JP2018147989A - Method for manufacturing power device - Google Patents

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JP2018147989A JP2017040484A JP2017040484A JP2018147989A JP 2018147989 A JP2018147989 A JP 2018147989A JP 2017040484 A JP2017040484 A JP 2017040484A JP 2017040484 A JP2017040484 A JP 2017040484A JP 2018147989 A JP2018147989 A JP 2018147989A
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畠井 宗宏
Munehiro Hatai
宗宏 畠井
洸造 上田
Kozo Ueda
洸造 上田
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Sekisui Chemical Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a power device, by which even if a wafer with many concave and convex portions formed therein is subjected to a high-temperature treatment, the wafer can be surely protected, and an adhesive can be prevented from remaining deposited on the wafer.SOLUTION: A method for manufacturing a power device comprises: a tape-sticking step of laminating a wafer protection tape with a curable sticker layer made of a curable sticker composition on a circuit-side face of a wafer with a circuit protected by a polyimide film, provided that the wafer protection tape has a 23°C-tensile storage elastic modulus of 1×10Pa or more; a curing step of stimulating the wafer protection tape to cure the curable sticker composition; a back-grinding step of grinding a face of the wafer on a side opposite to a face where the wafer protection tape is laminated; a film formation step of forming a metal film on the ground face of the wafer; an ashing step of ashing the metal film; and a peeling step of peeling the wafer protection tape.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、多数の凹凸が形成されたウエハに高温処理を施す場合であってもウエハを確実に保護できるとともにウエハへの糊残りを防止することができるパワーデバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a power device that can reliably protect a wafer and prevent adhesive residue on the wafer even when a high-temperature treatment is performed on a wafer having a large number of irregularities.

半導体チップの製造工程において、半導体チップの処理時の取扱いを容易にし、破損したりしないようにするために粘着テープ(ウエハ保護テープ)によって半導体チップを補強することが一般的に行われている。例えば、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合に、ウエハを保護する目的で粘着テープを貼付した上で研削工程が行われている。また、粘着テープでウエハを補強したまま、基板や他の半導体チップ上の電極と導電接続することも行われている。
このような半導体ウエハ保護テープとしては、例えば、特許文献1には基材フィルムの片面に架橋されたポリマー層が形成され、この架橋されたポリマー層が形成された面に、剥離可能に調整されているウエハ貼付用の粘着剤層が積層されているバックグラインドテープであって、基材フィルムの引っ張り弾性率がフィルムの長手方向と幅方向の平均値で2GPa以上であり、該バックグラインドテープの反りが4mm以下であるバックグラインドテープが開示されている。
In the manufacturing process of a semiconductor chip, it is generally performed to reinforce the semiconductor chip with an adhesive tape (wafer protection tape) in order to facilitate handling during processing of the semiconductor chip and prevent damage. For example, when a thick film wafer cut from a high-purity silicon single crystal or the like is ground to a predetermined thickness to form a thin film wafer, the grinding process is performed after applying an adhesive tape to protect the wafer. ing. In addition, conductive connection with electrodes on a substrate or another semiconductor chip is also performed while reinforcing the wafer with an adhesive tape.
As such a semiconductor wafer protective tape, for example, in Patent Document 1, a crosslinked polymer layer is formed on one surface of a base film, and the surface on which the crosslinked polymer layer is formed is adjusted to be peelable. A back grind tape on which a pressure-sensitive adhesive layer for wafer sticking is laminated, wherein the tensile modulus of the base film is 2 GPa or more in the average value in the longitudinal direction and the width direction of the film, A back grind tape having a warp of 4 mm or less is disclosed.

一方、電力の変換や制御に用いられるパワーデバイスの製造工程では、ウエハの片面(表面)に回路を形成し、回路をポリイミド膜で保護した後に反対側の面(裏面)の処理が行われる。この裏面の処理としては、ウエハを研削して薄膜化するバックグラインド工程や成膜工程、アッシング工程があり、バックグラインド工程の際にウエハ保護テープが用いられている。 On the other hand, in a manufacturing process of a power device used for power conversion and control, a circuit is formed on one surface (front surface) of a wafer, and after the circuit is protected with a polyimide film, the opposite surface (back surface) is processed. As processing of this back surface, there are a back grinding process, a film forming process, and an ashing process in which a wafer is ground to form a thin film, and a wafer protective tape is used in the back grinding process.

従来のパワーデバイスの製造方法では、バックグラインド終了時にウエハ保護テープを剥離し、その後の工程が行われていた。しかしながら、従来の製造方法では、裏面処理終了後のウエハに傷や割れ、劣化が生じるという問題があった。
そこで、バックグラインド時に貼り付けたウエハ保護テープを剥離せずにそのまま後の処理を行うことが提案されている。しかし、従来のウエハ保護テープを貼り付けたまま後の処理を行った場合、ウエハに糊残りが生じるという問題があった。
In the conventional power device manufacturing method, the wafer protective tape is peeled off at the end of back grinding, and the subsequent steps are performed. However, the conventional manufacturing method has a problem that scratches, cracks, and deterioration occur in the wafer after the back surface processing is completed.
Therefore, it has been proposed to perform the subsequent processing as it is without peeling off the wafer protective tape attached at the time of back grinding. However, when a subsequent process is performed with the conventional wafer protective tape attached, there is a problem that an adhesive residue is generated on the wafer.

パワーデバイスはウエハ上の回路を保護するためにポリイミド膜が形成されており、ポリイミド膜によってウエハ表面には多数の凹凸が存在している。このような多数の凹凸を持つウエハをウエハ保護テープによって充分に保護するためには、ウエハ保護テープの粘着剤に凹凸に追従できる程度の柔軟性が要求される。しかし、粘着剤を凹凸に追従させると、成膜工程やアッシング工程等の高温処理の際に軟化した粘着剤が凹凸に噛みこんでしまい接着昂進が起きる。その結果、処理終了後にウエハ保護テープを剥離するとウエハに糊残りが生じていた。 In the power device, a polyimide film is formed to protect the circuit on the wafer, and the polyimide film has many irregularities on the wafer surface. In order to sufficiently protect such a wafer having many irregularities with the wafer protective tape, the adhesive of the wafer protective tape needs to be flexible enough to follow the irregularities. However, when the pressure sensitive adhesive is made to follow the unevenness, the softened pressure sensitive adhesive bites into the unevenness during high-temperature processing such as a film forming process or an ashing process, and adhesion progresses. As a result, when the wafer protective tape was peeled off after the processing was finished, adhesive residue was generated on the wafer.

