JP2018160513A - ウエハ収容装置 - Google Patents
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 156
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】本発明は、上下に対向配置された上側フランジ板と下側フランジ板の間に複数の支柱が立設され、前記複数の支柱間に複数のウエハが支持される構成のウエハボートと、該ウエハボートを取り囲む周壁部と該周壁部に設けられた天井部を備えたチューブ体を備えたウエハ収容装置であって、前記上側フランジ板に該上側フランジ板を厚さ方向に貫通する支持孔が形成され、前記上側支持板の支持孔の上方に位置する前記チューブ体の天井部に前記周壁部によって前記ウエハボートを取り囲んだ状態において前記支持孔に嵌合する下向きの係止凸部が形成されたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
これらの工程で使用する半導体製造装置にあっては、いずれも、複数のシリコンウエハを炉内に挿入し、シリコンウエハ本体を高温に加熱する炉体部分、各種ガスを炉内に供給するガス導入部、ガス排気部などが設けられ、複数のシリコンウエハを同時処理(バッチ処理)することが可能となっている。
成膜工程においてウエハは例えば600〜1200℃などの高温に加熱されるため、ウエハボートは耐熱性に優れたガラス材料やセラミック材料などから構成されている。
また、図3に示す如く複数のウエハ105をウエハボート100に収容した状態において、これら全体を取り囲むように耐熱性のガラス材料からなるチューブ体106が設けられる。このチューブ体106は天井部107を上部に有する筒型に形成され、半導体製造装置の内部に天井部107を上にしてウエハボート100を取り囲むように配置される。
ところで、東日本大震災の場合などのように大きな地震が発生した場合、半導体製造装置には大きな揺れが作用する。この場合、上述のウエハボート100が複数のウエハ105を搭載したまま大きな揺れを受けると、図4に示すようにチューブ体106の内部で支柱102が大きく横揺れし、支柱上部あるいは支柱上部の上側フランジ部材103がチューブ体106の内面に衝突する現象が生じる。
この場合、上側フランジ部材103の下面に形成した溝や凹凸に支柱部材102の上端を差し込み支持していたとしても、地震の横揺れにより上側フランジ部材103に対する支柱部材102の差し込みが外れ、対向する支柱102間の間隔が広くなる結果、チューブ体106の内で図5に示すようにウエハ105が落下し、ウエハ105が破損するおそれがあった。また、ウエハ105の落下と破損に加えてウエハボート100がチューブ体106の内面に衝突することによってウエハボート100の破損を引き起こすおそれもあり、これらの対策が望まれている。
近年、実際に大きな地震が発生した場合、半導体製造工場においてはこのようなウエハの落下と破損、ウエハボートの破損が発生し、大きな問題となっている。
各フランジ板の凹部に支柱の上端と下端を嵌め込み接続することで支柱がフランジ板から外れ難くなるとともに、大きな地震などにより強い揺れが伝わったとしても、上側フランジ板の横揺れをチューブ体天井部の係止凸部で抑えるので、上側フランジ板から支柱が外れるおそれがない。このため、大きな地震が発生したとしても、支柱間に支持したウエハを落下させることがなく、ウエハおよびウエハボートの破損を回避できる。
複数の支柱の同一高さに設けた溝部を用いて複数のウエハを水平にかつ縦型に支持することができる。
耐熱性のガラスからなるチューブ体の天井部であっても下向きの係止凸部を形成することは容易であり、耐熱性のガラスからなる上側フランジ板であっても支持孔を形成することは容易である。係止凸部を支持孔に嵌合することで大きな地震時に生じるおそれのある上側フランジ板の揺れ止めをなして上側フランジ板と支柱の分離を阻止できる。このため、上側フランジ板とチューブ体が耐熱ガラス製であって、複雑な構造を適用できない材料であっても、実施容易な構造の採用によって大きな地震に耐えることができ、ウエハおよびウエハボートの破損を回避できるウエハ収容装置を提供できる。
ウエハボート3は、上下に水平に配置された上側フランジ板6および下側フランジ板7と、これらの間に立設された複数本(例えば3本)の支柱8とからなり、これらは、いずれもガラス材料あるいは耐熱性のセラミック材料からなる。ウエハボート3は、スパッタ装置、酸化拡散装置、アニール装置、減圧CVD装置などの各種半導体製造装置に適用され、600〜1200℃の高温に晒されるため、これら半導体製造装置の処理温度に耐える耐熱性を有するガラス材料あるいは耐熱性のセラミック材料からなる。
上側フランジ板6の下面周縁部に形成されている3つの凹部6aは、上側フランジ板6を平面視した場合の半円領域に形成され、3つの凹部6aが形成する水平間隔の内、最大の間隔がウエハ2の外径より若干大きく形成されている。下側フランジ板7の上面周縁部に形成されている凹部7aは上側フランジ板6の凹部6aと上下に対向する位置に形成されている。
なお、支柱8はウエハ2を支持できる構成であればよいので、支柱8に溝の代わりに複数の凸部を所定間隔で複数形成し、凸部によってウエハ2を支持する構成としてもよい。
以上の構成により、3本の支柱8の長さ方向に沿って形成されている支持溝8aのうち、同一高さに位置する3つの支持溝8aに周縁部を支持させるように3本の支柱間に水平に円板状のウエハ2を挿入することで、ウエハボート3でウエハ2を水平に支持することができる。また、異なる高さに設けられているそれぞれの支持溝8aにウエハ2を支持させることで支柱8に沿って上下方向に複数、ウエハ2を並列支持することができる。
また、チューブ体5は上面フランジ板6と下面フランジ板7の外径よりも若干大きな内径を有し、余裕を持ってウエハボート3を収容自在な外径を有し、縦長のウエハボート3の高さよりも若干背の高い円筒の容器状に形成されている。
チューブ体5は円板状の天井部5aと円筒状の周壁5bとからなり、天井部5aの下面中央部には天井部5aの一部を横断面U字状にあるいは下向きの凸型に下方に延出させた係止凸部5cが形成されている。
本実施形態において係止凸部5cの外径は上側フランジ板6の支持孔6bの内径とほぼ同じ大きさであり、支持孔6bに係止凸部5cを挿入した場合に両者が接触して嵌合する関係であることが好ましい。
上下に対向配置される上側フランジ板6の凹部6aと下側フランジ板7の凹部7aに支柱8の上端部あるいは下端部を嵌合してウエハボート3を組み立て、3本の支柱8において同一高さに形成されている支持溝8aに沿ってウエハ2を挿入することにより、ウエハ2をウエハボート3で水平支持することができる。
ウエハボート3に必要枚数のウエハ2を支持させた後、チューブ体5の内側にウエハボート3を収容する。この後、チューブ体5の底部をガス供給装置などに接続し、チューブ体5の内部を目的の雰囲気に調整することで、必要枚数のウエハ2に同時に成膜処理、エッチング処理あるいは熱処理などの各種処理を施すことができる。
地震の揺れがウエハボート3に作用した場合、ウエハボート3は縦に長いので下側フランジ板7を基点とし、上側フランジ板6が最大の振幅を生じるように首振り運動しようとする。ここで最大の振幅を生じようとする上側フランジ板6を係止凸部5cで直接抑えておくならば、ウエハボート3の横揺れを最も効率良く抑制できる。
このため、大きな地震が発生し、ウエハボート3に大きな横揺れを生じようとしたとしても、上側フランジ板6の横揺れを抑制できる結果、支柱間に支持したウエハ2を落下させることがなく、ウエハ2およびウエハボート3の破損を回避できるウエハ収容装置1を提供することができる。
要は、支持孔6bに嵌合し挿入可能な係止凸部5cの形状であって、係止凸部5cの挿入状態でウエハボート3の横揺れを防止できる係止凸部5cと支持孔6bの組み合わせであれば良く、係止凸部5cの形状と支持孔6bの形状は特に限定されない。
耐熱ガラス製の上側フランジ板6とチューブ体5の製造コストなどを考慮すると、支持孔6bの形成個数が少なく、単純な立体形状であることが望ましいため、図1に示す第1実施形態では1つの係止凸部5cと1つの丸孔型の支持孔6bの組み合わせを採用した。この構造により低コストで実施できるウエハ収容装置1を提供できる。
Claims (4)
- 上下に対向配置された上側フランジ板と下側フランジ板の間に複数の支柱が立設され、前記複数の支柱間に複数のウエハが支持される構成のウエハボートと、該ウエハボートを取り囲む周壁部と該周壁部に設けられた天井部を備えたチューブ体を備えたウエハ収容装置であって、
前記上側フランジ板に該上側フランジ板を厚さ方向に貫通する支持孔が形成され、前記上側支持板の支持孔の上方に位置する前記チューブ体の天井部に前記周壁部によって前記ウエハボートを取り囲んだ状態において前記支持孔に嵌合する下向きの係止凸部が形成されたことを特徴とするウエハ収容装置。 - 前記上側フランジ板の下面側と前記下側フランジ板の上面側に前記支柱の端部を嵌め込む凹部が形成されたことを特徴とする請求項1に記載のウエハ収容装置。
- 前記複数の支柱のそれぞれにそれらの長さ方向に沿って所定の間隔で複数の溝部が形成され、前記複数の支柱の同一高さに形成された溝部に周縁部を挿入して前記ウエハが収容されたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のウエハ収容装置。
- 前記上側フランジ板と前記下側フランジ板と前記支柱と前記チューブ体がいずれも耐熱性のガラスからなることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載のウエハ収容装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017056131A JP6892773B2 (ja) | 2017-03-22 | 2017-03-22 | ウエハ収容装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017056131A JP6892773B2 (ja) | 2017-03-22 | 2017-03-22 | ウエハ収容装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018160513A true JP2018160513A (ja) | 2018-10-11 |
JP6892773B2 JP6892773B2 (ja) | 2021-06-23 |
Family
ID=63795146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017056131A Active JP6892773B2 (ja) | 2017-03-22 | 2017-03-22 | ウエハ収容装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6892773B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111188029A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-05-22 | 上海弘枫实业有限公司 | 一种多框石墨舟 |
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-
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2021152705A1 (ja) * | 2020-01-28 | 2021-08-05 | ||
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TWI769629B (zh) * | 2020-01-28 | 2022-07-01 | 日商國際電氣股份有限公司 | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 |
JP7308299B2 (ja) | 2020-01-28 | 2023-07-13 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び反応管 |
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WO2023026412A1 (ja) * | 2021-08-25 | 2023-03-02 | 株式会社Kokusai Electric | 基板支持具、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
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---|---|
JP6892773B2 (ja) | 2021-06-23 |
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