JP2018169248A - 温度センサ及びその製造方法 - Google Patents
温度センサ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018169248A JP2018169248A JP2017065707A JP2017065707A JP2018169248A JP 2018169248 A JP2018169248 A JP 2018169248A JP 2017065707 A JP2017065707 A JP 2017065707A JP 2017065707 A JP2017065707 A JP 2017065707A JP 2018169248 A JP2018169248 A JP 2018169248A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- temperature sensor
- protective film
- thermistor
- amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
Description
また、その他にも、非焼成で形成でき、Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Si,Cu及びAlの少なくとも1種の窒化物材料であり、上記結晶構造を有するものであって高B定数が得られる材料が開発されている(特許文献2〜7)。
上記従来の技術では、金属窒化物材料の薄膜サーミスタ部上に絶縁性保護膜としてポリイミド樹脂を形成又は接着しているが、金属窒化物材料の薄膜サーミスタ部とポリイミド樹脂との密着性が弱く、密着性の向上が要望されていた。また、ポリイミド樹脂材料のように有機系樹脂材料は、熱に弱く、十分な耐熱性を有した無機系保護膜用材料も要望されていた。特に、サーミスタ部はセラミックス材料からなることが多いため、絶縁性も兼ね備えた耐熱性を有するセラミックス保護膜が要望されていた。さらに、ポリイミド樹脂よりも高い耐湿性を有した保護膜が要望されている。
すなわち、この温度センサでは、薄膜サーミスタ部と絶縁性窒化物保護膜との結晶構造が、同じ窒化物セラミックス系であるので、高い密着性を確保することができると共に、高い耐熱性も確保することができる。
すなわち、この温度センサでは、薄膜サーミスタ部が上記MxAyNzで示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であるので、薄膜サーミスタ部が非焼成で成膜できると共に、高いB定数とフレキシブル性とを有している。
すなわち、この温度センサでは、絶縁性基材が、絶縁性フィルムであるので、薄膜サーミスタ部と共に絶縁性基材もフレキシブル性を有することで、薄型で全体がフィルム状のフレキシブル温度センサとなる。例えば測定対象物に押し当てた際に、柔軟に湾曲して測定対象物と接触させることが可能になる。また、測定対象物が曲面をもっていても、測定対象物と薄膜サーミスタ部とを面接触させることができる。したがって、この温度センサは、薄型でかつフレキシブル性を有するので、狭い空間や曲面等への設置が可能となり、温度センサの設置自由度を大幅に向上させることができる。
すなわち、この温度センサの製造方法では、保護膜形成工程で、窒素のみ又は窒素とアルゴンとの混合ガスによる雰囲気中での反応性スパッタにより非晶質窒化物保護膜を成膜するので、反応性スパッタの雰囲気中に酸素が含まれないことで薄膜サーミスタ部の表面酸化を抑制しつつ非晶質窒化物保護膜を成膜することができる。
すなわち、本発明に係る温度センサ及びその製造方法によれば、サーミスタ用金属窒化物材料で形成された薄膜サーミスタ部上に形成された絶縁性の非晶質窒化物保護膜を備えるので、互いに窒化物である薄膜サーミスタ部と非晶質窒化物保護膜との高い密着性が得られると共に、非晶質の窒化物保護膜によりポリイミド樹脂よりも高い耐熱性と耐湿性を得ることができる。したがって、薄膜サーミスタ部と非晶質窒化物保護膜との剥離が発生し難いと共に、高温環境や多湿環境等での使用が可能になり高い信頼性が得られる。
なお、本実施形態では、薄膜サーミスタ部3として、一般式:TixAlyNz(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相を採用している。
上記非晶質窒化物保護膜5は、Si−N,Al−N,B−N等の非晶質膜が採用可能である。なお、本実施形態では、非晶質窒化物保護膜5として、Si−Nの非晶質膜を採用している。
上記一対のパターン電極4は、互いに対向方向に延在した複数の櫛部4aを有している。
上記温度センサ1の製造方法は、互いに対向して絶縁性基材2の上(薄膜サーミスタ部3の下)に一対のパターン電極4をパターン形成するパターン電極形成工程と、絶縁性基材2及びパターン電極4の上に薄膜サーミスタ部3をスパッタリングにより形成する薄膜サーミスタ部形成工程と、薄膜サーミスタ部3上に絶縁性の非晶質窒化物保護膜5をスパッタリングにより形成する保護膜形成工程とを有している。
また、上記保護膜形成工程では、窒素のみ又は窒素とアルゴンとの混合ガスによる雰囲気中での反応性スパッタにより非晶質窒化物保護膜5を成膜する。
なお、保護膜形成工程では、非晶質窒化物保護膜5のスパッタリングの前に、酸素を有しないガス雰囲気下で、逆スパッタによるプラズマ表面処理を行っている。
この際の逆スパッタ条件は、例えば到達真空度:4×10−5Pa、ターゲット印加電力:50Wで、Arガス雰囲気下において30分間とする。なお、逆スパッタ時に用いられるガス種は、窒素ガス、Arガスと窒素ガスとの混合ガスを用いてもよい。
例えば、Si3N4スパッタリングターゲットを用い、窒素とArとの混合ガスの雰囲気中で反応性スパッタ法にて、Si−Nの非晶質窒化物保護膜5を膜厚300nmで成膜する。その時のスパッタ条件は、到達真空度4×10−5Pa、スパッタガス圧0.4Pa、ターゲット投入電力(出力)200Wで、Arガス+窒素ガスの混合ガス雰囲気下において、窒素ガス分率を40%で作製する。
このようにして、例えばサイズを1.0×0.5mmとし、厚さを0.1mmとした薄いフィルム型サーミスタセンサの温度センサ1が得られる。
特に、絶縁性基材2が、絶縁性フィルムであるので、薄膜サーミスタ部3と共に絶縁性基材2もフレキシブル性を有することで、薄型で全体がフィルム状のフレキシブル温度センサとなる。例えば、測定対象物に押し当てた際に、柔軟に湾曲して測定対象物と接触させることが可能になる。また、測定対象物が曲面をもっていても、測定対象物と薄膜サーミスタ部3とを面接触させることができる。したがって、この温度センサ1は、薄型でかつフレキシブル性を有するので、狭い空間や曲面等への設置が可能となり、温度センサの設置自由度を大幅に向上させることができる。特に、非晶質Si−Nの非晶質窒化物保護膜5が高い耐熱性を有することから、200℃以上の耐熱性を有するフレキシブル温度センサが可能になる。
