JP2018101684A - センサモジュールおよびその製造方法 - Google Patents

センサモジュールおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018101684A
JP2018101684A JP2016246523A JP2016246523A JP2018101684A JP 2018101684 A JP2018101684 A JP 2018101684A JP 2016246523 A JP2016246523 A JP 2016246523A JP 2016246523 A JP2016246523 A JP 2016246523A JP 2018101684 A JP2018101684 A JP 2018101684A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
sensor
sensor module
electrode
main surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016246523A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6947367B2 (ja
Inventor
雄人 西山
Yuto Nishiyama
雄人 西山
太郎 西岡
Taro Nishioka
太郎 西岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2016246523A priority Critical patent/JP6947367B2/ja
Priority to US15/830,815 priority patent/US10794784B2/en
Publication of JP2018101684A publication Critical patent/JP2018101684A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6947367B2 publication Critical patent/JP6947367B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • G01L9/0048—Details about the mounting of the diaphragm to its support or about the diaphragm edges, e.g. notches, round shapes for stress relief
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061—Electrical connection means
    • G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/148—Details about the circuit board integration, e.g. integrated with the diaphragm surface or encapsulation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C5/00—Measuring height; Measuring distances transverse to line of sight; Levelling between separated points; Surveyors' levels
    • G01C5/06—Measuring height; Measuring distances transverse to line of sight; Levelling between separated points; Surveyors' levels by using barometric means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05567—Disposition the external layer being at least partially embedded in the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0612—Layout
    • H01L2224/0613—Square or rectangular array
    • H01L2224/06134—Square or rectangular array covering only portions of the surface to be connected
    • H01L2224/06135—Covering only the peripheral area of the surface to be connected, i.e. peripheral arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/3201—Structure
    • H01L2224/32012—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad
    • H01L2224/32014—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector being smaller than the bonding area, e.g. bond pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331—Disposition
    • H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/4917—Crossed wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
    • H01L24/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16151—Cap comprising an aperture, e.g. for pressure control, encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

【課題】電極パッドが腐食されることを抑制することができるセンサモジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】センサモジュールＡ１において、互いに反対側を向く搭載面２ａおよび実装面２ｂを有し、搭載面２ａに電極パッド２１が設けられた電子部品２と、互いに反対側を向く主面３ａおよび実装面３ｂと、主面３ａおよび実装面３ｂを繋ぐ側面３ｃとを有し、実装面３ｂを電子部品２側に向けて、電子部品２の搭載面２ａに搭載された気圧センサ３と、電極パッド２１に接続されるボンディングワイヤ４と、電極パッド２１を覆う保護部材５とを備えるようにした。保護部材５は、ボンディングワイヤ４の一部を露出させており、かつ、気圧センサ３の側面３ｃに接している。【選択図】 図２