特開2010−34379号公報JP 2010-34379 A

本発明は、多数の凹凸が形成されたウエハに高温処理を施す場合であってもウエハを確実に保護できるとともにウエハへの糊残りを防止することができるパワーデバイスの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention provides a method of manufacturing a power device that can reliably protect a wafer even when a high temperature treatment is performed on a wafer on which a large number of irregularities are formed, and can prevent adhesive residue on the wafer. Objective.

本発明は、ポリイミド膜によって回路が保護されたウエハの該回路側の面に、23℃での引っ張り貯蔵弾性率が1×10Pa以上である硬化型粘着剤組成物からなる硬化型粘着剤層を有するウエハ保護テープを積層するテープ貼り付け工程と、前記ウエハ保護テープに刺激を与えて前記硬化型粘着剤組成物を硬化させる硬化工程と、前記ウエハのウエハ保護テープが積層された側の面とは反対側の面を研削するバックグラインディング工程と、前記ウエハの研削された面に金属の膜を形成する成膜工程と、前記金属の膜をアッシングするアッシング工程と、前記ウエハ保護テープを剥離する剥離工程とを有するパワーデバイスの製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
The present invention relates to a curable pressure-sensitive adhesive comprising a curable pressure-sensitive adhesive composition having a tensile storage elastic modulus at 23 ° C. of 1 × 10 5 Pa or more on a surface of a wafer whose circuit is protected by a polyimide film. A tape attaching step of laminating a wafer protective tape having a layer, a curing step of stimulating the wafer protective tape to cure the curable adhesive composition, and a side of the wafer on which the wafer protective tape is laminated A back grinding process for grinding a surface opposite to the surface; a film forming process for forming a metal film on the ground surface of the wafer; an ashing process for ashing the metal film; and the wafer protective tape It is a manufacturing method of the power device which has a peeling process which peels.
The present invention is described in detail below.

本発明者らは糊残りの原因について鋭意検討した結果、ウエハ保護テープの粘着剤の23℃における貯蔵弾性率を特定の範囲とすることで多数の凹凸を持つウエハにも充分に追随してウエハを保護できることを見出した。また、ウエハ保護テープの粘着剤を硬化型粘着剤とし、高温処理の前に硬化させることによって、ウエハを確実に保護できるとともに高温下での粘着昂進を抑え、処理終了後には糊残りなくウエハ保護テープを剥離できることを見出し、本発明を完成させるに至った。 As a result of intensive studies on the cause of adhesive residue, the inventors of the present invention sufficiently follow a wafer having many irregularities by setting the storage elastic modulus of the adhesive of the wafer protective tape at 23 ° C. to a specific range. Found that it can be protected. In addition, by using a curable adhesive as the adhesive for the wafer protection tape and curing it before high-temperature processing, the wafer can be reliably protected and the adhesion progress under high temperature is suppressed, and the wafer is protected without adhesive residue after processing. It has been found that the tape can be peeled off, and the present invention has been completed.

本発明のパワーデバイスの製造方法では、まず、ポリイミド膜によって回路が保護されたウエハの該回路側の面に、23℃での引っ張り貯蔵弾性率が1×10Pa以上である硬化型粘着剤組成物からなる硬化型粘着剤層を有するウエハ保護テープを積層するテープ貼り付け工程を行う。
ウエハ保護テープを貼り付けることによって、加工時の取扱いを容易にし、ウエハの損傷を防ぐことができる。なお、上記ウエハ保護テープは基材を有するサポートタイプであってもよく、基材を有さないノンサポートタイプであってもよい。
ここで、ウエハ保護テープがウエハに貼り付けられた状態を模式的に表した図を図1に示す。ウエハ2の片側の面には回路及びポリイミド膜3が形成されており、回路及びポリイミド膜3によってウエハの片側の面には多数の凹凸が存在している。この回路及びポリイミド膜3が形成された面に硬化型粘着剤組成物からなる硬化型粘着剤層を有するウエハ保護テープ1を貼り付ける。本発明では硬化型粘着剤組成物の23℃における貯蔵弾性率を特定の範囲としているため、ウエハ保護テープはウエハ上の多数の凹凸に追随し、ウエハを充分に保護することができる。なお、以下ウエハ保護テープが積層された面を表面、ウエハ保護テープが積層された面とは反対側の面を裏面とも言う。
In the method for producing a power device of the present invention, first, a curable pressure-sensitive adhesive having a tensile storage elastic modulus at 23 ° C. of 1 × 10 5 Pa or more on a surface of the wafer on which a circuit is protected by a polyimide film. A tape attaching step of laminating a wafer protective tape having a curable pressure-sensitive adhesive layer made of the composition is performed.
By affixing the wafer protective tape, handling during processing can be facilitated and damage to the wafer can be prevented. The wafer protective tape may be a support type having a base material or a non-support type having no base material.
Here, FIG. 1 schematically shows a state in which the wafer protective tape is attached to the wafer. The circuit and the polyimide film 3 are formed on one surface of the wafer 2, and the circuit and the polyimide film 3 have a large number of irregularities on the one surface of the wafer. Wafer protective tape 1 having a curable pressure-sensitive adhesive layer made of a curable pressure-sensitive adhesive composition is attached to the surface on which this circuit and polyimide film 3 are formed. In the present invention, since the storage elastic modulus at 23 ° C. of the curable pressure-sensitive adhesive composition is in a specific range, the wafer protective tape follows a large number of irregularities on the wafer and can sufficiently protect the wafer. Hereinafter, the surface on which the wafer protective tape is laminated is also referred to as the front surface, and the surface opposite to the surface on which the wafer protective tape is laminated is also referred to as the back surface.

上記硬化型粘着剤組成物中の硬化型粘着剤としては、光照射により架橋、硬化する光硬化型粘着剤や加熱により架橋、硬化する熱硬化型粘着剤が挙げられる。
上記硬化型粘着剤が光硬化性である場合の樹脂成分としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、光重合開始剤を含有する光硬化型粘着剤が挙げられる。
上記硬化型粘着剤が熱硬化性である場合の樹脂成分としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、熱重合開始剤を含有する熱硬化型粘着剤が挙げられる。
Examples of the curable pressure-sensitive adhesive in the curable pressure-sensitive adhesive composition include a photo-curable pressure-sensitive adhesive that is crosslinked and cured by light irradiation and a thermosetting pressure-sensitive adhesive that is crosslinked and cured by heating.
Examples of the resin component when the curable pressure-sensitive adhesive is photocurable include a photocurable pressure-sensitive adhesive containing a polymerizable polymer as a main component and a photopolymerization initiator.
Examples of the resin component when the curable pressure-sensitive adhesive is thermosetting include a thermosetting pressure-sensitive adhesive containing a polymerizable polymer as a main component and a thermal polymerization initiator.

