JP2018117347A - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
〔項目1〕
光電変換により第1の信号を生成する第1光電変換部と、
前記第1光電変換部に電気的に接続され、前記第1の信号を検出する第1信号処理回路と、
を含む第1撮像セルと、
光電変換により第2の信号を生成する第2光電変換部と、
前記第2光電変換部に電気的に接続され、前記第2の信号を検出する第2信号処理回路と、
を含む第2撮像セルと、
を備え、
前記第1撮像セルの感度は、前記第2撮像セルの感度よりも高く、
前記第1信号処理回路は、前記第2信号処理回路と異なる回路構成を有し、
前記第1信号処理回路の動作周波数は、前記第2信号処理回路の動作周波数とは異なる、撮像装置。
〔項目2〕
前記第1信号処理回路は、前記第2信号処理回路よりもランダムノイズを低減するように構成されている、項目1に記載の撮像装置。
〔項目3〕
前記第1信号処理回路が含むトランジスタの数は、前記第2信号処理回路が含むトランジスタの数よりも多い、項目1または2に記載の撮像装置。
〔項目4〕
前記第1信号処理回路が含む容量素子の数は、前記第2信号処理回路が含む容量素子の数よりも多い、項目1から3のいずれか1項に記載の撮像装置。
〔項目5〕
前記第1光電変換部は、第1画素電極と、前記第1画素電極に接する第1光電変換領域とを含み、
前記第2光電変換部は、第2画素電極と、前記第2画素電極に接する第2光電変換領域とを含み、
前記第1信号処理回路は、前記第1画素電極にゲートが電気的に接続され、前記第1の信号を検出する第1増幅トランジスタを含み、
前記第2信号処理回路は、前記第2画素電極にゲートが電気的に接続され、前記第2の信号を検出する第2増幅トランジスタを含み、
前記第1増幅トランジスタのゲート幅は、前記第2増幅トランジスタのゲート幅よりも大きい、項目1から4のいずれか1項に記載の撮像装置。
〔項目6〕
前記第1光電変換部は、第1画素電極と、前記第1画素電極に接する第1光電変換領域とを含み、
前記第2光電変換部は、第2画素電極と、前記第2画素電極に接する第2光電変換領域とを含み、
前記第1信号処理回路は、前記第1画素電極にソースおよびドレインの一方が電気的に接続され、前記第1の信号をリセットする第1リセットトランジスタを含み、
前記第2信号処理回路は、前記第2画素電極にソースおよびドレインの一方が電気的に接続され、前記第2の信号をリセットする第2リセットトランジスタを含み、
第1リセットトランジスタのゲート長は、第2リセットトランジスタのゲート長よりも大きい、項目1から5のいずれか1項に記載の撮像装置。
〔項目7〕
前記第2光電変換部は、第2画素電極と、前記第2画素電極に接する第2光電変換領域とを含み、
前記第2信号処理回路は、前記第2画素電極に電気的に接続され前記第2の信号を蓄積する第1容量素子を含む、項目1から6のいずれか1項に記載の撮像装置。
〔項目8〕
反転増幅器を含む第1フィードバック回路をさらに備え、
前記第1光電変換部は、第1画素電極と、前記第1画素電極に接する第1光電変換領域とを有し、
前記第1信号処理回路は、前記第1画素電極にゲートが電気的に接続され、前記第1の信号を検出する第1増幅トランジスタと、前記第1画素電極にソースおよびドレインの一方が電気的に接続され、前記第1の信号をリセットする第1リセットトランジスタと、を含み、
前記第1フィードバック回路は、前記第1増幅トランジスタ、前記反転増幅器、および前記第1リセットトランジスタを介して、前記第1画素電極の電位を負帰還させる帰還経路を形成する、項目1から7のいずれか1項に記載の撮像装置。
〔項目9〕
前記第1信号処理回路は、一端が前記第1画素電極に電気的に接続された第1容量素子と、前記第1容量素子よりも容量値が大きく、一端が前記第1容量素子の他端に電気的に接続され、他端が基準電位に設定された第2容量素子と、ソースおよびドレインの一方が前記第1容量素子の前記他端に接続された第1帯域制御トランジスタと、をさらに含み、
前記第1フィードバック回路は、前記第1増幅トランジスタ、前記反転増幅器、前記第1帯域制御トランジスタ、および前記第1容量素子を介して、前記第1画素電極の電位を負帰還させる帰還経路を形成する、項目8に記載の撮像装置。
〔項目10〕
