JP2018160678A - ラミネートフィルム、ラミネート構造及びその製造方法 - Google Patents

ラミネートフィルム、ラミネート構造及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018160678A
JP2018160678A JP2018102950A JP2018102950A JP2018160678A JP 2018160678 A JP2018160678 A JP 2018160678A JP 2018102950 A JP2018102950 A JP 2018102950A JP 2018102950 A JP2018102950 A JP 2018102950A JP 2018160678 A JP2018160678 A JP 2018160678A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
optical elements
support film
film
laminate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018102950A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6595044B2 (ja
Inventor
ベイスン，グリゴリー
Grigoriy Basin
スコット マーティン，ポール
Scott Martin Paul
スコット マーティン，ポール
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JP2018160678A publication Critical patent/JP2018160678A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6595044B2 publication Critical patent/JP6595044B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24851—Intermediate layer is discontinuous or differential
    • Y10T428/2486—Intermediate layer is discontinuous or differential with outer strippable or release layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer

Abstract

【課題】波長変換素子、又は下に位置する発光構造に付加されるその他の素子、を備えた発光デバイスを製造するために使用される単純化されたプロセス、又はコストを低減化したプロセスを提供する。【解決手段】ラミネートフィルム１００は、支持フィルム１１０の選択された位置に配置された複数の光学素子１３０を含んでおり、支持フィルムの表面に垂直な高さすなわちプロファイルの変化を作り出している。位置は、ラミネートフィルムが反転されて発光デバイスのタイル１５０上に配置されるときに光学素子が発光デバイスの特定の機構１４０上に位置することになるように選択される。【選択図】図１Ｄ

