JP2018137304A - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、本発明に係る熱処理装置100の全体概略構成について簡単に説明する。図1は、本発明に係る熱処理装置100を示す平面図であり、図2はその正面図である。熱処理装置100は基板として円板形状の半導体ウェハーWにフラッシュ光を照射してその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーWのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ300mmやφ450mmである。熱処理装置100に搬入される前の半導体ウェハーWには不純物が注入されており、熱処理装置100による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また、図1,2および以降の各図においては、それらの方向関係を明確にするためZ軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とするXYZ直交座標系を必要に応じて付している。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置100の全体構成およびフラッシュ加熱部160の構成は第1実施形態と同じである。また、第2実施形態における半導体ウェハーWの処理手順についても概ね第1実施形態と同様である。第2実施形態が第1実施形態と相違するのは、アライメント部130による半導体ウェハーWの向き調整である。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。第3実施形態の熱処理装置100の全体構成およびフラッシュ加熱部160の構成は第1実施形態と同じである。また、第3実施形態における半導体ウェハーWの処理手順についても概ね第1実施形態と同様である。第3実施形態が第1実施形態と相違するのは、プロセスチャンバー6外に2個の上部放射温度計25,125を設けている点である。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、面方位が(100)面の単結晶シリコンの半導体ウェハーWを処理対象としていたが、これに限定されるものではなく、面方位が(110)面または(111)面の半導体ウェハーに加熱処理を行うようにしても良い。半導体ウェハーの面方位が異なると、フラッシュ光照射時に反りが最小となる方向も異なる。従って、面方位ごとにフラッシュ光照射時の反りが最小となる方向をテーブルに登録しておく。そして、制御部3の制御下にてアライメント部130がフラッシュ光照射時に半導体ウェハーWの反りが最小となる方向に沿った径が上部放射温度計25の光軸と一致するように半導体ウェハーWの向きを調整する。このようにすれば、フラッシュ光照射によって半導体ウェハーWに反りが生じた場合であっても、上部放射温度計25の光軸方向では半導体ウェハーWにほとんど反りが生じないため、放射率もほとんど変化せず、半導体ウェハーWの上面の温度を正確に測定することができる。
4 ハロゲンランプハウス
5 フラッシュランプハウス
6 プロセスチャンバー
7 保持部
10 移載機構
25,125 上部放射温度計
74 サセプタ
75 保持プレート
77 基板支持ピン
100 熱処理装置
101 インデクサ部
130 アライメント部
140 冷却部
150 搬送ロボット
160 フラッシュ加熱部
170 搬送チャンバー
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (8)
- 円板形状の基板にフラッシュ光を照射することによって当該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板の向きを調整するアライメント機構と、
前記基板を収容して加熱処理を行うチャンバーと、
前記チャンバー内に設置され、前記基板を載置して保持するサセプタと、
前記アライメント機構から前記チャンバー内の前記サセプタに前記基板を搬送する搬送部と、
前記チャンバーの上方に設けられ、前記サセプタに載置された前記基板の上面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記サセプタに載置された前記基板の斜め上方に設置され、前記基板の上面から放射された赤外光を受光して当該上面の温度を測定する放射温度計と、
を備え、
前記アライメント機構は、前記フラッシュランプからフラッシュ光が照射されたときに、前記基板の反りが最小となる方向に沿った径が前記放射温度計の光軸と一致するように前記基板の向きを調整することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記基板は面方位が(100)面の単結晶シリコンの半導体ウェハーであり、
前記基板の<100>方向に沿った径が前記放射温度計の光軸と一致するように前記基板の向きを調整することを特徴とする熱処理装置。 - 円板形状の基板にフラッシュ光を照射することによって当該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板の向きを調整するアライメント機構と、
前記基板を収容して加熱処理を行うチャンバーと、
前記チャンバー内に設置され、前記基板を載置して保持するサセプタと、
前記アライメント機構から前記チャンバー内の前記サセプタに前記基板を搬送する搬送部と、
前記チャンバーの上方に設けられ、前記サセプタに載置された前記基板の上面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記サセプタに載置された前記基板の斜め上方に設置され、前記基板の上面から放射された赤外光を受光して当該上面の温度を測定する放射温度計と、
を備え、
前記基板は面方位が(100)面の単結晶シリコンの半導体ウェハーであり、
前記アライメント機構は、前記基板の<100>方向に沿った2本の径の二等分線が前記放射温度計の光軸と一致するように前記基板の向きを調整することを特徴とする熱処理装置。 - 円板形状の基板にフラッシュ光を照射することによって当該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板の向きを調整するアライメント機構と、
前記基板を収容して加熱処理を行うチャンバーと、
前記チャンバー内に設置され、前記基板を載置して保持するサセプタと、
前記アライメント機構から前記チャンバー内の前記サセプタに前記基板を搬送する搬送部と、
前記チャンバーの上方に設けられ、前記サセプタに載置された前記基板の上面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記サセプタに載置された前記基板の斜め上方に設置され、前記基板の上面から放射された赤外光を受光して当該上面の温度を測定する第1放射温度計と、