Description

本発明は、センサモジュールおよびその製造方法に関する。
半導体集積回路の製造に用いられる微細加工技術を利用して、機械要素部品と電子回路とを集積化したデバイスであるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）が知られている。特許文献１には、ＭＥＭＳであるセンサを中空構造の半導体パッケージに搭載したセンサモジュールが記載されている。
気温、気圧または湿度などを検出するセンサモジュールのように、外気を取り入れるための開口部が設けられている場合、使用環境によっては、この開口部から微細な塩水等の粒子が浸入してしまう場合がある。この場合、ボンディングワイヤをボンディングされた電極パッドが塩水等によって腐食され、例えばボンディングワイヤが電極パッドから剥離することがある。
特開２０１６−３９１９０号公報
本発明は先述した事情に鑑み、電極パッドが腐食されることを抑制することができるセンサモジュールおよびその製造方法を提供することをその課題とする。
本発明の第１の側面によって提供されるセンサモジュールは、互いに反対側を向く基板主面および基板裏面を有し、前記基板主面に電極が設けられた基板と、互いに反対側を向くセンサ主面およびセンサ裏面と、前記センサ主面およびセンサ裏面を繋ぐセンサ側面とを有し、前記センサ裏面を前記基板側に向けて、前記基板主面に搭載されたセンサと、前記電極に接続されるボンディングワイヤと、前記電極を覆う保護部材とを備えており、前記保護部材は、前記ボンディングワイヤの一部を露出させており、かつ、前記センサ側面に接していることを特徴とする。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護部材は、前記電極から、前記ボンディングワイヤの曲率が最大となる部位まで連続的に覆っている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記センサは、凹部を有する支持部と、前記支持部の開口を塞ぐカバーとを備えている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護部材は、前記支持部と前記カバーとの境界の少なくとも一部を覆っている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護部材は、前記センサ主面の少なくとも一部を露出させている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記センサは、前記センサ主面に形成された回路を備えており、前記保護部材は、前記回路を露出させている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記センサは、中空部分を備えており、前記保護部材は、少なくとも、前記センサ主面の、平面視において前記中空部分が位置する領域を露出させている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護部材は、前記基板主面と前記センサ裏面との間に位置する部分を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記センサ側面は複数あり、前記保護部材は、前記複数のセンサ側面のうち、連続する少なくとも２つのセンサ側面のそれぞれの一部を覆っている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護部材は、前記基板の前記電極から離れる方向に向かって前記ボンディングワイヤに沿って突出する山形部を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記基板は、前記基板主面および基板裏面を繋ぐ４つの基板側面を有し、前記センサは、前記基板主面の中央に対して、連続する２つの基板側面寄りに搭載されており、前記電極は、前記基板主面の、前記２つの基板側面とは異なる連続する２つの基板側面側の電極配置領域に複数設けられており、前記保護部材は、前記電極配置領域を覆っている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護部材は、シリコーン樹脂である。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記センサモジュールは、前記基板と前記センサとを接合する接合部材をさらに備えており、前記保護部材は、前記接合部材と同じ素材である。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記電極は、Ａｌまたはアルミ合金からなる。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記基板は電子部品である。
本発明の好ましい実施の形態においては、互いに反対側を向く第２基板主面および第２基板裏面を有し、前記第２基板主面に第２電極が設けられた第２基板を、前記センサモジュールは、さらに備えており、前記基板は、前記第２基板主面に搭載されている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２基板は、前記第２基板主面および第２基板裏面を繋ぐ４つの第２基板側面を有し、前記基板は、前記第２基板主面の中央に対して、連続する２つの第２基板側面寄りに搭載されており、前記第２電極は、前記第２基板主面の、前記２つの第２基板側面とは異なる連続する２つの第２基板側面側の第２電極配置領域に複数設けられている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護部材は、前記第２基板主面まで連続的に覆っている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記センサモジュールは、前記第２電極を覆う第２保護部材をさらに備えている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記センサモジュールは、前記基板主面に搭載される電子部品をさらに備えている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記センサは、前記センサ主面に形成された第３電極を備えており、前記センサモジュールは、前記第３電極を覆う第３保護部材をさらに備えている。
本発明の好ましい実施の形態においては、箱形状をなし、前記センサ、前記ボンディングワイヤおよび前記保護部材を囲うように配置される第２のカバーを、前記センサモジュールは、さらに備えている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２のカバーには、開口部が設けられている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記電極は複数設けられており、少なくとも、平面視において前記開口部に対して最も近い位置に設けられている電極は、前記保護部材によって覆われている。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２のカバーは金属製である。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記センサは気圧センサである。
本発明の第２の側面によって提供されるセンサモジュールの製造方法は、互いに反対側を向く主面および裏面を有し、前記主面に基板電極が設けられたシート状基板を用意する第１の工程と、前記シート状基板の主面に、電子部品電極が設けられた電子部品を搭載する第２の工程と、前記基板電極と前記電子部品電極とをボンディングワイヤで接続する第３の工程と、前記電子部品の前記シート状基板とは反対側の面に、互いに反対側を向くセンサ主面およびセンサ裏面と、前記センサ主面およびセンサ裏面を繋ぐセンサ側面とを有し、前記センサ主面にセンサ電極が設けられたセンサを搭載する第４の工程と、前記電子部品電極を覆い、かつ、前記センサ側面に接するように、シリコーンペーストを塗布し、硬化させることで保護部材を形成する第５の工程と、前記センサ電極と前記基板電極とをボンディングワイヤで接続する第６の工程と、箱形状をなすカバーを、前記電子部品、センサ、ボンディングワイヤおよび保護部材を囲うようにして、前記シート状基板の主面に固着する第７の工程とを備えていることを特徴とする。
本発明によれば、電極が腐食されることを抑制することができる。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
本発明の第１実施形態にかかるセンサモジュールを示す斜視図である。 図１のセンサモジュールを示す平面図である。 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う要部拡大断面図である。 第１実施形態にかかるセンサモジュールの他の実施例であり、図４に相当する図である。 図２のＶＩ−ＶＩ線に沿う要部拡大断面図である。 図１のセンサモジュールのブロック図である。 本発明の第１実施形態にかかる気圧センサの平面図であり、配線パターンの一例を示している。 図８のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。 図１のセンサモジュールの製造方法にかかる工程を示す斜視図である。 図１のセンサモジュールの製造方法にかかる工程を示す斜視図である。 図１のセンサモジュールの製造方法にかかる工程を示す斜視図である。 図１のセンサモジュールの製造方法にかかる工程を示す斜視図である。 図１のセンサモジュールの製造方法にかかる工程を示す斜視図である。 図１のセンサモジュールの製造方法にかかる工程を示す斜視図である。 本発明の第２実施形態にかかるセンサモジュールを示す平面図である。 本発明の第３実施形態にかかるセンサモジュールを示す平面図である。 本発明の第４実施形態にかかるセンサモジュールを示す断面図である。 図１８のセンサモジュールの製造方法にかかる工程を示す断面図である。 図１８のセンサモジュールの製造方法にかかる工程を示す断面図である。 図１８のセンサモジュールの製造方法にかかる工程を示す断面図である。 本発明の第５実施形態にかかるセンサモジュールを示す断面図である。 本発明の第６実施形態にかかるセンサモジュールを示す平面図である。 本発明の第７実施形態にかかるセンサモジュールを示す平面図である。 本発明の第８実施形態にかかるセンサモジュールを示す平面図である。
