐湿性に関しては好ましい。
そこで、前記ヒータ部位に通電してガス検知部位及び触媒部位を加熱するとともに検知対象ガスを検知するガス検知工程の間に、このガス検知工程でガス検知部位及び触媒部位が到達する温度未満の温度(例えば、メタン検知のみを行う場合は、100℃未満で常温以上の温度、一酸化炭素検知を伴う場合は、その一酸化炭素検知温度より低い温度で、100℃未満の常温以上の温度(一酸化炭素検知を100℃で行う場合、温度50℃程度の温度))に加熱しておく小加熱工程を実行してもよい。
さらに、この非検知工程における温度管理は如何なる手段によるものとしてよく、例えば、ヒータ部位への通電とは異なる手段によるものであっても良い。
また、例えば図5に示すように、電極とヒータ部位とを兼ねる電極線21のコイル22の周囲に、酸化物半導体からなるガス検知部位23を形成し、その周囲に触媒層(触媒部位)24、25を形成する構造も可能である。ここでは、触媒層を2層としているが、単層としてもよい。2層とする場合は、層間で触媒金属の割合を変えることができる。この場合、白金を主成分とするとは、少なくとも1層において白金の量が上述の量の範囲内で、他の触媒金属量より多いことを意味する。
また図6に示すように、電極とヒータ部位とを兼ねる電極線31のコイル32の中心に、別の電極33を配置して、コイル32の周囲に、酸化物半導体からなるガス検知部位34を形成し、その周囲に触媒層35を形成する構造も可能である。
なお、ガス検知装置100は、ヒータ部位、検知対象ガスとの接触により特性が変化するガス検知部位、及び当該ガス検知部位の少なくとも一部を覆う触媒部位を有してなるガスセンサを備え、ヒータ部位に通電してガス検知部位及び触媒部位を加熱するとともに検知対象ガスを検知するガス検知装置であればよく、これまで説明してきた実施形態に限定されない。
6 ヒータ層(ヒータ部位)
9 電極層(電極)
10 ガス検知層(ガス検知部位)
11 触媒層(触媒部位)
12 加熱制御部
13 ガス検出部
15 電池(電源)
20 センサ素子(ガスセンサ)
100 ガス検知装置
Claims (11)
- ヒータ部位、検知対象ガスとの接触により特性が変化するガス検知部位、及び当該ガス検知部位の少なくとも一部を覆って設けられる触媒部位と、を有してなるガスセンサを備え、
前記ヒータ部位に通電して前記ガス検知部位及び前記触媒部位を加熱するとともに前記検知対象ガスを検知するガス検知装置であって、
前記触媒部位が、遷移金属酸化物を主成分とする担体に、白金を主成分とする触媒金属を担持して構成されるガス検知装置。 - 前記遷移金属酸化物が酸化ジルコニウムまたは酸化チタニウムのいずれか一方又はそれらの両方である請求項1記載のガス検知装置。
- 前記触媒部位において、前記担体に0.3質量%以上、9質量%以下の白金を前記触媒金属として担持して構成される請求項1又は2記載のガス検知装置。
- 前記主成分とする白金の他に、前記触媒金属として、パラジウムとイリジウムとの一方又はそれらの両方が含まれている請求項1又は2記載のガス検知装置。
- 前記ヒータ部位に通電して前記ガス検知部位及び前記触媒部位を加熱するとともに前記検知対象ガスを検知するガス検知工程と、前記ガス検知部位及び前記触媒部位の温度を前記ガス検知工程における両部位の温度より低い状態とする非検知工程とを繰り返して、前記検知対象ガスを検知する請求項1〜4の何れか一項記載のガス検知装置。
- 前記ヒータ部位に通電して前記ガス検知部位及び前記触媒部位を加熱するとともに前記検知対象ガスを検知するガス検知工程と、前記ガス検知部位及び前記触媒部位を前記ガス検知工程における両部位の温度より低い温度とする通電を行う小加熱工程とを繰り返して、前記検知対象ガスを検知する請求項1〜5の何れか一項記載のガス検知装置。
- 前記ヒータ部位に通電して前記ガス検知部位及び前記触媒部位を加熱するとともに前記検知対象ガスを検知するガス検知工程と、前記ヒータ部位への通電を停止する加熱休止工程とを繰り返して、前記検知対象ガスを検知する請求項1〜5の何れか一項記載のガス検知装置。
- 前記ガス検知工程における加熱時間が前記加熱休止工程の加熱停止時間より短い請求項7記載のガス検知装置。
- 少なくとも前記ガス検知工程における加熱が、加熱時間を0.05秒〜0.5秒とするパルス加熱であり、当該パルス加熱を、前記加熱休止工程を介して20秒〜60秒のガス検知周期で繰り返す基本加熱形態を少なくとも実行する請求項7又は8記載のガス検知装置。
- 前記検知対象ガスの検知に際して前記ガス検知部位および前記触媒部位をメタン検知用の温度に加熱する高温加熱工程を含む請求項1〜9の何れか一項記載のガス検知装置。
- 請求項1〜10の何れか一項に記載のガス検知装置で使用するガスセンサであって、
ヒータ部位、検知対象ガスとの接触により特性が変化するガス検知部位、及び当該ガス検知部位の少なくとも一部を覆う触媒部位を有して構成され、
前記触媒部位が、遷移金属酸化物を主成分とする担体に、白金を主成分とする触媒金属を担持してなるガスセンサ。
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