前記第1リセットトランジスタのソースおよびドレインの他方は、前記第1帯域制御トランジスタのソースおよびドレインの前記一方に電気的に接続されている、項目9に記載の撮像装置。
〔項目11〕
前記第1リセットトランジスタのソースおよびドレインの他方は、前記第1帯域制御トランジスタのソースおよびドレインの他方に電気的に接続されている、項目9に記載の撮像装置。
〔項目12〕
第1フィードバック回路をさらに備え、
前記第1光電変換部は、第1画素電極と、前記第1画素電極に接する第1光電変換領域とを有し、
前記第1信号処理回路は、前記第1画素電極にゲートが電気的に接続され、前記第1の信号を検出する第1増幅トランジスタと、前記第1画素電極にソースおよびドレインの一方が電気的に接続され、前記第1の信号をリセットする第1リセットトランジスタと、一端が前記第1画素電極に電気的に接続された第1容量素子と、前記第1容量素子よりも容量値が大きく、一端が前記第1容量素子の他端に電気的に接続され、他端が基準電位に設定された第2容量素子と、ソースおよびドレインの一方が前記第1容量素子の前記他端に接続された第1帯域制御トランジスタと、を含み、
前記第1増幅トランジスタのソースおよびドレインの一方は、前記第1帯域制御トランジスタのソースおよびドレインの他方に電気的に接続されており、
前記第1フィードバック回路は、前記第1増幅トランジスタ、前記第1帯域制御トランジスタ、および前記第1容量素子を介して、前記第1画素電極の電位を負帰還させる帰還経路を形成する、項目1から7のいずれか1項に記載の撮像装置。
〔項目13〕
前記第1リセットトランジスタのソースおよびドレインの他方は、前記第1帯域制御トランジスタのソースおよびドレインの前記一方に電気的に接続されている、項目12に記載の撮像装置。
〔項目14〕
前記第1リセットトランジスタのソースおよびドレインの他方は、前記第1帯域制御トランジスタのソースおよびドレインの他方に電気的に接続されている、項目12に記載の撮像装置。
〔項目15〕
第1フィードバック回路をさらに備え、
前記第1光電変換部は、第1画素電極と、前記第1画素電極に接する第1光電変換領域とを有し、
前記第1信号処理回路は、前記第1画素電極にゲートが電気的に接続され、前記第1の信号を検出する第1増幅トランジスタと、前記第1画素電極にソースおよびドレインの一方が電気的に接続され、前記第1の信号をリセットする第1リセットトランジスタと、一端が前記第1画素電極に電気的に接続された第1容量素子と、前記第1容量素子よりも容量値が大きく、一端が前記第1容量素子の他端に電気的に接続され、他端が基準電位に設定された第2容量素子と、ソースおよびドレインの一方が前記第1容量素子の前記他端に接続された第1帯域制御トランジスタと、ソースおよびドレインの一方が前記第1増幅トランジスタのソースおよびドレインの一方に電気的に接続された第1選択トランジスタと、を含み、
前記第1選択トランジスタのソースおよびドレインの他方は、前記第1帯域制御トランジスタのソースおよびドレインの他方に電気的に接続されており、
前記第1フィードバック回路は、前記第1増幅トランジスタ、前記第1選択トランジスタ、前記第1帯域制御トランジスタ、および前記第1容量素子を介して、前記第1画素電極の電位を負帰還させる帰還経路を形成する、項目1から7のいずれか1項に記載の撮像装置。
〔項目16〕
前記第1リセットトランジスタのソースおよびドレインの他方は、前記第1帯域制御トランジスタのソースおよびドレインの前記一方に電気的に接続されている、項目15に記載の撮像装置。
〔項目17〕
前記第1リセットトランジスタのソースおよびドレインの他方は、前記第1帯域制御トランジスタのソースおよびドレインの他方に電気的に接続されている、項目15に記載の撮像装置。
〔項目18〕
前記第1光電変換部は、第1画素電極と、前記第1画素電極に接する第1光電変換領域とを有し、
前記第1信号処理回路は、前記第1画素電極にゲートが電気的に接続され、前記第1の信号を検出する第1増幅トランジスタと、前記第1画素電極にソースおよびドレインの一方が電気的に接続され、前記第1の信号をリセットする第1リセットトランジスタと、一端が前記第1画素電極に電気的に接続された第1容量素子と、前記第1容量素子よりも容量値が大きく、一端が前記第1容量素子の他端に電気的に接続され、他端が基準電位に設定された第2容量素子と、ソースおよびドレインの一方が前記第1容量素子の前記他端に接続された第1帯域制御トランジスタと、第1フィードバック回路と、を含み、