Description

本発明は、発光デバイスの分野に関し、特に、パターン形成されたラミネーションシート及び対応する構造、並びにそのようなシートによって形成されるデバイスに関する。
ここに援用する２００９年７月９日に発行された“事前に製造された波長変換素子を備えた半導体発光デバイス（SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE WITH PRE-FABRICATED WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT）”なるタイトルのMartin等の特許文献１は、別個に製造される波長変換素子を備えた半導体発光デバイスを開示している。例えば蛍光体及びガラスからなる波長変換素子が、発光デバイスに接合される個々の波長変換素子へと分離されるシートにて製造される。その波長変換素子は、それらの波長変換特性に従ってグループ分けされて保管され得る。その波長変換素子は、主の光と補助的な光との所望の混合物を生成するよう、半導体発光デバイスと選択的にマッチングされ得る。
米国特許出願公開第２００９／０１７３９６０号明細書
波長変換素子、又は下に位置する発光構造に付加されるその他の素子、を備えた発光デバイスを製造するために使用されるプロセスを単純化すること、又はそのようなプロセスに付随するコストを低減することが有利となり得る。
別の基板上の発光素子の位置に対応する選択位置で支持フィルムに光学素子が貼り付けられる。該フィルムは、発光素子を含んだ基板上に、光学素子が対応する発光素子と接触するように配置される。光学素子が発光素子にラミネートされ、支持フィルムが除去され得る。光学素子は、波長変換素子、レンズ素子、複数素子の組合せなどを含み得る。例えば金属導体などのその他の素子もラミネートフィルム上に配置され得る。
以下の図を含む添付図面を参照して、例として、本発明を更に詳細に説明する。
光学素子と発光デバイスとのラミネート構成の一形成例を示す図である。 光学素子と発光デバイスとのラミネート構成の一形成例を示す図である。 光学素子と発光デバイスとのラミネート構成の一形成例を示す図である。 光学素子と発光デバイスとのラミネート構成の一形成例を示す図である。 光学素子と発光デバイスとのラミネート構成の一形成例を示す図である。 パターン形成された光学素子の例を示す図である。 パターン形成された光学素子の例を示す図である。 パターン形成された光学素子の例を示す図である。 多層光学素子の一例を示す図である。 多層光学素子の一例を示す図である。 光学素子と発光デバイスとのラミネート構成を形成するためのフロー図の一例を示す図である。 図面全体を通して、同じ参照符号は同様あるいは対応する機構又は機能を指し示す。図面は例示目的で含められたものであり、本発明の範囲を限定することを意図したものではない。
以下の記載においては、本発明の概念の完全なる理解を提供するため、限定ではなく説明の目的で、例えば特定のアーキテクチャ、インタフェース、技術などの具体的詳細事項が説明される。しかしながら、当業者に明らかになるように、本発明は、これらの具体的詳細事項を逸脱した他の実施形態でも実施され得るものである。同様に、この記載のテキストは、図に例示される実施形態例に向けられたものであり、請求項中に明示的に含まれる限定以上に請求項に係る発明を限定することを意図したものではない。単純化及び明瞭化のため、不必要な詳細事項によって本発明の説明を不明瞭にしないよう、周知のデバイス、回路及び方法の詳細な説明は省略する。
先述の特許文献１は、この場合には波長変換素子（例えば、蛍光体）である光学素子を発光素子に付加するための少なくとも２つの技術を開示している。第１の技術においては、蛍光体材料のシートが、複数の発光素子を含んだ基板上に配置された後、蛍光体材料を発光素子に貼り付けるよう処理される。この技術を用いると、基板全体が蛍光体材料によって覆われる。第２の技術においては、蛍光体材料のシートが個々の素子へと切断され、それら個々の素子が発光素子の発光部に貼り付けられ、それにより、使用される蛍光体の量が節減される。各蛍光体素子を各発光素子上に配置するために、ピックアンドプレースプロセスが使用され得る。
図１Ａ−１Ｅは、一例に係るラミネート構造１９０の形成を示している。図１Ａはラミネートフィルム１００の断面図を例示し、図１Ｂはラミネートフィルム１００の平面図を例示し、図１Ｃは、発光デバイス群が個々の発光デバイス１６０へとスライス／ダイシングあるいはその他の方法で個片化される前の、発光デバイスを敷き詰めたもの（タイル）１５０の一例を示している。本出願での用語の用法として、‘タイル’は単に、基板上の複数のデバイスであり、タイルは、デバイスが上に形成された半導体ウェハ、デバイスが内部に配置される容器を備えたフレーム、又はデバイスが上に位置する何らかのその他の基板とし得る。
