JP2018115096A - Iii族窒化物基板の製造方法およびiii族窒化物基板 - Google Patents
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Abstract
Description
III族窒化物の結晶からなり、表裏を貫通する貫通孔を有する基板を用意する準備工程と、
前記基板を、GaまたはInのうち少なくともいずれかのIII族金属を介して保持板上に配置する配置工程と、
前記保持板上に配置された前記基板を、少なくとも窒素源を含む雰囲気中で加熱して前記III族金属を気化させ、前記基板の裏面側から表面側に向かって前記貫通孔内を流れる前記III族金属の蒸気と、前記窒素源と、を前記貫通孔内で反応させることで、前記貫通孔を塞ぐ前記III族金属の窒化物多結晶を前記貫通孔内の少なくとも一部に成長させる埋込工程と、
を有するIII族窒化物基板の製造方法が提供される。
III族窒化物の結晶からなり、
表裏を貫通する貫通孔を有し、
前記貫通孔内の少なくとも一部が、GaまたはInのうち少なくともいずれかのIII族金属の窒化物多結晶によって塞がれてなるIII族窒化物結晶基板が提供される。
以下、本発明の一実施形態について図面を用いて説明する。
本実施形態では、一例として、
GaNの結晶(以下、GaN結晶とも称する)からなり、表裏を貫通する貫通孔10hを有する基板10(以下、基板10とも称する)を用意する準備ステップと、
基板10を、ガリウム(Ga)11を介して保持板12上に配置する配置ステップと、
貫通孔10hを塞ぐGaの窒化物多結晶(GaN多結晶)14を、貫通孔10h内の少なくとも一部に成長させる埋込ステップと、
を行うことで、III族窒化物基板としてのGaN基板を作製する場合について説明する。以下、各ステップの詳細について説明する。
図1(a)、(b)に、処理対象として用意した基板10の平面、断面構成をそれぞれ例示する。ここに示した基板10は、例えば、下地基板(種結晶基板)の表面上にGaN結晶を厚くエピタキシャル成長させ、その後、成長させた結晶インゴットをスライスして自立化させることにより作製できる。本実施形態では、一例として、表面(成長面)が(0001)面、すなわち、Ga極性面(+c面)となるように成長させたGaN結晶のインゴットをスライスし、これにより得られたアズグロウン状態の自立基板を基板10として用いる例について説明する。
準備ステップを実施したら、配置ステップを実施する。本ステップでは、貫通孔10hを有する基板10を、Ga11を介して保持板(支持板)12上に配置する。言い換えると、基板10と保持板12との間には、Ga11からなる層が設けられている。
配置ステップを実施したら、貫通孔10h内の少なくとも一部に、貫通孔10hを塞ぐGaN多結晶14を成長させる処理を実施する。
処理温度(基板10の温度):550〜1200℃、好ましくは、900〜1000℃
処理圧力(反応室201内の圧力):90〜105kPa、好ましくは、90〜95kPa
NH3ガスの分圧:9〜20kPa
埋込ステップを実施したら、スラリー等を用いて基板10の表裏面を研磨する処理を実施する。本ステップを行うことで、図3(b)〜(d)に例示するように貫通孔10hがGaN多結晶14で塞がれた基板10は、図4に断面構成図を示すように、基板10の表面とGaN多結晶14の表面とが面一の面となるとともに、基板10の裏面とGaN多結晶14の裏面とが面一の面となる。なお、本ステップでは、必ずしも基板10の表裏面を研磨する必要はなく、少なくとも基板10の表面を研磨する処理を実施すればよい。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果が得られる。
本実施形態は、上述の態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することが可能である。
準備ステップでは、基板10として、自然に発生した貫通孔を有する基板だけでなく、故意に貫通孔を形成した基板を用意してもよい。例えば、基板10として、結晶の母相に比べて酸素濃度が局所的に大きくなっている領域や、極性反転領域や転位密集領域等がレーザ等により打ち抜かれて形成された貫通孔を有する基板を用意してもよい。この場合、基板10の表面、裏面については、それぞれ、アズグロウン状態であってもよく、また、所定の表面処理(研磨処理やエッチング処理)が施されていてもよい。本変形例によっても、上述の実施形態と同様の効果が得られる。
配置ステップでは、III族金属であるインジウム(In)を介して保持板12上に基板10を配置するようにしてもよい。In(融点約150℃)は室温において固体であるため、本変形例では、平坦な基板支持(保持)面を有するホットプレート等の加熱装置を用いて保持板12を所定温度に加熱することでInを融解して液状Inとし、この液状In上に基板10を配置する。本変形例では、埋込ステップを実施することで、貫通孔10hがInの窒化物多結晶(InN多結晶)で埋め込まれて塞がれる。本変形例によっても、上述の実施形態と同様の効果が得られる。また本変形例によれば、Gaを用いる場合よりも埋込ステップを低温条件で行うことができることから、上述のN原子の脱落を確実に抑制できる。
準備ステップでは、窒化アルミニウム(AlN)、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)、窒化インジウム(InN)、窒化インジウムガリウム(InGaN)、窒化アルミニウムインジウムガリウム(AlInGaN)等のIII族窒化物結晶、すなわち、AlxInyGa1−x―yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式で表されるIII族窒化物の単結晶からなり、その表面が(0001)面である基板を用意してもよい。これらの基板であっても、GaN基板と同様、表裏を貫通する貫通孔を有する場合があるからである。これらの場合においても、準備ステップ〜埋込ステップに至る一連のステップを実施することで、GaN多結晶又はInN多結晶で貫通孔を塞ぐことができ、上述の実施形態と同様の効果が得られる。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
処理温度(基板10の温度):980〜1100℃
処理圧力(成膜室301内の圧力):90〜105kPa、好ましくは、90〜95kPa
GaClガスの分圧:1.5〜15kPa
NH3ガスの分圧/GaClガスの分圧:4〜20
N2ガスの分圧/H2ガスの分圧:0〜1
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
III族窒化物の結晶からなり、表裏を貫通する貫通孔を(1つ以上)有する基板を用意する準備工程と、
前記基板を、GaまたはInのうち少なくともいずれかのIII族金属を介して保持板上に配置する配置工程と、
前記保持板上に配置した前記基板を、少なくとも窒素源を含む雰囲気中で加熱して前記III族金属を気化させ、前記基板の裏面側から表面側に向かって前記貫通孔内を流れる前記III族金属の蒸気と、前記窒素源と、を前記貫通孔内で反応させることで、前記貫通孔を塞ぐ前記III族金属の窒化物多結晶を前記貫通孔内の少なくとも一部に成長させる埋込工程と、
を有するIII族窒化物基板の製造方法が提供される。
付記1の方法であって、好ましくは、
前記配置工程では、前記III族金属を介して前記保持板上に前記基板を配置する際、前記貫通孔内に前記III族金属が侵入することがないように、前記保持板上に塗布する前記III族金属の量を調整する。
付記1または2の方法であって、好ましくは、
前記配置工程では、前記III族金属を介して前記保持板上に前記基板を配置する際、前記貫通孔内に前記III族金属が侵入することがないように、前記保持板上に塗布する前記III族金属の位置を調整する。
付記1〜3のいずれかの方法であって、好ましくは、
前記埋込工程では、前記III族金属の気化が始まる前から前記雰囲気中に前記窒素源を供給する。
付記1〜4のいずれかの方法であって、好ましくは、
前記埋込工程では、前記基板の温度を550℃以上1200℃以下、好ましくは900℃以上1000℃以下の範囲内の所定温度にする。
付記1〜5のいずれかの方法であって、好ましくは、
前記準備工程では、前記基板として、前記基板の表面側から見たときの前記貫通孔の最小幅が300μmより大きい基板を用意する。好ましくは、前記貫通孔の最大幅が3mm以下である。
付記1〜6のいずれかの方法であって、好ましくは、
前記準備工程では、前記基板として、AlxInyGa1−x―yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の単結晶からなり、その表面が(0001)面である基板を用意する。
付記1〜7のいずれかの方法であって、好ましくは、
前記埋込工程を実施することで得られたIII族窒化物基板上に、III族金属の窒化物結晶からなる結晶膜を成長させる本格成長工程と、
前記結晶膜から1枚以上のIII族窒化物基板を切り出すスライス工程と、をさらに備える。
本発明の他の態様によれば、
III族窒化物の結晶からなり、
表裏を貫通する貫通孔を(1つ以上)有し、
前記貫通孔内の少なくとも一部が、GaまたはInのうち少なくともいずれかのIII族金属の窒化物多結晶によって塞がれてなるIII族窒化物基板が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
III族窒化物の結晶からなる基板であって、
前記基板は、表裏を貫通する貫通孔を(1つ以上)有し、
前記貫通孔内の少なくとも一部には、GaまたはInのうち少なくともいずれかのIII族金属を加熱することで気化して生成されて前記基板の裏面側から表面側に向かって前記貫通孔内を流れる前記III族金属の蒸気と、窒素源と、が前記貫通孔内で反応することで、前記貫通孔を塞ぐ前記III族金属の窒化物多結晶が成長されているIII族窒化物基板が提供される。
付記9または10の基板であって、好ましくは、
前記貫通孔は、前記III族金属の窒化物多結晶のみで塞がれている。
付記9〜11のいずれかの基板であって、好ましくは、
前記貫通孔内には、窒化不充分な前記III族金属が存在しない。
付記9〜12のいずれかの基板であって、好ましくは、
前記基板の表面側から見たときの前記貫通孔の最小幅が300μmより大きい。
付記9〜13のいずれかの基板であって、好ましくは、
前記基板は、AlxInyGa1−x―yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の単結晶からなる。
10h 貫通孔
14 GaN多結晶(III族金属の窒化物多結晶)
20 GaN基板(III族窒化物基板)
Claims (8)
- III族窒化物の結晶からなり、表裏を貫通する貫通孔を有する基板を用意する準備工程と、
前記基板を、GaまたはInのうち少なくともいずれかのIII族金属を介して保持板上に配置する配置工程と、
前記保持板上に配置した前記基板を、少なくとも窒素源を含む雰囲気中で加熱して前記III族金属を気化させ、前記基板の裏面側から表面側に向かって前記貫通孔内を流れる前記III族金属の蒸気と、前記窒素源と、を前記貫通孔内で反応させることで、前記貫通孔を塞ぐ前記III族金属の窒化物多結晶を前記貫通孔内の少なくとも一部に成長させる埋込工程と、
を有するIII族窒化物基板の製造方法。 - 前記配置工程では、前記III族金属を介して前記保持板上に前記基板を配置する際、前記貫通孔内に前記III族金属が侵入することがないように、前記保持板上に塗布する前記III族金属の量を調整する請求項1に記載のIII族窒化物基板の製造方法。
- 前記埋込工程では、前記III族金属の気化が始まる前から前記雰囲気中に前記窒素源を供給する請求項1または2に記載のIII族窒化物基板の製造方法。
- 前記埋込工程では、前記基板の温度を550℃以上1200℃以下の範囲内の所定温度にする請求項1〜3のいずれかに記載のIII族窒化物基板の製造方法。
- 前記準備工程では、前記基板として、前記基板の表面側から見たときの前記貫通孔の最小幅が300μmより大きい基板を用意する請求項1〜4のいずれかに記載のIII族窒化物基板の製造方法。
- 前記準備工程では、前記基板として、AlxInyGa1−x―yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の単結晶からなり、その表面が(0001)面である基板を用意する請求項1〜5のいずれかに記載のIII族窒化物基板の製造方法。
- III族窒化物の結晶からなり、
表裏を貫通する貫通孔を有し、
前記貫通孔内の少なくとも一部が、GaまたはInのうち少なくともいずれかのIII族金属の窒化物多結晶によって塞がれてなるIII族窒化物基板。 - 前記貫通孔は、前記III族金属の窒化物多結晶のみで塞がれている請求項7に記載のIII族窒化物基板。
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Citations (6)
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---|---|---|---|---|
JP2008162855A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体基板 |
JP2009196845A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Furuya Kinzoku:Kk | 単結晶製造装置、それに用いる貴金属枠及び貴金属基板ホルダー |
JP2011213512A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Nichia Corp | 窒化ガリウム系半導体基板の製造方法 |
JP2012056800A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Furukawa Co Ltd | Iii族窒化物半導体基板およびiii族窒化物半導体基板の製造方法 |
JP2015166293A (ja) * | 2014-03-03 | 2015-09-24 | 国立大学法人大阪大学 | Iii族窒化物結晶の製造方法、iii族窒化物結晶、半導体装置およびiii族窒化物結晶製造装置 |
JP2015224143A (ja) * | 2014-05-26 | 2015-12-14 | 株式会社サイオクス | Iii族窒化物基板の製造方法 |
-
2017
- 2017-01-20 JP JP2017008188A patent/JP6827330B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008162855A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体基板 |
JP2009196845A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Furuya Kinzoku:Kk | 単結晶製造装置、それに用いる貴金属枠及び貴金属基板ホルダー |
JP2011213512A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Nichia Corp | 窒化ガリウム系半導体基板の製造方法 |
JP2012056800A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Furukawa Co Ltd | Iii族窒化物半導体基板およびiii族窒化物半導体基板の製造方法 |
JP2015166293A (ja) * | 2014-03-03 | 2015-09-24 | 国立大学法人大阪大学 | Iii族窒化物結晶の製造方法、iii族窒化物結晶、半導体装置およびiii族窒化物結晶製造装置 |
JP2015224143A (ja) * | 2014-05-26 | 2015-12-14 | 株式会社サイオクス | Iii族窒化物基板の製造方法 |
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