前記第1帯域制御トランジスタのゲートは、前記第1画素電極に電気的に接続されており、
前記第1フィードバック回路は、前記第1帯域制御トランジスタ、および前記第1容量素子を介して、前記第1画素電極の電位を負帰還させる帰還経路を形成する、項目1から7のいずれか1項に記載の撮像装置。
〔項目19〕
前記第1リセットトランジスタのソースおよびドレインの他方は、前記第1帯域制御トランジスタのソースおよびドレインの前記一方に電気的に接続されている、項目18に記載の撮像装置。
〔項目20〕
前記第1リセットトランジスタのソースおよびドレインの他方は、前記第1帯域制御トランジスタのソースおよびドレインの他方に電気的に接続されている、項目18に記載の撮像装置。
〔項目21〕
前記第1信号処理回路の動作周波数は、前記第2信号処理回路の動作周波数よりも高い、項目1から20のいずれか1項に記載の撮像装置。
〔項目22〕
前記第2撮像セルの飽和電子数は、前記第1撮像セルの飽和電子数よりも大きく、
前記第1信号処理回路の動作周波数は、前記第2信号処理回路の動作周波数よりも高い、項目1から20のいずれか1項に記載の撮像装置。
〔項目23〕
前記第2撮像セルの飽和電子数は、前記第1撮像セルの飽和電子数よりも大きく
前記第1信号処理回路の動作周波数は、前記第2信号処理回路の動作周波数よりも低い、項目1から20のいずれか1項に記載の撮像装置。
〔項目24〕
前記第2撮像セルによって取得された画像から特定被写体を検出し、前記特定被写体の検出に応答して、前記第1撮像セルによって取得されたデータを用いるセンシングを開始する、項目22に記載の撮像装置。
〔項目25〕
前記第1撮像セルによって取得された画像から特定被写体を検出し、前記特定被写体の検出に応答して、前記第2撮像セルによって取得されたデータを用いるセンシングを開始する、項目23に記載の撮像装置。
複数の画素を有する撮像装置であり、
各画素は、
光電変換により第1の信号を生成する第1光電変換部と、前記第1光電変換部に電気的に接続され、前記第1の信号を検出する第1信号処理回路と、を有する第1撮像セルと、
光電変換により第2の信号を生成する第2光電変換部と、前記第2光電変換部に電気的に接続され、前記第2の信号を検出する第2信号処理回路と、を有する第2撮像セルと、
を備え、
前記第1信号処理回路の動作周波数は、前記第2信号処理回路の動作周波数とは異なる、撮像装置。
前記第1信号処理回路の動作周波数は、前記第2信号処理回路の動作周波数よりも高い、項目1に記載の撮像装置。
前記第1撮像セルは高感度用撮像セルであり、前記第2撮像セルは高飽和用撮像セルであり、
前記第1信号処理回路の動作周波数は、前記第2信号処理回路の動作周波数よりも高い、項目1に記載の撮像装置。
前記第1撮像セルは高感度用撮像セルであり、前記第2撮像セルは高飽和用撮像セルであり、
前記第1信号処理回路の動作周波数は、前記第2信号処理回路の動作周波数よりも低い、項目1に記載の撮像装置。
前記第2撮像セルによって取得された画像から特定被写体を検出し、前記特定被写体の検出に応答して、前記第1撮像セルによって取得されたデータを用いるセンシングを開始する、項目2または項目3に記載の撮像装置。
前記第1撮像セルによって取得された画像から特定被写体を検出し、前記特定被写体の検出に応答して、前記第2撮像セルによって取得されたデータを用いるセンシングを開始する、項目4に記載の撮像装置。
複数の画素を有する撮像装置であり、
各画素は、
光電変換により第1の信号を生成する第1光電変換部と、前記第1光電変換部に電気的に接続され、前記第1の信号を検出する第1信号処理回路と、を有する第1撮像セルと、
光電変換により第2の信号を生成する第2光電変換部と、前記第2光電変換部に電気的に接続され、前記第2の信号を検出する第2信号処理回路と、を有する第2撮像セルであって、前記第2信号処理回路は、前記第1信号処理回路とは異なる回路構成を有する、第2撮像セルと、
を備え、
前記第1撮像セルの感度は、前記第2撮像セルの感度とは異なり、
前記第1信号処理回路の動作周波数は、前記第2信号処理回路の動作周波数とは異なる、撮像装置。
前記第1撮像セルの感度は、前記第2撮像セルの感度よりも高く、
前記第1信号処理回路の動作周波数は、前記第2信号処理回路の動作周波数よりも高い、項目7に記載の撮像装置。