この例のラミネートフィルム１００は、支持フィルム１１０の選択された位置に配置された複数の光学素子１３０を含んでおり、支持フィルムの表面に垂直な高さすなわちプロファイルの変化を作り出している。上記位置は、ラミネートフィルム１００が反転されて発光デバイス１６０のタイル１５０上に配置されるときに光学素子１３０が発光デバイス１６０の特定の機構１４０上に位置することになるように選択される。例えば、光学素子１３０が例えば蛍光体などの波長変換材料を含む場合、光学素子１３０は、タイル１５０上で発光デバイス１６０の発光素子に対応することになる位置で支持フィルム１１０上に置かれ得る。
図１Ｄに示されるようにラミネートフィルム１００が反転されてタイル１５０上に配置されるとき、熱・真空ラミネート（積層）プロセスを用いて光学素子１３０をそれらに対応する機構１４０に貼り付けることができ、それにより、図１Ｅに示されるようなラミネート構造が形成され得る。すなわち、ラミネートフィルム１００は、真空を用いてタイル１５０上に引き下ろされ、そして、光学素子１３０が発光デバイス１６０の対応する機構１４０と接合するように加熱される。その後、支持フィルム１１０が除去され、光学素子１３０を備えた発光デバイス１６０の後続処理が実行され得る。
一実施形態例において、支持フィルム１１０は、光学素子１３０に対して比較的低い粘着力を有するエチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）フィルムとし得る。光学素子１３０は、より高い粘着力を発光デバイス１６０の機構１４０に対して有するガラス又はエポキシの素子とし得る。ここに援用する２０１０年８月２０日に出願された同時係属中の米国特許出願第１２／３７５２９６号（Grigoriy Basin，Kinya Kodama，Kazutoshi Iwata、“ＬＥＤ用ラミネーションプロセス（LAMINATION PROCESS FOR LEDS）”、整理番号PH015255US1）は、例えばシリコーンのバインダ内の蛍光体粉末の層を、サブマウントウェハ上のＬＥＤダイのアレイ上にラミネートする方法を開示している。この層はＬＥＤダイ上に取り付けられ、この構造が真空内で加熱される。この層がＬＥＤダイの頂部に接着するよう、支持フィルムに下向きの圧力が加えられる。その後、この構造は大気に晒され、支持フィルムが除去される。第２のラミネート工程において、上記層とウェハとの間の残存空気を除去するため、この構造は真空内で更に高い温度まで加熱される。
光学素子１３０は、多様な技術のうちの何れかを用いて、支持フィルム１１０上に形成あるいは配置され得る。支持フィルム上に光学素子１３０をスタンピングあるいは印刷するよう、型押しプロセス又はスクリーン印刷が用いられてもよいし、支持フィルム上に光学素子１３０を形成するために、フォトリソグラフィプロセスが用いられてもよいし、支持フィルム上に光学素子１３０を配置するためにピックアンドプレースプロセスが用いられてもよいし、あるいは、これらの技術と技術的に知られたその他の技術との組合せが用いられてもよい。型押し又はその他の‘鋳造（キャスティング）’技術を用いて、光学素子１３０内に所望のパターンが作り出されてもよい。使用されるプロセス及び材料に応じて、光学素子１３０上に直接的にパターンが形成されてもよいし、支持フィルム１１０が、その後に光学素子１３０が身に付けるパターンを含んでいてもよい。
得られたラミネートフィルム１００が、将来的なタイル１５０へのラミネーションに備えて保管される場合、光学素子１３０への汚染又はダメージを避けるために、光学素子１３０上に、支持フィルム１１０とは反対側で、取り外し可能なカバーフィルムが配置され得る。これに関連し、用語‘支持フィルム’及び‘カバーフィルム’は等価であるように解釈されてもよい。例えば、素子１３０が上に形成された元々のフィルムと素子１３０を覆う別のフィルムとの間に素子１３０が挟み込まれる場合、素子１３０を露出させるためのどちらのフィルムが除去されるかは重要でなく、残った方のフィルムがその後に支持フィルムとなる。
ラミネートフィルム１００は単一種類の光学素子１３０に限定されない。光学素子１３０は複数の素子及び構造を有していてもよい。例えば、レンズ素子がラミネートフィルム上に形成された後に、レンズ上の蛍光体素子、及び蛍光体素子の周りの反射体が形成されてもよい。同様に、ラミネートフィルム１００には、１つ以上の導電性のラミネーション層として回路配線が形成されてもよい。同様に、デバイスや例えば蛍光体波長変換層などのその他の層の内部で生成される熱の伝達又は放散を促進するために、ラミネートフィルムに１つ以上の熱伝導性のラミネーション層が形成されてもよい。隣接する層と同様の光学特性を有するように熱伝導層を選定してもよいし、あるいは、‘既存’の層内に熱伝導材料を埋め込んで、その層がその主機能とともに伝熱機能を果たすようにしてもよい。例えば、シリコーン／蛍光体ポリマーが波長変換に使用される場合、より良好な熱伝導を実現するよう、該ポリマーにシリカが添加され得る。何故なら、シリカはシリコーンと同等の屈折率を有しており、シリカの添加はデバイスの光学的な品質を低下させにくいからである。