前記基板の斜め上方に前記基板の中心から見て前記第1放射温度計と90°隔てた位置に設置され、前記基板の上面から放射された赤外光を受光して当該上面の温度を測定する第2放射温度計と、
を備え、
前記基板は面方位が(100)面の単結晶シリコンの半導体ウェハーであり、
前記アライメント機構は、前記基板の<100>方向に沿った2本の径が前記第1放射温度計および前記第2放射温度計の光軸と一致するように前記基板の向きを調整することを特徴とする熱処理装置。 - 円板形状の基板にフラッシュ光を照射することによって当該基板を加熱する熱処理方法であって、
チャンバー内に設置されたサセプタに基板を載置して保持する移載工程と、
前記チャンバーの上方に設けられたフラッシュランプから前記サセプタに載置された前記基板の上面にフラッシュ光を照射する照射工程と、
前記サセプタに載置された前記基板の斜め上方に設置された放射温度計が前記基板の上面から放射された赤外光を受光して当該上面の温度を測定する温度測定工程と、
を備え、
前記載置工程では、前記照射工程にてフラッシュ光が照射されたときに、前記基板の反りが最小となる方向に沿った径が前記放射温度計の光軸と一致するように前記基板を前記サセプタに載置することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項5記載の熱処理方法において、
前記基板は面方位が(100)面の単結晶シリコンの半導体ウェハーであり、
前記移載工程では、前記基板の<100>方向に沿った径が前記放射温度計の光軸と一致するように前記基板を前記サセプタに載置することを特徴とする熱処理方法。 - 円板形状の基板にフラッシュ光を照射することによって当該基板を加熱する熱処理方法であって、
チャンバー内に設置されたサセプタに基板を載置して保持する移載工程と、
前記チャンバーの上方に設けられたフラッシュランプから前記サセプタに載置された前記基板の上面にフラッシュ光を照射する照射工程と、
前記サセプタに載置された前記基板の斜め上方に設置された放射温度計が前記基板の上面から放射された赤外光を受光して当該上面の温度を測定する温度測定工程と、
を備え、
前記基板は面方位が(100)面の単結晶シリコンの半導体ウェハーであり、
前記移載工程では、前記基板の<100>方向に沿った2本の径の二等分線が前記放射温度計の光軸と一致するように前記基板を前記サセプタに載置することを特徴とする熱処理方法。 - 円板形状の基板にフラッシュ光を照射することによって当該基板を加熱する熱処理方法であって、
チャンバー内に設置されたサセプタに基板を載置して保持する移載工程と、
前記チャンバーの上方に設けられたフラッシュランプから前記サセプタに載置された前記基板の上面にフラッシュ光を照射する照射工程と、
前記サセプタに載置された前記基板の斜め上方に設置された第1放射温度計または前記基板の斜め上方に前記基板の中心から見て前記第1放射温度計と90°隔てた位置に設置された第2放射温度計が前記基板の上面から放射された赤外光を受光して当該上面の温度を測定する温度測定工程と、
を備え、
前記基板は面方位が(100)面の単結晶シリコンの半導体ウェハーであり、
前記移載工程では、前記基板の<100>方向に沿った2本の径が前記第1放射温度計および前記第2放射温度計の光軸と一致するように前記基板を前記サセプタに載置することを特徴とする熱処理方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020166249A1 (ja) * | 2019-02-13 | 2020-08-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2020194944A (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
CN112086379A (zh) * | 2019-06-13 | 2020-12-15 | 马特森技术有限公司 | 具有透射切换板的热处理系统及控制其操作的方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015220924B4 (de) * | 2015-10-27 | 2018-09-27 | Siltronic Ag | Suszeptor zum Halten einer Halbleiterscheibe mit Orientierungskerbe, Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe und Halbleiterscheibe |
JP6847610B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2021-03-24 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP7372074B2 (ja) * | 2019-08-07 | 2023-10-31 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
JP7370763B2 (ja) * | 2019-08-22 | 2023-10-30 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP7336369B2 (ja) * | 2019-11-25 | 2023-08-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板支持装置、熱処理装置、基板支持方法、熱処理方法 |
US20220310461A1 (en) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | Alfasemi Inc. | In-wafer testing device |
CN113180424A (zh) * | 2021-04-30 | 2021-07-30 | 温州职业技术学院 | 一种电子商务用展示装置 |
CN117457572B (zh) * | 2023-12-25 | 2024-03-15 | 上海谙邦半导体设备有限公司 | 一种用于真空反应腔的晶圆交换装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005072045A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009231652A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2012238782A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP2012238779A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