前記第1撮像セルの感度は、前記第2撮像セルの感度よりも高く、
前記第1信号処理回路の動作周波数は、前記第2信号処理回路の動作周波数よりも低い、項目7に記載の撮像装置。
複数の画素を有する撮像装置であり、
各画素は、
光電変換により第1の信号を生成する第1光電変換部と、前記第1光電変換部に電気的に接続され、前記第1の信号を検出する第1信号処理回路と、を有する第1撮像セルと、
光電変換により第2の信号を生成する第2光電変換部と、前記第2光電変換部に電気的に接続され、前記第2の信号を検出する第2信号処理回路とを有する第2撮像セルであって、前記第2信号処理回路は、前記第1信号処理回路とは異なる回路構成を有する、第2撮像セルと、
を備え、
前記第1撮像セルの感度は、前記第2撮像セルの感度とは異なり、
前記第1信号処理回路によって読み出される前記第1の信号の読み出し回数は、前記第2信号処理回路によって読み出される前記第2の信号の読み出し回数とは異なる、撮像装置。
前記第1撮像セルの感度は、前記第2撮像セルの感度よりも高く、
前記第1信号処理回路の読み出し回数は、前記第2信号処理回路の読み出し回数よりも多い、項目10に記載の撮像装置。
前記第1信号処理回路の読み出し回数は2回以上であり、前記第2信号処理回路の読み出し回数は1回である、項目11に記載の撮像装置。
複数の画素を有する撮像装置であり、
各画素は、
光電変換により第1の信号を生成する第1光電変換部と、前記第1光電変換部に電気的に接続され、前記第1の信号を検出する第1信号処理回路と、を有する第1撮像セルと、
光電変換により第2の信号を生成する第2光電変換部と、前記第2光電変換部に電気的に接続され、前記第2の信号を検出する第2信号処理回路とを有する第2撮像セルであって、前記第2信号処理回路は、前記第1信号処理回路とは異なる回路構成を有する、第2撮像セルと、
を備え、
前記第1撮像セルの感度は、前記第2撮像セルの感度とは異なり、
前記第1撮像セルの露光期間は、前記第2撮像セルの露光期間とは異なる、撮像装置。
前記第1撮像セルの感度は、前記第2撮像セルの感度よりも高く、
前記第1撮像セルの露光期間は、前記第2撮像セルの露光期間よりも長い、項目13に記載の撮像装置。
項目1から14のいずれかに記載の撮像装置を備えるカメラシステム。
図4から図6Bを参照しながら、本実施の形態による撮像装置100の構造を説明する。以下、半導体基板としてp型シリコンの基板を用いた構造例を説明する。また、信号電荷として正孔を利用する例を示す。なお、信号電荷として電子を用いても構わない。
図4は、撮像装置100の構造の一例を模式的に示している。撮像装置100は、2次元に配列された複数の単位画素1を備えている。なお、実際には、数百万個の単位画素1が2次元に配列され得る。図4は、そのうちの2×2の行列状に配置された単位画素1に着目してその様子を示している。なお、撮像装置100は、ラインセンサであっても構わない。その場合、複数の単位画素1は、1次元(行方向または列方向)に配列され得る。
次に、図5、図6Aおよび図6Bを参照しながら、第1および第2撮像セル1a、1a’(単位画素1)の回路構成例を説明する。本開示には、単位画素1の回路構成として様々なバリエーションが存在する。本明細書では、そのバリエーションの中で幾つかの代表的な回路構成を主として説明する。その他の回路構成は、図面にのみ示される場合がある。それらの詳細な説明は明細書において省略することとする。
図9Hに示される単位画素1の第1撮像セル1aを用いた場合の、ノイズ抑制およびデータの読み出し動作を具体例として説明する。
図10は、本実施の形態による第1撮像セル1aの動作タイミングの一例を示している。
まず、第1の選択制御信号Vsel1をハイレベルにする(時刻t1)。次に、第1の帯域制御信号Vrs3の電位をハイレベルにして第1帯域制御トランジスタM13をオン状態に設定する。同時に、第1のリセット制御信号Vrs1をハイレベルにし、第1リセットトランジスタM12をオン状態に設定する(時刻t2)。これにより、読み出しノードFD1の電圧は、リセット電圧VRSTに等しくなる。