図２Ａ−２Ｃは、光学素子の例１３０Ａ−１３０Ｃの平面図を示している。図２Ａにおいて、一例に係る光学素子１３０Ａは、多くの場合には例えばコリメーション、偏光、分散などの特定の光学パターン又は光学特性を形成するように、パターン形成２１０されている。このパターン形成２１０は、パターンを有するように光学素子１３０Ａの表面を形成することによって生成され、例えば、パターン形成されたラミネートフィルム１００を用いてラミネーションプロセス中に光学材料２３０にパターンを転写することによって生成される。他の例では、パターン２１０は、支持フィルムに例えば金属などの第２の材料を所望のパターンで設け、その後、この材料を光学材料２３０で覆うことによって形成され得る。パターン形成された表面を作り出すその他の技術も技術的によく知られている。
図２Ｂ及び２Ｃにおいては、異なる陰影によって示されるように、異なる種類の材料が光学素子１３０Ｂ及び１３０Ｃを形成している。図２Ｂにおいて、例えば２つの異なる蛍光体などの２つの異なる材料２５０、２５５が交互パターンにて配列されている。このような組合せは、例えば、元々の放出光を２つの他の波長の光に変換することによって、より広いスペクトルの出力光が所望されるときに使用され得る。この概念は、任意の数の組合せを含むように拡張されることができ、４つの蛍光体２６０、２６２、２６４、２６６の組合せが図２Ｃに例示されている。
図３Ａ−３Ｂは、蛍光体３３０と反射体（リフレクタ）３２０とを含む光学素子３５０の平面図及び切断断面図を例示している。反射体３２０は、発光デバイス３４０内の発光素子からの光が蛍光体層３３０に入射することを可能にする開口３２５を含んでいる。蛍光体層３３０より小さいように図示されているが、反射体３２０は蛍光体層３３０の外側まで延在していてもよい。
図４は、光学素子と発光デバイスとを有するラミネート構造の形成のためのフロー図の一例を示している。
ステップ４１０にて、支持フィルムが用意される。上述のように、支持フィルムは、低い粘着力を有するエチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）フィルムとし得る。このフィルム上に、ステップ４２０にて、選択位置にディスクリート光学素子が配置あるいは形成される。これらの位置は、例えば各発光デバイス内の発光素子の位置などの、別個の基板上の発光デバイスの機構の位置に対応するように選択される。やはり上述したように、これらの光学素子は、支持フィルム上に型押し、あるいは印刷されてもよいし、フォトリソグラフィ技術を用いて形成されてもよい。光学素子は、ラミネートフィルムを形成するように支持フィルム上で後に硬化される、あるいは部分的に硬化されるエポキシ又はガラススラリー内の蛍光体を含んでいてもよい。ステップ４３０にて、ディスクリート光学素子の更なるパーツとし得るその他の素子もラミネートフィルムに付加され得る。
必要に応じて、ステップ４４０にて、保護カバーフィルムが、支持フィルムの反対側でラミネートフィルムに付加され得る。このカバーフィルムも、低い粘着力を有するＥＴＦＥフィルムとし得る。
ステップ４５０にて、発光デバイスのタイルが用意され、ステップ４５５にて、存在する場合に保護カバーが除去され得る。保護カバーフィルムが付加されている場合、光学素子の具体的な構造に応じて、元々のフィルム又はこのカバーフィルムの何れがその後に支持フィルムと見なされてもよく、他方のフィルムが除去された後に残存するフィルムが支持フィルムとなる。
ステップ４６０にて、光学素子が発光デバイスの対応する機構と接触するように、ラミネートフィルムがタイル上に配置される。そして、ステップ４７０にて、ラミネートフィルムが発光デバイスにラミネートされる。ラミネーションは、上述のように真空加熱プロセスを用いて実行されてもよいし、あるいは、何らかの代替的なラミネーション技術が用いられてもよい。得られたラミネート構造はその後の処理に備えて保管されることができ、支持フィルムがこの構造体の保護カバーを形成する。
ステップ４８０にて、支持フィルムが除去され、ステップ４９０にて、例えば試験、封止、個片化などの残りのプロセスが実行され得る。
図面及び以上の説明にて本発明を詳細に図示して説明したが、これらの図示及び説明は、限定的なものではなく、例示的あるいは典型的なものと見なされるべきであり、本発明は開示の実施形態に限定されるものではない。例えば、パターン形成された層のうちの少なくとも１つが支持フィルムに対するその層の高さ変化をもたらしながら実質的に均一厚さのラミネートフィルムを実現するように、１つの層のプロファイルの変化がその他の層によって補償される一実施形態にて本発明を作用させることが可能である。
図面、本明細書及び特許請求の範囲の検討から、請求項に係る発明を実施する当業者によって、開示の実施形態へのその他の変形が理解・実現され得る。請求項において、用語“有する”はその他の要素又はステップを排除するものではなく、不定冠詞“ａ”又は“ａｎ”は複数であることを排除するものではない。単一のプロセッサ又はその他のユニットが、請求項に記載された複数の品目の機能を果たしてもよい。特定の複数の手段が互いに異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、それらの手段の組合せが有利に使用され得ないことを指し示すものではない。請求項内の如何なる参照符号も、その範囲を限定するものとして解されるべきでない。

Claims (17)

  1. フレキシブル支持フィルムを用意する工程と、
    少なくとも複数の個別の光学素子を形成するよう、パターンに従って前記支持フィルムの表面に１つ以上の層を付加する工程であり、前記パターンは、前記支持フィルムの前記表面に垂直な少なくとも１つの層の高さに変化を生じさせ、前記パターンは、別個の基板上の複数の発光デバイスの配置に対応する、工程と、
    前記複数の個別の光学素子を備えた前記フレキシブル支持フィルムを、前記別個の基板上の前記発光デバイスの上に配置する工程と、
    前記個別の光学素子間にある前記フレキシブル支持フィルムを前記別個の基板の方に引き寄せるように真空を適用し、それにより、前記個別の光学素子を前記発光デバイス上に推し進める力を印加する工程と、
    この積層構造を加熱して前記個別の光学素子を前記複数の発光デバイスに貼り付ける工程と、
    前記複数の発光デバイスに貼り付けられた前記複数の光学素子を残して前記支持フィルムを除去する工程と、
    を有する発光デバイスの製造方法。
  2. 前記光学素子は波長変換素子を含む、請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。
  3. 前記１つ以上の層は導電性要素の層を含む、請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。
  4. 前記１つ以上の層は、熱伝導を高める材料を含む、請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。
  5. 前記１つ以上の層は反射性材料の層を含む、請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。
  6. 各光学素子は複数の蛍光体素子を含む、請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。
  7. フレキシブルな支持フィルムと、
    前記支持フィルム上の１つ以上のラミネート層であり、該ラミネート層のうちの少なくとも１つの層が、別個の基板上の複数の発光デバイスの位置に対応するパターンに従って前記支持フィルム上に配置された複数の個別の光学素子を含み、前記パターンは、前記支持フィルムの表面に垂直な前記少なくとも１つの層の高さに変化を生じさせ、前記個別の光学素子は、前記支持フィルムよりも実質的に高い真空ラミネーション接着係数を有し、前記複数の個別の光学素子は、接着剤層の使用なしで前記複数の光学素子が前記複数の発光デバイスに真空ラミネートされた後に前記光学素子へのダメージなく前記支持フィルムが前記複数の光学素子から除去されることを可能にする低い粘着力で、前記支持フィルムの前記表面に接着されている、１つ以上のラミネート層と
    を有する、
    ラミネートフィルム。
  8. 前記支持フィルムの反対側で前記複数の光学素子を覆うカバーフィルム層、を含む請求項７に記載のラミネートフィルム。
  9. 前記光学素子は波長変換素子を含む、請求項７に記載のラミネートフィルム。
  10. 前記光学素子は蛍光体−ガラス素子を含む、請求項７に記載のラミネートフィルム。
  11. 前記光学素子の各々は複数の蛍光体素子を含む、請求項７に記載のラミネートフィルム。
  12. 前記ラミネート層のうちの少なくとも１つは伝導要素の層を含み、該伝導要素は電気伝導要素又は熱伝導要素のうちの少なくとも一方を含む、請求項７に記載のラミネートフィルム。
  13. 前記ラミネート層のうちの少なくとも１つは反射性材料の層を含む、請求項７に記載のラミネートフィルム。
  14. 複数の発光デバイスを含むタイル；及び
    ラミネートフィルムであり、
    フレキシブル支持フィルムと、
    前記タイル上の前記複数の発光デバイスの位置に対応する位置で前記フレキシブル支持フィルムの表面に配置された複数の個別の光学素子であり、当該光学素子は、前記フレキシブル支持フィルムの前記表面に垂直な高さに変化を含む平坦でないプロファイルを形成しており、当該個別の光学素子は、前記フレキシブル支持フィルムよりも実質的に高い真空ラミネーション接着係数を有し、当該複数の個別の光学素子は、接着剤層の使用なしで当該複数の光学素子が前記複数の発光デバイスに真空ラミネートされた後に当該光学素子へのダメージなく前記支持フィルムが当該複数の光学素子から除去されることを可能にする低い粘着力で、前記支持フィルムの前記表面に接着されている、複数の個別の光学素子と、
    を含むラミネートフィルム；
    を有するラミネート構造。
  15. 前記光学素子は波長変換素子を含む、請求項１４に記載のラミネート構造。
  16. 前記光学素子の各々は複数の蛍光体素子を含む、請求項１４に記載のラミネート構造。
  17. 前記ラミネートフィルムは、電気伝導層、熱伝導層、反射層及びカバー層のうちの少なくとも１つを含む、請求項１４に記載のラミネート構造。
JP2018102950A 2010-10-27 2018-05-30 ラミネートフィルム、ラミネート構造及びその製造方法 Active JP6595044B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US40718010P 2010-10-27 2010-10-27
US61/407,180 2010-10-27

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013535553A Division JP2013541220A (ja) 2010-10-27 2011-10-20 発光デバイスの製造用のラミネート支持フィルム、及びその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019173665A Division JP6883632B2 (ja) 2010-10-27 2019-09-25 発光デバイスを製造する方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018160678A true JP2018160678A (ja) 2018-10-11
JP6595044B2 JP6595044B2 (ja) 2019-10-23

Family

ID=44993634

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013535553A Pending JP2013541220A (ja) 2010-10-27 2011-10-20 発光デバイスの製造用のラミネート支持フィルム、及びその製造方法
JP2018102950A Active JP6595044B2 (ja) 2010-10-27 2018-05-30 ラミネートフィルム、ラミネート構造及びその製造方法
JP2019173665A Active JP6883632B2 (ja) 2010-10-27 2019-09-25 発光デバイスを製造する方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013535553A Pending JP2013541220A (ja) 2010-10-27 2011-10-20 発光デバイスの製造用のラミネート支持フィルム、及びその製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019173665A Active JP6883632B2 (ja) 2010-10-27 2019-09-25 発光デバイスを製造する方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9351348B2 (ja)
EP (1) EP2633554A1 (ja)
JP (3) JP2013541220A (ja)
KR (1) KR101909299B1 (ja)
CN (1) CN103180945B (ja)
TW (1) TWI560400B (ja)
WO (1) WO2012056378A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014075527A (ja) * 2012-10-05 2014-04-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体素子構造およびその作製法
US9299687B2 (en) * 2012-10-05 2016-03-29 Bridgelux, Inc. Light-emitting assemblies comprising an array of light-emitting diodes having an optimized lens configuration
DE102012109806A1 (de) * 2012-10-15 2014-04-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
JP6713720B2 (ja) * 2013-08-30 2020-06-24 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及びそれを含む車両用照明装置
US20160131328A1 (en) * 2014-11-07 2016-05-12 Lighthouse Technologies Limited Indoor smd led equipped for outdoor usage
CN106449951B (zh) * 2016-11-16 2019-01-04 厦门市三安光电科技有限公司 一种发光二极管封装结构的制作方法
US11304291B2 (en) * 2017-06-29 2022-04-12 Kyocera Corporation Circuit board and light emitting device including circuit board
KR102449295B1 (ko) 2018-05-18 2022-09-30 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 단일 단계 필름 라미네이션에 의한 led 제조 방법
US11022791B2 (en) * 2018-05-18 2021-06-01 Facebook Technologies, Llc Assemblies of anisotropic optical elements and methods of making
US11527684B2 (en) * 2020-12-04 2022-12-13 Lumileds Llc Patterned downconverter and adhesive film for micro-LED, mini-LED downconverter mass transfer

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183777A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2007150233A (ja) * 2005-11-02 2007-06-14 Trion:Kk 色温度可変発光デバイス
WO2009022316A2 (en) * 2007-08-16 2009-02-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical element coupled to low profile side emitting led
WO2009028807A2 (en) * 2007-08-27 2009-03-05 Lg Innotek Co., Ltd Light emitting device package and method for fabricating the same
WO2009105923A1 (zh) * 2008-02-25 2009-09-03 鹤山丽得电子实业有限公司 一种发光二极管器件的制造方法
JP2009229507A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Hitachi Chem Co Ltd 封止フィルム
JP2009537996A (ja) * 2006-05-23 2009-10-29 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 波長変換物質を有する光電子半導体素子、半導体素子を有する光電子半導体コンポーネント、および光電子半導体素子の製造方法
WO2010027672A2 (en) * 2008-09-02 2010-03-11 Bridgelux, Inc. Phosphor-converted led

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1522145A (en) * 1974-11-06 1978-08-23 Marconi Co Ltd Light emissive diode displays
US20070267646A1 (en) * 2004-06-03 2007-11-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Light Emitting Device Including a Photonic Crystal and a Luminescent Ceramic
US7553683B2 (en) 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
US7352011B2 (en) * 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
JP4615981B2 (ja) 2004-12-08 2011-01-19 スタンレー電気株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
TWI389337B (zh) * 2005-05-12 2013-03-11 Panasonic Corp 發光裝置與使用其之顯示裝置及照明裝置，以及發光裝置之製造方法
JP2007019096A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法
US7344952B2 (en) 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
SG171589A1 (en) 2006-04-25 2011-06-29 Asahi Glass Co Ltd Release film for semiconductor resin molds
US8141384B2 (en) * 2006-05-03 2012-03-27 3M Innovative Properties Company Methods of making LED extractor arrays
KR20090016694A (ko) * 2006-06-12 2009-02-17 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 재발광 반도체 구성 및 광학 요소를 갖는 ｌｅｄ 소자
US9061450B2 (en) * 2007-02-12 2015-06-23 Cree, Inc. Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding
JPWO2008105527A1 (ja) 2007-03-01 2010-06-03 Ｎｅｃライティング株式会社 Ｌｅｄ装置及び照明装置
JP5080881B2 (ja) * 2007-06-27 2012-11-21 ナミックス株式会社 発光ダイオードチップの封止体の製造方法
US20090140279A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 Goldeneye, Inc. Substrate-free light emitting diode chip
US7625104B2 (en) 2007-12-13 2009-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Light emitting diode for mounting to a heat sink
US20100109025A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Over the mold phosphor lens for an led
KR101026040B1 (ko) 2008-11-13 2011-03-30 삼성전기주식회사 박막소자 제조방법
JP5327042B2 (ja) * 2009-03-26 2013-10-30 豊田合成株式会社 Ｌｅｄランプの製造方法
US8597963B2 (en) * 2009-05-19 2013-12-03 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
TW201216526A (en) 2010-08-20 2012-04-16 Koninkl Philips Electronics Nv Lamination process for LEDs
US8210716B2 (en) * 2010-08-27 2012-07-03 Quarkstar Llc Solid state bidirectional light sheet for general illumination

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183777A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2007150233A (ja) * 2005-11-02 2007-06-14 Trion:Kk 色温度可変発光デバイス
JP2009537996A (ja) * 2006-05-23 2009-10-29 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 波長変換物質を有する光電子半導体素子、半導体素子を有する光電子半導体コンポーネント、および光電子半導体素子の製造方法
WO2009022316A2 (en) * 2007-08-16 2009-02-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical element coupled to low profile side emitting led
WO2009028807A2 (en) * 2007-08-27 2009-03-05 Lg Innotek Co., Ltd Light emitting device package and method for fabricating the same
WO2009105923A1 (zh) * 2008-02-25 2009-09-03 鹤山丽得电子实业有限公司 一种发光二极管器件的制造方法
JP2009229507A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Hitachi Chem Co Ltd 封止フィルム
WO2010027672A2 (en) * 2008-09-02 2010-03-11 Bridgelux, Inc. Phosphor-converted led

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019220720A (ja) 2019-12-26
TWI560400B (en) 2016-12-01
US20130221835A1 (en) 2013-08-29
JP2013541220A (ja) 2013-11-07
JP6595044B2 (ja) 2019-10-23
US9351348B2 (en) 2016-05-24
CN103180945B (zh) 2016-12-07
CN103180945A (zh) 2013-06-26
EP2633554A1 (en) 2013-09-04
KR101909299B1 (ko) 2018-10-17
WO2012056378A1 (en) 2012-05-03
TW201231873A (en) 2012-08-01
JP6883632B2 (ja) 2021-06-09
KR20130140039A (ko) 2013-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6595044B2 (ja) ラミネートフィルム、ラミネート構造及びその製造方法
JP6599295B2 (ja) 斜角反射体を備えた発光素子およびその製造方法
US11024781B2 (en) Glueless light emitting device with phosphor converter
US9362465B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
JP4416731B2 (ja) 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
EP2954566B1 (en) Led module with hermetic seal of wavelength conversion material
JP5323501B2 (ja) 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
WO2014091914A1 (ja) Ｌｅｄ装置及びその製造方法
US9634214B2 (en) Graphite-containing substrates for LED packages
US10347798B2 (en) Photoluminescence material coating of LED chips
EP2786427A1 (en) Solid-state lighting device and method of manufacturing same
KR20120061376A (ko) 반도체 발광 소자에 형광체를 도포하는 방법
EP2197048B1 (en) Light-emitting device
JP2013038215A (ja) 波長変換部材
TWI470839B (zh) 轉換媒體、光電半導體晶片，及光電半導體晶片之製造方法
TW201342672A (zh) 發光二極體封裝結構的製造方法
WO2012017304A2 (zh) 白光led装置及其制造方法
JP2019201089A (ja) チップスケールパッケージング発光素子の斜角チップ反射器およびその製造方法
JP2014531340A (ja) シリコーン部材を製造するための圧縮工具およびシリコーン部材を製造するための方法
JP2018120947A (ja) 機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法
JP2018523256A (ja) 変換部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス照明装置
TWI467808B (zh) 發光二極體元件、其製作方法以及發光裝置
US20230006109A1 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
TW202301712A (zh) 發光裝置及其製作方法
TWI488342B (zh) 半導體發光裝置及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180530

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190530

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190604

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190816

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190827

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190925

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6595044

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250