JP2018128319A - 水素センサ - Google Patents
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Abstract
Description
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1実施形態に係る水素センサに含まれる第1センサ素子を例示する模式斜視図である。図2は、第1実施形態に係る水素センサに含まれる第1センサ素子を例示する模式図である。図1、及び、図2には、一部が断面として示されている。図1、及び、図2には、第1方向と、第2方向と、が示される。本明細書では、第1方向をZ軸方向とする。Z軸方向と交差、例えば、直交する方向を第2方向とする。第2方向は、r軸方向である。r軸方向は、Z軸を中心とした放射方向(例えば半径方向)である。
図5に示すように、第1実施形態に係る水素センサ110は、第1センサ素子100aと、第1測定装置200aと、を含む。
図6は、第2実施形態に係る水素センサに含まれる第2センサ素子を例示する模式斜視図である。図7は、第2実施形態に係る水素センサに含まれる第2センサ素子を例示する模式図である。
・第2非金属層の形成
・第2膜5の形成
・アニール処理
の工程を経て、製造することができる。なお、第2非金属層は、特に図示しないが、例えば、図3(a)に示した第1非金属層3aと同じSi層でよい。
図8に示すように、アニール前(Pt-ini)において、第2金属体4の組成は、ほぼPtである。
図9に示すように、第2実施形態に係る水素センサ120は、第2センサ素子100bと、第2測定装置200bと、を含む。
その他、本発明の実施形態として上述した水素センサを基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての水素センサも、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例、及び、修正例に想到し得るものであり、それら変更例、及び、修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
Claims (20)
- 第1金属元素を含み、水素吸蔵能力を有した第1金属体と、
第1非金属元素の化合物を含む第1膜と、
前記第1金属体と、前記第1膜と、の間に設けられた、前記第1金属元素と、前記第1非金属元素と、を含む第1中間領域と、
を備えた、水素センサ。 - 前記第1非金属元素の前記化合物は、前記第1非金属元素と、水素と発熱反応を起こす第2非金属元素と、を含む、請求項1記載の水素センサ。
- 前記第2非金属元素は、酸素または窒素のいずれかである、請求項2記載の水素センサ。
- 前記第1金属元素は、パラジウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、マンガン、ニッケル、バナジウム、ランタン、レニウム、ニオブ、コバルト、及び、アルミニウムからなる群より選択される少なくとも1つを含む、請求項1〜3のいずれか1つに記載の水素センサ。
- 前記第1金属体が延びる方向と交差する方向の前記第1中間領域の第1厚さは、0.1nm以上100nm以下である、請求項1〜4のいずれか1つに記載の水素センサ。
- 前記第1膜は、前記第1金属体が延びる方向に沿って前記第1金属体の周りに設けられた、請求項1〜5のいずれか1つに記載の水素センサ。
- 前記第1金属体、前記第1膜、及び、前記第1中間領域は、フレキシブルな水素検出ワイヤを構成する、請求項1〜6のいずれか1つに記載の水素センサ。
- 筒状部材をさらに備え、
前記水素検出ワイヤは、前記筒状部材に巻かれた、請求項7記載の水素センサ。 - 前記第1金属体の第1電気抵抗値を計測する第1計測部と、
前記第1電気抵抗値に基づいて、水素濃度を算出する第1演算部と、
を、さらに備えた、請求項1〜8のいずれか1つに記載の水素センサ。 - 第2金属元素を含み、前記第1金属体よりも水素を吸蔵し難い第2金属体と、
前記第1非金属元素の化合物を含む第2膜と、
前記第2金属体と、前記第2膜と、の間に設けられた、前記第2金属元素と、前記第1非金属元素と、を含む第2中間領域と、
を、さらに備えた、請求項1〜6のいずれか1つに記載の水素センサ。 - 前記第1非金属元素の前記化合物は、前記第1非金属元素と、水素と発熱反応を起こす第3非金属元素と、を含む、請求項10記載の水素センサ。
- 前記第3非金属元素は、酸素または窒素のいずれかである、請求項11記載の水素センサ。
- 前記第2金属元素は、プラチナ、金、及び、銅からなる群より選択される少なくとも1つを含む、請求項10〜12のいずれか1つに記載の水素センサ。
- 前記第2金属体が延びる方向と交差する方向の前記第2中間領域の第2厚さは、0.1nm以上100nm以下である、請求項10〜13のいずれか1つに記載の水素センサ。
- 前記第2膜は、前記第2金属体が延びる方向に沿って前記第2金属体の周りに設けられた、請求項10〜14のいずれか1つに記載の水素センサ。
- 前記第1金属体、前記第1膜、及び、前記第1中間領域は、フレキシブルな水素検出ワイヤを構成し、
前記第2金属体、前記第2膜、及び、前記第2中間領域は、フレキシブルな温度検出ワイヤを構成する、請求項10〜15のいずれか1つに記載の水素センサ。 - 筒状部材を、
さらに備え、
前記水素検出ワイヤと、前記温度検出ワイヤと、は、前記筒状部材に巻かれた、請求項16記載の水素センサ。 - 前記第1金属体の第1電気抵抗値を計測する第1計測部と、
前記第2金属体の第2電気抵抗値を計測する第2計測部と、
前記第1電気抵抗値と、前記第2電気抵抗値と、に基づいて、水素濃度を算出する第2演算部と、
を、さらに備えた、請求項10〜17のいずれか1つに記載の水素センサ。 - 前記第2演算部は、
前記第2電気抵抗値に基づいて、温度を算出し、
前記第1電気抵抗値と、前記演算した温度と、に基づいて、前記水素濃度を算出する、請求項18記載の水素センサ。 - 前記第1非金属元素は、シリコン、及び、ホウ素の少なくとも1つを含む、請求項1〜19のいずれか1つに記載の水素センサ。
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