上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った(メタ)アクリル系ポリマー(以下、官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーという)をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物(以下、官能基含有不飽和化合物という)と反応させることにより得ることができる。 The polymerizable polymer is prepared by, for example, previously synthesizing a (meth) acrylic polymer having a functional group in the molecule (hereinafter referred to as a functional group-containing (meth) acrylic polymer) and reacting with the functional group in the molecule. It can obtain by making it react with the compound (henceforth a functional group containing unsaturated compound) which has a functional group to perform and a radically polymerizable unsaturated bond.

上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の(メタ)アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常2〜18の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び/又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常20万〜200万程度である。 The functional group-containing (meth) acrylic polymer is an acrylic having an alkyl group usually in the range of 2 to 18 as a polymer having adhesiveness at room temperature, as in the case of a general (meth) acrylic polymer. By copolymerizing an acid alkyl ester and / or methacrylic acid alkyl ester as a main monomer, a functional group-containing monomer, and, if necessary, another modifying monomer copolymerizable therewith by a conventional method It is obtained. The weight average molecular weight of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is usually about 200,000 to 2,000,000.

上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー;アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー;アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマー;アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマー;アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。 Examples of the functional group-containing monomer include a carboxyl group-containing monomer such as acrylic acid and methacrylic acid; a hydroxyl group-containing monomer such as hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl methacrylate; and an epoxy group containing glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate. Monomers; Isocyanate group-containing monomers such as isocyanate ethyl acrylate and isocyanate ethyl methacrylate; and amino group-containing monomers such as aminoethyl acrylate and aminoethyl methacrylate.

上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の(メタ)アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。 Examples of other modifying monomers that can be copolymerized include various monomers used in general (meth) acrylic polymers such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.

上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。 The functional group-containing unsaturated compound to be reacted with the functional group-containing (meth) acrylic polymer is the same as the functional group-containing monomer described above according to the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer. it can. For example, when the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is a carboxyl group, an epoxy group-containing monomer or an isocyanate group-containing monomer is used, and when the functional group is a hydroxyl group, an isocyanate group-containing monomer is used. When the functional group is an epoxy group, a carboxyl group-containing monomer or an amide group-containing monomer such as acrylamide is used, and when the functional group is an amino group, an epoxy group-containing monomer is used.

上記光重合開始剤は、例えば、250〜800nmの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物;ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物;ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物;フォスフィンオキシド誘導体化合物;ビス(η5−シクロペンタジエニル)チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the photopolymerization initiator include those activated by irradiation with light having a wavelength of 250 to 800 nm. Examples of such a photopolymerization initiator include acetophenone derivative compounds such as methoxyacetophenone; Benzoin ether compounds such as benzoin propyl ether and benzoin isobutyl ether; ketal derivative compounds such as benzyldimethyl ketal and acetophenone diethyl ketal; phosphine oxide derivative compounds; bis (η5-cyclopentadienyl) titanocene derivative compounds, benzophenone, Michler's ketone, Chlorothioxanthone, Todecylthioxanthone, Dimethylthioxanthone, Diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenylpropane, etc. These radical photopolymerization initiators. These photoinitiators may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記硬化型粘着剤組成物が、例えば側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと250〜800nmの波長で活性化する光重合開始剤を含有する場合、365nm以上の波長の光を照射することにより、上記光硬化型粘着剤組成物を架橋、硬化させることができる。
このような硬化型粘着剤組成物に対しては、例えば、波長365nmの光を5mW以上の照度で照射することが好ましく、10mW以上の照度で照射することがより好ましく、20mW以上の照度で照射することが更に好ましく、50mW以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長365nmの光を300mJ以上の積算照度で照射することが好ましく、500mJ以上、10000mJ以下の積算照度で照射することがより好ましく、500mJ以上、7500mJ以下の積算照度で照射することが更に好ましく、1000mJ以上、5000mJ以下の積算照度で照射することが特に好ましい。
When the curable pressure-sensitive adhesive composition contains, for example, a polymer having an unsaturated double bond such as a vinyl group in the side chain and a photopolymerization initiator activated at a wavelength of 250 to 800 nm, light having a wavelength of 365 nm or more. Can be cross-linked and cured.
For such a curable pressure-sensitive adhesive composition, for example, light with a wavelength of 365 nm is preferably irradiated with an illuminance of 5 mW or more, more preferably with an illuminance of 10 mW or more, and irradiation with an illuminance of 20 mW or more. It is more preferable to irradiate with an illuminance of 50 mW or more. In addition, it is preferable to irradiate light with a wavelength of 365 nm with an integrated illuminance of 300 mJ or more, more preferably with an integrated illuminance of 500 mJ or more and 10,000 mJ or less, and more preferably with an integrated illuminance of 500 mJ or more and 7500 mJ or less. It is particularly preferable to irradiate with an integrated illuminance of 1000 mJ or more and 5000 mJ or less.

上記熱重合開始剤は、熱により分解し、重合を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシベンゾエート、t−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the thermal polymerization initiator include those that decompose by heat and generate active radicals that initiate polymerization. Examples thereof include dicumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, t-butyl peroxybenzoate, t- Examples thereof include butyl hydroperoxide, benzoyl peroxide, cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide, paramentane hydroperoxide, and di-t-butyl peroxide. These thermal polymerization initiators may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記硬化型粘着剤組成物は、架橋剤を含有してもよい。上記架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート型架橋剤等が挙げられる。特に、基材に対する密着安定性に優れるため、イソシアネート系架橋剤が好ましい。上記イソシアネート系架橋剤として、例えば、コロネートHX(日本ポリウレタン工業社製)、コロネートL(日本ポリウレタン工業社製)、マイテックNY260A(三菱化学社製)等が挙げられる。これらの架橋剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The curable pressure-sensitive adhesive composition may contain a crosslinking agent. As said crosslinking agent, an isocyanate type crosslinking agent, an aziridine type crosslinking agent, an epoxy-type crosslinking agent, a metal chelate type crosslinking agent etc. are mentioned, for example. In particular, an isocyanate-based crosslinking agent is preferable because of excellent adhesion stability to the substrate. Examples of the isocyanate-based crosslinking agent include Coronate HX (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.), Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.), and Mytec NY260A (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). These crosslinking agents may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記架橋剤の使用量は特に制限されないが、上記重合性ポリマー100重量部に対する好ましい下限が0.05重量部、好ましい上限が10重量部である。上記架橋剤の使用量がこの範囲であることで、充分に硬化型粘着剤組成物の架橋を行うことができる。 Although the usage-amount of the said crosslinking agent is not restrict | limited in particular, The preferable minimum with respect to 100 weight part of the said polymeric polymers is 0.05 weight part, and a preferable upper limit is 10 weight part. When the amount of the crosslinking agent used is within this range, the curable pressure-sensitive adhesive composition can be sufficiently crosslinked.

