JP2005083840A - ガス検出器、及びガス検出方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 金属酸化物層と触媒層とからなるガスセンサ本体を加熱するヒータを制御することにより、ガスセンサ本体の温度が高温期間と低温期間を繰り返し、少なくとも低温期間(T5)において所定濃度を超える一酸化炭素がガスセンサ本体に到達した場合に警報が発せられる機能を具備するガス検出器であって、触媒層の二酸化珪素(SiO2)濃度が5重量%以下であり、かつ高温期間と低温期間の間にヒータをオフにする期間(T4)が挿入されてなるか、あるいは高温期間と低温期間の間に低温期間の温度よりも低い温度で推移する期間(T4)が挿入され、この期間(T4)が1.5-500秒であり、低温期間(T5)が0.03-10秒であるガス検出器。
【選択図】 図3
Description
第1に、雰囲気中での一酸化炭素ガス濃度が変化した場合に、センサの信号、すなわちセンサの電気抵抗が大きく変化し、従って種々の外乱に対して一酸化炭素ガスの濃度の定量精度が高いこと。
が「一酸化炭素ガスを性能良く検知する」4つの要件である。
本発明は上記の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ヒータの低温期を短くしても、一酸化炭素検知性能の問題が発生しないだけでなく一酸化炭素検知性能が改善され、結果として平均消費電力を抑制でき(節電可能)、尚かつ一酸化炭素検知性能が改善されたガス検出器を提供するところにある。
前記触媒層の二酸化珪素(SiO2)濃度が5重量%以下であり、かつ前記高温期間と低温期間の間にヒータをオフにする期間(T4)が挿入されてなるか、あるいは前記高温期間と低温期間の間に当該低温期間の温度よりも低い温度で推移する期間(T4)が挿入され、この期間(T4)が1.5〜500秒であり、前記低温期間(T5)が、0.03〜10秒であることを特徴とする。
前記触媒層の二酸化珪素(SiO2)濃度が5重量%以下であり、かつ前記高温期間と低温期間の間に挿入される期間(T4)が、1.5〜500秒であり、前記低温期間(T5)が、0.03〜10秒であることを特徴とする。
前記高温期間と低温期間の間にヒータをオフにする期間(T4)を挿入するか、あるいは前記高温期間と低温期間の間に当該低温期間の温度よりも低い温度で推移する期間(T4)を挿入し、前記高温期間と低温期間の間に挿入される期間(T4)を、1.5〜500秒とし、前記低温期間(T5)を、0.03〜10秒とすることを特徴とする方法である。
本発明に使用するガスセンサとしては特に限定はないが、より小さいセンサの方が消費電力の抑制効果の恩恵を受けることができるので、マイクロセンサであることが好ましい。
感ガス層は、例えば酸化錫(SnO2)、酸化インジュウム(In2O3)、酸化タングステン(WO3)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化チタン(TiO2)、酸化鉄(Fe2O3)などのn型半導体を、例えばスパッタリング法などにより形成したものである。
ガスセンサ本体に含まれる触媒層は、触媒を担持する金属酸化物が、バインダーを介して互いに結合することにより構成される。
ヒータを制御することにより、ガスセンサ本体の温度を変えることができる。すなわち、図3(a)に示されているように、ヒータのパワーをONにして電圧を上げ、ガスセンサ本体の温度をHighにする(例えば約300℃〜450℃)。このHighの状態を0.02〜0.5秒間続け(T1)、ガスセンサ本体のクリーニングを行った後、あるいは可燃性ガスの漏洩検知を行った後、一旦ヒータのパワーをOFFにする。このOFFの状態を0.05〜250秒間続け(T4)、再度ヒータのパワーをONにしてガスセンサ本体の温度をCO検出温度であるLowまで引き上げ(約60℃〜200℃)、このLowの状態を0.05〜2秒間続ける(T5)。
図1に基づいて、本発明のガス検出器に用いるガスセンサ(10)の構造を説明する。図において、符号(12)はマイクロヒータである。マイクロヒータ(12)は、内方側の部分がエッチング処理され空間(12a)が形成されたシリコン基板(12b)と、このシリコン基板(12b)の上に設けられたシリコン酸化物製の支持層(12c)と、この支持層(12c)の上面に設けられたヒータ層(12d)と、ヒータ層(12d)を具備した絶縁層(12e)からなる。
図2および図3(a)はいずれも、ガスセンサ(10)に関するタイムチャートであり、縦軸は印加する電圧(マイクロヒータ(12)のパワー)、横軸は時間である。
触媒層(14b)におけるシリカの含有量を2%または10%として得たガスセンサ(10)を使い、かつ雰囲気条件(標準湿度、低湿度および高湿度)を変えてCOの検出試験を行った。各雰囲気湿度の具体的湿度(%)およびT1期間〜T5期間の具体的時間を下記[表1]の通りとし、電圧の印加方法を図2および図3(a)の二通りで行なった。
[表2]は、平均消費電力を減らすために、駆動条件を変えた場合に、シリカ含有量が多いものと少ないものそれぞれについて、どのような一酸化炭素検知特性を示したかについて説明するための実施例および比較例を整理したものである。
12 マイクロヒータ
14 ガスセンサ本体
14a 感ガス層
14b 触媒層
Claims (3)
- 被検出ガスが到達した場合にセンサ信号を発するガスセンサ本体が設けられ、
前記ガスセンサ本体は触媒層を備え、