US20130171744A1 (en) * | 2011-12-29 | 2013-07-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of thermally treating a semiconductor wafer |
JP2014092535A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 温度測定装置および熱処理装置 |
JP2014157968A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法、熱処理装置およびサセプター |
JP2015522953A (ja) * | 2012-06-26 | 2015-08-06 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | GaN系材料用温度制御 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001215718A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-08-10 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP4675579B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2011-04-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 光エネルギー吸収比率の測定方法、光エネルギー吸収比率の測定装置および熱処理装置 |
US7307695B2 (en) * | 2003-10-10 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Method and device for alignment of a substrate |
US20080045030A1 (en) * | 2006-08-15 | 2008-02-21 | Shigeru Tahara | Substrate processing method, substrate processing system and storage medium |
WO2008069259A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device |
JP5003315B2 (ja) * | 2007-07-03 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに記憶媒体 |
TWI549210B (zh) * | 2012-02-27 | 2016-09-11 | Screen Holdings Co Ltd | A sample preparation apparatus for evaluation, a sample manufacturing method for evaluation, and a substrate processing apparatus |
JP2015065358A (ja) | 2013-09-26 | 2015-04-09 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
CN104949631B (zh) | 2014-03-27 | 2017-12-15 | 纽富来科技股份有限公司 | 曲率测定装置以及曲率测定方法 |
JP6425950B2 (ja) * | 2014-09-12 | 2018-11-21 | 株式会社Screenホールディングス | 半導体製造方法および半導体製造装置 |
-
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005072045A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009231652A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2012238782A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP2012238779A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
US20130171744A1 (en) * | 2011-12-29 | 2013-07-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of thermally treating a semiconductor wafer |
JP2015522953A (ja) * | 2012-06-26 | 2015-08-06 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | GaN系材料用温度制御 |
JP2014092535A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 温度測定装置および熱処理装置 |
JP2014157968A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法、熱処理装置およびサセプター |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020166249A1 (ja) * | 2019-02-13 | 2020-08-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2020194944A (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP7312020B2 (ja) | 2019-05-30 | 2023-07-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
CN112086379A (zh) * | 2019-06-13 | 2020-12-15 | 马特森技术有限公司 | 具有透射切换板的热处理系统及控制其操作的方法 |
CN112086379B (zh) * | 2019-06-13 | 2022-04-08 | 玛特森技术公司 | 具有透射切换板的热处理系统及控制其操作的方法 |
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