上記硬化型粘着剤組成物は、更に、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することが好ましい。ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することにより、硬化性が向上する。
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、分子量が1万以下であるものが好ましく、より好ましくは、硬化成分の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が5000以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が2〜20個のものである。
The curable pressure-sensitive adhesive composition preferably further contains a radical polymerizable polyfunctional oligomer or monomer. By containing a radical polymerizable polyfunctional oligomer or monomer, curability is improved.
The polyfunctional oligomer or monomer preferably has a molecular weight of 10,000 or less, and more preferably has a molecular weight of 5000 or less and intramolecular radical polymerization so that a three-dimensional network of the curing component can be efficiently formed. The number of sex unsaturated bonds is 2-20.

上記多官能オリゴマー又はモノマーは、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリプロピレングリコール#700ジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The polyfunctional oligomer or monomer is, for example, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, or the same methacrylate as described above. And the like. Other examples include 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polypropylene glycol # 700 diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate, and methacrylates similar to those described above. These polyfunctional oligomers or monomers may be used alone or in combination of two or more.

上記硬化型粘着剤組成物は、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有してもよい。上記硬化型粘着剤組成物が上記気体発生剤を含有する場合には、後述する剥離工程において、硬化型粘着剤組成物に刺激を与えて上記気体発生剤から気体を発生させることにより、より容易に、かつ、糊残りすることなくウエハからウエハ保護テープを剥離することができる。 The said curable adhesive composition may contain the gas generating agent which generate | occur | produces gas by irritation | stimulation. When the curable pressure-sensitive adhesive composition contains the gas generating agent, it is easier to generate gas from the gas generating agent by stimulating the curable pressure-sensitive adhesive composition in the peeling step described later. In addition, the wafer protective tape can be peeled from the wafer without any adhesive residue.

上記気体発生剤は特に限定されないが、加熱を伴う処理に対する耐性に優れることから、フェニル酢酸、ジフェニル酢酸、トリフェニル酢酸等のカルボン酸化合物又はその塩や、1H−テトラゾール、5−フェニル−1H−テトラゾール、5,5−アゾビス−1H−テトラゾール等のテトラゾール化合物又はその塩等が好適である。このような気体発生剤は、紫外線等の光を照射することにより気体を発生する一方、200℃程度の高温下でも分解しない高い耐熱性を有する。 Although the said gas generating agent is not specifically limited, Since it is excellent in the tolerance with respect to the process with a heating, carboxylic acid compounds, such as phenylacetic acid, diphenylacetic acid, and triphenylacetic acid, or its salt, 1H-tetrazole, 5-phenyl-1H- A tetrazole compound such as tetrazole or 5,5-azobis-1H-tetrazole or a salt thereof is preferred. Such a gas generating agent generates gas when irradiated with light such as ultraviolet rays, and has high heat resistance that does not decompose even at a high temperature of about 200 ° C.

上記硬化型粘着剤組成物中の上記気体発生剤の含有量は特に限定されないが、上記重合性ポリマー100重量部に対する好ましい下限が5重量部、好ましい上限が50重量部である。上記気体発生剤の含有量がこの範囲内にあると、充分な剥離性向上効果が得られる。上記気体発生剤の含有量のより好ましい下限は10重量部、より好ましい上限は30重量部である。 Although content of the said gas generating agent in the said curable adhesive composition is not specifically limited, The preferable minimum with respect to 100 weight part of the said polymeric polymers is 5 weight part, and a preferable upper limit is 50 weight part. When the content of the gas generating agent is within this range, a sufficient peelability improving effect can be obtained. The minimum with more preferable content of the said gas generating agent is 10 weight part, and a more preferable upper limit is 30 weight part.

上記硬化型粘着剤組成物は、更に、ヒュームドシリカ等の無機フィラーを含有してもよい。無機フィラーを配合することにより上記硬化型粘着剤組成物の凝集力が上がる。このため、リフロー工程後に保護が不要となったときに、ウエハ保護テープを半導体チップから糊残りすることなく容易に剥離できる。 The curable pressure-sensitive adhesive composition may further contain an inorganic filler such as fumed silica. By blending the inorganic filler, the cohesive force of the curable pressure-sensitive adhesive composition is increased. For this reason, when protection becomes unnecessary after the reflow process, the wafer protective tape can be easily peeled off from the semiconductor chip without leaving glue.

上記硬化型粘着剤組成物は、更に、シリコーン化合物を含有してもよい。なかでも上記硬化型粘着剤組成物が光硬化型粘着剤又は熱硬化型粘着剤を含有する場合には、該光硬化型粘着剤又は熱硬化型粘着剤と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物を含有してもよい。
シリコーン化合物は、耐薬品性、耐熱性に優れることから、アッシング工程における高温処理を経ても粘着剤の焦げ付き等を防止し、剥離時には被着体界面にブリードアウトして、剥離を容易にする。シリコーン化合物が上記光硬化型粘着剤又は熱硬化型粘着剤と架橋可能な官能基を有する場合には、光照射又は加熱することにより上記光硬化型粘着剤又は熱硬化型粘着剤成分と化学反応して上記光硬化型粘着剤中又は熱硬化型粘着剤中に取り込まれることから、被着体にシリコーン化合物が付着して汚染することがない。
The curable pressure-sensitive adhesive composition may further contain a silicone compound. Especially when the said curable adhesive composition contains a photocurable adhesive or a thermosetting adhesive, the silicone compound which has a functional group crosslinkable with this photocurable adhesive or a thermosetting adhesive It may contain.
Since the silicone compound is excellent in chemical resistance and heat resistance, the adhesive is prevented from being burnt even after high-temperature treatment in the ashing process, and at the time of peeling, it bleeds out to the adherend interface to facilitate peeling. When the silicone compound has a functional group capable of crosslinking with the photocurable pressure-sensitive adhesive or the thermosetting pressure-sensitive adhesive, chemical reaction with the photocurable pressure-sensitive adhesive or the thermosetting pressure-sensitive adhesive component by light irradiation or heating. And since it is taken in in the said photocurable adhesive or a thermosetting adhesive, a silicone compound adheres to an adherend and does not contaminate.