前記触媒層においては、前記被検出ガスの検出特性を改善する1種または複数種の触媒を担持する1種または複数種の金属酸化物がバインダーを介して互いに結合してなり、
前記ガスセンサ本体を加熱するヒータを制御することにより、当該ガスセンサ本体の温度が高温期間と低温期間を繰り返し、少なくとも低温期間(T5)において所定濃度を超える一酸化炭素が前記ガスセンサ本体に到達した場合に警報が発せられる機能を具備するガス検出器であって、
前記触媒層の二酸化珪素(SiO2)濃度が5重量%以下であり、かつ
前記高温期間と低温期間の間にヒータをオフにする期間(T4)が挿入されてなるか、あるいは前記高温期間と低温期間の間に当該低温期間の温度よりも低い温度で推移する期間(T4)が挿入され、この期間(T4)が1.5〜500秒であり、前記低温期間(T5)が、0.03〜10秒であることを特徴とするガス検出器。 - 被検出ガスが到達した場合にセンサ信号を発するガスセンサ本体が設けられ、
前記ガスセンサ本体は触媒層を備え、
前記触媒層においては、前記被検出ガスの検出特性を改善する1種または複数種の触媒を担持する1種または複数種の金属酸化物がバインダーを介して互いに結合してなり、
前記ガスセンサ本体を加熱するヒータを制御することにより、当該ガスセンサ本体の温度が高温期間と低温期間を繰り返すとともに、前記高温期間と低温期間の間にヒータをオフにする期間(T4)が挿入されるか、あるいは前記高温期間と低温期間の間に当該低温期間の温度よりも低い温度で推移する期間(T4)が挿入されてなり、少なくとも前記低温期間(T5)において所定濃度を超える一酸化炭素が前記ガスセンサ本体に到達した場合に警報が発せられる機能を具備するガス検出器であって、
前記触媒層の二酸化珪素(SiO2)濃度が5重量%以下であり、かつ
前記高温期間と低温期間の間に挿入される期間(T4)が、1.5〜500秒であり、 前記低温期間(T5)が、0.03〜10秒であることを特徴とするガス検出器。 - 被検出ガスが到達した場合にセンサ信号を発するガスセンサ本体が設けられ、前記ガスセンサ本体は触媒層を備え、前記触媒層においては、前記被検出ガスの検出特性を改善する1種または複数種の触媒を担持する1種または複数種の金属酸化物がバインダーを介して互いに結合し、かつ二酸化珪素(SiO2)濃度が5重量%以下であり、前記ガスセンサ本体を加熱するヒータを制御することにより、当該ガスセンサ本体の温度が高温期間と低温期間を繰り返し、少なくとも低温期間(T5)において所定濃度を超える一酸化炭素が前記ガスセンサ本体に到達した場合に警報が発せられるようにしたガス検出器によるガス検出方法であって、
前記高温期間と低温期間の間にヒータをオフにする期間(T4)を挿入するか、あるいは前記高温期間と低温期間の間に当該低温期間の温度よりも低い温度で推移する期間(T4)を挿入し、
前記高温期間と低温期間の間に挿入される期間(T4)を、1.5〜500秒とし、
前記低温期間(T5)を、0.03〜10秒とすることを特徴とするガス検出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003314844A JP4347641B2 (ja) | 2003-09-05 | 2003-09-05 | ガス検出器、及びガス検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003314844A JP4347641B2 (ja) | 2003-09-05 | 2003-09-05 | ガス検出器、及びガス検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005083840A true JP2005083840A (ja) | 2005-03-31 |
JP4347641B2 JP4347641B2 (ja) | 2009-10-21 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003314844A Expired - Fee Related JP4347641B2 (ja) | 2003-09-05 | 2003-09-05 | ガス検出器、及びガス検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4347641B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11971381B2 (en) | 2018-09-05 | 2024-04-30 | Osaka Gas Co., Ltd. | Gas detection device |
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-
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- 2003-09-05 JP JP2003314844A patent/JP4347641B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP7203662B2 (ja) | 2019-03-29 | 2023-01-13 | 大阪瓦斯株式会社 | 温度制御方法および温度制御装置 |
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JP4347641B2 (ja) | 2009-10-21 |
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