JP2018107330A - パッケージデバイスチップの製造方法及び加工装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 86
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 86
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 55
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 claims description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 143
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 30
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
Description
実施形態1に係るパッケージデバイスチップの製造方法及び加工装置であるレーザー加工装置を説明する。図1は、実施形態1に係るレーザー加工装置の概略の構成例を示す斜視図である。図2(a)は、実施形態1に係るレーザー加工装置の加工対象のパッケージウエーハを構成するウエーハの斜視図である。図2(b)は、図2(a)に示されたウエーハのデバイスの斜視図である。図3は、実施形態1に係るレーザー加工装置の加工対象のパッケージウエーハの要部の断面図である。図4は、図3に示されたパッケージウエーハが分割されて得られるパッケージデバイスチップを示す斜視図である。
10 チャックテーブル
11 保持部材
11a 保持面
13 発光体
20 レーザー光線照射ユニット(加工ユニット)
50 赤外線カメラ
60 制御ユニット
61 アライメントユニット
113 切削ブレード
PW パッケージウエーハ(被加工物)
PD パッケージデバイスチップ
W ウエーハ
WS 表面
WR 裏面
L 分割予定ライン
LR パルスレーザー光線
D デバイス
DT 溝(加工すべき領域)
MR モールド樹脂(赤外線を透過しない領域)
PG 分割溝
SB 基板(赤外線を透過する領域)
DR デバイス領域
GR 外周余剰領域
ST1 溝形成ステップ
ST2 パッケージウエーハ形成ステップ
ST4 外周縁除去ステップ
ST5 アライメントステップ
ST6 分割ステップ
Claims (3)
- パッケージデバイスチップの製造方法であって、
交差する複数の分割予定ラインが表面側に形成され、該分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成されるウエーハの該表面側に、該分割予定ラインに沿った溝を形成する溝形成ステップと、
該溝にモールド樹脂を充填するとともにウエーハの表面を該モールド樹脂で被覆し、パッケージウエーハを形成するパッケージウエーハ形成ステップと、
該パッケージウエーハの外周縁に沿って、該モールド樹脂とウエーハの表面側を切削ブレードで除去し、該モールド樹脂が充填された該溝と該ウエーハを外周縁で露出させる外周縁除去ステップと、
該モールド樹脂が充填され外周縁で露出した該溝に基づいて、該溝に沿って形成する該パッケージウエーハの分割溝の位置を割り出すアライメントステップと、
該アライメントステップで割り出した位置に基づいて該分割溝を形成する分割ステップと、を備え、
該アライメントステップでは、
外周縁で該溝が露出した該パッケージウエーハの裏面側を保持面が光るチャックテーブルで保持し、該パッケージウエーハを表面から赤外線カメラで撮像し、該モールド樹脂が充填された該溝は赤外線が透過しないため暗く、該溝の両脇で露出するウエーハは赤外線を透過し発光体の光で明るく撮影される事で、該外周縁を除去した該切削ブレードのソーマークが該溝と該ウエーハとの境界に形成され、該ソーマークが該境界の検出を妨げるのを防ぐことを特徴とするパッケージデバイスチップの製造方法。 - 被加工物を保持面で保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を加工する加工ユニットと、該チャックテーブルに保持された被加工物を赤外線カメラで撮像し加工すべき領域を検出するアライメントユニットと、各構成要素を制御する制御ユニットと、を備えるレーザー加工装置であって、
該チャックテーブルは、
該保持面を形成する透明又は半透明な保持部材と、
該保持部材の該保持面と反対側の面側に設置された発光体と、を有し、
該アライメントユニットは、
赤外線を透過する領域と該赤外線を透過しない領域を備える被加工物を該赤外線カメラで撮像し、該赤外線を透過する領域は該発光体の光で明るく、該赤外線を透過しない領域は暗く撮像される特性を利用して被加工物のアライメントを実施することを特徴とする加工装置。 - 該加工ユニットは、パルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニットである請求項2に記載の加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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JP2016253703A JP6773554B2 (ja) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | パッケージデバイスチップの製造方法及び加工装置 |
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JP2018107330A true JP2018107330A (ja) | 2018-07-05 |
JP6773554B2 JP6773554B2 (ja) | 2020-10-21 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
Country | Link |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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