JP2018116150A - 分光素子、固体撮像素子および分光素子の製造方法 - Google Patents
分光素子、固体撮像素子および分光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018116150A JP2018116150A JP2017006926A JP2017006926A JP2018116150A JP 2018116150 A JP2018116150 A JP 2018116150A JP 2017006926 A JP2017006926 A JP 2017006926A JP 2017006926 A JP2017006926 A JP 2017006926A JP 2018116150 A JP2018116150 A JP 2018116150A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- spectral filter
- shielding film
- central portion
- spectroscopic element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 205
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 26
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 102
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 238000013461 design Methods 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【課題】遮光膜を備える分光素子を提供する。【解決手段】第1の厚みを有し、入射光のうち第1の波長帯域の光が透過する第1中央部と、第1の厚みとは異なる厚みを有する第1端部とを有する第1分光フィルタと、第1端部の少なくとも一部を覆って設けられ、入射光を遮光する第1遮光膜とを備える分光素子を提供する。また、第1の厚みを有し、入射光のうち第1の波長帯域の光が透過する第1中央部と、第1の厚みとは異なる厚みを有する第1端部とを有する第1分光フィルタを形成することと、入射光を遮光する第1遮光膜を、第1端部の少なくとも一部を覆うように形成することとを含む分光素子の製造方法を提供する。【選択図】図1B
Description
本発明は、分光素子、固体撮像素子および分光素子の製造方法に関する。
従来、多層膜干渉フィルタを有する分光素子において、多層膜干渉フィルタをリフトオフプロセスにより形成することが知られている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1 特開昭59−152407号公報
特許文献1 特開昭59−152407号公報
しかしながら、リフトオフプロセスを用いた分光素子では、多層膜干渉フィルタの端部の膜厚が薄くなることにより分光特性が設計値とずれる場合がある。
本発明の第1の態様においては、第1の厚みを有し、入射光のうち第1の波長帯域の光が透過する第1中央部と、第1の厚みとは異なる厚みを有する第1端部とを有する第1分光フィルタと、第1端部の少なくとも一部を覆って設けられ、入射光を遮光する第1遮光膜とを備える分光素子を提供する。
本発明の第2の態様においては、2次元に連続して配列された複数の光電変換素子を有する受光部と、複数の光電変換素子に対応して設けられた本発明の第1の態様に記載の分光素子とを備える固体撮像素子を提供する。
本発明の第3の態様においては、第1の厚みを有し、入射光のうち第1の波長帯域の光が透過する第1中央部と、第1の厚みとは異なる厚みを有する第1端部とを有する第1分光フィルタを形成することと、入射光を遮光する第1遮光膜を、第1端部の少なくとも一部を覆うように形成することとを含む分光素子の製造方法を提供する。
なお、上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
[実施例1]
図1Aは、実施例1に係る固体撮像素子200の平面図の一例を示す。図1Bは、実施例1に係る固体撮像素子200のA−A'断面図の一例を示す。本例の固体撮像素子200は、分光素子100および受光部150を備える。分光素子100は、第1分光フィルタ10、第2分光フィルタ20および遮光膜40を有する。本例の固体撮像素子200は、受光部150上に分光素子100を直接形成した場合の一例である。例えば、固体撮像素子200がSiセンサの場合、第1分光フィルタ10及び第2分光フィルタ20は、固体撮像素子200が実質的に感度を有する、およそ300〜1000nmの波長帯域のなかで任意の波長帯域の光を透過させる。同様に、固体撮像素子200がInGaAsセンサの場合、第1分光フィルタ10及び第2分光フィルタ20は、およそ900〜1700nmの波長帯域のなかで任意の波長帯域の光を透過させる。
図1Aは、実施例1に係る固体撮像素子200の平面図の一例を示す。図1Bは、実施例1に係る固体撮像素子200のA−A'断面図の一例を示す。本例の固体撮像素子200は、分光素子100および受光部150を備える。分光素子100は、第1分光フィルタ10、第2分光フィルタ20および遮光膜40を有する。本例の固体撮像素子200は、受光部150上に分光素子100を直接形成した場合の一例である。例えば、固体撮像素子200がSiセンサの場合、第1分光フィルタ10及び第2分光フィルタ20は、固体撮像素子200が実質的に感度を有する、およそ300〜1000nmの波長帯域のなかで任意の波長帯域の光を透過させる。同様に、固体撮像素子200がInGaAsセンサの場合、第1分光フィルタ10及び第2分光フィルタ20は、およそ900〜1700nmの波長帯域のなかで任意の波長帯域の光を透過させる。
第1分光フィルタ10は、入射光のうち、第1の波長帯域の光を透過させる。第1分光フィルタ10は、高屈折率材料と低屈折率材料とを交互に積層させた多層干渉膜である。一例において、第1分光フィルタ10は、高屈折率材料として窒化シリコン(SiN)、二酸化チタン(TiO2)、アモルファスシリコン、多結晶シリコンのいずれかを有し、低屈折率材料として酸化シリコン(SiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)のいずれかを有する。但し、第1分光フィルタ10の材料は、これに限られない。本例では、1画素につき1つの第1分光フィルタ10が設けられる。第1分光フィルタ10は、中央部12および端部14を含む。
中央部12は、平面視で、第1分光フィルタ10の中央に位置する。平面視とは、図1Aにおいて、紙面手前から紙面奥の観察方向を指す。中央部12は、第1の厚みを有する。中央部12は、入射光のうち第1の波長帯域の光を透過させる。第1の波長帯域は、狭帯域でも広帯域でもよく、分光素子100の用途に応じて適宜変更されてよい。中央部12は、第1中央部の一例である。なお、中央部12とは、例えば、平面視における第1分光フィルタ10の重心を中心とした所定の領域を示す。ここで、所定の領域とは、例えば、中心の厚みである第1の厚みに対して、予め定められた割合(例えば5%)以上に厚みが変化するまでの領域であってもよい。また、第1分光フィルタ10の表面が外側へ向かうにつれて平面から曲面に変化する場合、面形状の変化率である微分値がある閾値を超えるまでを所定の領域としてもよい。なお、所定の領域の定義はこれらに限らない。
端部14は、平面視で、第1分光フィルタ10の端部に位置する。端部14は、中央部12よりも外側に設けられ、第1の厚みとは異なる厚みを有する。即ち、端部14は、第1の波長帯域と異なる波長帯域の光を透過させる。端部14は、第1端部の一例である。一例において、端部14は、後述のリフトオフ工程を用いて第1分光フィルタ10を形成することにより形成される。端部14の形状は、第1の波長帯域と異なる波長帯域の光を透過させるものであれば特に限定されない。端部14は、平面に限られず、曲面を有していてよい。本例の端部14は、中央部12から第1分光フィルタ10の外側へ向かうにしたがって厚さが薄くなる傾斜形状を有する。なお、端部14は、中央部12よりも外側の領域の全てを示してよい。すなわち、中央部12を上記のような所定の領域とした場合、所定の領域よりも外側の領域の全てが端部14となる。
遮光膜40は、入射光を遮光することにより、入射光が受光部150に入射するのを抑制する。例えば、遮光膜40は、入射光を反射又は吸収することにより遮光する。遮光膜40は、画素間において、端部14の少なくとも一部を覆って設けられる。本例の遮光膜40は、端部14の少なくとも一部を覆うことにより、端部14を透過した入射光がフォトダイオード152に入射するのを防止する。換言すれば、遮光膜40は、端部14の傾斜形状の少なくとも一部を覆うように設けられる。ここで、端部14の少なくとも一部とは、端部14のうち、中央部12の厚みに対して少なくとも80%、90%又は95%の厚みを有する部分よりも外側部分を指してよい。例えば、遮光膜40が、中央部12の厚みに対して少なくとも90%の厚みを有する部分よりも外側部分の端部14を覆うことにより、中央部12の厚みの90%未満の厚みを有する端部14を透過する入射光が受光されるのを抑制できる。これにより、設計値とのずれが解消される。
遮光膜40の材料は、第1分光フィルタ10の透過波長における透過率が、中央部12上にある材料よりも低い材料である。これにより、端部14に入射する光の量が、中央部12に入射する光の量よりも少なくなる。遮光膜40は、第1分光フィルタ10を透過する波長帯域の光を完全に遮光することが好ましい。遮光膜40の材料は、対応する第1分光フィルタ10を透過する波長帯域に応じて選択される。一例において、遮光膜40は、金属や有機レジスト等で形成される。本例の遮光膜40はアルミニウム(Al)であるがこれに限られない。遮光膜40は、第1遮光膜の一例である。
遮光膜40の厚みは、要求される遮光度に応じて設定されてよい。また、遮光膜40の厚みは、遮光膜40の材料に応じて適宜変更されてよい。遮光膜40を厚く形成することにより遮光度が向上する。
遮光膜40の上面は、中央部12の上面と同一面となるように形成されている。但し、遮光膜40の上面の位置は、中央部12の上面の位置よりも低くてもよい。遮光膜40の上面の位置は、中央部12の厚みの95%の位置よりも高くてよいし、80%の位置よりも高くてよい。また、遮光膜40の上面の位置は、中央部12の上面の位置よりも高くてもよい。なお、本例の遮光膜40の上面は平面であるが曲面であってもよい。すなわち、端部14へ入射する光が十分に遮光されるように、遮光膜40の上面の高さや形状が設定される。なお、光が十分に遮光されているとは、透過率が0%の完全な遮光状態であることが最適だが、材料や製造のばらつきを考慮して、所定の透過率以下であればよい。例えば、透過率が1%以下であることが望ましく、また、3%以下であってもよい。なお、本明細書において、遮光膜40の厚みとは、遮光膜40の厚みの平均であってよい。また、遮光膜40の厚みは、面内の各画素における平均の厚みであってよい。
第2分光フィルタ20は、入射光のうち、第2の波長帯域の光を透過させる。第2の波長帯域は、第1の波長帯域と異なる波長帯域であってよい。第2分光フィルタ20は、高屈折率材料と低屈折率材料とを交互に積層させた多層干渉膜である。第2分光フィルタ20は、第1分光フィルタ10と同一の材料で形成されてもよく、異なる材料で形成されてもよい。第2分光フィルタ20は、第1分光フィルタ10に隣接して設けられる。第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20は、透過させる入射光の波長に応じて厚みを変更させてもよい。第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20がそれぞれ異なる波長の光を透過させる場合、第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20の厚みが異なっていてもよい。第2分光フィルタ20は、中央部22および端部24を含む。
中央部22は、第2の厚みを有する。本例の第2の厚みは、第1の厚みと同じである。但し、第2の厚みは、第1の厚みと異なる厚みであってよい。中央部22は、第1の波長帯域とは異なる第2の波長帯域の光が透過する。第2の波長帯域は、狭帯域でも広帯域でもよく、分光素子100の用途に応じて適宜変更されてよい。中央部22は、第2中央部の一例である。第2分光フィルタ20は、第1分光フィルタ10とは多層干渉膜の材料を異ならせたり、膜を交互に積層させる繰り返し回数を変えたりすることで、第1の波長帯域とは異なる第2の波長帯域とすることができる。
端部24は、中央部22と異なる厚みを有する。端部24は、第2端部の一例である。一例において、端部24は、後述のリフトオフ工程を用いて第2分光フィルタ20を形成することにより形成される。端部24は、平面に限られず、曲面を有していてよい。本例の端部24は、中央部22から外側へ向かうにしたがって厚さが薄くなる傾斜形状を有する。
第1分光フィルタ10と第2分光フィルタ20との間には、遮光膜40が設けられる。遮光膜40は、端部14の少なくとも一部と端部24の少なくとも一部の両方を覆うように設けられる。
受光部150は、2次元に連続して配列された複数のフォトダイオード152を有する。フォトダイオード152は、入射光を受光する光電変換素子の一例である。複数のフォトダイオード152は、第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20のそれぞれに対応して設けられる。例えば、第1分光フィルタ10に対応して設けられたフォトダイオード152は、第1分光フィルタ10を透過した入射光を受光する。また、第2分光フィルタ20に対応して設けられたフォトダイオード152は、第2分光フィルタ20を透過した入射光を受光する。
ここで、第1分光フィルタ10の端部14を透過する入射光には、第1分光フィルタ10の設計値と異なる波長帯域の光が含まれる場合がある。この場合に、端部14を透過した入射光がフォトダイオード152で受光されると光学特性が悪化する。本例の分光素子100は、端部14への入射光を遮光できるので分光特性の変化を抑制できる。また、分光素子100は、第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20の間に配置された遮光膜40を有するので、斜め光による隣接画素間の漏れ光を抑制できる。即ち、分光素子100は、第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20の間の光学クロストークの抑制にも有効である。
本例の固体撮像素子200は、受光部150上に直接形成された分光素子100を備える。分光素子100は、中央部12の上面側の第1面P1と、第1面P1と反対側の第2面P2とを有する。分光素子100は、第2面P2側から第1面P1側に向けて膜を積層することにより形成される。即ち、平面視で、第2面P2における端部14の領域は、第1面P1における端部14の領域よりも大きい。同様に、平面視で、第2面P2における端部24の領域は、第1面P1における端部24の領域よりも大きい。本例の分光素子100は、第2面P2において、受光部150と接する。つまり、分光素子100は、第2面P2と対向する受光部150の面上に多層干渉膜を積層することにより形成されている。
以上の通り、本例の分光素子100は、分光フィルタの端部への入射光を遮光する遮光膜40を有することにより、光学特性の変化を抑制できる。具体的には、分光素子100は、分光フィルタの端部を透過して入射する光を遮光するので、設計値と異なる波長帯域の光の受光を防止し、分光特性の変化を抑制できる。これにより、分光素子100が、例えば可視帯域の分光フィルタを有する場合、固体撮像素子200の色再現性が向上する。また、分光素子100が分光特性の変化を抑制できるため、固体撮像素子200を用いた分光測定の精度が向上する。なお、分光素子100の分光フィルタの種類は2つに限らず、3種類以上であってもよい。また、分光素子100は、第1分光フィルタ10だけの配列であっても、分光特性の変化を抑制することができる。
[実施例2]
図2は、実施例2に係る固体撮像素子200の構成の一例を示す。本例の固体撮像素子200は、分光素子100および受光部150を備える。分光素子100は、透明基板50および分光層110を有する。本例の固体撮像素子200は、透明基板50上に分光層110を積層して分光素子100を形成した後に、分光素子100と受光部150とを貼り合わせる方式の一例である。本例では、実施例1に係る固体撮像素子200と異なる構成について特に説明する。
図2は、実施例2に係る固体撮像素子200の構成の一例を示す。本例の固体撮像素子200は、分光素子100および受光部150を備える。分光素子100は、透明基板50および分光層110を有する。本例の固体撮像素子200は、透明基板50上に分光層110を積層して分光素子100を形成した後に、分光素子100と受光部150とを貼り合わせる方式の一例である。本例では、実施例1に係る固体撮像素子200と異なる構成について特に説明する。
透明基板50は、入射光を透過する材料で形成される。透明基板50は、少なくとも第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20が透過させる波長帯域の光を透過させればよい。これにより、透明基板50への入射光が透明基板50を透過して、分光層110に入射される。
分光層110は、透明基板50上に形成される。分光層110の透明基板50側の面は、第2面P2であり、第2面P2と反対側の面が第1面P1である。透明基板50上に分光層110が形成され、分光層110の透明基板50が形成された面とは反対側の接合面Pcにおいて分光素子100と受光部150とが接合する。つまり、本例では、分光層110の第1面P1が受光部150と対向している。
実施例1および実施例2で開示したように、固体撮像素子200は、分光層110の第1面P1を受光部150側となるように配置してもよいし、第2面P2が受光部150側となるように配置してもよい。いずれの場合であっても固体撮像素子200は、分光フィルタの端部への入射光を遮光できるので、分光特性の変化を抑制できる。
[比較例1]
図3は、比較例1に係る固体撮像素子500の一例を示す。固体撮像素子500は、分光素子400および受光部450を備える。分光素子400は、分光フィルタ510、分光フィルタ520および保護膜540を有する。受光部450は、フォトダイオード452を有する。しかしながら、本例の固体撮像素子500は、遮光膜を有さない。分光素子400は、リフトオフプロセスにより形成されている。
図3は、比較例1に係る固体撮像素子500の一例を示す。固体撮像素子500は、分光素子400および受光部450を備える。分光素子400は、分光フィルタ510、分光フィルタ520および保護膜540を有する。受光部450は、フォトダイオード452を有する。しかしながら、本例の固体撮像素子500は、遮光膜を有さない。分光素子400は、リフトオフプロセスにより形成されている。
ここで、分光フィルタ510には、中央部512および端部514が形成されている。中央部512の厚みは設計値となるように形成される。一方、端部514の厚みは、中央部512の厚みより薄い。そのため、端部514を透過した光が受光されると、分光フィルタ510の分光特性が設計値とずれる。また、分光フィルタ520には、中央部522および端部524が形成されている。分光フィルタ520の場合も同様に、端部524を透過した光が受光されると、分光フィルタ520の分光特性が設計値とずれる。このように、分光フィルタ510および分光フィルタ520の端部に膜厚が設計値と異なる領域が存在すると、波長特性がシフトする場合がある。
[実施例3]
図4は、実施例3に係る固体撮像素子200の構成の一例を示す。分光素子100は、分光層110および遮光層120を有する。本例の固体撮像素子200は、分光層110と受光部150との間に遮光層120を有する場合の一例である。本例では、実施例1に係る固体撮像素子200と異なる構成について特に説明する。
図4は、実施例3に係る固体撮像素子200の構成の一例を示す。分光素子100は、分光層110および遮光層120を有する。本例の固体撮像素子200は、分光層110と受光部150との間に遮光層120を有する場合の一例である。本例では、実施例1に係る固体撮像素子200と異なる構成について特に説明する。
遮光層120は、分光フィルタを透過した光を遮光する遮光膜122と、分光フィルタを透過した光を透過させる透明膜124とを備える。遮光層120は、第1面P1および第2面P2の少なくとも一方に対向して設けられる。本例において、遮光層120の一方の面は、分光層110の第2面P2と対向して設けられている。遮光層120の他方の面は、受光部150と対向して設けられている。
遮光膜122は、端部14の少なくとも一部に対応する領域に設けられる。一例において、遮光膜122は、平面視で、遮光膜40が設けられる領域と同一の領域に設けられる。また、本例の遮光膜122は、端部14および端部24と同一の領域に設けられる。但し、遮光膜122は、分光フィルタの端部と異なる領域に設けられてもよい。例えば、遮光膜122の設けられる領域は、遮光膜40が設けられる領域よりも少ない領域に設けられてよい。遮光膜122は、第2遮光膜の一例である。
透明膜124は、中央部12および中央部22のそれぞれに対応する領域に設けられる。透明膜124は、少なくとも第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20を透過する波長帯域の光を透過させる。これにより、中央部12および中央部22のそれぞれを透過した入射光が、透明膜124を透過してフォトダイオード152に受光される。
以上の通り、本例の分光素子100は、遮光膜40で分光フィルタの端部を遮光するので、分光特性の変化を抑制できる。また、固体撮像素子200は、分光層110と受光部150との間に遮光層120を加えることにより、分光特性を更に向上できる。そのため、本例の固体撮像素子200は、第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20の間の光学クロストークを抑制する効果に優れる。
[実施例4]
図5は、実施例4に係る固体撮像素子200の構成の一例を示す。分光素子100は、透明基板50、分光層110および遮光層120を有する。本例の固体撮像素子200は、透明基板50上に遮光層120および分光層110を積層して分光素子100を形成した後に、受光部150と貼り合わせる方式の一例である。本例では、実施例3に係る固体撮像素子200と異なる構成について特に説明する。
図5は、実施例4に係る固体撮像素子200の構成の一例を示す。分光素子100は、透明基板50、分光層110および遮光層120を有する。本例の固体撮像素子200は、透明基板50上に遮光層120および分光層110を積層して分光素子100を形成した後に、受光部150と貼り合わせる方式の一例である。本例では、実施例3に係る固体撮像素子200と異なる構成について特に説明する。
透明基板50は、入射光を透過する材料で形成される。透明基板50は、少なくとも第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20が透過させる波長帯域の光を透過させればよい。これにより、透明基板50への入射光が透明基板50を透過して、遮光層120に入射される。
遮光層120は、透明基板50を透過した入射光を遮光する遮光膜122と、透明基板50を透過した入射光を透過させる透明膜124とを備える。遮光層120は、透明基板50に積層して設けられる。即ち、遮光層120の一方の面は、透明基板50と対向して設けられている。遮光層120の他方の面は、分光層110と対向して設けられている。
分光層110は、遮光層120に積層して設けられる。分光層110の第2面P2は、遮光層120と対向している。分光層110は、接合面Pcにおいて、受光部150と接合される。即ち、分光層110の第1面P1は、受光部150と対向している。
実施例3および実施例4で開示したように、固体撮像素子200は、分光層110の第1面P1を受光部150側となるように配置してもよいし、第2面P2が受光部150側となるように配置してもよい。いずれの場合であっても固体撮像素子200は、分光フィルタの端部への入射光を遮光できるので、分光特性の変化を抑制できる。
[分光フィルタの製造方法]
図6A〜6Fは、分光フィルタの製造方法の一例を示す。本例では、リフトオフプロセスによる第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20の製造方法について説明する。本例の第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20の製造方法は、一例であり、他の製造方法を用いて第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20が形成されてもよい。
図6A〜6Fは、分光フィルタの製造方法の一例を示す。本例では、リフトオフプロセスによる第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20の製造方法について説明する。本例の第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20の製造方法は、一例であり、他の製造方法を用いて第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20が形成されてもよい。
図6Aにおいて、受光部150上に犠牲層82が形成される。一例において、犠牲層82は、金属犠牲層又はレジスト犠牲層である。本例の犠牲層82は、金属犠牲層である。
図6Bにおいて、犠牲層82上に、パターニング層84及びパターニング層86を積層して形成する。なお、犠牲層82がレジスト犠牲層である場合は、パターニング層84は不要である。本例のパターニング層84は、犠牲層82よりも薄くなるように形成されるがこれに限られない。本例のパターニング層84は金属であり、パターニング層86はレジストである。パターニング層86は、形成する分光フィルタの形状および配列等に応じたパターンを有する。図6Bにおいて、パターニング層86は、レジストを露光および現像することによりパターニングされている。
図6Cにおいて、パターニング層84は、パターニング層86をマスクとしてエッチングされる。この際、パターニング層84は、異方性エッチングされる。次いで、犠牲層82は、パターニング層84をマスクとしてエッチングされる。後で形成する第1分光フィルタ10から犠牲層82が、リフトオフ工程において容易に剥離できるように、犠牲層82をエッチングする際は等方性エッチングを行う。これにより、犠牲層82の上にパターニング層84が庇として突き出たアンダーカット構造となる。
図6Dにおいて、パターニング層86のパターンの上から第1分光フィルタ10の積層構造を形成する。第1分光フィルタ10は、例えばスパッタリングによって単層の膜を成膜させ、これを繰り返すことで積層構造が形成される。通常、スパッタリングによる成膜では犠牲層の側壁にスパッタ膜が付着してしまい、犠牲層が表面に露出しない為、犠牲層を膜から剥離することが難しくなるが、アンダーカット構造の場合は犠牲層82の側壁にスパッタ膜が付着することがほとんどなく、犠牲層82を膜から容易に剥離することができる。これにより、パターニング層86のパターンに応じた第1分光フィルタ10が形成される。この場合、パターニング層86のパターンの開口部分では設計値に応じた厚みの多層干渉膜が形成される。ただし、アンダーカット構造で成膜すると、膜を形成するスパッタ粒子が庇の下の部分に入り込んでしまうため、端部が垂直ではなく傾斜のついた形状となってしまう。よって、パターニング層86のパターンの開口部分の周囲では、設計値よりも厚みの薄い膜が形成される。したがって、第1分光フィルタ10には、設計値に応じた厚みを有する中央部12と、設計値よりも厚みの薄い端部14が形成される。
図6Eにおいて、リフトオフ工程により犠牲層82、パターニング層84およびパターニング層86を剥離する。これにより、受光部150上の不要部分が除去され、第1分光フィルタ10が残される。隣接する第1分光フィルタ10の間には、他の分光フィルタを形成するための領域が残されてよい。本例では、隣接する第1分光フィルタ10の間に第2分光フィルタ20を設けるための領域が残されている。
図6Fにおいて、第2分光フィルタ20を第1分光フィルタ10に隣接して形成する。第2分光フィルタ20は、第1分光フィルタ10を形成する場合と同様のリフトオフプロセスを用いて形成されてよい。但し、第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20が異なるプロセスで形成されてもよい。なお、第1分光フィルタ10と第2分光フィルタ20との間に隙間を設けることにより、犠牲層のリフトオフが容易となる。
図7A〜図7Eは、固体撮像素子200の製造方法の一例を示す。本例の固体撮像素子200の製造方法は、一例であり、他の製造方法を用いて固体撮像素子200が形成されてもよい。
図7Aは、リフトプロセスにより分光フィルタを形成する工程を示す。受光部150上には、第1分光フィルタ10、第2分光フィルタ20および第3分光フィルタ30が形成される。第1分光フィルタ10、第2分光フィルタ20および第3分光フィルタ30は、互いに異なる波長帯域の光を透過させてよい。第3分光フィルタ30は、第3の波長帯域の光を透過させる多層干渉膜である。第3分光フィルタ30は、第1分光フィルタ10および第2分光フィルタ20と同様の方法で製造されてよい。
図7Bは、遮光膜40を形成する工程を示す。本例の遮光膜40は、スピンコート法により塗布されるがこれに限られない。遮光膜40は、第1分光フィルタ10、第2分光フィルタ20および第3分光フィルタ30上に塗布される。これにより、遮光膜40は、分光フィルタおよび受光部150の全面に形成されてよい。例えば、遮光膜40は、ブラックレジストである。
図7Cは、マスク70を用いたパターニング工程の一例を示す。マスク70は、遮光膜40を露光するためのパターンを有する。遮光膜40がレジストの場合、遮光膜40を露光および現像することによりパターニングする。
図7Dは、現像工程の一例を示す。露光された遮光膜40を現像することにより、第1分光フィルタ10、第2分光フィルタ20および第3分光フィルタ30のそれぞれに対応する領域の遮光膜40が除去される。これにより、第1分光フィルタ10、第2分光フィルタ20および第3分光フィルタ30の上面が露出される。
図7Eは、保護膜60の成膜工程の一例を示す。保護膜60は、第1分光フィルタ10、第2分光フィルタ20、第3分光フィルタ30および遮光膜40上に形成される。
保護膜60は、第1分光フィルタ10〜第3分光フィルタ30が透過する波長帯域の光を透過する透過膜である。保護膜60は、第1分光フィルタ10〜第3分光フィルタ30および遮光膜40に重ねて一体として設けられてよい。本例では、保護膜60の表面が平面となるように形成される。保護膜60の厚みは、要求される固体撮像素子200の信頼性等に応じて設定されてよい。なお、本例の製造方法では、第1分光フィルタ10〜第3分光フィルタ30の中央部上の遮光膜40が除去され、露出した分光フィルタ上に保護膜60が形成されている。
以上の通り、本明細書に開示された分光素子100は、分光フィルタの端部への入射光を遮光する遮光膜40を有することにより、光学特性の悪化を抑制できる。具体的には、分光素子100は、分光フィルタの端部を透過して入射する光を遮光するので、設計値と異なる波長帯域の光の受光を防止し、分光特性の変化を抑制できる。これにより、分光素子100が、例えば可視帯域の分光フィルタを有する場合、固体撮像素子200の色再現性が向上する。なお、本明細書に開示された分光素子100は、固体撮像素子200の一部として受光部150上に直接形成しているが、分光素子100を単体の光学部品として用いてもよい。
また、本明細書に開示された固体撮像素子200の製造方法では、多層干渉膜を有する従来の固体撮像素子の製造方法から工程を増やす必要がない。そのため、本例の製造方法を用いることにより、安価で色差再現性の良い固体撮像素子200を容易に製造できる。
なお、本明細書に開示された分光素子100は、バンドパスフィルタをさらに備えてもよい。バンドパスフィルタは、多層干渉膜を有する分光フィルタ上に形成される。バンドパスフィルタは、任意の透過バンドを有する。一例において、バンドパスフィルタは、一般的なプロセスによって、任意の画素毎に対応して配置される。これにより、各画素には、バンドパスフィルタの透過バンドに応じた波長帯域の光が入射される。例えば、バンドパスフィルタは、有機膜で形成される。バンドパスフィルタを有機膜とすることで反射光成分による迷光を抑制できる。
ここで、多層干渉膜を有する分光フィルタは、メインの波長ピーク以外に、第2の波長ピークを生じる場合がある。第2の波長ピークの信号が支配的である場合、第2の波長ピークの信号の取り扱いが問題となる。本例の分光素子100は、バンドパスフィルタを画素毎に配置することにより、メインの波長ピークと第2の波長ピークとを分けて受光できる。
一例において、分光素子100は、透過バンドの異なる複数のバンドパスフィルタを有する。例えば、分光素子100は、異なる透過バンドの第1バンドパスフィルタおよび第2バンドパスフィルタを有する。この場合、画素毎に第1バンドパスフィルタおよび第2バンドパスフィルタの何れかを設けることができる。また、一部の画素にのみバンドパスフィルタを設け、他の画素にはバンドパスフィルタを設けなくてもよい。この場合、バンドパスフィルタ有りの出力と、バンドパスフィルタ無しの出力の両方が得られる。例えば、バンドパスフィルタ有りの場合に波長700〜1200nmの出力が得られ、バンドパスフィルタ無しの場合に波長300〜1200nmの出力が得られた場合、画像処理によって波長300〜700nmの出力が得られる。
また、分光素子100は、透過波長の異なる3バンドのフィルタ構成として、第1分光フィルタ〜第3分光フィルタを有し、それぞれの分光フィルタにバンドパスフィルタの有無を設けてよい。この場合、分光素子100は、3バンドのフィルタ構成で、6バンド相当の画像を取得できる。即ち、同一画素で2バンドの出力が可能となる。
このように、分光素子100は、画素毎に設けられたバンドパスフィルタを用いて取得した出力に基づいて信号を処理する。これにより、本例の分光素子100は、信号処理を最適化できる。また、本例の分光素子100は、一般的なプロセスを用いて容易に製造できる。フォトダイオード152は、SiであってもInGaAs等の化合物であってもよい。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
10・・・第1分光フィルタ、12・・・中央部、14・・・端部、20・・・第2分光フィルタ、22・・・中央部、24・・・端部、30・・・第3分光フィルタ、40・・・遮光膜、50・・・透明基板、60・・・保護膜、70・・・マスク、82・・・犠牲層、84・・・パターニング層、86・・・パターニング層、100・・・分光素子、110・・・分光層、120・・・遮光層、122・・・遮光膜、124・・・透明膜、150・・・受光部、152・・・フォトダイオード、200・・・固体撮像素子、400・・・分光素子、450・・・受光部、452・・・フォトダイオード、500・・・固体撮像素子、510・・・分光フィルタ、512・・・中央部、514・・・端部、520・・・分光フィルタ、522・・・中央部、524・・・端部、540・・・保護膜
Claims (13)
- 第1の厚みを有し、入射光のうち第1の波長帯域の光が透過する第1中央部と、前記第1中央部よりも外側に設けられ、前記第1の厚みとは異なる厚みを有する第1端部とを有する第1分光フィルタと、
前記第1端部の少なくとも一部を覆って設けられ、前記入射光を遮光する第1遮光膜と
を備える分光素子。 - 前記第1端部は、前記第1中央部から外側へ向かうにしたがって厚さが薄くなる傾斜形状を有し、
前記第1遮光膜は、前記傾斜形状の少なくとも一部を覆うように設けられる
請求項1に記載の分光素子。 - 前記第1遮光膜の上面は、前記第1中央部の上面と同一面に形成されている
請求項1又は2に記載の分光素子。 - 前記第1遮光膜の上面の位置は、前記第1中央部の上面の位置よりも低い
請求項1又は2に記載の分光素子。 - 前記第1の厚みとは異なる第2の厚みを有し、前記第1の波長帯域とは異なる第2の波長帯域の光が透過する第2中央部と、前記第2中央部よりも外側に設けられ、前記第2中央部と異なる厚みを有する第2端部とを有し、前記第1分光フィルタに隣接して設けられる第2分光フィルタを更に備え、
前記第1遮光膜は、前記第1端部の少なくとも一部と前記第2端部の少なくとも一部の両方を覆うように設けられる
請求項1から4のいずれか一項に記載の分光素子。 - 前記第1分光フィルタ、前記第2分光フィルタおよび前記第1遮光膜に重ねて一体として設けられ、表面が平面である保護膜をさらに備える
請求項5に記載の分光素子。 - 前記第1分光フィルタが設けられ、前記第1中央部の上面側の第1面と、前記第1面と反対側の第2面とを有する分光層と、
前記第1面および前記第2面の少なくとも一方に対向して設けられ、前記第1分光フィルタに入射する光を遮光する遮光層と
を更に備え、
前記遮光層は、
前記第1端部の少なくとも一部に対応する領域に設けられた第2遮光膜と、
前記第1中央部に対応する領域に設けられた透過膜と
を備える請求項1から6のいずれか一項に記載の分光素子。 - 前記第2遮光膜は、前記第1遮光膜が設けられる領域と同一の領域に設けられる
請求項7に記載の分光素子。 - 2次元に連続して配列された複数の光電変換素子を有する受光部と、
前記複数の光電変換素子に対応して設けられた請求項1から7のいずれか一項に記載の分光素子と
を備える固体撮像素子。 - 第1の厚みを有し、入射光のうち第1の波長帯域の光が透過する第1中央部と、前記第1中央部よりも外側に設けられ、前記第1の厚みとは異なる厚みを有する第1端部とを有する第1分光フィルタを形成することと、
前記入射光を遮光する第1遮光膜を、前記第1端部の少なくとも一部を覆うように形成することと
を含む分光素子の製造方法。 - 前記第1分光フィルタを形成することは、
犠牲層とパターニング層を積層して形成することと、
前記パターニング層を露光および現像することと、
前記犠牲層をエッチングしてパターンを形成することと、
前記パターンに応じて、前記第1分光フィルタを形成することと、
リフトオフにより前記犠牲層および前記パターニング層を除去することと
を含む請求項10に記載の分光素子の製造方法。 - 前記第1分光フィルタを形成した後に、前記第1中央部と異なる厚みを有し、前記第1の波長帯域とは異なる第2の波長帯域の光が透過する第2中央部と、前記第2中央部よりも外側に設けられ、前記第2中央部と異なる厚みを有する第2端部とを有する第2分光フィルタを前記第1分光フィルタに隣接して形成することを更に含み、
前記第1遮光膜を、前記第1端部の少なくとも一部と前記第2端部の少なくとも一部の両方を覆うように形成する
請求項10又は11に記載の分光素子の製造方法。 - 前記第1遮光膜を形成することは、
前記第1分光フィルタおよび前記第2分光フィルタ上に、前記第1遮光膜として有機レジストを塗布することと、
露光および現像により前記第1遮光膜をパターニングすることと
を含み、さらに、
前記第1分光フィルタ、前記第2分光フィルタおよび前記第1遮光膜上に透過膜を形成すること
を含む請求項12に記載の分光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017006926A JP2018116150A (ja) | 2017-01-18 | 2017-01-18 | 分光素子、固体撮像素子および分光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017006926A JP2018116150A (ja) | 2017-01-18 | 2017-01-18 | 分光素子、固体撮像素子および分光素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018116150A true JP2018116150A (ja) | 2018-07-26 |
Family
ID=62985436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017006926A Pending JP2018116150A (ja) | 2017-01-18 | 2017-01-18 | 分光素子、固体撮像素子および分光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018116150A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020187339A (ja) * | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | 光フィルタ構造 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59152407A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-31 | Toppan Printing Co Ltd | 多層干渉膜フイルタ−の製造法 |
JPH07198924A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-01 | Fujitsu Ltd | カラーフィルタ |
JP2005221957A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタ基板、液晶装置、投射型表示装置 |
JP2010134352A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Fujifilm Corp | カラーフィルタの製造方法及び固体撮像素子 |
US20140168761A1 (en) * | 2012-12-19 | 2014-06-19 | Georg J. Ockenfuss | Sensor device including one or more metal-dielectric optical filters |
JP2015031781A (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-16 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法および液晶表示装置 |
-
2017
- 2017-01-18 JP JP2017006926A patent/JP2018116150A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59152407A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-31 | Toppan Printing Co Ltd | 多層干渉膜フイルタ−の製造法 |
JPH07198924A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-01 | Fujitsu Ltd | カラーフィルタ |
JP2005221957A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタ基板、液晶装置、投射型表示装置 |
JP2010134352A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Fujifilm Corp | カラーフィルタの製造方法及び固体撮像素子 |
US20140168761A1 (en) * | 2012-12-19 | 2014-06-19 | Georg J. Ockenfuss | Sensor device including one or more metal-dielectric optical filters |
JP2015031781A (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-16 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法および液晶表示装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020187339A (ja) * | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | 光フィルタ構造 |
US11081600B2 (en) | 2019-05-10 | 2021-08-03 | Visera Technologies Company Limited | Light filter structure |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6410203B1 (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
JP4806197B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
RU2426195C1 (ru) | Устройство фотоэлектрического преобразования и система формирования изображения | |
US20060205107A1 (en) | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and camera employing same | |
US20090189055A1 (en) | Image sensor and fabrication method thereof | |
JP2000151933A (ja) | 撮像素子及びその製造方法 | |
US20090273046A1 (en) | Process for Producing Solid-State Image Sensing Device, Solid-State Image Sensing Device and Camera | |
KR20160023158A (ko) | 광 이용 효율이 향상된 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
TW200915551A (en) | Spectrum detector and manufacturing method therefore | |
CN104272070B (zh) | 分光传感器 | |
JP2008170979A (ja) | 固体撮像装置、その製造方法およびカメラ | |
WO2011024590A1 (ja) | 光学ユニット | |
US20090225204A1 (en) | Solid state imaging device and camera | |
CN104272069B (zh) | 分光传感器 | |
JP2008060323A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法およびカメラ | |
JP2000180621A (ja) | オンチップカラーフィルタ及びこれを用いた固体撮像素子 | |
JP2008112944A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2018116150A (ja) | 分光素子、固体撮像素子および分光素子の製造方法 | |
JP2006319037A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPWO2005013369A1 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及びこれを用いたカメラ | |
JP2008258367A (ja) | 固体撮像素子、固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP6809717B2 (ja) | 固体光検出器 | |
US8559771B2 (en) | Solid state image sensor | |
JP2008071959A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP5446374B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190925 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200901 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210316 |