JP2018170318A - 半導体発光素子とその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018170318A JP2018170318A JP2017064772A JP2017064772A JP2018170318A JP 2018170318 A JP2018170318 A JP 2018170318A JP 2017064772 A JP2017064772 A JP 2017064772A JP 2017064772 A JP2017064772 A JP 2017064772A JP 2018170318 A JP2018170318 A JP 2018170318A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- substrate
- dielectric multilayer
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 121
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 8
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 7
- 101000775252 Arabidopsis thaliana NADPH-dependent oxidoreductase 2-alkenal reductase Proteins 0.000 abstract description 33
- 101001041031 Homo sapiens Lariat debranching enzyme Proteins 0.000 abstract description 33
- 102100021155 Lariat debranching enzyme Human genes 0.000 abstract description 33
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 発光素子100は、第2面110bの上に誘電体多層膜DM1と、発光層150からみて誘電体多層膜DM1の反対側の位置に分布ブラッグ反射膜DBR1と、を有する。基板110における厚み方向に垂直な長辺方向の長さが50μm以上250μm以下である。誘電体多層膜DM1における光取り出し面LE1の側の面積を表面積Sdmとし、発光素子100の側面であって第2面110bから発光層150における中心点O1を通るとともに発光面150に平行な面までの面の面積を側面積Ssubとすると、表面積Sdmおよび側面積Ssubは、次式 1.2 ≦ Ssub/Sdm ≦ 2.0 を満たす。
【選択図】図4
Description
1.2 ≦ Ssub/Sdm ≦ 2.0
を満たす。
0.6 ≦ tanθ ≦ 1.0
を満たす。
0.6 ≦ tanθ ≦ 1.0
を満たす。
1.2 ≦ Ssub/Sdm ≦ 2.0
を満たす。
1.2 ≦ Ssub/Sdm ≦ 2.0
を満たすように成長基板を研磨する。
1.半導体発光素子
図1は、本実施形態の発光素子100を示す概略構成図である。発光素子100は、基板からみて半導体層の反対側に光取り出し面を有するフリップチップ型の半導体発光素子である。図1に示すように、発光素子100は、誘電体多層膜DM1と、基板110と、バッファ層120と、n型コンタクト層130と、n側クラッド層140と、発光層150と、p側クラッド層160と、p型コンタクト層170と、透明電極TE1と、分布ブラッグ反射膜DBR1と、p電極P1と、n電極N1と、を有している。
図3は、発光素子100を光取り出し面LE1の側から視た図である。図3に示すように、発光素子100は、光取り出し面LE1から視ると正方形形状をしている。
0.6 ≦ tanθ ≦ 1.0 ………(1)
0.7 ≦ tanθ ≦ 0.9
誘電体多層膜DM1における光取り出し面LE1の側の面積を表面積Sdmとする。発光素子100の側面であって第2面110bから中心面J1までの面の面積を側面積Ssubとする。表面積Sdmおよび側面積Ssubは次式を満たす。
1.2 ≦ Ssub/Sdm ≦ 2.0 ………(2)
1.4 ≦ Ssub/Sdm ≦ 1.8
図5は、発光層150から発せられる光の光路を説明するための図である。図5では、発光素子100において中心面J1から誘電体多層膜DM1までが抜き出されて描かれている。図5では、半導体層同士の境界と、バッファ層120と基板110との間の境界と、を省略している。
5−1.半導体層形成工程
まず、図6に示すように、成長基板S1の第1面110aの上にバッファ層120と、n型コンタクト層130と、n側クラッド層140と、発光層150と、p側クラッド層160と、p型コンタクト層170とを、この順序で形成する。そのためにMOCVD法を用いればよい。なお、成長基板S1は、後に基板110になる。また、成長基板S1は、第2面を有する。しかしこの段階では、成長基板S1の第2面は、基板110の第2面110bではない。
次に、図7に示すように、p型コンタクト層170の上に透明電極TE1を形成する。そのために、スパッタリングを用いればよい。
次に、図8に示すように、n型コンタクト層130が露出する凹部を形成する。この凹部は、n電極N1を形成するためのものである。そのために、レーザーもしくはエッチングを用いればよい。
次に、図9に示すように、凹部を形成することにより半導体層を区画する。この凹部は、発光素子100のサイズに半導体層を区画するためのものである。この凹部は、半導体層の側から半導体層の厚みの全部および成長基板S1の厚みの一部を除去することにより形成されたものである。この凹部を形成するためにレーザーを照射し、そのレーザーを照射した箇所をエッチングにより除去すればよい。