次に、第1のリセット制御信号Vrs1をローレベルにし、第1リセットトランジスタM12をオフ状態に設定する(時刻t3)。このとき、第1フィードバック回路は、増幅率(=−A×B)で帰還を形成している。ここで、−Aは反転増幅器の増幅率であり、Bは第1容量素子Cc1による減衰率である。そのため、第1リセットトランジスタM12をオフした時の読み出しノードFD1のkTCノイズは、1/(1+A×B)に抑制される。また、このとき、第1帯域制御トランジスタM13の動作帯域が広帯域である第1の帯域となるように、第1の帯域制御信号Vrs3の電位が設定されることにより、高速にノイズが抑制される。
次に、垂直信号線9の電位は、読み出しノードFD1の電位に応じたレベルとなるが、第1増幅トランジスタM10と、第1選択トランジスタM11と、電流源5(図4を参照)とによって形成されるソースフォロア回路の増幅率は1倍程度である。このとき、読み出しノードFD1には、ノイズ抑制完了時(時刻t4)から読み出し時までに第1光電変換部PC1で変換された電気信号に応じた分だけ変化した電圧信号が蓄積されている。読み出しノードFD1の電圧信号は、ソースフォロア回路により1倍程度の増幅率で垂直信号線9に出力される。ここで、ランダムノイズは第1光電変換部PC1で変換される電気信号が0の時の出力の揺らぎ、すなわち、kTCノイズである。kTCノイズは、ノイズ抑制期間において〔1+(1+A×B)×CFD/Cs〕1/2/(1+A×B)倍に抑制される。更に、露光/読み出し期間において、1倍程度の増幅率で垂直信号線9に出力されるので、本実施の形態によれば、ランダムノイズが抑制された良好な画像データを取得することができる。
本開示の撮像装置100は、センシング用のカメラ(例えば車載用カメラ)に好適に用いられる。例えば、第1撮像セル1aと第2撮像セル1a’とを互いに異なるフレームレートで動作させることにより、最適なセンシングデータの取得が可能となる。ここで、フレームレートは、電荷検出回路の動作周波数に相当する。本明細書では、動作周波数およびフレームレートは、区別なく用いられる。以下、センシング用のカメラを例に、本開示の撮像装置100の動作例を説明する。
図28を参照して、本実施の形態によるカメラシステム204を説明する。
1a,1a’ 撮像セル
2,2’ 垂直走査回路
3,3’ 水平走査回路
4,4’ 列AD変換回路
5,5’ 電流源
6,6’ リセット信号線
7,7’ アドレス信号線
8,8’ 電源配線
9,9’ 垂直信号線
10,10’ フィードバック信号線
100 撮像装置
PC1, PC2 光電変換部
M10,M20 増幅トランジスタ
M11,M21 選択トランジスタ
M24 リセットトランジスタ
Cc1 第1の容量
Cs1 第2の容量
Cc2 第3の容量
Cs2 第4の容量
CW 第5の容量
FBAMP1,FBAMP2 反転増幅器
Vref1,Vref2 反転増幅器の基準電圧
Vret1,Vret2 基準電圧
Vrs1,Vrs2 リセット制御信号
Vrs3,Vrs4 帯域制御信号
Vrs4 リセット制御信号
Vsel1,Vsel2 選択制御信号
VB1,VB2 基準電圧
VBW 容量信号
VB30,VB40 選択制御かつバイアス制御信号
VB50,VB60 帯域制御信号
VB10,VB20 制御電圧
IB11,IB21 制御電流
FD1,FD2 電荷蓄積ノード
RD1,RD2 帯域制御トランジスタと容量の接続ノード
200 撮像装置
201 レンズ/光学系
202 カメラ信号処理部
203 システムコントローラ
Claims (19)
- 光電変換により第1の信号を生成する第1光電変換部と、
前記第1光電変換部に電気的に接続され、前記第1の信号を検出する第1信号処理回路と、
を含む第1撮像セルと、
光電変換により第2の信号を生成する第2光電変換部と、
前記第2光電変換部に電気的に接続され、前記第2の信号を検出する第2信号処理回路と、
を含む第2撮像セルと、
を備え、
前記第1撮像セルの感度は、前記第2撮像セルの感度よりも高く、
前記第1信号処理回路は、前記第2信号処理回路と異なる回路構成を有し、
前記第1信号処理回路の動作周波数は、前記第2信号処理回路の動作周波数とは異なる、撮像装置。 - 前記第1信号処理回路は、前記第2信号処理回路よりもランダムノイズを低減するように構成されている、請求項1に記載の撮像装置。
- 前記第1信号処理回路が含むトランジスタの数は、前記第2信号処理回路が含むトランジスタの数よりも多い、請求項1または2に記載の撮像装置。
- 前記第1信号処理回路が含む容量素子の数は、前記第2信号処理回路が含む容量素子の数よりも多い、請求項1〜3のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記第1光電変換部は、第1画素電極と、前記第1画素電極に接する第1光電変換領域とを含み、
前記第2光電変換部は、第2画素電極と、前記第2画素電極に接する第2光電変換領域とを含み、
前記第1信号処理回路は、前記第1画素電極にゲートが電気的に接続され、前記第1の信号を検出する第1増幅トランジスタを含み、
前記第2信号処理回路は、前記第2画素電極にゲートが電気的に接続され、前記第2の信号を検出する第2増幅トランジスタを含み、
前記第1増幅トランジスタのゲート幅は、前記第2増幅トランジスタのゲート幅よりも大きい、請求項1〜4のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第1光電変換部は、第1画素電極と、前記第1画素電極に接する第1光電変換領域とを含み、
前記第2光電変換部は、第2画素電極と、前記第2画素電極に接する第2光電変換領域とを含み、
前記第1信号処理回路は、前記第1画素電極にソースおよびドレインの一方が電気的に接続され、前記第1の信号をリセットする第1リセットトランジスタを含み、
前記第2信号処理回路は、前記第2画素電極にソースおよびドレインの一方が電気的に接続され、前記第2の信号をリセットする第2リセットトランジスタを含み、
第1リセットトランジスタのゲート長は、第2リセットトランジスタのゲート長よりも大きい、請求項1〜5のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第2光電変換部は、第2画素電極と、前記第2画素電極に接する第2光電変換領域とを含み、
前記第2信号処理回路は、前記第2画素電極に電気的に接続され前記第2の信号を蓄積する第1容量素子を含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 反転増幅器を含む第1フィードバック回路をさらに備え、
前記第1光電変換部は、第1画素電極と、前記第1画素電極に接する第1光電変換領域とを有し、
前記第1信号処理回路は、前記第1画素電極にゲートが電気的に接続され、前記第1の信号を検出する第1増幅トランジスタと、前記第1画素電極にソースおよびドレインの一方が電気的に接続され、前記第1の信号をリセットする第1リセットトランジスタと、を含み、
前記第1フィードバック回路は、前記第1増幅トランジスタ、前記反転増幅器、および前記第1リセットトランジスタを介して、前記第1画素電極の電位を負帰還させる帰還経路を形成する、請求項1〜7のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第1信号処理回路は、一端が前記第1画素電極に電気的に接続された第1容量素子と、前記第1容量素子よりも容量値が大きく、一端が前記第1容量素子の他端に電気的に接続され、他端が基準電位に設定された第2容量素子と、ソースおよびドレインの一方が前記第1容量素子の前記他端に電気的に接続された第1帯域制御トランジスタと、をさらに含み、
前記第1フィードバック回路は、前記第1増幅トランジスタ、前記反転増幅器、前記第1帯域制御トランジスタ、および前記第1容量素子を介して、前記第1画素電極の電位を負帰還させる帰還経路を形成する、請求項8に記載の撮像装置。 - 前記第1リセットトランジスタのソースおよびドレインの他方は、前記第1帯域制御トランジスタのソースおよびドレインの前記一方に電気的に接続されている、請求項9に記載の撮像装置。
- 前記第1リセットトランジスタのソースおよびドレインの他方は、前記第1帯域制御トランジスタのソースおよびドレインの他方に電気的に接続されている、請求項9に記載の撮像装置。
- 第1フィードバック回路をさらに備え、
前記第1光電変換部は、第1画素電極と、前記第1画素電極に接する第1光電変換領域とを有し、
前記第1信号処理回路は、前記第1画素電極にゲートが電気的に接続され、前記第1の信号を検出する第1増幅トランジスタと、前記第1画素電極にソースおよびドレインの一方が電気的に接続され、前記第1の信号をリセットする第1リセットトランジスタと、一端が前記第1画素電極に電気的に接続された第1容量素子と、前記第1容量素子よりも容量値が大きく、一端が前記第1容量素子の他端に電気的に接続され、他端が基準電位に設定された第2容量素子と、ソースおよびドレインの一方が前記第1容量素子の前記他端に電気的に接続された第1帯域制御トランジスタと、を含み、
前記第1増幅トランジスタのソースおよびドレインの一方は、前記第1帯域制御トランジスタのソースおよびドレインの他方に電気的に接続されており、
前記第1フィードバック回路は、前記第1増幅トランジスタ、前記第1帯域制御トランジスタ、および前記第1容量素子を介して、前記第1画素電極の電位を負帰還させる帰還経路を形成する、請求項1に記載の撮像装置。 - 第1フィードバック回路をさらに備え、
前記第1光電変換部は、第1画素電極と、前記第1画素電極に接する第1光電変換領域とを有し、
前記第1信号処理回路は、前記第1画素電極にゲートが電気的に接続され、前記第1の信号を検出する第1増幅トランジスタと、前記第1画素電極にソースおよびドレインの一方が電気的に接続され、前記第1の信号をリセットする第1リセットトランジスタと、一端が前記第1画素電極に電気的に接続された第1容量素子と、前記第1容量素子よりも容量値が大きく、一端が前記第1容量素子の他端に電気的に接続され、他端が基準電位に設定された第2容量素子と、ソースおよびドレインの一方が前記第1容量素子の前記他端に電気的に接続された第1帯域制御トランジスタと、ソースおよびドレインの一方が前記第1増幅トランジスタのソースおよびドレインの一方に電気的に接続された第1選択トランジスタと、を含み、
前記第1選択トランジスタのソースおよびドレインの他方は、前記第1帯域制御トランジスタのソースおよびドレインの他方に電気的に接続されており、
前記第1フィードバック回路は、前記第1増幅トランジスタ、前記第1選択トランジスタ、前記第1帯域制御トランジスタ、および前記第1容量素子を介して、前記第1画素電極の電位を負帰還させる帰還経路を形成する、請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1光電変換部は、第1画素電極と、前記第1画素電極に接する第1光電変換領域とを有し、
前記第1信号処理回路は、前記第1画素電極にゲートが電気的に接続され、前記第1の信号を検出する第1増幅トランジスタと、前記第1画素電極にソースおよびドレインの一方が電気的に接続され、前記第1の信号をリセットする第1リセットトランジスタと、一端が前記第1画素電極に電気的に接続された第1容量素子と、前記第1容量素子よりも容量値が大きく、一端が前記第1容量素子の他端に電気的に接続され、他端が基準電位に設定された第2容量素子と、ソースおよびドレインの一方が前記第1容量素子の前記他端に接続された第1帯域制御トランジスタと、第1フィードバック回路と、を含み、
前記第1帯域制御トランジスタのゲートは、前記第1画素電極に電気的に接続されており、
前記第1フィードバック回路は、前記第1帯域制御トランジスタ、および前記第1容量素子を介して、前記第1画素電極の電位を負帰還させる帰還経路を形成する、請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1信号処理回路の動作周波数は、前記第2信号処理回路の動作周波数よりも高い、請求項1〜14のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記第2撮像セルの飽和電子数は、前記第1撮像セルの飽和電子数よりも大きく、
前記第1信号処理回路の動作周波数は、前記第2信号処理回路の動作周波数よりも高い、請求項1〜14のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第2撮像セルの飽和電子数は、前記第1撮像セルの飽和電子数よりも大きく、
前記第1信号処理回路の動作周波数は、前記第2信号処理回路の動作周波数よりも低い、請求項1〜14のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第2撮像セルによって取得された画像から特定被写体を検出し、前記特定被写体の検出に応答して、前記第1撮像セルによって取得されたデータを用いるセンシングを開始する、請求項16に記載の撮像装置。
- 前記第1撮像セルによって取得された画像から特定被写体を検出し、前記特定被写体の検出に応答して、前記第2撮像セルによって取得されたデータを用いるセンシングを開始する、請求項17に記載の撮像装置。
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