JP2018152530A

JP2018152530A - 半導体チップの製造方法

Info

Publication number: JP2018152530A
Application number: JP2017049569A
Authority: JP
Inventors: 智弥簗瀬; Tomoya Yanase
Original assignee: Azbil Corp
Current assignee: Azbil Corp
Priority date: 2017-03-15
Filing date: 2017-03-15
Publication date: 2018-09-27

Abstract

【課題】ダイシングブレードを用いたダイシングにおいて、保護テープのはがれが抑制できるようにする。
【解決手段】次に、半導体ウエハ１０１の上面に貼り付けられた保護テープ１０３のみを断裁領域１１２に沿ってダイシングブレードで切断する（第２工程）。よく知られたダイシング装置を用い、回転しているダイシングブレードを断裁領域１１２に沿って相対的に移動させ、保護テープ１０３のみに切れ込みを入れることで、保護テープ１０３を切断する。このとき、よく知られているように、切削水を供給しながらダイシングブレードによる切断を行う。
【選択図】図１Ｅ

Description

本発明は、半導体チップの製造方法に関し、特に、ダイシングブレードによるダイシングでウエハを切断して半導体チップを製造する方法に関する。

例えば、半導体のピエゾ抵抗効果を利用した圧力センサなどの機能素子を搭載したチップが、広く用いられている。このようなチップは、シリコン（半導体）ウエハ上に多数形成した後、ウエハを切断して個々のチップとしている。この分割においては、チップ領域の間の断裁領域（断裁線）に沿ってダイシングブレードで切り込みを入れている。

上述したダイシングブレードを用いたダイシングでは、ウエハを切削する際に、切削粉が発生する。大半の切削粉は、洗浄水や切削水によってチップから除去可能であるが、チップ上に残存した切削粉は、機能素子の不良の原因となる。このため、ウエハの表面に保護テープを貼り付け、この状態でダイシングブレードによる切れ込みを入れるようにしている。

特開２０１２−２３８７０７号公報

しかしながら、ダイシングのときに、保護テープがはがれ、はがれた部分より切削水，切削粉が進入して付着し、チップを汚染するという問題が発生している。

本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、ダイシングブレードを用いたダイシングにおいて、保護テープのはがれが抑制できるようにすることを目的とする。

本発明に係る半導体チップの製造方法は、素子が形成された複数のチップ領域および複数のチップ領域の間に断裁領域を備えた半導体ウエハの上面に保護テープを貼り付ける第１工程と、半導体ウエハの上面に貼り付けられた保護テープのみを断裁領域に沿ってダイシングブレードで切断する第２工程と、保護テープを切断した後で、半導体ウエハの断裁領域をダイシングブレードで切断することで半導体ウエハを分割して複数のチップとする第３工程とを備える。

上記半導体チップの製造方法において、保護テープを複数の半導体チップの上面から剥離する第４工程を更に備える。

上記半導体チップの製造方法において、第２工程および第３工程では、切削水を供給しながらダイシングブレードによる切断を行う。

上記半導体チップの製造方法において、第２工程および第３工程は、半導体ウエハの裏面をダイシングテープに貼り付けた状態で行う。

以上説明したように、本発明によれば、保護テープのみを切断した後で、半導体ウエハを切断するので、ダイシングブレードを用いたダイシングにおいて、保護テープのはがれが抑制できるという優れた効果が得られる。

図１Ａは、本発明の実施の形態における半導体チップの製造方法を説明するための途中工程の状態を示す断面図である。図１Ｂは、本発明の実施の形態における半導体チップの製造方法を説明するための途中工程の状態を示す平面図である。図１Ｃは、本発明の実施の形態における半導体チップの製造方法を説明するための途中工程の状態を示す断面図である。図１Ｄは、本発明の実施の形態における半導体チップの製造方法を説明するための途中工程の状態を示す断面図である。図１Ｅは、本発明の実施の形態における半導体チップの製造方法を説明するための途中工程の状態を示す断面図である。図１Ｆは、本発明の実施の形態における半導体チップの製造方法を説明するための途中工程の状態を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態における半導体チップの製造方法ついて図１Ａ〜図１Ｆを参照して説明する。なお、図１Ａ，図１Ｃ〜図１Ｆは断面図、図１Ｂは平面図である。

まず、図１Ａ，図１Ｂに示すように、素子（不図示）が形成された複数のチップ領域１１１および複数のチップ領域１１１の間に断裁領域１１２を備えた半導体ウエハ１０１を用意する。半導体ウエハ１０１は、例えば、シリコンウエハである。また、各々のチップ領域１１１には、例えばよく知られた圧力センサが素子として形成され、チップ領域１１１を切り出すことで、圧力センサチップが得られる。

次に、図１Ｃに示すように、裏面にダイシングテープ１０２を貼り付ける。例えば、ダイシングテープ１０２は、円環状のキャリア（不図示）に張設されている。

次に、図１Ｄに示すように、素子が形成された複数のチップ領域１１１および断裁領域１１２を備えた半導体ウエハ１０１の上面に、保護テープ１０３を貼り付ける（第１工程）。保護テープ１０３は、例えば、古河電気工業株式会社製ＨＰ−１０２５Ｍ３である。

次に、図１Ｅに示すように、半導体ウエハ１０１の上面に貼り付けられた保護テープ１０３のみを断裁領域１１２に沿ってダイシングブレードで切断する（第２工程）。よく知られたダイシング装置を用い、回転しているダイシングブレードを断裁領域１１２に沿って相対的に移動させ、保護テープ１０３のみに切れ込みを入れることで、保護テープ１０３を切断する。このとき、よく知られているように、切削水を供給しながらダイシングブレードによる切断を行う。例えば、株式会社ディスコ製のダイシングブレード（Z09-SD1700-Y1-60）を用い、スピンドルの回転数を２００００ｒｐｍとし、カット速度を５ｍｍ／ｓとする。

次に、保護テープ１０３を切断した後で、半導体ウエハ１０１の断裁領域１１２をダイシングブレードで切断することで、図１Ｆに示すように、半導体ウエハ１０１を分割して複数のチップ１０４とする。よく知られたダイシング装置を用い、回転しているダイシングブレードを断裁領域１１２に沿って相対的に移動させ、半導体ウエハ１０１に切れ込みを入れることで、半導体ウエハ１０１を切断する。よく知られているように、切削水を供給しながらダイシングブレードによる切断を行う。例えば、上記同様に、株式会社ディスコ製のダイシングブレード（Z09-SD1700-Y1-60）を用いる。また、半導体ウエハ１０１の切断では、スピンドルの回転数を２００００ｒｐｍとし、カット速度を３ｍｍ／ｓとする。

上述したように、半導体ウエハ１０１を切断した後、まず、保護テープ１０３を各々のチップ１０４の上面から剥離する（第４工程）。更に、各チップ１０４をダイシングテープ１０２より離型する。

上述したように、まず、保護テープ１０３のみを切断するので、次の工程の半導体ウエハ１０１の切断においては、チップ領域１１１にのみ保護テープ１０３が貼り付けられた状態となる。また、この状態では、保護テープ１０３に加わっていた応力（引張応力）が緩和されるものと考えられるので、はがれにくい状態になるものと考えられる。また、この工程では、半導体ウエハ１０１を切断することがないので、保護テープ１０３のみを保護テープ１０３のはがれが抑制される条件で切断することができる。

また、上述したように、保護テープ１０３を先に切断しておくので、次の工程の半導体ウエハ１０１の切断においては、断裁領域１１２には保護テープ１０３が存在しない状態となる。言い換えると、半導体ウエハ１０１の切断においては、保護テープ１０３にダイシングブレードが触れることが抑制されるようになる。

上述したように、保護テープ１０３がよりはがれにくい状態となり、また、半導体ウエハ１０１の切断では、ダイシングブレードが保護テープ１０３に触れなくなるので、実施の形態によれば、保護テープのはがれが抑制できるようになるものと考えられる。

以上に説明したように、本発明によれば、まず、保護テープのみを切断した後で、半導体ウエハを切断するようにしたので、ダイシングブレードを用いたダイシングにおいて、保護テープのはがれが抑制できるようになる。

なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。

１０１…半導体ウエハ、１０２…ダイシングテープ、１０３…保護テープ、１０４…チップ、１１１…チップ領域、１１２…断裁領域。

Claims

素子が形成された複数のチップ領域および前記複数のチップ領域の間に断裁領域を備えた半導体ウエハの上面に保護テープを貼り付ける第１工程と、
前記半導体ウエハの上面に貼り付けられた前記保護テープのみを前記断裁領域に沿ってダイシングブレードで切断する第２工程と、
前記保護テープを切断した後で、前記半導体ウエハの前記断裁領域をダイシングブレードで切断することで前記半導体ウエハを分割して複数のチップとする第３工程と
を備えることを特徴とする半導体チップの製造方法。
請求項１記載の半導体チップの製造方法において、
前記保護テープを前記複数の半導体チップの上面から剥離する第４工程を更に備えることを特徴とする半導体チップの製造方法。
請求項１または２記載の半導体チップの製造方法において、
前記第２工程および前記第３工程では、切削水を供給しながらダイシングブレードによる切断を行うことを特徴とする半導体チップの製造方法。
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体チップの製造方法において、
前記第２工程および前記第３工程は、前記半導体ウエハの裏面をダイシングテープに貼り付けた状態で行う
ことを特徴とする半導体チップの製造方法。