JP2018093237A - 太陽電池 - Google Patents
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Abstract
Description
太陽電池1は、図1及び図2に示すように、半導体基板10n、第1半導体層20n、第2半導体層30p、絶縁層40、第1電極50n、第2電極50p、接続電極70n及び、接続電極70pを備える。
本実施形態の太陽電池1の製造方法について、図3から図10を参照しながら説明する。図3は、本実施形態の太陽電池1の製造方法を説明するためのフローチャートである。図4から図10は、本実施形態の太陽電池1の製造方法を説明するための図である。
10n…半導体基板
12…裏面
20n…第1半導体層
22i…i型非晶質半導体層
25n…n型非晶質半導体層
27…第1半導体層の端部
30p…第2半導体層
32i…i型非晶質半導体層
35p…p型非晶質半導体層
37…第2半導体層の端部
40…絶縁層
41…タングステン含有層
42…境界領域
50n…第1電極
50p…第2電極
52…透明電極層
52n…第1透明電極層
52p…第2透明電極層
53…金属電極層
53n…第1金属電極層
53p…第2金属電極層
55n…第1収集電極層
55p…第2収集電極層
60…分離溝
70n,70p…接続電極
Claims (3)
- 受光面と裏面とを有する第1導電型または第2導電型の半導体基板と、
前記裏面上に形成される第1導電型を有する第1半導体層と、
前記裏面上に形成される第2導電型を有する第2半導体層と、
前記第1半導体層の上に形成される第1金属電極層と、
前記第2半導体層の上に形成される第2金属電極層と、
前記第1半導体層が設けられる第1導電型領域と前記第2半導体層が設けられる第2導電型領域の境界領域に設けられる窒化ケイ素または酸化ケイ素からなる絶縁層とを備え、
前記絶縁層は、前記第1半導体層の上に設けられ、前記絶縁層の上に前記第2半導体層が設けられており、前記第1半導体層と前記絶縁層との間に、タングステン含有層が形成されており、
前記タングステン含有層におけるタングステンの含有量は、1010〜1012atms/cm2である、太陽電池。 - 前記第1半導体層が、真性の非晶質半導体層と第1導電型を有する第1非晶質半導体層から構成されており、前記第2半導体層が、真性の非晶質半導体層と第2導電型を有する第2非晶質半導体層から構成されている、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記第1金属電極層及び前記第2金属電極層が、銅、アルミニウム及び銀からなるグループより選ばれる少なくとも1種から形成されている、請求項1または2に記載の太陽電池。
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