次に、図10に示すように、透明電極TE1の上に分布ブラッグ反射膜DBR1を形成する。つまり、p型半導体層の側に分布ブラッグ反射膜DBR1を形成する。成膜方法については、スパッタリングやその他の成膜方法を用いることができる。これにより、透明電極TE1および半導体層の側面および露出している成長基板S1の表面の上に分布ブラッグ反射膜DBR1が形成される。
次に、図11に示すように、p電極P1およびn電極N1を形成する。そのためにまず、分布ブラッグ反射膜DBR1の一部を開口してn型コンタクト層130およびp型コンタクト層170を露出させる。例えば、エッチングにより分布ブラッグ反射膜DBR1の一部を開口すればよい。その後、p電極P1およびn電極N1を形成する。その際に、p電極P1およびn電極N1は、分布ブラッグ反射膜DBR1を介して半導体層の側面および成長基板S1の側面の一部にも形成される。
次に、図12に示すように、成長基板S1における第1面110aの反対側の面を研磨する。これにより、基板110の第2面110bに相当する面が露出する。そして、成長基板S1の膜厚は、基板110の膜厚になる。
次に、図13に示すように、研磨済みの成長基板S1(基板110)の第2面110bの上に誘電体多層膜DM1を形成する。成膜方法については、スパッタリングやその他の成膜方法を用いることができる。
そして、レーザーやブレーキング装置を用いて、成長基板S1を分割する。これにより、発光素子100が製造される。
上記の他に、熱処理工程や保護膜形成工程を実施してもよい。
本実施形態の発光素子100は、一辺の長さが短い小型の半導体発光素子である。そして、発光素子100は、発光層150からみて光取り出し面LE1の側に誘電体多層膜DM1を有し、発光層150からみて光取り出し面LE1の反対側に分布ブラッグ反射膜DBR1を有する。
7−1.発光面が長方形である場合
図14は、発光面が長方形である場合について説明するための図である。この場合には、発光素子100を光取り出し面LE1の側から視た場合に、発光素子100の形状が長方形である。光取り出し面LE1の側から視ると、発光素子100は、2つの長辺K2aと2つの短辺K2bとを有している。この場合には、長辺K2aに平行な断面が図4のようであればよい。この場合の断面は、発光層150における中心点O1を通るとともに長辺方向に平行な断面である。この場合の端部Q1は、基板110の第2面110b上であって基板110の長辺方向の端部である。そして、発光層150における中心点O1と端部Q1とを結ぶ線M1と、中心面J1とがなす角の角度θは、次(1)を満たせばよい。また、基板110における厚み方向に垂直な長辺方向の長さ、すなわち、第1面110aにおける長辺方向の長さは、50μm以上250μm以下である。
図15は、第1の実施形態の変形例におけるパッド電極の形状を示す図(その1)である。図16は、第1の実施形態の変形例におけるパッド電極の形状を示す図(その2)である。図15および図16に示すように、p電極P1およびn電極N1の形状は、五角形または三角形であってもよい。また、その他の多角形形状であってもよい。ただし、p電極P1およびn電極N1は、発光素子100の光取り出し面LE1の反対側の面の一部を覆うとともに発光素子100の側面の一部を覆っている。
素子区画工程の前後に、半導体層にメサを形成するメサ形成工程を実施してもよい。そのために、エッチング等を用いればよい。
図17に示すように、基板110の第1面110aと第2面110bとの少なくとも一方に凹凸形状が形成されていてもよい。また、図18に示すような凹凸形状が形成されていてもよい。図18における平坦面と傾斜面との間のなす角の角度θbは、図17における平坦面と傾斜面との間のなす角の角度θaよりも大きい。図18のように平坦面と傾斜面との間のなす角の角度が大きいほうが、発光素子の配向は広い。
分布ブラッグ反射膜DBR1の上に別の絶縁層を設けてもよい。電極と半導体層との間の絶縁性を高めるためである。また、分布ブラッグ反射膜DBR1を透明電極TE1の上にのみ設けることとしてもよい。その場合には、電極と半導体層との間に別途絶縁層を設けることが好ましい。
分布ブラッグ反射膜DBR1における透明電極TE1の反対側の面に反射膜を形成してもよい。反射膜の材質は、Ag、Al、またはこれらを含む合金である。これにより、分布ブラッグ反射膜DBR1を透過した光を反射することができる。
上記の変形例を自由に組み合わせてもよい。
本実施形態の発光素子100は、一辺の長さが短い小型の半導体発光素子である。そして、発光素子100は、発光層150からみて光取り出し面LE1の側に誘電体多層膜DM1を有し、発光層150からみて光取り出し面LE1の反対側に分布ブラッグ反射膜DBR1を有する。
1−1.サンプルの作製
一辺の長さが180μmの正方形形状の基板を用いて発光素子を製造した。発光素子の光取り出し面の側には誘電体多層膜を形成した。誘電体多層膜は、SiO2 とTiO2 とを交互に積層したものである。発光層からみて基板の反対側には分布ブラッグ反射膜を形成した。分布ブラッグ反射膜は、SiO2 とTiO2 とを交互に積層したものである。ここで、サファイア基板の厚みの異なる4種類の発光素子を作製した。これらの4種類の発光素子において、誘電体多層膜を形成した基板の面(第2面110bに相当)と発光層の中心面(中心面J1に相当)との間の距離Dxは、40μm、60μm、80μm、100μmの4種類である。これらの発光素子(サンプル)について表1にまとめる。
サンプル名 一辺の長さ 膜厚 tanθ Ssub/Sdm
サンプルA1 180μm 40μm 0.44 0.89
サンプルA2 180μm 60μm 0.67 1.33
サンプルA3 180μm 80μm 0.89 1.78
サンプルA4 180μm 100μm 1.11 2.22
これらの発光素子のうち距離Dxが60μmの発光素子(サンプルA3)においては、法線方向X1から70°にピークをもつ。この場合の配向を図19に示す。70°にピークをもつ場合の配向の例を図19に示す。バックライト用の発光素子としては、70°近傍にピークを持つものが好ましい。さらには、図19に示すように、法線方向X1(0°)における強度は、ピークの最大値における強度の40%以下であることが好ましい。より好ましくは、ピークの最大値における強度の20%以下である。サンプルA2およびサンプルA3は、式(1)および式(2)を満たす。
2−1.計算方法
次に、計算を行った。簡単のために、誘電体多層膜と分布ブラッグ反射膜との間の材質は、サファイアであると近似した。これらの条件下において、法線方向X1からどの角度にピークをもつかについて計算した。
多数の組み合わせのうち、65°以上75°以下の範囲にピークをもつ組み合わせを抽出したものを表2にまとめる。
サンプル名 一辺の長さ 膜厚 tanθ Ssub/Sdm
サンプルB1 100μm 40μm 0.8 1.6
サンプルB2 150μm 60μm 0.8 1.6
サンプルB3 180μm 70μm 0.78 1.56
サンプルB4 200μm 60μm 0.6 1.2
サンプルB5 200μm 70μm 0.7 1.4
サンプルB6 200μm 100μm 1.0 2.0
サンプルB7 250μm 90μm 0.72 1.44
サンプル名 一辺の長さ 膜厚 tanθ Ssub/Sdm
サンプルC1 200μm 50μm 0.5 1.0
サンプルC2 150μm 90μm 1.2 2.4
サンプルC3 500μm 140μm 0.56 1.12
110…基板
110a…第1面
110b…第2面
120…バッファ層
130…n型コンタクト層
140…n側クラッド層
150…発光層
160…p側クラッド層
170…p型コンタクト層
TE1…透明電極
DBR1…分布ブラッグ反射膜
DM1…誘電体多層膜
P1…p電極
N1…n電極
O1…中心点
J1…中心面
Q1…端部
X1…法線方向
Claims (6)
- 第1面と第2面とを有する基板と、
前記基板の前記第1面の上のn型半導体層と、
前記n型半導体層の上の発光層と、
前記発光層の上のp型半導体層と、
を有する半導体発光素子において、
前記基板の前記第2面の上に誘電体多層膜を有し、
前記発光層からみて前記誘電体多層膜の反対側の位置に分布ブラッグ反射膜を有し、
前記誘電体多層膜は光取り出し面を有し、
前記基板における厚み方向に垂直な長辺方向の長さが50μm以上250μm以下であり、
前記誘電体多層膜における前記光取り出し面の側の面積を表面積Sdmとし、前記半導体発光素子の側面であって前記第2面から前記発光層における中心を通るとともに前記第2面に平行な面までの面の面積を側面積Ssubとすると、前記表面積Sdmおよび前記側面積Ssubは、次式
1.2 ≦ Ssub/Sdm ≦ 2.0
を満たすこと
を特徴とする半導体発光素子。 - 第1面と第2面とを有する基板と、
前記基板の前記第1面の上のn型半導体層と、
前記n型半導体層の上の発光層と、
前記発光層の上のp型半導体層と、
を有する半導体発光素子において、
前記基板の前記第2面の上に誘電体多層膜を有し、
前記発光層からみて前記誘電体多層膜の反対側の位置に分布ブラッグ反射膜を有し、
前記誘電体多層膜は光取り出し面を有し、
前記基板における厚み方向に垂直な長辺方向の長さが50μm以上250μm以下であり、
前記発光層における中心を通るとともに前記長辺方向に平行な断面では、
前記発光層の発光面に平行な方向と、前記発光層における前記中心と前記基板における前記第2面上であって前記長辺方向の端部とを結ぶ線と、がなす角の角度θが、次式
0.6 ≦ tanθ ≦ 1.0
を満たすこと
を特徴とする半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子において、
前記発光層における前記中心を通るとともに前記長辺方向に平行な断面では、
前記発光層の発光面に平行な方向と、前記発光層における前記中心と前記基板における前記第2面上であって前記長辺方向の端部とを結ぶ線と、がなす角の角度θが、次式
0.6 ≦ tanθ ≦ 1.0
を満たすこと
を特徴とする半導体発光素子。 - 請求項2に記載の半導体発光素子において、
前記誘電体多層膜における前記光取り出し面の側の面積を表面積Sdmとし、前記半導体発光素子の側面であって前記第2面から前記発光層における前記中心を通るとともに前記第2面に平行な面までの面の面積を側面積Ssubとすると、前記表面積Sdmおよび前記側面積Ssubは、次式
1.2 ≦ Ssub/Sdm ≦ 2.0
を満たすこと
を特徴とする半導体発光素子。 - 請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の半導体発光素子において、
n型半導体層と導通するn電極とp型半導体層と導通するp電極とを有し、
前記n電極および前記p電極は、
前記基板の側面の一部を覆っていること
を特徴とする半導体発光素子。 - 第1面および第2面を有する成長基板の前記第1面にn型半導体層と発光層とp型半導体層と備える半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層の側から前記半導体層の厚みの全部および前記成長基板の厚みの一部を除去することにより前記半導体層を区画する半導体層区画工程と、
前記p型半導体層の側に分布ブラッグ反射膜を形成する分布ブラッグ反射膜形成工程と、
前記n型半導体層と導通するn電極を形成するとともに前記p型半導体層と導通するp電極を形成する電極形成工程と、
前記成長基板の前記第2面の側を研磨する研磨工程と、
研磨済みの前記第2面に誘電体多層膜を形成する誘電体多層膜形成工程と、
を有し、
前記研磨工程では、
前記誘電体多層膜における前記光取り出し面の側の面積を表面積Sdmとし、前記半導体発光素子の側面であって前記第2面から前記発光層における中心を通るとともに前記第2面に平行な面までの面の面積を側面積Ssubとすると、前記表面積Sdmおよび前記側面積Ssubは、次式
1.2 ≦ Ssub/Sdm ≦ 2.0
を満たすように前記成長基板を研磨すること
を特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017064772A JP6747353B2 (ja) | 2017-03-29 | 2017-03-29 | 半導体発光素子とその製造方法 |
US15/908,638 US20180287016A1 (en) | 2017-03-29 | 2018-02-28 | Semiconductor light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017064772A JP6747353B2 (ja) | 2017-03-29 | 2017-03-29 | 半導体発光素子とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018170318A true JP2018170318A (ja) | 2018-11-01 |
JP6747353B2 JP6747353B2 (ja) | 2020-08-26 |
Family
ID=63668812
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017064772A Active JP6747353B2 (ja) | 2017-03-29 | 2017-03-29 | 半導体発光素子とその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180287016A1 (ja) |
JP (1) | JP6747353B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022131647A1 (ko) * | 2020-12-17 | 2022-06-23 | 삼성전자주식회사 | 엘이디 칩 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187771A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-03-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2008053263A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子及びこれを備えた光源装置 |
JP2015185655A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | 豊田合成株式会社 | 発光素子およびその製造方法 |
US20160349445A1 (en) * | 2015-05-29 | 2016-12-01 | Jong In Kim | Semiconductor light emitting diode chip and light emitting device having the same |
JP2016201525A (ja) * | 2015-04-09 | 2016-12-01 | エルシード株式会社 | 光学装置及び発光素子 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2402984B1 (en) * | 2009-02-25 | 2018-01-10 | Nichia Corporation | Method of manufacturing a semiconductor element, and corresponding semicondutor element |
KR101746004B1 (ko) * | 2010-10-29 | 2017-06-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
CN203038965U (zh) * | 2012-07-02 | 2013-07-03 | 刘艳 | 发光元件 |
JPWO2015111134A1 (ja) * | 2014-01-21 | 2017-03-23 | 創光科学株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP2016149462A (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 豊田合成株式会社 | 発光素子およびその製造方法 |
-
2017
- 2017-03-29 JP JP2017064772A patent/JP6747353B2/ja active Active
-
2018
- 2018-02-28 US US15/908,638 patent/US20180287016A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187771A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-03-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2008053263A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子及びこれを備えた光源装置 |
JP2015185655A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | 豊田合成株式会社 | 発光素子およびその製造方法 |
JP2016201525A (ja) * | 2015-04-09 | 2016-12-01 | エルシード株式会社 | 光学装置及び発光素子 |
US20160349445A1 (en) * | 2015-05-29 | 2016-12-01 | Jong In Kim | Semiconductor light emitting diode chip and light emitting device having the same |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022131647A1 (ko) * | 2020-12-17 | 2022-06-23 | 삼성전자주식회사 | 엘이디 칩 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6747353B2 (ja) | 2020-08-26 |
US20180287016A1 (en) | 2018-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5929714B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US10403796B2 (en) | Light emitting device and method of fabricating the same | |
TWI476949B (zh) | 半導體發光裝置 | |
JP5541261B2 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
KR101259969B1 (ko) | 발광 장치 | |
KR100714638B1 (ko) | 단면 발광형 led 및 그 제조방법 | |
JP5091823B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2015060886A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
JP2005183911A (ja) | 窒化物半導体発光素子及び製造方法 | |
JP5743806B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光装置、及び窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP5589812B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2007258276A (ja) | 半導体発光素子 | |
KR20140000818A (ko) | 유전체 리플렉터를 구비한 발광소자 및 그 제조방법 | |
WO2013051326A1 (ja) | 窒化物半導体発光素子、及び窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JPWO2015033638A1 (ja) | 半導体発光素子 | |
KR102562063B1 (ko) | 발광 다이오드 | |
JP5731731B2 (ja) | 発光装置 | |
US20180248078A1 (en) | Light-emitting diode chip | |
JP5378131B2 (ja) | 窒化物半導体発光ダイオード素子 | |
JP6747353B2 (ja) | 半導体発光素子とその製造方法 | |
CN111106212A (zh) | 垂直结构深紫外发光二极管及其制备方法 | |
US9508900B2 (en) | Light-emitting device | |
JP2015119014A (ja) | 半導体発光素子及びその電極形成方法 | |
JP2010226013A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP2007173569A (ja) | 発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190426 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200414 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200609 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200707 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200720 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6747353 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |