JP2018172513A - 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリプレグ、プリント配線基板および半導体装置 - Google Patents
熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリプレグ、プリント配線基板および半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018172513A JP2018172513A JP2017071247A JP2017071247A JP2018172513A JP 2018172513 A JP2018172513 A JP 2018172513A JP 2017071247 A JP2017071247 A JP 2017071247A JP 2017071247 A JP2017071247 A JP 2017071247A JP 2018172513 A JP2018172513 A JP 2018172513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- thermosetting resin
- resin
- epoxy resin
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- CWHFDTWZHFRTAB-UHFFFAOYSA-N N#COc1ccccc1 Chemical compound N#COc1ccccc1 CWHFDTWZHFRTAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 0 CC=CC=C*(OC#N)=C Chemical compound CC=CC=C*(OC#N)=C 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
Description
このような相関関係に着眼して検討を進めた結果、絶縁層を構成する樹脂成分として、低吸水性を有するエポキシ樹脂とそれに対応する硬化剤とを併用することにより、デスミア耐性を高めることができるため、絶縁層の表面粗さを低減できることを見出した。しかしながら、絶縁層の表面粗さを低減させすぎると、反対に、ピール強度が低下することがあった。
このようなトレードオフの関係を踏まえつつ検討した結果、低吸水性を有するエポキシ樹脂に加え、デスミア処理において絶縁層の表面粗化を進行させる粗化成分を併用することにより、絶縁層の表面粗さを適度に制御することができるため、表面粗さとピール強度のバランスを図れることが判明した。
プリント配線基板における絶縁層を形成するために用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂およびナフトールアラルキル型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種以上を含むエポキシ樹脂と、
水酸基当量が200g/eq以上のフェノール系硬化剤、シアネート系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤からなる群から選択される一種以上を含む硬化剤と、
エポキシ当量が200g/eq以下であり、分子内に3以上のエポキシ基を有する多官能エポキシ樹脂と、
無機充填材と、を含む、熱硬化性樹脂組成物が提供される。
キャリア基材と、
前記キャリア基材上に設けられている、上記熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂膜と、を備える、キャリア付樹脂膜が提供される。
上記プリント配線基板と、
前記プリント配線基板の回路層上に搭載された、または前記プリント配線基板に内蔵された半導体素子と、を備える、半導体装置が提供される。
一般的に絶縁層のガラス転移温度を高める観点から、絶縁層である熱硬化性樹脂組成物の硬化物の架橋密度を高める手法が考えられる。しかしながら、低エポキシ当量のエポキシ樹脂を硬化させた場合、硬化物の架橋密度が高くなるにつれて、自由体積が大きくなること等に起因して、絶縁層が高吸水性を発現する傾向があった。
しかしながら、このような低吸水性のエポキシ樹脂および硬化剤を併用した場合、絶縁樹脂層の表面粗さが過剰に低減し、結果として、反対にめっき金属未着性が低減すること、すなわち、ピール強度が低下する恐れがあることが判明した。
このような知見に基づきさらに鋭意研究したところ、吸水性のエポキシ樹脂および硬化剤に加えて、粗化成分として、エポキシ当量が小さく吸水性を示すような、エポキシ当量が200g/eq以下であり、分子内に3以上のエポキシ基を有する多官能エポキシ樹脂を併用することによって、低表面粗さと高ピール強度のバランスを図ることができるため、絶縁層のSAP特性を向上させることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
本実施形態において、上記熱硬化性樹脂は、吸水性の観点から、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂およびナフトールアラルキル型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種以上を含む第1エポキシ樹脂を用いることができる。この中でも、さらなる低吸水性の観点から、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂を用いることができる。
なお、この第2エポキシ樹脂のエポキシ当量の下限値は、特に限定されないが、例えば、100g/eq以上としてもよい。
当該エポキシ樹脂としては、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂(4,4'−(1,3−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールP型エポキシ樹脂(4,4'−(1,4−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂(4,4'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂)等のビスフェノール型エポキシ樹脂;スチルベン型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリヒドロキシフェノニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂;フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂;キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂;ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、ヒドロキシナフタレンおよび/またはジヒドロキシナフタレンの2量体をグリシジルエーテル化して得られる2官能ないし4官能ナフタレン型エポキシ樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂;アントラセン型エポキシ樹脂;フェノキシ型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂;ノルボルネン型エポキシ樹脂;アダマンタン型エポキシ樹脂;フルオレン型エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、tert−ブチルカテコール型エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂;トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ樹脂;N,N,N',N'−テトラグリシジルメタキシレンジアミン、N,N,N',N'−テトラグリシジルビスアミノメチルシクロヘキサン、N,N−ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン型エポキシ樹脂;グリシジル(メタ)アクリレートとエチレン性不飽和二重結合を有する化合物との共重合物;ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂等が挙げられる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本実施形態において、HSP距離は、例えば、第1エポキシ樹脂のHSPを(d1,p1,h1)とし、第2エポキシ樹脂のHSPを(d2,p2,h2)としたとき、下記の式(1)により算出することができる。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、水酸基当量が200g/eq以上のフェノール系硬化剤、シアネート系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤からなる群から選択される一種以上を含む硬化剤を含むことができる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
一例として上記硬化剤としてフェノール系硬化剤を用いる場合におけるエポキシ樹脂とフェノール系硬化剤との含有比率としては、全エポキシ樹脂のエポキシ基数(EP)と全フェノール系硬化剤のフェノール性水酸基数(OH)との当量比(EP)/(OH)が、例えば、0.8以上、1.5以下とすることができる。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、無機充填材を含むことができる。
上記無機充填材としては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩;酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカ等の酸化物;炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩;水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物;硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩;ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩;窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物;チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。
これらの中でも、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましく、シリカが特に好ましい。無機充填材としては、これらの中の1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を併用してもよい。
本実施形態において、無機充填材の平均粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置(HORIBA社製、LA−500)により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径(D50)を平均粒子径とすることができる。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、シアネート樹脂をさらに含むことができる。
シアネート樹脂は、分子内にシアネート基(−O−CN)を有する樹脂であり、シアネート基を分子内に2個以上を有する樹脂を用いることができる。このようなシアネート樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類やナフトール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。
シアネート樹脂を用いることにより、樹脂膜の硬化物の線膨張係数を小さくすることができる。さらに、樹脂膜の硬化物の電気特性(低誘電率、低誘電正接)、機械強度等を高めることができる。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含有してもよい。
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ABS樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂として、これらの中の1種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用してもよく、1種類または2種類以上とそれらのプレポリマーとを併用してもよい。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、例えば、硬化促進剤を含んでもよい。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化性を向上させることができる。硬化促進剤としては、熱硬化性樹脂の硬化反応を促進させるものを用いることができ、その種類は特に限定されない。