さらに、窒素のみ又は窒素とアルゴンとの混合ガスによる雰囲気中での反応性スパッタにより非晶質窒化物保護膜5を成膜するので、反応性スパッタの雰囲気中に酸素が含まれないことで薄膜サーミスタ部3の表面酸化を抑制しつつ非晶質窒化物保護膜5を成膜することができる。
また、第2実施形態では、非晶質窒化物保護膜5がパターン電極4も覆って薄膜サーミスタ部3上に形成されている点でも第1実施形態と異なっている。しかし、パターン電極4で覆われていない部分においては、薄膜サーミスタ部3上に非晶質窒化物保護膜5が形成されている点における技術的相違点はない。
したがって、第2実施形態の温度センサ21では、第1実施形態と同様に、サーミスタ用金属窒化物材料で形成された薄膜サーミスタ部3上に形成された非晶質窒化物保護膜5を備えているので、互いに窒化物である薄膜サーミスタ部3と非晶質窒化物保護膜5との高い密着性が得られると共に、非晶質窒化物保護膜5によりポリイミド樹脂よりも高い耐熱性を得ることができる。また、非晶質窒化物保護膜5が非晶質であるため、非晶質膜中に結晶粒界が存在せず、大気中の水蒸気等のガスバリア性も向上して、高い耐湿性も得ることができる。
また、比較例として、保護膜を設けないもの(薄膜サーミスタ部3が大気に露出されているもの)と、保護膜として非晶質酸化物膜である非晶質のAl−Oを保護膜として厚さ300nmで形成したものとを作製し、同様に測定した。
さらに、これら本発明の実施例と比較例とについて、250℃で1000hの耐熱試験を行った後の25℃における抵抗値上昇率と、B定数変化率とを測定した結果も表1に示す。
また、成膜した上記Si−N保護膜(非晶質窒化物保護膜5)とAl−O保護膜とは、どちらも非晶質(アモルファス)であることがXRDにより確認されている。また、Si−N保護膜については、250℃で1000h熱処理した後も、結晶化されることなく、非晶質のままであることが、XRDにより確認されている。
また、作製した実施例及び比較例の温度センサは、いずれも25℃と50℃との抵抗値より負の温度特性をもつサーミスタであることを確認している。
なお、表1の絶縁保護膜の欄では、保護膜を設けていない比較例を「なし」と記載し、非晶質Si−N保護膜を形成した本発明の実施例を「Si−N 300nm」と記載し、非晶質のAl−O保護膜を形成した比較例を「Al−O 300nm」と記載している。
B定数(K)=ln(R25/R50)/(1/T25−1/T50)
R25(Ω):25℃における抵抗値
R50(Ω):50℃における抵抗値
T25(K):298.15K 25℃を絶対温度表示
T50(K):323.15K 50℃を絶対温度表示
また、上記各実施形態では、薄膜サーミスタ部として結晶性Ti−Al−Nを用いているが、特に結晶性Ti−Al−Nに限定されることなく、特許文献2〜7に記載されているように、結晶性Al−Nと同じ六方晶系のウルツ鉱型の結晶構造をとる窒化物サーミスタ薄膜MxAyNz(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)にも適用可能である。
以下の表2にAl,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Siの各イオン種における有効イオン半径を示す(参照論文 R.D.Shannon, Acta Crystallogr., Sect.A, 32, 751(1976))。
絶縁体の結晶性Al−Nは、ウルツ鉱型結晶構造を有しており、AlサイトをTi等のMに置き換えることにより、キャリアドーピングし、電気伝導が増加することで、サーミスタ特性が得られるものであるが、例えばAlサイトをTiに置き換えた場合は、AlよりTiの方が有効イオン半径が大きいので、その結果、AlとTiとの平均イオン半径は増加する。その結果、原子間距離が増加し、格子定数が増加すると推測できる。
したがって、様々な六方晶系のウルツ鉱型の結晶構造をとる窒化物サーミスタ薄膜MxAyNz(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。)に対し、同じ窒化物である絶縁性の非晶質窒化物保護膜を形成することが可能であり、高い密着性が得られると共に、高い耐熱性を得ることができる。
Claims (5)
- 絶縁性基材と、
前記絶縁性基材上にサーミスタ用金属窒化物材料で形成された薄膜サーミスタ部と、
互いに対向して前記薄膜サーミスタ部の下又は上の少なくとも一方にパターン形成された一対のパターン電極と、
前記薄膜サーミスタ部上に形成された絶縁性の非晶質窒化物保護膜とを備えていることを特徴とする温度センサ。 - 請求項1に記載の温度センサにおいて、
前記非晶質窒化物保護膜が、Si−Nの非晶質膜であることを特徴とする温度センサ。 - 請求項1又は2に記載の温度センサにおいて、
前記薄膜サーミスタ部が、一般式:MxAyNz(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であることを特徴とする温度センサ。 - 請求項3に記載の温度センサにおいて、
前記絶縁性基材が、絶縁性フィルムであることを特徴とする温度センサ。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載の温度センサを製造する方法であって、
絶縁性基材上に薄膜サーミスタ部をスパッタリングにより形成する薄膜サーミスタ部形成工程と、
互いに対向して前記薄膜サーミスタ部の下又は上の少なくとも一方に一対のパターン電極をパターン形成するパターン電極形成工程と、
前記薄膜サーミスタ部上に絶縁性の非晶質窒化物保護膜をスパッタリングにより形成する保護膜形成工程とを有し、
前記保護膜形成工程で、窒素のみ又は窒素とアルゴンとの混合ガスによる雰囲気中での反応性スパッタにより前記非晶質窒化物保護膜を成膜することを特徴とする温度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017065707A JP6769373B2 (ja) | 2017-03-29 | 2017-03-29 | 温度センサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017065707A JP6769373B2 (ja) | 2017-03-29 | 2017-03-29 | 温度センサ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018169248A true JP2018169248A (ja) | 2018-11-01 |
JP6769373B2 JP6769373B2 (ja) | 2020-10-14 |
Family
ID=64017843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017065707A Active JP6769373B2 (ja) | 2017-03-29 | 2017-03-29 | 温度センサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6769373B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102019127915A1 (de) * | 2019-10-16 | 2021-04-22 | Tdk Electronics Ag | Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements |
WO2021261006A1 (ja) | 2020-06-26 | 2021-12-30 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ |
-
2017
- 2017-03-29 JP JP2017065707A patent/JP6769373B2/ja active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102019127915A1 (de) * | 2019-10-16 | 2021-04-22 | Tdk Electronics Ag | Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements |
WO2021261006A1 (ja) | 2020-06-26 | 2021-12-30 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6769373B2 (ja) | 2020-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5477670B2 (ja) | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ | |
JP6354947B2 (ja) | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ | |
JP6015423B2 (ja) | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ | |
JP5776942B2 (ja) | 温度センサ | |
JP6318915B2 (ja) | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ | |
JP6311878B2 (ja) | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ | |
JP6120250B2 (ja) | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ | |
KR20160034891A (ko) | 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서 | |
TW201529912A (zh) | 熱敏電阻用金屬氮化物材料及其製造方法以及薄膜型熱敏電阻感測器 | |
KR20150097538A (ko) | 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서 | |
JP6769372B2 (ja) | 温度センサ及びその製造方法 | |
JP2018169248A (ja) | 温度センサ及びその製造方法 | |
JP4811316B2 (ja) | 薄膜サーミスタ素子及び薄膜サーミスタ素子の製造方法 | |
JP6318916B2 (ja) | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ | |
JP5796720B2 (ja) | 温度センサ及びその製造方法 | |
JP6355022B2 (ja) | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ | |
JP2018137268A (ja) | 電子デバイス及びその製造方法 | |
JP2017163127A (ja) | サーミスタ用金属窒化膜構造及びその製造方法並びにサーミスタセンサ | |
JP7234573B2 (ja) | サーミスタ及びその製造方法並びにサーミスタセンサ | |
JP6944659B2 (ja) | サーミスタセンサ及びその製造方法 | |
JP2018044946A (ja) | 温度センサ及びその製造方法 | |
JP2019129186A (ja) | サーミスタ及びその製造方法並びにサーミスタセンサ | |
WO2019131570A1 (ja) | サーミスタ及びその製造方法並びにサーミスタセンサ | |
JP2016134505A (ja) | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ | |
JP2018160601A (ja) | サーミスタ及びその製造方法並びにサーミスタセンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200603 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200730 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200825 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200907 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6769373 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |