JP2018160701A5 - 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体 - Google Patents

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開示の実施形態は、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体に関する。
実施形態の一態様は、基板の表面に影響を与えることなく、基板に付着した粒子径の小さい不要物を除去することのできる基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体を提供することを目的とする。
実施形態の一態様に係る基板洗浄システムは、剥離処理液供給部と、リンス液供給部とを備える。剥離処理液供給部は、揮発成分を含成膜処理液が供給された、表面に窒化シリコンの膜が形成された基板において揮発成分が揮発することによって成膜処理液が基板上で固化または硬化してなる処理膜に対して、純水、CO2水、低濃度のアルカリ現像液、アルカリ性の水溶液、界面活性剤添加水溶液、フッ素系溶剤、希釈IPAのうち少なくとも1つの加熱された剥離液を供給することによって、処理膜を基板から剥離させる。リンス液供給部は、基板に対してリンス液を供給する。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

Claims (6)

  1. 揮発成分を含成膜処理液が供給された、表面に窒化シリコンの膜が形成された基板において前記揮発成分が揮発することによって前記成膜処理液が前記基板上で固化または硬化してなる処理膜に対して、純水、CO2水、低濃度のアルカリ現像液、アルカリ性の水溶液、界面活性剤添加水溶液、フッ素系溶剤、希釈IPAのうち少なくとも1つの加熱された剥離液を供給することによって、前記処理膜を前記基板から剥離させる剥離処理液供給部と、
    前記基板に対してリンス液を供給するリンス液供給部と
    を備える、基板洗浄システム。
  2. 前記剥離処理液供給部は、
    前記加熱された剥離液を供給するノズルと、
    前記ノズルを移動させる移動機構と
    を備え、
    前記移動機構を用いて前記ノズルを移動させつつ、前記ノズルから前記処理膜に対して前記加熱された剥離液を供給する、請求項1に記載の基板洗浄システム。
  3. 前記剥離処理液供給部は、
    前記基板の径方向に沿って所定の間隔をあけて並べて配置される複数の吐出口を有するノズル
    を備え、
    前記基板の外周部分を含む領域と対向する前記吐出口から吐出される前記加熱された剥離液の流速と比較して、前記基板の中央部分を含む領域と対向する吐出口から吐出される前記加熱された剥離液の流速を高くした、請求項1または2に記載の基板洗浄システム。
  4. 前記剥離処理液供給部は、
    2流体ノズル
    を備え、
    前記2流体ノズルから前記処理膜に対して混合流体を供給した後、前記2流体ノズルから前記処理膜に対して前記加熱された剥離液を供給する、請求項1または2に記載の基板洗浄システム。
  5. 揮発成分を含み基板上に膜を形成するための成膜処理液を表面に窒化シリコンの膜が形成された基板へ供給する成膜処理液供給工程と、
    前記揮発成分が揮発することによって前記成膜処理液が前記基板上で固化または硬化してなる処理膜に対して、純水、CO2水、低濃度のアルカリ現像液、アルカリ性の水溶液、界面活性剤添加水溶液、フッ素系溶剤、希釈IPAのうち少なくとも1つの加熱された剥離液を供給することによって、前記処理膜を前記基板から剥離させる剥離処理液供給工程と、
    前記剥離処理液供給工程後、前記基板に対してリンス液を供給するリンス工程と
    を含む、基板洗浄方法。
  6. コンピュータ上で動作し、基板洗浄システムを制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
    前記プログラムは、実行時に、請求項5に記載の基板洗浄方法が行われるように、コンピュータに前記基板洗浄システムを制御させる、記憶媒体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6371488B2 (ja) * 2013-11-13 2018-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体
JP7431077B2 (ja) * 2020-03-24 2024-02-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63124531A (ja) * 1986-11-14 1988-05-28 Hitachi Ltd 平滑面清掃方法
JPH02246332A (ja) * 1989-03-20 1990-10-02 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH04116928A (ja) * 1990-09-07 1992-04-17 Sharp Corp 半導体ウェハの洗浄方法
JPH06260465A (ja) * 1993-03-05 1994-09-16 Nippon Steel Corp 表面処理方法
JPH10282637A (ja) * 1997-04-09 1998-10-23 Fujitsu Ltd レチクルの異物除去方法及び装置
JP4917651B2 (ja) * 1999-08-12 2012-04-18 アクアサイエンス株式会社 レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法
JP2001250773A (ja) * 1999-08-12 2001-09-14 Uct Kk レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法
JP2001093806A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Seiko Epson Corp レジスト膜の除去方法および装置
JP2003332288A (ja) * 2002-05-10 2003-11-21 Lam Research Kk 水供給方法および水供給装置
JP2006162866A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Seiko Epson Corp レジスト膜の除去方法及びレジスト膜除去装置
JP2006210598A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置及び処理方法
JP2008060368A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP5817139B2 (ja) * 2011-02-18 2015-11-18 富士通株式会社 化合物半導体装置の製造方法及び洗浄剤
JP2013016599A (ja) * 2011-07-01 2013-01-24 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP6125348B2 (ja) * 2013-06-24 2017-05-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6371488B2 (ja) * 2013-11-13 2018-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体

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