本実施形態においては、硬化促進剤として、例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、ビスアセチルアセトナートコバルト(II)、トリスアセチルアセトナートコバルト(III)等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン等の3級アミン類、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−エチル−4−エチルイミダゾール、2−フェニル−4−エチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシイミダゾール等のイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールA、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸、およびオニウム塩化合物から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性をより効果的に向上させる観点からは、イミダゾール類もしくはオニウム塩化合物を含むことがより好ましい。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、カップリング剤を含んでもよい。カップリング剤は熱硬化性樹脂組成物の調製時に直接添加してもよいし、無機充填材にあらかじめ添加しておいてもよい。カップリング剤の使用により無機充填材と各樹脂との界面の濡れ性を向上させることができる。したがって、カップリング剤を使用することは好ましく、樹脂膜の硬化物の耐熱性を改良することができる。また、カップリング剤を用いることにより、銅箔との密着性を向上させることができる。さらに、吸湿耐性を向上できるので、湿度環境下においても、銅箔との密着性を維持することができる。
これにより、無機充填材と各樹脂との界面の濡れ性を高くすることができ、樹脂膜の硬化物の耐熱性をより向上させることができる。
(添加剤)
なお、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、本発明の目的を損なわない範囲で、緑、赤、青、黄、および黒等の染料、黒色顔料等の顔料、色素からなる群から選択される一種以上を含む着色剤、低応力剤、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤、ゴム粒子等の上記の成分以外の添加剤を含んでもよい。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記溶剤としては、たとえばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびN−メチルピロリドン等の有機溶剤が挙げられる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
繊維基材の厚みが上記上限値以下であると、繊維基材中の熱硬化性樹脂組成物の含浸性が向上し、ストランドボイドや絶縁信頼性の低下の発生を抑制することができる。また炭酸ガス、UV、エキシマ等のレーザーによるスルーホールの形成を容易にすることができる。また、繊維基材の厚みが上記下限値以上であると、繊維基材やプリプレグの強度を向上させることができる。その結果、ハンドリング性が向上できたり、プリプレグの作製が容易となったり、樹脂基板の反りを抑制できたりする。
次いで、本実施形態のキャリア付樹脂膜について説明する。
図1(a)は、本実施形態におけるキャリア付樹脂膜10の構成の一例を示す断面図である。
本実施形態のキャリア付樹脂膜10は、図1(a)に示すように、キャリア基材40と、キャリア基材40上に設けられている、めっきプロセス用のプライマー層30、および、めっき層の下地となる絶縁膜20を備えることができる。キャリア付樹脂膜10において、プライマー層30または絶縁膜20の少なくとも一方が、上記熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂膜で構成されることが好ましい。これにより、樹脂膜のハンドリング性を向上させることができる。
本実施形態のプリント配線基板は、上記の樹脂膜の硬化物(熱硬化性樹脂組成物の硬化物)で構成された絶縁層を備えるものである。
本実施形態において、樹脂膜の硬化物は、例えば、通常のプリント配線基板のビルドアップ層、コア層を有しないプリント配線基板におけるビルドアップ層、PLPに用いられるコアレス基板のビルドアップ層、MIS基板のビルドアップ層等に用いることができる。このようなビルドアップ層を構成する絶縁層は、複数の半導体パッケージを一括して作成するために利用させる大面積のプリント配線基板において、当該プリント配線基板を構成するビルドアップ層にも好適に用いることができる。
図2は、本実施形態の半導体パッケージ200の製造工程の一例を示す工程断面図である。
本実施形態の半導体装置(半導体パッケージ200)は、プリント配線基板と、プリント配線基板の回路層上に搭載された、またはプリント配線基板に内蔵された半導体素子240と、を備えることができる。
まず、図2(a)に示すように、絶縁層102、ビアホール104および金属層108を備えるコア層100を準備する。絶縁層102にはビアホール104が形成されている。ビアホール104には、金属層(ビア)が埋設されている。当該金属層は、無電解金属めっき膜106で覆われていてもよい。絶縁層102の表面に形成された金属層108(所定の回路パターンを有する回路層)は、ビアホール104に形成されたビアと電気的に接続する。図2(a)には、金属層108は、コア層100の一面上に形成されているが、両面に形成されていてもよい。
以上により、本実施形態のプリント配線基板が得られる。
以上により、図2(f)に示す、半導体パッケージ200が得られる。
各実施例および各比較例について、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物(樹脂ワニスP)を調整した。
まず、表1に示す固形分割合で各成分を溶解または分散させ、メチルエチルケトンで不揮発分70重量%となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニスPを調製した。
なお、表1における各成分の配合割合を示す数値は、熱硬化性樹脂組成物の固形分全体に対する各成分の配合割合(重量%)を示している。
(熱硬化性樹脂)
熱硬化性樹脂1::ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(NC−3000、日本化薬社製、エポキシ当量275g/eq)
熱硬化性樹脂2:4官能ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製、EPICLON HP−4710、エポキシ当量171g/eq)
活性エステル系硬化剤1:EXB−8100L−65T(ナフタレン骨格を有する活性エステル系硬化剤、DIC(株)製、活性エステル当量234g/eq)