本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について、気圧センサを搭載した場合を例にして、添付図面に基づいて説明する。
〔第１実施形態〕
図１〜図９に基づき、本発明の第１実施形態にかかるセンサモジュールＡ１について説明する。図１は、センサモジュールＡ１を示す斜視図である。図２は、センサモジュールＡ１を示す平面図である。図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う要部拡大断面図である。図５は、センサモジュールＡ１の他の実施例であり、図４に相当する図である。図６は、図２のＶＩ−ＶＩ線に沿う要部拡大断面図である。図７は、センサモジュールＡ１のブロック図である。なお、理解の便宜上、図１および図２は、後述するカバー６の記載を省略しており、図２および図３は、後述する保護部材５を透過させて記載している。また、図３においては、電極パッドおよびボンディングワイヤの一部を省略している。また、図６においては、後述する保護部材５の記載を省略している。これらの図において、センサモジュールＡ１の厚さ方向（平面視方向）をｚ方向（ｚ１−ｚ２方向）とし、ｚ方向に直交するセンサモジュールＡ１の一方の辺に沿う方向をｘ方向（ｘ１−ｘ２方向）、ｚ方向およびｘ方向に直交する方向をｙ方向（ｙ１―ｙ２方向）として説明する（以下の図においても同様）。本実施形態においては、センサモジュールＡ１は、ｘ方向およびｙ方向寸法が例えば２ｍｍ程度、ｚ方向寸法が０．８〜１ｍｍ程度とされる。
これらの図に示すセンサモジュールＡ１は、気圧を検出するものであり、例えば携帯端末などの各種電子機器の回路基板に実装される。例えば携帯端末においては、センサモジュールＡ１は大気圧を検出する。検出された大気圧は、高度を演算するための情報として用いられる。図１〜図３に示すように、センサモジュールＡ１は、基板１、電子部品２、気圧センサ３、ボンディングワイヤ４、保護部材５、およびカバー６を備えている。
基板１は、図１〜図３に示すように、電子部品２を搭載し、センサモジュールＡ１を各種電子機器の回路基板に実装するための部材である。基板１は、電気絶縁体である基材に配線パターンを形成したプリント回路基板である。基材は、例えばガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、セラミックスなどであり限定されない。基板１は、平面視矩形状の板状であり、搭載面１ａ、実装面１ｂおよび側面１ｃを有する。搭載面１ａおよび実装面１ｂは、基板１の厚さ方向（ｚ方向）において互いに反対側を向いている。搭載面１ａは、ｚ１方向を向く面であり、電子部品２が搭載される面である。実装面１ｂは、ｚ２方向を向く面であり、センサモジュールＡ１を各種電子機器の回路基板に実装する際に利用される面である。側面１ｃは、搭載面１ａおよび実装面１ｂを繋ぐ面であり、ｘ方向またはｙ方向を向いており、ｚ方向に平行である。本実施形態においては、基板１のｚ方向の寸法は１００〜２００μｍ程度であり、ｘ方向およびｙ方向の寸法はそれぞれ２ｍｍ程度である。「基板１」は、本発明の「第２基板」に相当する。また、「搭載面１ａ」、「実装面１ｂ」、「側面１ｃ」は、それぞれ、本発明の「第２基板主面」、「第２基板裏面」、「第２基板側面」に相当する。
基板１の搭載面１ａには、電極パッド１１が設けられている。電極パッド１１は、電子部品２および気圧センサ３を搭載面１ａ上に実装する際に、電子部品２および気圧センサ３と導通接合される電極として用いられるものである。電極パッド１１には、ボンディングワイヤ４がボンディングされる。電極パッド１１は、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ等の単種類または複数種類の金属からなり、たとえばメッキによって形成される。電極パッド１１は、電子部品２のｙ２側の辺およびｘ２側の辺に沿って配置されている。「電極パッド１１」は、本発明の「第２電極」および「基板電極」に相当する。
また、基板１の実装面１ｂには、電極パッド１２が設けられている。電極パッド１２は、センサモジュールＡ１を回路基板に実装する際に、回路基板の配線パターンに導通接合される電極として用いられるものである。電極パッド１２は、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ等の単種類または複数種類の金属からなり、たとえばメッキによって形成される。電極パッド１１には、搭載面１ａの配線パターン１３に接続するもの（図２参照）があり、また、図４に示すように、実装面１ｂに設けられた電極パッド１２に接続するものがある。なお、図２においては、配線パターン１３の一部だけを記載している。図４において、電極パッド１１は、貫通配線１４および中層配線１５を介して、電極パッド１２に接続している。貫通配線１４は、基板１内においてｚ方向に延びる導通経路である。中層配線１５は、基板１内においてｘ方向およびｙ方向に延びる導通経路である。なお、図５に示すように、実装面１ｂに、電極パッド１２に接続する配線パターン１６を設けて、電極パッド１１を貫通配線１４を介して配線パターン１６に接続することで、電極パッド１１と電極パッド１２とを接続するようにしてもよい。
電子部品２は、センサが検出した電気信号を処理するものであり、いわゆるＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）素子として構成されている。図７に示すように、本実施形態においては、電子部品２は、温度センサ２２を備えており、当該温度センサ２２が検出した電気信号、および、気圧センサ３が検出した電気信号の処理を行う。電子部品２は、温度センサ２２が検出した電気信号と気圧センサ３が検出した電気信号とをマルチプレクサ２３で多重化して、アナログ／デジタル変換回路２４でデジタル信号に変換する。そして、信号処理部２５が、クロック２６のクロック信号に基づいて、記憶部２７の記憶領域を利用しながら、増幅やフィルタリング、論理演算などの処理を行う。信号処理後の信号は、インターフェイス２８を介して出力される。これにより、センサモジュールＡ１は、気圧および気温を検出した信号を適切な信号処理を行った上で、出力することができる。
電子部品２は、基板上に各種素子を搭載してパッケージングした制御のための電子部品である。電子部品２は、平面視矩形状の板状であり、搭載面２ａ、実装面２ｂおよび側面２ｃを有する。搭載面２ａおよび実装面２ｂは、電子部品２の厚さ方向（ｚ方向）において互いに反対側を向いている。搭載面２ａは、ｚ１方向を向く面であり、気圧センサ３が搭載される面である。実装面２ｂは、ｚ２方向を向く面であり、電子部品２を基板１に実装する際に利用される面である。側面２ｃは、搭載面２ａおよび実装面２ｂを繋ぐ面であり、ｘ方向またはｙ方向を向いており、ｚ方向に平行である。本実施形態においては、電子部品２のｚ方向の寸法は８０μｍ程度であり、ｘ方向およびｙ方向の寸法はそれぞれ１〜１．２ｍｍ程度である。「電子部品２」は、本発明の「基板」に相当する。また、「搭載面２ａ」、「実装面２ｂ」、「側面２ｃ」は、それぞれ、本発明の「基板主面」、「基板裏面」、「基板側面」に相当する。
電子部品２は、基板１の搭載面１ａの中央に対して、ｘ１方向およびｙ１方向寄りに搭載されている。電子部品２の実装面２ｂと基板１の搭載面１ａとは、図示しないダイアタッチフィルムなどによって接合されている。
電子部品２の搭載面２ａには、電極パッド２１が設けられている。電極パッド２１は、基板１の電極パッド１１に導通接合される電極として用いられるものである。電極パッド２１は、例えばＡｌやアルミ合金などの金属からなり、たとえばメッキによって形成される。電極パッド２１は、電子部品２内部の導通経路に接続しており、気圧センサ３のｙ２側の辺およびｘ２側の辺に沿って配置されている。図６に示すように、電極パッド２１は、周縁部が保護膜１７によって覆われており、その内側が露出している。そして、この露出部分に、ボンディングワイヤ４がボンディングされる。「電極パッド２１」は、本発明の「電極」および「電子部品電極」に相当する。
気圧センサ３は、気圧を検出するためのセンサである。気圧センサ３は、気圧を検出し、その検出結果を電気信号として電子部品２に出力する。気圧センサ３は、直方体形状であり、主面３ａ、実装面３ｂおよび側面３ｃを有する。主面３ａおよび実装面３ｂは、気圧センサ３の厚さ方向（ｚ方向）において互いに反対側を向いている。主面３ａは、ｚ１方向を向く面である。実装面３ｂは、ｚ２方向を向く面であり、気圧センサ３を電子部品２に実装する際に利用される面である。側面３ｃは、主面３ａおよび実装面３ｂを繋ぐ面であり、ｘ方向またはｙ方向を向いており、ｚ方向に平行である。本実施形態においては、気圧センサ３のｚ方向の寸法は３０〜４０μｍ程度であり、ｘ方向およびｙ方向の寸法はそれぞれ０．７〜１ｍｍ程度である。図３に示すように、気圧センサ３は、シリコン基板３１およびガラス基板３２を備えている。「気圧センサ３」は、本発明の「センサ」に相当する。また、「主面３ａ」、「実装面３ｂ」、「側面３ｃ」は、それぞれ、本発明の「センサ主面」、「センサ裏面」、「センサ側面」に相当する。また、「シリコン基板３１」は本発明の「支持部」に相当し、「ガラス基板３２」は本発明の「カバー」に相当する。
シリコン基板３１は、シリコンを積層した箱形状をなし、ダイアフラム３１１およびダイアフラム３１１の外縁を支持する支持層３１２を備えている。シリコン基板３１は、積層されたシリコン基板に、所定のエッチングマスクを介してエッチングを施すことで形成される。エッチングされて薄膜状となった部分が、ダイアフラム３１１になる。薄膜状というのは、少なくとも支持層３１２の厚さ（ｚ方向の寸法）より薄く、後述するキャビティ３３内の気圧とキャビティ３３外部の気圧との差で変形可能な厚さであることを意味している。なお、シリコン基板３１の形成方法は限定されず、薄膜状のダイアフラム３１１を形成できればよい。本実施形態においては、ダイアフラム３１１の厚さ（ｚ方向の寸法）は、７μｍ程度である。
ガラス基板３２は、シリコン基板３１に形成された開口部を塞ぐように、支持層３１２に固定される。ガラス基板３２とシリコン基板３１とは、例えば陽極接合によって接合される。なお、ガラス基板３２とシリコン基板３１とは、その他の接合方法（例えば接着剤による接着）によって接合されていてもよい。ダイアフラム３１１、支持層３１２およびガラス基板３２で囲まれた空間は密閉されて、圧力が一定に保たれるキャビティ３３になる。本実施形態では、キャビティ３３は、絶対真空に近い真空とされている。また、本実施形態では、ダイアフラム３１１を平面視矩形状としており、キャビティ３３を直方体形状の空間としている（図２においては、実際には見えないキャビティ３３を一点鎖線で示している）。なお、ダイアフラム３１１およびキャビティ３３の形状は限定されない。例えば、ダイアフラム３１１を平面視円形状としてもよい。この場合、キャビティ３３は円柱形状になる。「キャビティ３３」は、本発明の「中空部分」に相当する。
気圧センサ３は、キャビティ３３内の気圧とキャビティ３３外部の気圧との差で変形するダイアフラム３１１の形状（歪み具合）に応じた電気信号を生成して、電子部品２に出力する。
図８は、気圧センサ３の平面図であり、配線パターンの一例を示している。図９は、図８のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。
図９に示すように、シリコン基板３１は、シリコン層３１ａとシリコン層３１ｃとの間に酸化層３１ｂを配置して積層されたシリコン基板を、ｘ２方向から酸化層３１ｂまでエッチングを施すことで形成されている。残ったシリコン層３１ａが、ダイアフラム３１１になる。また、シリコン層３１ａのｘ１方向の面には、不純物の拡散によって拡散抵抗３７が形成され、不純物の拡散によって拡散配線３６が形成されている。拡散抵抗３７は、ダイアフラム３１１に形成されており、ダイアフラム３１１の変形に応じて抵抗値が変化するゲージ抵抗である。また、シリコン層３１ａのｘ１方向の面には、スパッタにより金属配線３５が形成され、金属配線３５の所定の位置に、電極パッド３４が形成されている。図８においては、拡散抵抗３７および拡散配線３６を破線で示している。「電極パッド３４」は、本発明の「第３電極」および「センサ電極」に相当する。
図８に示すように、気圧センサ３のダイアフラム３１１内には、４つの拡散抵抗３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄが配置されている。４つの拡散抵抗３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄは、金属配線３５および拡散配線３６によって接続されて、ブリッジ回路を構成している。また、気圧センサ３のダイアフラム３１１の周囲には、４つの電極パッド３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄが配置されている。電極パッド３４ａは、拡散抵抗３７ａと拡散抵抗３７ｃとを接続する金属配線３５に接続されている。電極パッド３４ｂは、拡散抵抗３７ａと拡散抵抗３７ｂとを接続する金属配線３５に接続されている。電極パッド３４ｃは、拡散抵抗３７ｃと拡散抵抗３７ｄとを接続する金属配線３５に接続されている。電極パッド３４ｄは、拡散抵抗３７ｂと拡散抵抗３７ｄとを接続する金属配線３５に接続されている。電極パッド３４ａと電極パッド３４ｄとの間には、例えば５Ｖの基準電圧が印加され、電極パッド３４ｂと電極パッド３４ｃとの間の電圧が電気信号として、電子部品２に出力される。拡散抵抗３７ｂおよび拡散抵抗３７ｃは、ダイアフラム３１１が歪むことによって、電流の流れる方向（図８では長手方向）に延びるので、抵抗値が大きくなる。一方、拡散抵抗３７ａおよび拡散抵抗３７ｄは、ダイアフラム３１１が歪むことによって、電流の流れる方向に直交する方向（図８では短手方向）に延びるので、抵抗値が小さくなる。これにより、ダイアフラム３１１の歪み具合に応じて、電極パッド３４ｂと電極パッド３４ｃとの間の電圧が変化する。なお、図８は、配線パターンの一例であり、電極パッド３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ、拡散抵抗３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄ、拡散配線３６および金属配線３５の配置位置および接続方法は限定されない。
図１〜図３に示すように、気圧センサ３は、電子部品２の搭載面２ａの中央に対して、ｘ１方向およびｙ１方向寄りに搭載されている。気圧センサ３と電子部品２とは、図示しないシリコーン樹脂などの接合部材によって接合されている。気圧センサ３の電極パッド３４（３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ）は、基板１の電極パッド１１に導通接合されている。電極パッド３４には、ボンディングワイヤ４がボンディングされる。電極パッド３４は、例えばＡｌやアルミ合金などの金属からなる。各電極パッド３４は、基板１の電極パッド１１および配線パターンを介して、電子部品２の電極パッド２１と電気的に接続されている。なお、気圧センサ３の電極パッド３４と電子部品２の電極パッド２１とを、ボンディングワイヤ４で接続するようにしてもよい。
ボンディングワイヤ４は、基板１の電極パッド１１と、電子部品２の電極パッド２１または気圧センサ３の電極パッド３４とを導通させるためのものであり、たとえばＡｕ等の金属からなる。なお、ボンディングワイヤ４の素材は限定されず、たとえばＡｌ，Ｃｕなどであってもよい。ボンディングワイヤ４の一端は電極パッド１１にボンディングされており、他端は電極パッド２１または電極パッド３４にボンディングされている。
保護部材５は、電子部品２の電極パッド２１を覆うように形成されている。本実施形態では、気圧センサ３が電子部品２の搭載面２ａの中央に対してｘ１方向およびｙ１方向寄りに搭載されており、電子部品２の電極パッド２１は、平面視において、搭載面２ａのうち、気圧センサ３と離間する位置に配置されている。つまり、電極パッド２１は、搭載面２ａのうち、気圧センサ３のｘ２方向側の領域と、気圧センサ３のｙ２方向側の領域とに配置されている。保護部材５は、各電極パッド２１を連続的に覆っている（図２参照）。また、保護部材５は、気圧センサ３の側面３ｃに接するように形成されており、少なくとも、シリコン基板３１とガラス基板３２との接合面よりｚ１方向側に達している（図３参照）。さらに、保護部材５は、ボンディングワイヤ４がボンディングされた電極パッド２１からボンディングワイヤ４の曲率が最大となる部位まで連続的に覆っている（図３参照）。
保護部材５は、例えばシリコーン樹脂であり、シリコーンペーストを塗布した後に硬化させることで形成される。なお、保護部材５は、絶縁性の樹脂であればよく、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などであってもよい。また、保護部材５は、完全な固形物でなくてもよく、例えばグリースなどの半固形物であってもよい。シリコーンペースト（硬化される前の保護部材５）は流動性があるので、気圧センサ３の実装面３ｂと電子部品２の搭載面２ａとの隙間にも流れ込んでいる。したがって、保護部材５は、気圧センサ３の実装面３ｂと電子部品２の搭載面２ａとの間に位置する部分を有する。また、保護部材５は、表面張力により形成された、電極パッド２１から離れる方向に向かってボンディングワイヤ４に沿って突出する山形部５ａを有する。
カバー６は、金属製の箱形状の部材であり、電子部品２、気圧センサ３、ボンディングワイヤ４および保護部材５を囲うようにして、基板１の搭載面１ａに固着されている。なお、カバー６は金属以外の素材であってもよい。また、カバー６の製造方法は限定されない。カバー６と基板１の間の空間は、樹脂が充填されているのではなく、中空になっている。また、カバー６は、内部に外気を取り入れるための開口部６１を備えている。開口部６１が設けられ、中空になっていることで、気圧センサ３はセンサモジュールＡ１の周囲の気圧（例えば大気圧）を検出することができ、電子部品２の温度センサはセンサモジュールＡ１の周囲の気温を検出することができる。本実施形態では、開口部６１は、電子部品２の電極パッド２１のｚ１方向側の位置に１つだけ配置されている（図３参照）。なお、開口部６１の数は限定されない。
次に、図１０〜図１５に基づき、センサモジュールＡ１の製造方法について説明する。
図１０〜図１５は、センサモジュールＡ１の製造方法にかかる工程を示す斜視図である。なお、図１０〜図１５は、理解の便宜上、簡略化した図となっており、各電極パッド１１，２１，３４およびボンディングワイヤ４の数を削減して記載している。
最初に、基材に配線パターン１３などの各配線および電極パッド１１を形成したシート状基板８１を用意する。当該シート状基板８１は最終工程で裁断されて基板１になる。また、基板１と同様に、シート状基板８１は、搭載面１ａおよび実装面１ｂを有する。そして、図１０に示すように、シート状基板８１の搭載面１ａの所定の位置に、電子部品２を搭載する。
次に、図１１に示すように、電子部品２の電極パッド２１とシート状基板８１の電極パッド１１とを、ボンディングワイヤ４で接続する。図１１では、左上および右上の電子部品２のワイヤボンディングが終了して、左下の電子部品２のワイヤボンディングを行っている状態を示している。
次に、図１２に示すように、電子部品２の搭載面２ａの所定の位置に気圧センサ３を搭載する。
次に、図１３に示すように、電子部品２の各電極パッド２１を連続的に覆うように、シリコーンペースト８２を塗布する。シリコーンペースト８２は、粘度の高い液体であり、ノズル８３から吐出されて、電極パッド２１を覆う。また、シリコーンペースト８２は、気圧センサ３の側面３ｃに接するように塗布されており、気圧センサ３の実装面３ｂと電子部品２の搭載面２ａとの隙間にも流れ込んでいる。図１３では、左上および右上の電子部品２についてはシリコーンペースト８２の塗布が終了して、左下の電子部品２にシリコーンペースト８２を塗布している状態を示している。シリコーンペースト８２は、塗布された後、硬化されることで、保護部材５になる。
次に、図１４に示すように、気圧センサ３の電極パッド３４とシート状基板８１の電極パッド１１とを、ボンディングワイヤ４で接続する。図１４では、左上および右上の気圧センサ３のワイヤボンディングが終了して、左下の気圧センサ３のワイヤボンディングを行っている状態を示している。
次に、図１５に示すように、電子部品２、気圧センサ３、ボンディングワイヤ４および保護部材５を囲うように、カバー６を基板１の搭載面１ａに固着する。その後、センサモジュールＡ１ごとに裁断する。以上の工程を経ることにより、センサモジュールＡ１が製造される。
次に、センサモジュールＡ１の作用効果について説明する。
本実施形態によると、保護部材５が電子部品２の電極パッド２１を覆うように形成されている。したがって、開口部６１から塩水等の粒子が浸入した場合でも、塩水等によって電極パッド２１が腐食されることを防止することができる。また、保護部材５は、気圧センサ３の側面３ｃに接するように形成されている。したがって、気圧センサ３を強固に電子部品２に固定することができ、気圧センサ３が電子部品２から剥離することを抑制することができる。さらに、保護部材５は、気圧センサ３の２つの側面３ｃに接するように形成されている。したがって、気圧センサ３をより強固に電子部品２に固定することができる。
また、本実施形態によると、保護部材５は、気圧センサ３の側面３ｃの、少なくとも、シリコン基板３１とガラス基板３２との接合面よりｚ１方向側に達している。したがって、シリコン基板３１とガラス基板３２との接合部分に隙間が生じた場合でも、気圧センサ３の外部の気体がキャビティ３３内に流入することを阻止し、キャビティ３３内の圧力を保つことができる。また、保護部材５は、気圧センサ３の主面３ａまでは達していない。したがって、ダイアフラム３１１に保護部材５が付着して、正確に気圧を検出できなくなることを防止できる。
また、本実施形態によると、保護部材５は、ボンディングワイヤ４の断線が発生しやすい部位である、曲率が最大となる部位を覆っている。したがって、ボンディングワイヤ４の断線を抑制することができる。また、保護部材５は、ボンディングワイヤ４に沿って突出する山形部５ａを有する。したがって、基板１の熱応力によりボンディングワイヤ４が引っ張られたとしても、保護部材５の山形部５ａによって力が緩和されるので、ボンディングワイヤ４が電極パッド２１から剥離することを抑制することができる。また、ボンディングワイヤ４のうち保護部材５で覆われている部分は、塩水等による腐食を防止することができる。したがって、ボンディングワイヤ４の素材をＣｕやＡｌとすることもでき、選択の自由度が広がる。
また、本実施形態によると、シリコーンペースト（硬化される前の保護部材５）が気圧センサ３の実装面３ｂと電子部品２の搭載面２ａとの隙間にも流れ込んで硬化される。これにより、気圧センサ３と電子部品２との接合をより強固にすることができる。気圧センサ３と電子部品２とは接合部材によって接合されている。気圧センサ３と電子部品２との隙間では、気圧センサ３と電子部品２との接合時に塗布されて硬化された接合部材と、気圧センサ３と電子部品２とが接合された後に塗布されたシリコーンペーストが硬化された保護部材５とが空気層を挟んで存在する。当該空気層によって、基板１の熱応力が気圧センサ３に伝わりづらくなる。
また、本実施形態によると、気圧センサ３は電子部品２の搭載面２ａの中央に対してｘ１方向およびｙ１方向寄りに搭載されており、電極パッド２１は搭載面２ａのうち、気圧センサ３のｘ２方向側の領域と、気圧センサ３のｙ２方向側の領域とに配置されている。そして、保護部材５は、この２つの領域を覆うように形成されている。つまり、電子部品２の気圧センサ３が配置されない領域に保護部材５が配置されることで、電子部品２の重量のバランスが偏ることを抑制することができる。
また、本実施形態によると、カバー６の開口部６１は、電子部品２の電極パッド２１のｚ１方向側の位置に配置されている。しかし、電極パッド２１は、保護部材５によって覆われている。したがって、開口部６１から侵入した塩水等が、直接、電極パッド２１に降りかかることを防止することができる。
図１６〜図２５は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記第１実施形態と同一または類似の要素には、上記第１実施形態と同一の符号を付している。
〔第２実施形態〕
図１６は、本発明の第２実施形態にかかるセンサモジュールＡ２を示す平面図である。なお、理解の便宜上、図１６においては、カバー６の記載を省略している（図１７，図２３〜図２５についても同様）。
本実施形態のセンサモジュールＡ２は、保護部材５がすべての電極パッド２１を覆っておらず、一部の電極パッド２１をだけを覆うように形成されている点で、センサモジュールＡ１と異なる。図１６に示す破線による円Ａは、平面視における開口部６１の位置を示すものである。センサモジュールＡ２においては、保護部材５が円Ａの周辺に位置する（すなわち、開口部６１に近い位置の）電極パッド２１だけを覆うように形成されている。
本実施形態においては、開口部６１から浸入した塩水等がかかりやすい電極パッド２１を保護するとともに、保護部材５の使用量を抑制することができる。
〔第３実施形態〕
図１７は、本発明の第３実施形態にかかるセンサモジュールＡ３を示す平面図である。
本実施形態のセンサモジュールＡ３は、基板１の電極パッド１１および気圧センサ３の電極パッド３４も、それぞれ保護部材５で覆われている点で、センサモジュールＡ１と異なる。気圧センサ３の電極パッド３４を覆う保護部材５は、ダイアフラム３１１には達しないように形成されている。電極パッド１１を覆う保護部材５は本発明の「第２保護部材」に相当し、電極パッド３４を覆う保護部材５は本発明の「第３保護部材」に相当する。
本実施形態においては、電極パッド１１および電極パッド３４も、開口部６１より侵入した塩水等による腐食から保護することができる。電極パッド１１または電極パッド３４が、平面視における開口部６１の位置の近くに存在する場合や、Ａｌやアルミ合金などの、塩水等によって腐食されやすい金属である場合に、特に有効である。
なお、基板１の電極パッド１１および気圧センサ３の電極パッド３４の両方ではなく、いずれか一方のみが保護部材５で覆われていてもよい。また、基板１の電極パッド１１すべて、（または、気圧センサ３の電極パッド３４のすべて）が保護部材５で覆われていなくてもよい。開口部６１の位置に応じて、保護部材５で覆う領域を決定してもよい。
〔第４実施形態〕
図１８は、本発明の第４実施形態にかかるセンサモジュールＡ４を示す断面図である。図１８は、第１実施形態にかかるセンサモジュールＡ１における図３に相当する断面図である（図２２についても同様）。
本実施形態のセンサモジュールＡ４は、保護部材５が基板１の搭載面１ａまで達している点で、センサモジュールＡ１と異なる。図１８の下部に記載の要部拡大図に示すように、電子部品２は、実装面２ｂをダイアタッチフィルム７によって基板１の搭載面１ａに接合することで、基板１に搭載されている。したがって、実装面２ｂと搭載面１ａとの間には、隙間が存在する。保護部材５は、当該隙間にも形成されている。
図１９〜図２１は、センサモジュールＡ４の製造方法にかかる工程を示す断面図である。図１９〜図２１においては、各工程における１つのセンサモジュールＡ４に対応する部分を、図１８に相当する断面図として示している。
図１９は、図１０に示す工程の前段階の工程を示しており、シート状基板８１の搭載面１ａの所定の位置に、ダイアタッチフィルム７を配置した状態である。なお、当該工程は第１実施形態のものと変わるわけではない。
図２０は、図１０に示す工程と同じ工程を示しており、ダイアタッチフィルム７上に電子部品２を配置して、シート状基板８１の搭載面１ａに電子部品２を搭載した状態である。なお、当該工程も第１実施形態のものと変わるわけではない。
図２１は、図１３に示す工程と同様の工程を示しており、電子部品２の各電極パッド２１を連続的に覆うように、シリコーンペースト８２を塗布した状態である。本実施形態では、第１実施形態の場合（図１３参照）と異なり、シート状基板８１の搭載面１ａまで達するように、シリコーンペースト８２が塗布される。シリコーンペースト８２は流動性があるので、電子部品２の実装面２ｂと基板１の搭載面１ａとの隙間にも流れ込んでいる。これにより、センサモジュールＡ４においては、図１８に示すように、実装面２ｂと搭載面１ａとの接合部分の隙間にも、保護部材５が形成される。
本実施形態においては、保護部材５が基板１の搭載面１ａまで達している。また、保護部材５が電子部品２の実装面２ｂと基板１の搭載面１ａとの接合部分の隙間にも形成されている。したがって、センサモジュールＡ１の場合よりも、電子部品２をより強固に基板１に固定することができ、電子部品２が基板１から剥離することを抑制することができる。また、センサモジュールＡ４内に侵入した塩水等が、電子部品２の実装面２ｂと基板１の搭載面１ａとの接合部分の隙間に侵入することを抑制することができる。したがって、電子部品２と基板１とを接合するダイアタッチフィルム７などが塩水等によって腐食することを抑制することができる。
〔第５実施形態〕
図２２は、本発明の第５実施形態にかかるセンサモジュールＡ５を示す断面図である。
本実施形態のセンサモジュールＡ５は、保護部材５が気圧センサ３の主面３ａまで達している点で、センサモジュールＡ１と異なる。保護部材５は、主面３ａに形成されている回路部分には達しないように形成されている。
本実施形態においては、保護部材５が気圧センサ３の主面３ａまで達している。したがって、センサモジュールＡ１の場合よりも、気圧センサ３をより強固に電子部品２に固定することができ、気圧センサ３が電子部品２から剥離することを抑制することができる。なお、保護部材５が当該回路部分を覆っていてもよく、ダイアフラム３１１には達しないように形成されていればよい。
〔第６実施形態〕
図２３は、本発明の第６実施形態にかかるセンサモジュールＡ６を示す平面図である。
本実施形態のセンサモジュールＡ６は、基板１の搭載面１ａにおける電子部品２の搭載位置、および、電子部品２の搭載面２ａにおける気圧センサ３の搭載位置が異なる点で、センサモジュールＡ１と異なる。電子部品２は、基板１の搭載面１ａの中央に対してｘ１方向寄りではあるが、ｙ１―ｙ２方向においては中央に搭載されている。また、気圧センサ３も、電子部品２の搭載面２ａの中央に対してｘ１方向寄りではあるが、ｙ１―ｙ２方向においては中央に搭載されている。そして、基板１の電極パッド１１は、搭載面１ａのうち、電子部品２のｘ２方向側の領域、ｙ１方向側の領域およびｙ２方向側の領域に配置されている。また、電子部品２の電極パッド２１は、搭載面２ａのうち、気圧センサ３のｘ２方向側の領域、ｙ１方向側の領域およびｙ２方向側の領域に配置されている。保護部材５は、この３つの領域を覆うように形成されている。
本実施形態においては、保護部材５は、気圧センサ３の３つの側面３ｃに接するように形成されている。したがって、センサモジュールＡ１の場合よりも、気圧センサ３をより強固に電子部品２に固定することができ、気圧センサ３が電子部品２から剥離することを抑制することができる。また、気圧センサ３のシリコン基板３１とガラス基板３２との接合部分のより広い領域を保護部材５が覆っている。したがって、シリコン基板３１とガラス基板３２との接合部分に隙間が生じた場合に、センサモジュールＡ１の場合よりも、キャビティ３３内の圧力を保つことができる可能性が高い。また、センサモジュールＡ１の場合よりも、電極パッド１１，２１の配置に自由度が高くなり、基板１および電子部品２の配線パターンの自由度も高くなる。
なお、基板１の搭載面１ａにおける電子部品２の搭載位置、および、電子部品２の搭載面２ａにおける気圧センサ３の搭載位置は、限定されない。また、電極パッド１１および電極パッド２１の配置位置も限定されない。例えば、電子部品２を基板１の搭載面１ａの中央に搭載し、気圧センサ３を電子部品２の搭載面２ａの中央に搭載し、電極パッド１１を電子部品２の周囲を囲むように配置し、電極パッド２１を気圧センサ３の周囲を囲むように配置してもよい。この場合、電極パッド２１を覆う保護部材５は、気圧センサ３の４つの側面３ｃに接するように形成される。したがって、気圧センサ３をさらに強固に電子部品２に固定することができ、気圧センサ３が電子部品２から剥離することを抑制することができる。また、気圧センサ３のシリコン基板３１とガラス基板３２との接合部分を全周にわたって保護部材５が覆う。したがって、シリコン基板３１とガラス基板３２との接合部分に隙間が生じた場合でも、キャビティ３３内の圧力を保つことができる。また、電極パッド１１，２１の配置、および、基板１および電子部品２の配線パターンの自由度がより高くなる。一方、基板１の搭載面１ａおよび電子部品２の搭載面２ａの面積は、より広くなるので、小型化の観点からは、センサモジュールＡ１の方が有利である。
〔第７実施形態〕
図２４は、本発明の第７実施形態にかかるセンサモジュールＡ７を示す平面図である。
本実施形態のセンサモジュールＡ７は、電子部品２を備えていない点で、センサモジュールＡ１と異なる。気圧センサ３は、基板１の搭載面１ａに搭載されている。センサモジュールＡ７は、気圧センサ３が検出した電気信号をそのまま（信号処理を行うことなく）出力する。したがって、センサモジュールＡ１を各種電子機器の回路基板に実装する場合は、信号処理を行う回路素子（電子部品２に相当するもの）も回路基板に実装する必要がある。気圧センサ３の電極パッド３４は、ボンディングワイヤ４によって、基板１の電極パッド１１に接続されている。保護部材５は、基板１の電極パッド１１を覆うように形成されている。本実施形態においては、「基板１」が本発明の「基板」に相当し、「電極パッド１１」が本発明の「電極」に相当する。
本実施形態においては、保護部材５が基板１の電極パッド１１を覆うように形成されている。したがって、開口部６１から塩水等の粒子が浸入した場合でも、塩水等によって電極パッド１１が腐食されることを防止することができる。また、保護部材５は、気圧センサ３の側面３ｃに接するように形成されている。したがって、気圧センサ３を強固に基板１に固定することができ、気圧センサ３が基板１から剥離することを抑制することができる。さらに、保護部材５は、気圧センサ３の２つの側面３ｃに接するように形成されている。したがって、気圧センサ３をより強固に基板１に固定することができる。
また、本実施形態によると、シリコーンペースト（硬化される前の保護部材５）が気圧センサ３の実装面３ｂと基板１の搭載面１ａとの隙間にも流れ込んで硬化される。これにより、気圧センサ３と基板１との接合をより強固にすることができる。気圧センサ３と基板１とは接合部材によって接合されている。気圧センサ３と基板１との隙間では、気圧センサ３と基板１との接合時に塗布されて硬化された接合部材と、気圧センサ３と基板１とが接合された後に塗布されたシリコーンペーストが硬化された保護部材５とが空気層を挟んで存在する。当該空気層によって、基板１の熱応力が気圧センサ３に伝わりづらくなる。
また、本実施形態によると、気圧センサ３は基板１の搭載面１ａの中央に対してｘ１方向およびｙ１方向寄りに搭載されており、電極パッド１１は搭載面１ａのうち、気圧センサ３のｘ２方向側の領域と、気圧センサ３のｙ２方向側の領域とに配置されている。そして、保護部材５は、この２つの領域を覆うように形成されている。つまり、基板１の気圧センサ３が配置されない領域に保護部材５が配置されることで、基板１の重量のバランスが偏ることを抑制することができる。
また、本実施形態によると、カバー６の開口部６１は、基板１の電極パッド１１のｚ１方向側の位置に配置されている。しかし、電極パッド１１は、保護部材５によって覆われている。したがって、開口部６１から侵入した塩水等が、直接、電極パッド１１に降りかかることを防止することができる。
〔第８実施形態〕
図２５は、本発明の第８実施形態にかかるセンサモジュールＡ８を示す平面図である。
本実施形態のセンサモジュールＡ８は、気圧センサ３が電子部品２に搭載されず、基板１に搭載されている点で、センサモジュールＡ１と異なる。気圧センサ３の電極パッド３４は、ボンディングワイヤ４によって、基板１の電極パッド１１に接続されている。保護部材５は、基板１の電極パッド１１を覆うように形成されている。本実施形態においては、「基板１」が本発明の「基板」に相当し、「電極パッド１１」が本発明の「電極」に相当する。
本実施形態においても第７実施形態と同様の効果を奏することができる。
なお、上記第１ないし第８実施形態においては、センサモジュールＡ１〜Ａ８が気圧センサ３を搭載した場合について説明したが、これに限られない。例えば、気圧センサ３に代えて、気温センサや湿度センサなどを搭載してもよい。また、ガスセンサやアルコールセンサなどの気体や微粒子を検出するセンサを搭載してもよい。
本発明にかかるセンサモジュールおよびその製造方法は、先述した実施形態に限定されるものではない。本発明にかかるセンサモジュールおよびその製造方法の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
Ａ１〜Ａ８：センサモジュール
１ ：基板
１ａ ：搭載面
１ｂ ：実装面
１ｃ ：側面
１１ ：電極パッド
１２ ：電極パッド
１３ ：配線パターン
１４ ：貫通配線
１５ ：中層配線
１６ ：配線パターン
１７ ：保護膜
２ ：電子部品
２ａ ：搭載面
２ｂ ：実装面
２ｃ ：側面
２１ ：電極パッド
２２ ：温度センサ
２３ ：マルチプレクサ
２４ ：アナログ／デジタル変換回路
２５ ：信号処理部
２６ ：クロック
２７ ：記憶部
２８ ：インターフェイス
３ ：気圧センサ
３ａ ：主面
３ｂ ：実装面
３ｃ ：側面
３１ ：シリコン基板
３１１ ：ダイアフラム
３１２ ：支持層
３１ａ ：シリコン層
３１ｂ ：酸化層
３１ｃ ：シリコン層
３２ ：ガラス基板
３３ ：キャビティ
３４，３４ａ〜３４ｄ ：電極パッド
３５ ：金属配線
３６ ：拡散配線
３７，３７ａ〜３７ｄ ：拡散抵抗
４ ：ボンディングワイヤ
５ ：保護部材
５ａ ：山形部
６ ：カバー
６１ ：開口部
７ ：ダイアタッチフィルム
８１ ：シート状基板
８２ ：シリコーンペースト
８３ ：ノズル

Claims (27)

  1. 互いに反対側を向く基板主面および基板裏面を有し、前記基板主面に電極が設けられた基板と、
    互いに反対側を向くセンサ主面およびセンサ裏面と、前記センサ主面およびセンサ裏面を繋ぐセンサ側面とを有し、前記センサ裏面を前記基板側に向けて、前記基板主面に搭載されたセンサと、
    前記電極に接続されるボンディングワイヤと、
    前記電極を覆う保護部材と、
    を備えており、
    前記保護部材は、前記ボンディングワイヤの一部を露出させており、かつ、前記センサ側面に接している、
    ことを特徴とするセンサモジュール。
  2. 前記保護部材は、前記電極から、前記ボンディングワイヤの曲率が最大となる部位まで連続的に覆っている、
    請求項１に記載のセンサモジュール。
  3. 前記センサは、凹部を有する支持部と、前記支持部の開口を塞ぐカバーとを備えている、
    請求項１または２に記載のセンサモジュール。
  4. 前記保護部材は、前記支持部と前記カバーとの境界の少なくとも一部を覆っている、
    請求項３に記載のセンサモジュール。
  5. 前記保護部材は、前記センサ主面の少なくとも一部を露出させている、
    請求項１ないし４のいずれかに記載のセンサモジュール。
  6. 前記センサは、前記センサ主面に形成された回路を備えており、
    前記保護部材は、前記回路を露出させている、
    請求項１ないし５のいずれかに記載のセンサモジュール。
  7. 前記センサは、中空部分を備えており、
    前記保護部材は、前記センサ主面の、平面視において前記中空部分が位置する領域を露出させている、
    請求項１ないし６のいずれかに記載のセンサモジュール。
  8. 前記保護部材は、前記基板主面と前記センサ裏面との間に位置する部分を有する、
    請求項１ないし７のいずれかに記載のセンサモジュール。
  9. 前記センサ側面は複数あり、
    前記保護部材は、前記複数のセンサ側面のうち、連続する少なくとも２つのセンサ側面のそれぞれの一部を覆っている、
    請求項１ないし８のいずれかに記載のセンサモジュール。
  10. 前記保護部材は、前記基板の前記電極から離れる方向に向かって前記ボンディングワイヤに沿って突出する山形部を有する、
    請求項１ないし９のいずれかに記載のセンサモジュール。
  11. 前記基板は、前記基板主面および基板裏面を繋ぐ４つの基板側面を有し、
    前記センサは、前記基板主面の中央に対して、連続する２つの基板側面寄りに搭載されており、
    前記電極は、前記基板主面の、前記２つの基板側面とは異なる連続する２つの基板側面側の電極配置領域に複数設けられており、
    前記保護部材は、前記電極配置領域を覆っている、
    請求項１ないし１０のいずれかに記載のセンサモジュール。
  12. 前記保護部材は、シリコーン樹脂である、
    請求項１ないし１１のいずれかに記載のセンサモジュール。
  13. 前記基板と前記センサとを接合する接合部材をさらに備えており、
    前記保護部材は、前記接合部材と同じ素材である、
    請求項１ないし１２のいずれかに記載のセンサモジュール。
  14. 前記電極は、Ａｌまたはアルミ合金からなる、
    請求項１ないし１３のいずれかに記載のセンサモジュール。
  15. 前記基板は電子部品である、
    請求項１ないし１４のいずれかに記載のセンサモジュール。
  16. 互いに反対側を向く第２基板主面および第２基板裏面を有し、前記第２基板主面に第２電極が設けられた第２基板をさらに備えており、
    前記基板は、前記第２基板主面に搭載されている、
    請求項１ないし１５のいずれかに記載のセンサモジュール。
  17. 前記第２基板は、前記第２基板主面および第２基板裏面を繋ぐ４つの第２基板側面を有し、
    前記基板は、前記第２基板主面の中央に対して、連続する２つの第２基板側面寄りに搭載されており、
    前記第２電極は、前記第２基板主面の、前記２つの第２基板側面とは異なる連続する２つの第２基板側面側の第２電極配置領域に複数設けられている、
    請求項１６に記載のセンサモジュール。
  18. 前記保護部材は、前記第２基板主面まで連続的に覆っている、
    請求項１６または１７に記載のセンサモジュール。
  19. 前記第２電極を覆う第２保護部材をさらに備えている、
    請求項１６ないし１８のいずれかに記載のセンサモジュール。
  20. 前記基板主面に搭載される電子部品をさらに備えている、
    請求項１ないし１４のいずれかに記載のセンサモジュール。
  21. 前記センサは、前記センサ主面に形成された第３電極を備えており、
    前記第３電極を覆う第３保護部材をさらに備えている、
    請求項１ないし２０のいずれかに記載のセンサモジュール。
  22. 箱形状をなし、前記センサ、前記ボンディングワイヤおよび前記保護部材を囲うように配置される第２のカバーをさらに備えている、
    請求項１ないし２１のいずれかに記載のセンサモジュール。
  23. 前記第２のカバーには、開口部が設けられている、
    請求項２２に記載のセンサモジュール。
  24. 前記電極は複数設けられており、
    少なくとも、平面視において前記開口部に対して最も近い位置に設けられている電極は、前記保護部材によって覆われている、
    請求項２３に記載のセンサモジュール。
  25. 前記第２のカバーは金属製である、
    請求項２２ないし２４のいずれかに記載のセンサモジュール。
  26. 前記センサは気圧センサである、
    請求項１ないし２５のいずれかに記載のセンサモジュール。
  27. 互いに反対側を向く主面および裏面を有し、前記主面に基板電極が設けられたシート状基板を用意する第１の工程と、
    前記シート状基板の主面に、電子部品電極が設けられた電子部品を搭載する第２の工程と、
    前記基板電極と前記電子部品電極とをボンディングワイヤで接続する第３の工程と、
    前記電子部品の前記シート状基板とは反対側の面に、互いに反対側を向くセンサ主面およびセンサ裏面と、前記センサ主面およびセンサ裏面を繋ぐセンサ側面とを有し、前記センサ主面にセンサ電極が設けられたセンサを搭載する第４の工程と、
    前記電子部品電極を覆い、かつ、前記センサ側面に接するように、シリコーンペーストを塗布し、硬化させることで保護部材を形成する第５の工程と、
    前記センサ電極と前記基板電極とをボンディングワイヤで接続する第６の工程と、
    箱形状をなすカバーを、前記電子部品、センサ、ボンディングワイヤおよび保護部材を囲うようにして、前記シート状基板の主面に固着する第７の工程と、
    を備えていることを特徴とする、センサモジュールの製造方法。
JP2016246523A 2016-12-20 2016-12-20 センサモジュールおよびその製造方法 Active JP6947367B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016246523A JP6947367B2 (ja) 2016-12-20 2016-12-20 センサモジュールおよびその製造方法
US15/830,815 US10794784B2 (en) 2016-12-20 2017-12-04 Sensor module and method of making the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016246523A JP6947367B2 (ja) 2016-12-20 2016-12-20 センサモジュールおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018101684A true JP2018101684A (ja) 2018-06-28
JP6947367B2 JP6947367B2 (ja) 2021-10-13

Family

ID=62561394

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016246523A Active JP6947367B2 (ja) 2016-12-20 2016-12-20 センサモジュールおよびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10794784B2 (ja)
JP (1) JP6947367B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017133017A1 (zh) * 2016-02-06 2017-08-10 深圳纽迪瑞科技开发有限公司 压力传感器、电子设备及该压力传感器的制作方法
DE102018106560A1 (de) * 2017-10-17 2019-04-18 Infineon Technologies Ag Drucksensorbauelemente und Verfahren zum Herstellen von Drucksensorbauelementen
JP3228886U (ja) * 2017-11-07 2020-11-19 アルプスアルパイン株式会社 圧力センサ

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11121687A (ja) * 1997-10-21 1999-04-30 Rohm Co Ltd 半導体装置、およびこの製造方法
US20070040264A1 (en) * 2002-07-08 2007-02-22 Hall Frank L Underfilled semiconductor die assemblies and methods of forming the same
CN101958252A (zh) * 2009-07-21 2011-01-26 深迪半导体(上海)有限公司 超小型微电子电路的平面型载体空腔气密性封装方法
WO2011010571A1 (ja) * 2009-07-24 2011-01-27 ローム株式会社 半導体圧力センサ、圧力センサ装置、電子機器、および半導体圧力センサの製造方法
JP2012013528A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Dainippon Printing Co Ltd センサデバイスの製造方法及びセンサデバイス
JP2012091243A (ja) * 2010-10-25 2012-05-17 Dainippon Printing Co Ltd Ｍｅｍｓデバイス及びその製造方法
JP2014022400A (ja) * 2012-07-12 2014-02-03 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2015014543A (ja) * 2013-07-05 2015-01-22 株式会社デンソー 半導体パッケージ
JP2016039190A (ja) * 2014-08-05 2016-03-22 シャープ株式会社 半導体装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08193897A (ja) * 1995-01-19 1996-07-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサ
US20090293618A1 (en) * 2005-08-18 2009-12-03 C & N Inc. Acceleration Sensor Device
FR2989825B1 (fr) * 2012-04-18 2014-06-06 Centre Nat Rech Scient Dispositif electrique et procede de fabrication de celui-ci
US9013013B1 (en) * 2013-12-06 2015-04-21 Infineon Technologies Ag Pressure sensor package having a stacked die arrangement

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11121687A (ja) * 1997-10-21 1999-04-30 Rohm Co Ltd 半導体装置、およびこの製造方法
US20070040264A1 (en) * 2002-07-08 2007-02-22 Hall Frank L Underfilled semiconductor die assemblies and methods of forming the same
CN101958252A (zh) * 2009-07-21 2011-01-26 深迪半导体(上海)有限公司 超小型微电子电路的平面型载体空腔气密性封装方法
WO2011010571A1 (ja) * 2009-07-24 2011-01-27 ローム株式会社 半導体圧力センサ、圧力センサ装置、電子機器、および半導体圧力センサの製造方法
JP2012013528A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Dainippon Printing Co Ltd センサデバイスの製造方法及びセンサデバイス
JP2012091243A (ja) * 2010-10-25 2012-05-17 Dainippon Printing Co Ltd Ｍｅｍｓデバイス及びその製造方法
JP2014022400A (ja) * 2012-07-12 2014-02-03 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2015014543A (ja) * 2013-07-05 2015-01-22 株式会社デンソー 半導体パッケージ
JP2016039190A (ja) * 2014-08-05 2016-03-22 シャープ株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6947367B2 (ja) 2021-10-13
US10794784B2 (en) 2020-10-06
US20180172531A1 (en) 2018-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4740678B2 (ja) 半導体装置
JP6024481B2 (ja) 半導体圧力センサ
JP5045769B2 (ja) センサ装置の製造方法
JP5212133B2 (ja) 流量式センサ
JP7408764B2 (ja) Ｍｅｍｓ素子およびｍｅｍｓモジュール
JP6947367B2 (ja) センサモジュールおよびその製造方法
JP2007035965A (ja) 半導体装置およびその製造方法、ならびにそれに使用される接着材料およびその製造方法
JP2011180146A (ja) 半導体装置
US11662262B2 (en) Sensor unit and method of interconnecting a substrate and a carrier
JP2009076588A (ja) センサーパッケージとその製造方法
JP6923316B2 (ja) センサモジュール
JP6867796B2 (ja) センサモジュールおよびセンサモジュールの製造方法
JP7029297B2 (ja) 電子素子モジュール
JP4706634B2 (ja) 半導体センサおよびその製造方法
WO2022080130A1 (ja) センサモジュールおよびその製造方法
JP2019024084A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2010197286A (ja) 加速度センサ及び加速度センサの製造方法
US20230016038A1 (en) Mems module and method of manufacturing mems module
US20230016416A1 (en) Mems module and method of manufacturing mems module
US20240059554A1 (en) Mems module
JP2018205304A (ja) Ｍｅｍｓ素子の製造方法、ｍｅｍｓ素子およびｍｅｍｓモジュール
JP2022071552A (ja) Ｍｅｍｓモジュール及びその製造方法
JP2010230513A (ja) 加速度センサ及び加速度センサの製造方法
JPWO2021131615A1 (ja) 半導体力センサ
JP2018081036A (ja) 複合センサ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191119

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200924

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201224

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210601

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210625

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210817

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210908

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6947367

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150