上記硬化型粘着剤組成物は、更に、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。 The curable pressure-sensitive adhesive composition may further contain known additives such as a plasticizer, a resin, a surfactant, a wax, and a fine particle filler.

上記硬化型粘着剤組成物は、上記テープ貼り付け工程時における23℃での引っ張り貯蔵弾性率が1×10Pa以上である。
硬化前の硬化型粘着剤組成物の23℃での引っ張り貯蔵弾性率を1×10Pa以上とすることで硬化型粘着剤組成物は適度な柔軟性を獲得し、多数の凹凸のあるウエハに貼り付ける場合であっても凹凸に追従してウエハを確実に保護できる。上記硬化型粘着剤組成物の23℃での引っ張り貯蔵弾性率は5.0×10Pa以上であることが好ましい。なお、23℃での引っ張り貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置(例えば、DVA−200、アイティー計測制御社製)を用いて、動的粘弾性測定の引っ張りモード、角周波数10Hzの条件で測定を行うことで求めることができる。
The curable pressure-sensitive adhesive composition has a tensile storage elastic modulus at 23 ° C. of 1 × 10 5 Pa or more during the tape attaching step.
By setting the tensile storage elastic modulus at 23 ° C. of the curable pressure-sensitive adhesive composition before curing to 1 × 10 5 Pa or more, the curable pressure-sensitive adhesive composition acquires appropriate flexibility, and a wafer having a large number of irregularities. Even when affixed to the wafer, the wafer can be reliably protected by following the unevenness. The tensile storage elastic modulus at 23 ° C. of the curable pressure-sensitive adhesive composition is preferably 5.0 × 10 5 Pa or more. In addition, the tensile storage elastic modulus at 23 ° C. is a condition of a dynamic viscoelasticity measurement tensile mode and an angular frequency of 10 Hz using a dynamic viscoelasticity measuring device (for example, DVA-200, manufactured by IT Measurement Control Co., Ltd.). It can be obtained by performing measurement.

上記硬化型粘着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は5μm、好ましい上限は200μmである。上記硬化型粘着層の厚みがこの範囲内にあると、ウエハ表面の凹凸に追従して充分な粘着力でウエハに貼着でき、かつ、処理後のウエハに反りや割れが発生するのを防止することができる。上記硬化型粘着剤層の厚みのより好ましい下限は10μm、より好ましい上限は100μmである。 Although the thickness of the said curable adhesive layer is not specifically limited, A preferable minimum is 5 micrometers and a preferable upper limit is 200 micrometers. When the thickness of the curable adhesive layer is within this range, it can adhere to the wafer with sufficient adhesive force following the unevenness of the wafer surface and prevent warping and cracking of the processed wafer. can do. The minimum with more preferable thickness of the said curable adhesive layer is 10 micrometers, and a more preferable upper limit is 100 micrometers.

本発明のパワーデバイスの製造方法は、次いで、上記ウエハ保護テープに刺激を与えて上記硬化型粘着剤組成物を硬化させる硬化工程を行う。
光の照射又は加熱により硬化型粘着剤組成物を架橋、硬化させることによって硬化型粘着剤組成物の弾性率が上昇し、高温によっても接着昂進しにくくなる。その結果、多数の凹凸が形成されたウエハに高温処理を行う場合であっても糊残りすることなくウエハ保護テープを剥離することができる。
In the method for producing a power device of the present invention, a curing step is then performed in which the wafer protective tape is stimulated to cure the curable pressure-sensitive adhesive composition.
When the curable pressure-sensitive adhesive composition is crosslinked and cured by light irradiation or heating, the elastic modulus of the curable pressure-sensitive adhesive composition is increased, and the adhesion is hardly promoted even at a high temperature. As a result, the wafer protective tape can be peeled without leaving glue even when high-temperature processing is performed on a wafer having a large number of irregularities.

上記硬化型粘着剤が光硬化型粘着剤であり、側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと250〜800nmの波長で活性化する光重合開始剤を含有する光硬化型粘着剤を用いた場合、365nm以上の波長の光を照射することにより、上記光硬化型粘着剤を架橋、硬化させることができる。
このような光硬化型粘着剤に対しては、例えば、波長365nmの光を5mW以上の照度で照射することが好ましく、10mW以上の照度で照射することがより好ましく、20mW以上の照度で照射することが更に好ましく、50mW以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長365nmの光を300mJ以上の積算照度で照射することが好ましく、500mJ以上、10000mJ以下の積算照度で照射することがより好ましく、500mJ以上、7500mJ以下の積算照度で照射することが更に好ましく、1000mJ以上、5000mJ以下の積算照度で照射することが特に好ましい。
The curable pressure-sensitive adhesive is a photo-curable pressure-sensitive adhesive, and contains a polymer having an unsaturated double bond such as a vinyl group in a side chain and a photopolymerization initiator activated at a wavelength of 250 to 800 nm. When an agent is used, the photocurable pressure-sensitive adhesive can be crosslinked and cured by irradiating light with a wavelength of 365 nm or more.
For such a photocurable pressure-sensitive adhesive, for example, light with a wavelength of 365 nm is preferably irradiated with an illuminance of 5 mW or more, more preferably with an illuminance of 10 mW or more, and irradiation with an illuminance of 20 mW or more. More preferably, irradiation with an illuminance of 50 mW or more is particularly preferable. In addition, it is preferable to irradiate light with a wavelength of 365 nm with an integrated illuminance of 300 mJ or more, more preferably with an integrated illuminance of 500 mJ or more and 10,000 mJ or less, and more preferably with an integrated illuminance of 500 mJ or more and 7500 mJ or less. It is particularly preferable to irradiate with an integrated illuminance of 1000 mJ or more and 5000 mJ or less.

また、上記硬化型粘着剤が熱硬化型粘着剤であり、側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと50〜150℃程度の加熱で活性化する熱重合開始剤を含有する熱硬化型粘着剤を用いた場合、50〜150℃程度の温度にまで加熱することにより、上記熱硬化型粘着剤を架橋、硬化させることができる。 The curable pressure-sensitive adhesive is a thermosetting pressure-sensitive adhesive and contains a polymer having an unsaturated double bond such as a vinyl group in the side chain and a thermal polymerization initiator that is activated by heating at about 50 to 150 ° C. When a thermosetting pressure-sensitive adhesive is used, the thermosetting pressure-sensitive adhesive can be crosslinked and cured by heating to a temperature of about 50 to 150 ° C.

本発明のパワーデバイスの製造方法は、次いで、上記ウエハのウエハ保護テープが積層された側の面とは反対側の面を研削するバックグラインディング工程を行う。
バックグラインディング工程によってウエハは所定の厚さまで研削される。本発明では、ウエハの表面にウエハ保護テープが貼られているため、バックグラインド時の衝撃や振動によるウエハの損傷を防ぐことができる。
In the power device manufacturing method of the present invention, a back grinding process is then performed in which the surface of the wafer opposite to the surface on which the wafer protective tape is laminated is ground.
The wafer is ground to a predetermined thickness by the back grinding process. In the present invention, since the wafer protective tape is stuck on the surface of the wafer, damage to the wafer due to impact and vibration during back grinding can be prevented.

本発明のパワーデバイスの製造方法は、次いで、上記ウエハの研削された面に金属の膜を形成する成膜工程を行う。上記金属の膜としては、例えば、Cu、Ti、Al等が挙げられる。また、上記金属の膜のほかに金属の回路を形成するための絶縁膜としてSiO、SiN等が、保護膜としてポリイミド膜が併せて形成される場合もある。
上記成膜工程では150℃程度の高温処理と薬液処理が行われるが、本発明では硬化型粘着剤組成物を硬化させているため、高温処理によるウエハ保護テープの接着昂進を抑えることができる。また、硬化型粘着剤組成物の硬化によって薬液に対する耐性も向上しているため、薬液によるウエハ保護テープの劣化も防ぐことができる。
In the method for manufacturing a power device according to the present invention, a film forming process for forming a metal film on the ground surface of the wafer is then performed. Examples of the metal film include Cu, Ti, and Al. In addition to the metal film, there may be a case where SiO, SiN or the like is formed as an insulating film for forming a metal circuit, and a polyimide film is formed as a protective film.
In the film forming step, high-temperature treatment at about 150 ° C. and chemical treatment are performed. However, in the present invention, since the curable pressure-sensitive adhesive composition is cured, the adhesion of the wafer protective tape due to the high-temperature treatment can be suppressed. Moreover, since the tolerance with respect to a chemical | medical solution is also improving by hardening of a curable adhesive composition, deterioration of the wafer protective tape by a chemical | medical solution can also be prevented.

本発明のパワーデバイスの製造方法は、ついで、上記金属の膜をアッシングするアッシング工程を行う。
アッシングによって上記金属の膜の不要な部分が除去され、所定のパターンが形成される。アッシング工程ではウエハが200℃程度の高温に曝されるため、従来のウエハ保護テープは、高温によって接着昂進を起こし、ウエハ保護テープ剥離時に糊残りが生じる原因となっていた。本発明では、硬化型粘着剤組成物を硬化させているため、ウエハ表面に多数の凹凸が存在する場合であっても接着昂進を抑えられる。また、アッシング工程では金属膜だけでなくウエハ保護テープも分解を受ける。なかでも柔軟性の高い粘着剤の分解が進みやすく、従来のウエハ保護テープではアッシングによる分解でウエハ周辺の粘着剤が島状に取り残されることによっても糊残りが生じていた。本発明では硬化型粘着剤組成物の硬化によってアッシングに対する耐性も向上していることから、ウエハの処理終了後には糊残りなくウエハ保護テープを剥離することができる。
In the method for manufacturing a power device of the present invention, an ashing process for ashing the metal film is then performed.
Unnecessary portions of the metal film are removed by ashing, and a predetermined pattern is formed. In the ashing process, since the wafer is exposed to a high temperature of about 200 ° C., the conventional wafer protection tape causes adhesion progress due to the high temperature and causes a residue of adhesive when the wafer protection tape is peeled off. In the present invention, since the curable pressure-sensitive adhesive composition is cured, adhesion progress can be suppressed even when a large number of irregularities exist on the wafer surface. In the ashing process, not only the metal film but also the wafer protective tape is decomposed. Among them, the adhesive with high flexibility is likely to be decomposed, and in the conventional wafer protection tape, adhesive residue is also generated due to the adhesive around the wafer being left in an island shape due to the decomposition by ashing. In the present invention, since the resistance to ashing is improved by curing the curable pressure-sensitive adhesive composition, the wafer protective tape can be peeled without any adhesive residue after the processing of the wafer.

本発明のパワーデバイスの製造方法は、次いで、上記ウエハ保護テープを剥離する剥離工程を行う。
上記硬化工程において硬化型粘着剤組成物は硬化していることから、ウエハ表面に多数の凹凸が存在する場合であってもウエハに糊残りすることなく、容易にウエハ保護テープを剥離することができる。
In the method for manufacturing a power device of the present invention, a peeling process for peeling the wafer protective tape is then performed.
Since the curable pressure-sensitive adhesive composition is cured in the curing step, the wafer protective tape can be easily peeled off without leaving glue on the wafer even when there are numerous irregularities on the wafer surface. it can.

上記硬化型粘着剤組成物が上記気体発生剤を含有する場合には、剥離工程において処理後のウエハ保護テープに刺激を与えて上記気体発生剤から気体を発生させることにより、より容易にステージ基板からウエハ保護テープを剥離することができる。 In the case where the curable pressure-sensitive adhesive composition contains the gas generating agent, the stage substrate is more easily generated by generating a gas from the gas generating agent by stimulating the wafer protective tape after the treatment in the peeling step. The wafer protective tape can be peeled off.

例えば、上記気体発生剤として300nm以下の波長の光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を用いた場合には、300nm以下の波長の光を照射することにより上記気体発生剤から気体を発生させて、支持板をウエハから容易に剥離することができる。
このような気体発生剤に対しては、例えば、波長254nmの光を5mW以上の照度で照射することが好ましく、10mW以上の照度で照射することがより好ましく、20mW以上の照度で照射することが更に好ましく、50mW以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長254nmの光を1000mJ以上の積算照度で照射することが好ましく、1000mJ以上、20J以下の積算照度で照射することがより好ましく、1500mJ以上、15J以下の積算照度で照射することが更に好ましく、2000mJ以上、10J以下の積算照度で照射することが特に好ましい。
For example, when a gas generating agent that generates gas by irradiating light with a wavelength of 300 nm or less is used as the gas generating agent, gas is emitted from the gas generating agent by irradiating light with a wavelength of 300 nm or less. The support plate can be easily peeled off from the wafer.
For such a gas generating agent, for example, light with a wavelength of 254 nm is preferably irradiated with an illuminance of 5 mW or more, more preferably with an illuminance of 10 mW or more, and irradiation with an illuminance of 20 mW or more. More preferably, irradiation with an illuminance of 50 mW or more is particularly preferable. Moreover, it is preferable to irradiate light with a wavelength of 254 nm with an integrated illuminance of 1000 mJ or more, more preferably with an integrated illuminance of 1000 mJ or more and 20 J or less, and more preferably with an integrated illuminance of 1500 mJ or more and 15 J or less. It is particularly preferable to irradiate with an integrated illuminance of 2000 mJ or more and 10 J or less.

また、例えば、上記気体発生剤として200℃以上の加熱により気体を発生する気体発生剤を用いた場合には、200℃以上の温度に加熱することにより上記気体発生剤から気体を発生させて、支持板をウエハから容易に剥離することができる。 Further, for example, when a gas generating agent that generates gas by heating at 200 ° C. or higher is used as the gas generating agent, the gas is generated from the gas generating agent by heating to a temperature of 200 ° C. or higher, The support plate can be easily peeled from the wafer.

本発明によれば、多数の凹凸が形成されたウエハに高温処理を施す場合であってもウエハを確実に保護できるとともにウエハへの糊残りを防止することができるパワーデバイスの製造方法を提供することができる。 According to the present invention, there is provided a method for manufacturing a power device capable of reliably protecting a wafer and preventing adhesive residue on the wafer even when a high temperature treatment is performed on a wafer on which a large number of irregularities are formed. be able to.

ウエハ保護テープがウエハに貼り付けられた状態を模式的に表した図である。It is the figure which represented typically the state by which the wafer protection tape was affixed on the wafer.

以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.

(実施例1)
(1)ウエハ保護テープの製造
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、(メタ)アクリル酸アルキルエステルとして2−エチルヘキシルアクリレート94重量部、官能基含有モノマーとしてメタクリル酸ヒドロキシエチル6重量部、ラウリルメルカプタン0.01重量部と、酢酸エチル80重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン0.01重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から1時間後及び2時間後にも、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサンを0.01重量部ずつ添加し、更に、重合開始から4時間後にt−ヘキシルパーオキシピバレートを0.05重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から8時間後に、固形分55重量%、重量平均分子量60万の官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
得られた官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分100重量部に対して、官能基含有不飽和化合物として2−イソシアナトエチルメタクリレート3.5重量部を加えて反応させて重合性ポリマーAを得た。その後、得られた重合性ポリマーの酢酸エチル溶液の樹脂固形分100重量部に対して、シリコーンアクリレート(EBECRYL 350、ダイセル・オルネクス社製)20重量部、シリカフィラー(レオロシール MT−10、トクヤマ社製)20重量部、化学架橋剤(コロネートL−45、積水フーラー社製)0.5重量部、光重合開始剤(エサキュアワン、日本シイベルヘグナー社製)1重量部を混合し、硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を得た(表1参照)。
Example 1
(1) Production of wafer protective tape A reactor equipped with a thermometer, a stirrer, and a cooling tube was prepared. In this reactor, 94 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate as a (meth) acrylic acid alkyl ester, a monomer containing a functional group After adding 6 parts by weight of hydroxyethyl methacrylate, 0.01 part by weight of lauryl mercaptan and 80 parts by weight of ethyl acetate, the reactor was heated to start refluxing. Subsequently, 0.01 parts by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was added as a polymerization initiator in the reactor, and polymerization was started under reflux. It was. Next, after 1 hour and 2 hours from the start of polymerization, 0.01 parts by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was added, and the polymerization was started. 4 hours later, 0.05 part by weight of t-hexylperoxypivalate was added to continue the polymerization reaction. Then, 8 hours after the start of polymerization, an ethyl acetate solution of a functional group-containing (meth) acrylic polymer having a solid content of 55% by weight and a weight average molecular weight of 600,000 was obtained.
The resin solid content of 100 parts by weight of the ethyl acetate solution containing the functional group-containing (meth) acrylic polymer was added and reacted with 3.5 parts by weight of 2-isocyanatoethyl methacrylate as the functional group-containing unsaturated compound. To obtain a polymerizable polymer A. Thereafter, 20 parts by weight of silicone acrylate (EBECRYL 350, manufactured by Daicel Ornex Co., Ltd.), silica filler (Leosil Seal MT-10, manufactured by Tokuyama Co., Ltd.) with respect to 100 parts by weight of the resin solid content of the ethyl acetate solution of the obtained polymerizable polymer ) 20 parts by weight, 0.5 parts by weight of a chemical cross-linking agent (Coronate L-45, manufactured by Sekisui Fuller), and 1 part by weight of a photopolymerization initiator (Esacure One, manufactured by Nippon Siebel Hegner) were mixed to form acetic acid as a curable adhesive. An ethyl solution was obtained (see Table 1).

(2)硬化型粘着剤組成物の引っ張り貯蔵弾性率の測定
評価用サンプルとして、硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を、片面に離型処理を施した厚さ50μmの透明なPETフィルムの離型処理面上に、乾燥後の硬化型粘着剤層の厚さが50μmとなるようにドクターナイフで塗工し、反対側に離型処理を施した厚さ50μmの透明なPETフィルムを貼り合わせ、110℃、5分間加熱して塗工溶液を乾燥させた後、40℃、3日間静置養生を行った。その後、PETフィルムを剥離し、粘着剤同士を折り重ねて400μm厚のウエハ保護テープとし、縦0.6cm、横1.0cmの長方形状に切断して、これを評価用サンプルとした。
得られた評価用サンプルについて、動的粘弾性測定装置(DVA−200、アイティー計測制御社製)を用いて動的粘弾性測定の引っ張りモード、角周波数10Hzで測定を行い、23℃での引っ張り貯蔵弾性率の値を得た。結果を表1に示した。
(2) As a sample for measuring and evaluating the tensile storage modulus of the curable pressure-sensitive adhesive composition, release of a transparent PET film having a thickness of 50 μm obtained by subjecting one side of the ethyl acetate solution of the curable pressure-sensitive adhesive to release treatment On the treated surface, apply a doctor knife so that the thickness of the curable pressure-sensitive adhesive layer after drying is 50 μm, and paste a transparent PET film with a thickness of 50 μm on which the release treatment is performed on the opposite side, The coating solution was dried by heating at 110 ° C. for 5 minutes, and then subjected to static curing at 40 ° C. for 3 days. Thereafter, the PET film was peeled off, and the pressure-sensitive adhesives were folded to form a 400 μm thick wafer protection tape, which was cut into a rectangular shape having a length of 0.6 cm and a width of 1.0 cm, and this was used as a sample for evaluation.
About the obtained sample for evaluation, using a dynamic viscoelasticity measuring device (DVA-200, manufactured by IT Measurement Control Co., Ltd.), measurement is performed at a tensile mode of dynamic viscoelasticity measurement, an angular frequency of 10 Hz, The value of tensile storage modulus was obtained. The results are shown in Table 1.

(3)パワーデバイスの製造
片面に回路膜(厚み0.01μm)及びその上にポリイミド膜(膜は厚み2μm、1cm□、間隔3mmの格子状に抜かれている)が形成された厚み700μmのウエハの回路が形成された面(表面)にウエハ保護テープを真空下で貼り付けた。次いで、ウエハ保護テープ側から超高圧水銀灯を用いて、365nmの紫外線をウエハ保護テープへの照射強度が80mW/cmとなるよう照度を調節して1分間照射して、硬化型粘着剤組成物を架橋、硬化させた。その後、ウエハの厚さが100μmになるまで裏面からウエハを研削した。次いで、研削後のウエハに、スパッターを行いCuの膜を形成した。続いて成膜後のウエハにPC−300(SUMCO社製)を用いて所定の条件で1分間プラズマアッシングを行った。プラズマアッシング後にウエハ保護テープを剥離した。
(3) Manufacturing a power device A wafer having a thickness of 700 μm on which a circuit film (thickness: 0.01 μm) and a polyimide film (the film is extracted in a lattice shape with a thickness of 2 μm, 1 cm □, and an interval of 3 mm) are formed. A wafer protective tape was affixed to the surface (front surface) on which the circuit was formed under vacuum. Next, using an ultra-high pressure mercury lamp from the wafer protective tape side, irradiating 365 nm ultraviolet rays for 1 minute while adjusting the illuminance so that the irradiation intensity to the wafer protective tape is 80 mW / cm 2, and then curable adhesive composition Was crosslinked and cured. Thereafter, the wafer was ground from the back surface until the thickness of the wafer reached 100 μm. Next, a Cu film was formed on the ground wafer by sputtering. Subsequently, plasma ashing was performed on the formed wafer using PC-300 (manufactured by SUMCO) for 1 minute under predetermined conditions. The wafer protective tape was peeled off after plasma ashing.

(比較例1)
「(3)パワーデバイスの製造」において硬化型粘着剤組成物を架橋、硬化させなかった以外は実施例1と同様にしてウエハ保護テープの製造、硬化型粘着剤層の引っ張り貯蔵弾性率の測定及びパワーデバイスの製造を行った。
(Comparative Example 1)
Production of wafer protective tape and measurement of tensile storage elastic modulus of curable pressure-sensitive adhesive layer in the same manner as in Example 1 except that the curable pressure-sensitive adhesive composition was not crosslinked and cured in “(3) Production of power device” And the manufacture of the power device was performed.

(比較例2)
「(1)ウエハ保護テープの製造」において用いるシリカフィラーと化学架橋剤の配合量を表1の通りとしたこと以外は実施例1と同様にしてウエハ保護テープの製造、硬化型粘着剤層の引っ張り貯蔵弾性率の測定及びパワーデバイスの製造を行った。
(Comparative Example 2)
Production of wafer protective tape, curable pressure-sensitive adhesive layer in the same manner as in Example 1 except that the blending amounts of silica filler and chemical crosslinking agent used in “(1) Production of wafer protective tape” are as shown in Table 1. The tensile storage elastic modulus was measured and the power device was manufactured.

<評価>
実施例及び比較例で得られたウエハ保護テープについて以下の評価を行った。
結果を表1に示した。
<Evaluation>
The wafer tapes obtained in the examples and comparative examples were evaluated as follows.
The results are shown in Table 1.

(ウエハ保護性能の評価)
ウエハ保護テープ剥離後のウエハの表面を目視にて観察し、ウエハに傷や割れ、劣化がなかった場合を「〇」、傷や割れ、劣化があった場合を「×」としてウエハ保護性能を評価した。
(Evaluation of wafer protection performance)
The surface of the wafer after the wafer protection tape is peeled off is visually observed. If the wafer is not scratched, cracked, or deteriorated, “◯” is indicated. If the wafer is scratched, cracked, or deteriorated, “×” is indicated. evaluated.

(糊残りの評価)
ウエハ保護テープ剥離後のウエハの表面を目視にて観察し、糊残りが存在しなかった場合を「◎」、糊残りが全体の面積の5%未満であった場合を「○」、糊残り全体の面積の5%以上であった場合を「×」として糊残りを評価した。
(Evaluation of adhesive residue)
The surface of the wafer after peeling the wafer protective tape was visually observed. “◎” if no adhesive residue was present, “○” if the adhesive residue was less than 5% of the total area, and adhesive residue. The case where it was 5% or more of the entire area was evaluated as “x” and the adhesive residue was evaluated.

Figure 2018147989
Figure 2018147989

本発明によれば、多数の凹凸が形成されたウエハに高温処理を施す場合であってもウエハを確実に保護できるとともにウエハへの糊残りを防止することができるパワーデバイスの製造方法を提供することができる。 According to the present invention, there is provided a method for manufacturing a power device capable of reliably protecting a wafer and preventing adhesive residue on the wafer even when a high temperature treatment is performed on a wafer on which a large number of irregularities are formed. be able to.

1 ウエハ保護テープ
2 ウエハ
3 回路及びポリイミド膜
1 Wafer protection tape 2 Wafer 3 Circuit and polyimide film

Claims (1)

ポリイミド膜によって回路が保護されたウエハの該回路側の面に、23℃での引っ張り貯蔵弾性率が1×10Pa以上である硬化型粘着剤組成物からなる硬化型粘着剤層を有するウエハ保護テープを積層するテープ貼り付け工程と、
前記ウエハ保護テープに刺激を与えて前記硬化型粘着剤組成物を硬化させる硬化工程と、
前記ウエハのウエハ保護テープが積層された側の面とは反対側の面を研削するバックグラインディング工程と、
前記ウエハの研削された面に金属の膜を形成する成膜工程と、
前記金属の膜をアッシングするアッシング工程と、
前記ウエハ保護テープを剥離する剥離工程とを有する
ことを特徴とするパワーデバイスの製造方法。
A wafer having a curable pressure-sensitive adhesive layer made of a curable pressure-sensitive adhesive composition having a tensile storage elastic modulus at 23 ° C. of 1 × 10 5 Pa or more on a surface of a wafer whose circuit is protected by a polyimide film. Tape affixing process for laminating protective tape;
A curing step of stimulating the wafer protective tape to cure the curable pressure-sensitive adhesive composition;
A backgrinding step of grinding the surface of the wafer opposite to the surface on which the wafer protective tape is laminated;
A film forming step of forming a metal film on the ground surface of the wafer;
An ashing step of ashing the metal film;
A method for producing a power device, comprising: a peeling step of peeling the wafer protective tape.
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