フェノール系硬化剤1:ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂(日本化薬社製、GPH−103、水酸基当量230g/eq)
熱可塑性樹脂1:フェノキシ樹脂(三菱化学社製、YX6900)
(無機充填材)
無機充填材1:シリカ粒子(アドマテックス社製、SC4050、平均粒径1.1μm)(カップリング剤)
カップリング剤1:エポキシシランカップリング剤(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、A−187)
(硬化促進剤)
硬化促進剤1:イミダゾール化合物(2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシイミダゾール、四国化成工業社製、キュアゾール2P4MHZ)
厚み38μmのPETフィルムの片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の樹脂層の厚みの総和が30μmとなるように、得られた樹脂ワニスPを塗工し、これを160℃の乾燥装置で3分間乾燥して、PETフィルム上に、絶縁膜が積層された樹脂シート(キャリア付き樹脂膜)を得た。
2ステージビルドアップラミネーター(ニチゴー・モートン社製 CVP300)を用いて、厚さ30μmの樹脂シート(キャリア付き樹脂膜1)から積層体を製造した。具体的には、厚み100μmのELC−4785TH−G(住友ベークライト社製、銅箔12μm)を用いて、ドリル機で所定のところを開孔して、無電解めっきにより、導通を図り、銅箔をエッチングして回路形成面を有する残銅60%のコア層を作製した。また、キャリア付き樹脂膜の樹脂膜を枚葉にカットし、上記CVP300にセットして上記コア層に仮付けし、真空ラミネーター内で120℃、0.7MPa、30秒間真空ラミネーションをおこなった。
その後、ニチゴー・モートン社製CPV300が備えるホットプレス装置を用いて、100℃、0.6MPa、60秒間ホットプレスして平滑化した。
その後、PETフィルムを剥離した後、熱風乾燥装置に、得られた積層体を160℃、60分間入れ、ビルドアップ用プリプレグの熱硬化性樹脂の硬化反応をおこなった。
つぎに、得られた積層板に炭酸レーザーによりビア孔を形成した。ビア内および、樹脂層表面を、60℃の膨潤液(アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント P)に5分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン社製、コンセントレート コンパクト CP:過マンガン酸ナトリウム濃度60g/l、NaOH濃度45g/l)に30分浸漬後、中和して粗化処理をおこなった。
これを脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅めっき皮膜を約0.5μm形成し、レジストを形成し、無電解銅めっき皮膜を給電層としてパターン電気めっき銅20μm形成させ、回路加工を施した。つぎに、熱風乾燥装置にて200℃で60分間アニール処理を行った後、フラッシュエッチングで給電層を除去した。次いで、ソルダーレジスト層を形成し、半導体素子搭載パッドなどが露出するように開口部を形成した。最後に、ソルダーレジスト層から露出した回路層上へ、無電解ニッケルめっき層3μmと、さらにその上へ、無電解金めっき層0.1μmとからなるめっき層を形成し、得られた基板を50mm×50mmサイズに切断し、プリント配線板を得た。
半導体パッケージは、得られたプリント配線基板上に半田バンプを有する半導体素子(TEGチップ、サイズ10mm×10mm、厚み0.1mm)を、フリップチップボンダー装置により、加熱圧着により搭載した。次に、IRリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂(住友ベークライト社製、CRP−4152S)を充填し、その後、液状封止樹脂を硬化させることで半導体パッケージを得た。尚、液状封止樹脂は、温度150℃、120分の条件で硬化させた。上記半導体素子の半田バンプは、Sn/Pb組成の共晶で形成されたものを用いた。最後に14mm×14mmのサイズにルーターで個片化し、半導体パッケージを得た。
得られた半導体パッケージについて、JEDEC(レベル1)に準拠して、温度85℃、湿度85%、時間168時間の前処理を行い、その後、260℃に達するリフロー炉に3回通し、超音波探傷装置でビア内のめっき、および配線形成されためっきについて評価した。各符号は以下の通りである。
△:リフロー2回まで、めっき膨れ無し
×:リフロー1回以下で、めっき膨れ有り
得られたプリント配線板を用いて、JIS C−6481:1996に準拠して、上述の粗化処理後の23℃におけるピール強度を測定した。
ここで、当該粗化処理後の表面粗さRaについて、レーザー顕微鏡(KEYENCE社製、VK−8510、条件;PITCH0.02μm、RUNmodeカラー超深度)を用いて測定した。表面粗さRaは、10点測定し、10点の平均値とした。
得られたキャリア付き樹脂膜に対して、160℃で1時間硬化処理した後、PETフィルムを剥離して、硬化物サンプルを得た。得られた硬化物サンプルについて、60℃の膨潤液(アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント P)に5分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン社製、コンセントレート コンパクト CP)に15分浸漬後、中和して粗化処理をおこなった。このとき、粗化処理前の硬化物の重量をW0(g/m2)とし、粗化処理後の硬化物の重量をW1(g/m2)としたとき、重量減少量をΔW(g/m2)=W0−W1とした。
これに対して、実施例1,2の熱硬化性樹脂組成物を使用することにより、表面粗さが適度に小さくなるように制御されており、めっき膨れがなく、かつ比較例2と比べてピール強度が高くなるため、SAP特性に優れた絶縁層を実現できることが分かった。また、実施例1,2の熱硬化性樹脂組成物は、比較例1,2に比べて、吸湿耐熱性に優れることが分かった。また、このような実施例1,2の熱硬化性樹脂組成物は、プリント配線基板のビルドアップ層を構成する絶縁層に好適であることが分かった。
12 キャリア付樹脂膜
20 絶縁膜
30 プライマー層
40 キャリア基材
100 コア層
102 絶縁層
104 ビアホール
106 無電解金属めっき膜
108 金属層
200 半導体パッケージ
202 無電解金属めっき膜
204 レジスト
206 開口部
208 電解金属めっき層
210 開口部
220 金属層
230 ソルダーレジスト層
240 半導体素子
250 半田バンプ
260 封止材層
Claims (14)
- プリント配線基板における絶縁層を形成するために用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂およびナフトールアラルキル型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種以上を含むエポキシ樹脂と、
水酸基当量が200g/eq以上のフェノール系硬化剤、シアネート系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤からなる群から選択される一種以上を含む硬化剤と、
エポキシ当量が200g/eq以下であり、分子内に3以上のエポキシ基を有する多官能エポキシ樹脂と、
無機充填材と、を含む、熱硬化性樹脂組成物。 - 請求項1に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記多官能エポキシ樹脂が、4官能ナフタレン型エポキシ樹脂を含む、熱硬化性樹脂組成物。 - 請求項1または2に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂およびポリスルホン樹脂からなる群から選択される一種以上の熱可塑性樹脂をさらに含む、熱硬化性樹脂組成物。 - 請求項3に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記熱可塑性樹脂は、前記エポキシ樹脂と反応する官能基を有する、熱硬化性樹脂組成物。 - 請求項3または4に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記多官能エポキシ樹脂と前記熱可塑性樹脂のハンセン溶解度パラメータの距離が、9MPa1/2以上である、熱硬化性樹脂組成物。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記エポキシ樹脂と前記多官能エポキシ樹脂のハンセン溶解度パラメータの距離が、8MPa1/2以上である、熱硬化性樹脂組成物。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記エポキシ樹脂が、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂を含む、熱硬化性樹脂組成物。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記無機充填材がシリカを含む、熱硬化性樹脂組成物。 - 請求項1から8のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記無機充填材の含有量が、当該熱硬化性樹脂組成物の固形分全体に対して、40質量%以上85質量%以下である、熱硬化性樹脂組成物。 - 請求項1から9のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
セミアディティブプロセス用の熱硬化性樹脂組成物。 - キャリア基材と、
前記キャリア基材上に設けられている、請求項1から10のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂膜と、を備える、キャリア付樹脂膜。 - 請求項1から10のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物を繊維基材に含浸してなる、プリプレグ。
- 請求項1から10のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物の硬化物で構成された絶縁層を備える、プリント配線基板。
- 請求項13に記載のプリント配線基板と、
前記プリント配線基板の回路層上に搭載された、または前記プリント配線基板に内蔵された半導体素子と、を備える、半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017071247A JP7240085B2 (ja) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリプレグ、プリント配線基板および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017071247A JP7240085B2 (ja) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリプレグ、プリント配線基板および半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020217384A Division JP2021073328A (ja) | 2020-12-25 | 2020-12-25 | 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリプレグ、プリント配線基板および半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018172513A true JP2018172513A (ja) | 2018-11-08 |
JP7240085B2 JP7240085B2 (ja) | 2023-03-15 |
Family
ID=64107679
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017071247A Active JP7240085B2 (ja) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリプレグ、プリント配線基板および半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7240085B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011089038A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Ajinomoto Co Inc | 樹脂組成物 |
JP2013010932A (ja) * | 2011-05-31 | 2013-01-17 | Ajinomoto Co Inc | 樹脂組成物 |
JP2015034300A (ja) * | 2014-11-05 | 2015-02-19 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物 |
-
2017
- 2017-03-31 JP JP2017071247A patent/JP7240085B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011089038A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Ajinomoto Co Inc | 樹脂組成物 |
JP2013010932A (ja) * | 2011-05-31 | 2013-01-17 | Ajinomoto Co Inc | 樹脂組成物 |
JP2015034300A (ja) * | 2014-11-05 | 2015-02-19 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7240085B2 (ja) | 2023-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7258453B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリプレグ、プリント配線基板および半導体装置 | |
JP6217165B2 (ja) | プライマー層付きプリプレグ、プライマー層付き金属箔、金属張積層板、プリント配線基板、半導体パッケージおよび半導体装置 | |
JP7388482B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリプレグ、プリント配線基板および半導体装置 | |
US8465837B2 (en) | Epoxy resin composition, prepreg, laminate board, multilayer printed wiring board, semiconductor device, insulating resin sheet, and process for manufacturing multilayer printed wiring board | |
TWI494337B (zh) | 電路基板用環氧樹脂組成物,預浸體,積層板,樹脂片,印刷佈線板用積層基材,印刷佈線板及半導體裝置 | |
JP5206600B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、積層板、樹脂シート、多層プリント配線板、及び半導体装置 | |
JPWO2003018675A1 (ja) | 樹脂組成物、プリプレグ、積層板および半導体パッケージ | |
JP2016196548A (ja) | プリント配線基板用樹脂組成物、プリプレグ、樹脂基板、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置 | |
WO2017038713A1 (ja) | プリント配線板の製造方法、半導体装置の製造方法 | |
JP2016196557A (ja) | プリント配線基板用樹脂組成物、プリプレグ、樹脂基板、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置 | |
JP2017206578A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリプレグ、金属張積層板、樹脂基板、プリント配線基板、及び半導体装置 | |
JP2020132646A (ja) | 樹脂組成物、それを用いたキャリア付樹脂膜、プリプレグ、積層板、プリント配線基板および半導体装置 | |
JP2018029146A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリント配線基板および半導体装置 | |
JP7342358B2 (ja) | 樹脂組成物、それを用いたキャリア付樹脂膜、プリプレグ、積層板、プリント配線基板および半導体装置 | |
JP2018174250A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリプレグ、プリント配線基板および半導体装置 | |
JP2009067852A (ja) | ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置 | |
JP7240085B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリプレグ、プリント配線基板および半導体装置 | |
JP7305975B2 (ja) | 樹脂組成物、それを用いたキャリア付樹脂膜、プリプレグ、積層板、プリント配線基板および半導体装置 | |
JP2021073328A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリプレグ、プリント配線基板および半導体装置 | |
JP2018107157A (ja) | プリント配線基板用樹脂組成物、プリプレグ、樹脂基板、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置 | |
JP7098881B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリプレグ、プリント配線基板および半導体装置 | |
JP4385555B2 (ja) | インターポーザ、半導体パッケージおよびその製造方法 | |
JP6107992B1 (ja) | 樹脂シート | |
JP6471622B2 (ja) | ビルドアップ材、積層板、プリント配線基板、半導体装置および積層板の製造方法 | |
JP2004256822A (ja) | 樹脂組成物、プリプレグ、積層板および半導体パッケージ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200228 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201225 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210601 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20210901 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20221227 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20230131 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20230228 |
|
C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20230228 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230303 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7240085 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |