JP2018092984A - 発光装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】配線基板等に対する実装が容易な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置の製造方法は、第１面１１０ｂおよび第２面１１０ｕと、第１面上に位置する正極１１２および負極１１４とを有する発光素子１１０を、第１面が支持層３００に対向するように支持層上に配置する工程（Ａ）と、第３面１２０ｂ側に第１端子１２２および第２端子１２４が設けられた保護素子１２０Ａを、第３面が支持層に対向するように支持層上に配置する工程（Ｂ）と、第２面の上方に保護層１６０を配置する工程（Ｃ）と、樹脂組成物で少なくとも発光素子および保護層の側部を覆った後、樹脂組成物を硬化させる工程（Ｄ）と、正極、負極、第１端子および第２端子を露出させる工程（Ｅ）と、正極および第１端子に電気的に接続された第１電極１０２、ならびに、負極および第２端子に電気的に接続された第２電極１０４を形成する工程（Ｆ）とを含む。
【選択図】図１

Description

本開示は、発光素子の製造方法に関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ）に代表される半導体発光素子は、静電破壊の防止のために、保護素子とともに用いられることがある。例えば下記の特許文献１は、凹部を有するパッケージの凹部内にＬＥＤチップおよび保護素子を配置し、凹部内に露出された正側および負側のリード電極にＬＥＤチップおよび保護素子を接続した構造を開示している。下記の特許文献２は、セラミック基板の同一面に接続されたＬＥＤおよび定電圧ダイオードを有するＬＥＤモジュールを開示している。特許文献１および２に示されるように、半導体発光素子とともに保護素子を用いる場合、基板等の支持体に電極を設け、これらの素子を基板上の電極に電気的に接続することが一般的である。
韓国登録特許第１０−０７６９７２０号公報 特開２０１４−０２６９９３号公報
しかしながら、半導体発光素子および保護素子を基板等の支持体上の電極に接続することによって半導体発光素子のパッケージを形成する方法では、基板上または基板内に導電構造を予め形成しておく必要がある。このような構成を採用する場合、電気的な接続のために支持体および／または電極の形状が複雑になりやすい。換言すれば、製造工程が複雑化してしまう。
本開示のある例示的な一実施形態は、配線基板等に対する実装が容易な発光装置を提供する。
本開示の発光装置の製造方法は、第１面および前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面上に位置する正極および負極とを有する発光素子を、前記第１面が支持層に対向するように前記発光素子を前記支持層上に配置する工程（Ａ）と、第３面を有し、前記第３面側に第１端子および第２端子が設けられた保護素子を、前記第３面が支持層に対向するように前記保護素子を前記支持層上に配置する工程（Ｂ）と、前記発光素子の前記第２面の上方に保護層を配置する工程（Ｃ）と、樹脂組成物で少なくとも前記発光素子および前記保護層の側部を覆った後、前記樹脂組成物を硬化させる工程（Ｄ）と、前記支持層を除去することにより、前記正極、前記負極、前記第１端子および前記第２端子を露出させる工程（Ｅ）と、前記正極および前記第１端子に電気的に接続された第１電極、ならびに、前記負極および前記第２端子に電気的に接続された第２電極を形成する工程（Ｆ）とを含む。
本開示の実施形態によれば、工程の複雑化を抑制しながら、配線基板等に対する実装が容易な発光装置を提供することが可能である。
図１は、本開示のある実施形態による製造方法によって得られる発光装置の例示的な構成を示す模式的な断面図である。 図２は、本開示のある実施形態による製造方法によって得られる発光装置の例示的な構成を示す模式的な底面図である。 図３は、本開示のある実施形態による製造方法によって得られる発光装置の他の例を示す模式的な断面図である。 図４は、本開示のある実施形態による製造方法によって得られる発光装置の他の例を示す模式的な平面図である。 図５は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の概略を示すフローチャートである。 図６は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の製造工程を説明するための図である。 図７は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の製造工程を説明するための図である。 図８は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の製造工程を説明するための図である。 図９は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の製造工程を説明するための図である。 図１０は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の製造工程を説明するための図である。 図１１は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の製造工程を説明するための図である。 図１２は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の製造工程を説明するための図である。 図１３は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の製造工程を説明するための図である。 図１４は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の製造工程を説明するための図である。 図１５は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の製造工程を説明するための図である。 図１６は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の製造工程を説明するための図である。 図１７は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の製造工程を説明するための図である。 図１８は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の製造工程を説明するための図である。 図１９は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の製造工程を説明するための図である。 図２０は、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法の概略を示すフローチャートである。 図２１は、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図２２は、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図２３は、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図２４は、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図２５は、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図２６は、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図２７Ａは、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法を説明するための図である。 図２７Ｂは、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法の変形例を説明するための図である。 図２８は、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図２９は、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図３０は、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図３１は、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図３２は、本開示の他のある実施形態による製造方法によって得られる発光装置の例示的な構成を示す模式図である。 図３３は、端子に接続されたリード線を第１導電部材１２２ｗおよび第２導電部材１２４ｗとして有する保護素子１２０Ｃを用いた場合の発光装置の製造工程の一部を示す模式的な断面図である。 図３４は、保護素子１２０Ｃを用いた場合の発光装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図３５は、保護素子１２０Ｃを用いた場合の発光装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図３６は、保護素子１２０Ｃを用いた場合の発光装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。 図３７は、保護素子１２０Ｃを有する発光装置の例示的な構成を示す模式図である。
以下、図面を参照しながら、本開示の実施形態を詳細に説明する。以下の実施形態は、例示であり、本開示による発光装置の構成およびその製造方法は、以下の実施形態に限られない。例えば、以下の実施形態で示される数値、形状、材料、ステップ、ステップの順序などは、あくまでも一例であり、技術的に矛盾が生じない限りにおいて種々の改変が可能である。
以下の説明では、特定の方向または位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」およびそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向または位置を分かり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向または位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。以下の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素は共通の参照符号で示し、説明を省略することがある。また、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略することがある。図面が示す構成要素の大きさ、位置関係等は、分かり易さのために誇張されている場合があり、実際の発光装置における大きさ、あるいは、実際の発光装置における構成要素間の大小関係を反映していない場合がある。
（発光装置の例示的な構成）
図１および図２は、本開示のある実施形態による製造方法によって得られる発光装置の例示的な構成を示す。図１および図２は、それぞれ、発光装置の模式的な断面図および底面図である。参考のために、図１および図２には、互いに直交するｘ軸、ｙ軸およびｚ軸が示されている。本開示の他の図面においても、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸を示すことがある。
まず、図１を参照する。図１に示す発光装置１００は、発光素子１１０と、保護素子１２０Ａと、光反射性樹脂層１３０とを有する。なお、図１では、説明の便宜のために、光反射性樹脂層１３０の一部を除いた状態の断面を示している。
発光素子１１０は、正極１１２および負極１１４が設けられた下面（第１面）１１０ｂと、光が出射される側の面である上面（第２面）１１０ｕとを有する。ここでは、ｚ方向は、発光素子１１０の上面１１０ｕの法線方向に平行である。発光素子１１０としては、半導体レーザ、ＬＥＤ等の公知の半導体発光素子を利用することができる。以下では、発光素子１１０としてＬＥＤを例示する。
保護素子１２０Ａは、上面１２０ｕと、下面（第３面）１２０ｂとを有する。保護素子１２０Ａは、少なくとも一部が下面１２０ｂ側に位置する第１端子１２２と第２端子１２４とを有する。なお、図１では、第１端子１２２および第２端子１２４が、保護素子１２０Ａの下面１２０ｂ上の電極として表現されている。しかしながら、これは、図面が過度に複雑になることを避けるために、第１端子１２２および第２端子１２４の形状および配置を模式的に示しているに過ぎず、第１端子１２２および第２端子１２４の全体が保護素子１２０Ａの下面１２０ｂ上に形成されていることは、必須ではない。本明細書において、保護素子の「端子」は、保護素子の少なくともある面の側から保護素子に給電可能な構造を広く包含する。
保護素子１２０Ａは、静電気放電（ＥＳＤ）、サージ等に起因する発光素子１１０への過電流の印加を防止して、発光素子１１０の損傷を抑制する機能を有する。保護素子１２０Ａの例は、ツェナーダイオード、バリスタ、抵抗、キャパシタ、過渡電圧サプレッサ（ＴＶＳ）ダイオード等である。以下では、保護素子１２０Ａとして、ツェナーダイオードが形成された、半導体のダイ（ベアチップ）を例示する。ツェナーダイオードは、発光素子１１０に逆並列に接続された形で用いられる。
なお、ベアチップに代えて、半導体のダイが樹脂によって封止されたツェナーダイオード（以下において「ツェナーパッケージダイオード」と呼ぶことがある。）を用いることももちろん可能である。ツェナーパッケージダイオードは、その側部から引き出されたリード電極を有することが一般的である。これらのリード電極は、パッケージの底面側において配線基板等に接続が可能なように、例えば、パッケージの底面に向けて曲げられた形状を有する。保護素子１２０Ａとしてツェナーパッケージダイオードを用いる場合、それらのリード電極が第１端子１２２および第２端子１２４に対応する。
図１に示すように、発光素子１１０の正極１１２および負極１１４の表面と、保護素子１２０Ａの第１端子１２２および第２端子１２４の表面とは、光反射性樹脂層の下面１３０ｂにおいて整合している。発光素子１１０の正極１１２および負極１１４の表面と、保護素子１２０Ａの第１端子１２２および第２端子１２４の表面とは、光反射性樹脂層１３０の下面１３０ｂから露出している。ここで、下面１３０ｂは、発光装置１００において発光素子１１０の上面１１０ｕとは反対側に位置する面である。
発光装置１００は、下面側（発光素子１１０の上面１１０ｕとは反対側）に、発光素子１１０の正極１１２と保護素子１２０Ａの第１端子１２２とを互いに電気的に接続する第１電極１０２と、発光素子１１０の負極１１４と保護素子１２０Ａの第２端子１２４とを互いに電気的に接続する第２電極１０４とを有する。図２に表されているように、第１電極１０２は、発光素子１１０の正極１１２の少なくとも一部と保護素子１２０Ａの第１端子１２２の少なくとも一部とを覆う形状を有し、同様に、第２電極１０４は、発光素子１１０の負極１１４の少なくとも一部と保護素子１２０Ａの第２端子１２４の少なくとも一部とを覆う形状を有する。図１および図２から分かるように、この例では、発光素子１１０および保護素子１２０Ａは、第１電極１０２および第２電極１０４によって電気的に並列に（ここでは逆並列に）接続される。
発光装置１００は、第１電極１０２および第２電極１０４を介して配線基板等に固定および電気的に接続される。本実施形態によれば、発光素子１１０および保護素子１２０Ａが第１電極１０２および第２電極１０４によって予め電気的に接続されているので、発光素子１１０の正極１１２および負極１１４、ならびに、保護素子１２０Ａの第１端子１２２および第２端子１２４のそれぞれを個別に配線基板等に接続する必要がない。また、正極１１２、負極１１４、第１端子１２２および第２端子１２４の面積と比較して、第１電極１０２および第２電極１０４の面積を拡大できるので、配線基板等に対する位置合わせが容易となり、配線基板等へのより確実な電気的接続が実現する。つまり、配線基板等への実装（例えばフリップチップ接続による実装）がより容易になる。
図２に示すように、この例では、保護素子１２０Ａは、ｘｙ面内（発光素子１１０の上面１１０ｕに平行な面内）において発光素子１１０の側方に配置されている。もちろん、保護素子１２０Ａの配置は、この例に限定されない。例えば保護素子１２０Ａの一部が発光素子１１０に重なるような配置であってもよいし、保護素子１２０Ａの全体が発光素子１１０に重ならないような配置であってもよい。ただし、保護素子１２０Ａの少なくとも一部が発光素子１１０に重なるような保護素子１２０Ａの配置であると、発光装置１００のサイズの低減に有利である。例えば、後述するように、その全体が発光素子１１０に重なる位置に保護素子１２０Ａが配置されていてもよい。
再び図１を参照する。図１に示すように、発光素子１１０の側部１１０ｓおよび保護素子１２０Ａの側部１２０ｓは、光反射性樹脂層１３０によって覆われている。光反射性樹脂層１３０は、発光素子１１０からの光に対する反射率が例えば６０％以上の層である。光反射性樹脂層１３０は、例えば、光反射性のフィラーが分散された樹脂層である。光反射性樹脂層１３０は、発光素子１１０からの光の発光装置１００の側方および下方への漏れを抑制する機能を有する。発光素子１１０からの光に対する反射率は、７０％以上、８０％または９０％以上であってもよく、適宜に設定され得る。
図１に示すように、発光素子１１０の上面１１０ｕの上方に保護層１６０が配置されてもよい。保護層１６０は、例えば透明樹脂層である。発光素子１１０から出射される光は、保護層１６０を介して発光装置１００の外部に向けて出射される。図１において模式的に示されるように、保護層１６０の側部１６０ｓも光反射性樹脂層１３０によって覆われ得る。
この例では、発光装置１００は、発光素子１１０と保護層１６０との間に波長変換層１５０および導光体１４０を有する。波長変換層１５０は、例えば樹脂中に蛍光体が分散された層である。図１に例示する構成において、波長変換層１５０は、保護層１６０の発光素子１１０側に隣接しており、導光体１４０の一部が、発光素子１１０の上面１１０ｕと波長変換層１５０の下面１５０ｂとの間に位置している。
図１に例示する構成において、導光体１４０は、第１の導光部１４０ａと、第２の導光部１４０ｂとを有する。導光部１４０ａは、導光体１４０のうち、波長変換層１５０の下面１５０ｂおよび発光素子１１０の上面１１０ｕに挟まれた部分であり、導光部１４０ｂは、発光素子１１０の上面１１０ｕと下面１１０ｂとを結ぶ側面の少なくとも一部上の部分である。図１において模式的に示すように、導光部１４０ｂは、例えば、発光素子１１０から保護層１６０に向かって広がる形状を有する。発光素子１１０の上面１１０ｕと下面１１０ｂとを結ぶ側面の少なくとも一部上に導光部１４０ｂを設けることより、発光素子１１０の側面から出射される光を保護層１６０側に導くことが可能になる。すなわち、導光部１４０ｂの形成によって光取り出し効率を向上させ得る。導光部１４０ｂおよび光反射性樹脂層１３０の境界は、断面視において直線状である必要はなく、例えば曲線状であってもよい。ここで「曲線状」には、外向き（光反射性樹脂層１３０側）に凸の曲線状、および、内向き（発光素子１１０側）に凸の曲線状のいずれの形状も含まれる。光取出し効率の観点からは、導光部１４０ｂおよび光反射性樹脂層１３０の境界が、断面視において外向きに凸の曲線状であると有利である。なお、発光素子１１０の上面１１０ｕと下面１１０ｂとを結ぶ側面は、平面に限定されず、段差を有する面または曲面であってもよい。
波長変換層１５０および導光体１４０は、本開示の発光装置に必須ではなく、省略され得る。図３および図４は、本開示のある実施形態による製造方法によって得られる発光装置の他の例を示す。図３および図４は、それぞれ、発光装置の模式的な断面図および底面図である。図３は、図４のＡ−Ａ’線断面図に相当する。
図３に示す発光装置１００Ａでは、発光素子１１０の上面１１０ｕ上に保護層１６０が配置されている。なお、この例では、保護層１６０の側部１６０ｓと、発光素子１１０の側部１１０ｓとが整合するように保護層１６０が図示されているが、保護層１６０の側部１６０ｓと、発光素子１１０の側部１１０ｓとが整合している必要はない。保護層１６０は、発光素子１１０の上面１１０ｕの法線方向（ここではｚ方向に平行）に沿って見たとき、発光素子１１０よりも大きな面積を有し得る。
図４に示すように、この例では、保護素子１２０Ａが、平面視において、その全体が発光素子１１０に重なる位置に配置されている。ここでは、保護素子１２０Ａは、発光素子１１０のほぼ中央に位置し、保護素子１２０Ａが発光素子１１０のほぼ中央に位置することに対応して、発光素子１１０の正極１１２および負極１１４がＣ字状に形成されている。保護素子１２０Ａの少なくとも一部が発光素子１１０に重なるような保護素子１２０Ａの配置は、発光装置１００Ａのサイズの低減に有利であり、保護素子１２０Ａの全体が発光素子１１０に重なるような保護素子１２０Ａの配置は、発光装置１００Ａのサイズの低減に特に有利である。
（発光装置の製造方法）
以下、図面を参照しながら、本開示の実施形態による発光装置の製造方法の例を説明する。ここでは、図１および図２を参照して説明した発光装置１００の例示的な製造方法を説明する。
（第１の例）
図５は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の概略を示すフローチャートである。図６〜図１９は、本開示のある実施形態による発光装置の製造方法の製造工程を説明するための図である。なお、図６〜図１９の各々には、模式的な平面図と側面図（または断面図）とがあわせて示されている。
まず、光出射面とは反対側の面に正極１１２および負極１１４を有する発光素子１１０を準備する。正極１１２および負極１１４は、発光素子１１０に対する給電用の電極であり、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ等の金属または合金の単層膜または積層膜である。正極１１２および負極１１４は、例えば電解めっきによって形成することができる。正極１１２および負極１１４の高さ（ｚ方向に沿った長さ）は、例えば５μｍ以上２００μｍ以下程度である。
次に、図６に示すように、発光素子１１０を支持層３００上に一時的に固定する。このとき、発光素子１１０の上面１１０ｕおよび下面１１０ｂのうち、正極１１２および負極１１４が設けられた下面１１０ｂが支持層３００に対向するように発光素子１１０を支持層３００上に配置する（図５のステップＳ１）。支持層３００としては、例えば、紫外線硬化材料の粘着層を有する樹脂テープ（バックグラインディングテープ、ダイシングテープ等）を用いることができる。あるいは、支持層３００として樹脂基板、ガラス基板、セラミック基板または金属基板等を用いてもよい。発光素子１１０を支持層３００から分離することができれば、支持層３００上への発光素子１１０の固定方法に特に制限はない。例えば、支持層３００としてガラス基板を用いる場合であれば、光硬化性樹脂、ワックス等によって発光素子１１０を支持層３００に対して一時的に固定することができる。ただし、いずれの方法を適用する場合であっても、正極１１２および負極１１４の表面が支持層３００の表面に接触するように発光素子１１０を支持層３００に固定する。
次に、少なくともある面の側に正側および負側の第１端子１２２、第２端子１２４が設けられた保護素子１２０Ａを準備する。次に、図７に示すように、支持層３００上に保護素子１２０Ａを一時的に固定する。このとき、保護素子１２０Ａのうち、第１端子１２２および第２端子１２４が位置する側の面（ここでは下面１２０ｂ）が支持層３００に対向するように保護素子１２０Ａを支持層３００上に配置する（図５のステップＳ２）。発光素子１１０と同様に、保護素子１２０Ａの固定の方法は、特定の方法に限定されない。ただし、第１端子１２２の表面の少なくとも一部と第２端子１２４の表面の少なくとも一部とが支持層３００の表面に接触するように保護素子１２０Ａを支持層３００に固定する。
この例では、発光素子１１０および保護素子１２０Ａは、支持層３００上において重なり合わない位置に配置されている。もちろん、発光素子１１０および保護素子１２０Ａの配置は、図７に示す配置に限定されない。上述のように、例えば、保護素子１２０Ａが発光素子１１０に覆われるような配置も可能である。また、支持層３００上への発光素子１１０および保護素子１２０Ａの配置の順序（図５に示すステップＳ１およびＳ２の順序といってもよい。）も任意である。支持層３００上に保護素子１２０Ａを配置してから発光素子１１０をさらに配置してもよいし、支持層３００上への発光素子１１０の配置と保護素子１２０Ａの配置とが同時に実行されてもよい。
また、支持層３００上に配置される発光素子１１０および保護素子１２０Ａの数は、それぞれ１つに限定されない。支持層３００上には、発光素子１１０および保護素子１２０Ａの複数の組が配置され得る。発光素子１１０および保護素子１２０Ａの組は、支持層３００上においてマトリクス状の配置を有し得る。発光素子１１０および保護素子１２０Ａの複数の組を支持層３００上に配置することにより、複数の発光装置を一括して効率的に作製することができる。
次に、発光素子１１０の上方に保護層１６０を配置する（図５のステップＳ３）。ここでは、図８に示すように、まず、未硬化の透光性接着剤１４０ｒをディスペンサ等を用いて発光素子１１０の上面１１０ｕ上に付与する。その後、透光性接着剤１４０ｒ上に保護層１６０および波長変換層１５０の積層体を配置し、透光性接着剤１４０ｒを硬化させることにより、発光素子１１０に保護層１６０および波長変換層１５０を固定する。
保護層１６０は、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、トリメチルペンテン樹脂もしくはポリノルボルネン樹脂、または、これらの樹脂の２種以上を含む樹脂の層であり得る。保護層１６０は、ガラスから形成された層であってもよい。
波長変換層１５０は、例えば、蛍光体の粒子が分散された層であり、発光素子１１０からの光の少なくとも一部を吸収して、発光素子１１０が発する光とは異なる波長域の光に変換する。波長変換層１５０は、波長変換物質である蛍光体の粒子が樹脂材料に分散された樹脂組成物を用いて形成することができる。蛍光体の粒子を分散させる樹脂材料としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂もしくはフッ素樹脂、または、これらの樹脂の２種以上を含む樹脂を用いることができる。蛍光体には、公知の材料を適用することができる。蛍光体の例は、ＹＡＧ系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体等のフッ化物系蛍光体、βサイアロン蛍光体等である。ＹＡＧ系蛍光体は、青色光を黄色光に変換する波長変換部材の例であり、ＫＳＦ系蛍光体は、青色光を赤色光に変換する波長変換部材の例であり、βサイアロン蛍光体は、青色光を緑色光に変換する波長変換部材の例である。蛍光体は、量子ドット蛍光体であってもよい。
例えば、蛍光体、シリコーン樹脂等の樹脂材料、無機フィラー粒子および溶媒を含有するスラリーを、スプレー法、キャスト法、ポッティング法等の塗布法によって保護層１６０の一方の主面上に付与し、付与された材料を硬化させることにより、保護層１６０および波長変換層１５０の積層体を形成することができる。あるいは、蛍光体の粒子が分散された樹脂材料中の樹脂をＢステージの状態とした蛍光体シートと、透明シート（例えば透明樹脂のシート）とを準備し、これらを貼り合わせることによって保護層１６０および波長変換層１５０の積層体を形成することもできる。なお、図８に示す模式的な構造では、保護層１６０の側部１６０ｓと波長変換層１５０の側部１５０ｓとが整合しているが、これらが整合していることは必須ではない。
透光性接着剤１４０ｒ上への波長変換層１５０および保護層１６０の配置の際、図８の下段において太い矢印Ｐｓによって模式的に示すように、保護層１６０を発光素子１１０の上面１１０ｕに向けて押圧することにより、透光性接着剤１４０ｒを上面１１０ｕの周縁に向けて広げることができる。その後に透光性接着剤１４０ｒを硬化させることにより、図９の下段に示すように、波長変換層１５０の下面１５０ｂ側に導光体１４０を形成し得る。図９に例示する構成において、導光体１４０の導光部１４０ａは、波長変換層１５０の下面１５０ｂおよび発光素子１１０の上面１１０ｕに挟まれている。
図９の上段（平面図）に示されるように、導光部１４０ｂは、例えば、発光素子１１０の上面１１０ｕの法線方向に沿って見たときに発光素子１１０を取り囲む形状を有する。導光部１４０ａを形成することなく導光部１４０ｂを選択的に形成してもよい。光反射性樹脂層１３０の形成に用いる樹脂よりも高い屈折率を有する透光性接着剤１４０ｒを用いて導光部１４０ｂを形成することにより、導光部１４０ｂおよび光反射性樹脂層１３０の界面における全反射を利用して、発光素子１１０の側面からの光を効率的に波長変換層１５０に向けて反射させ得る。換言すれば、発光装置の光の利用効率を向上させる効果が得られる。
この例では、発光素子１１０の上面１１０ｕの法線方向（ここではｚ方向に平行）に沿って見たとき、保護層１６０の面積は、発光素子１１０よりも大きな面積を有しており、保護層１６０の一部が保護素子１２０Ａに重なっている。支持層３００上の保護素子１２０Ａの位置は、発光素子１１０、導光体１４０、波長変換層１５０および保護層１６０に物理的に干渉しない限りにおいて任意である。
なお、ここでは、波長変換層１５０および保護層１６０の積層体を透光性接着剤１４０ｒ上に配置する例を説明したが、波長変換層１５０および保護層１６０の配置の方法は、この例に限定されない。例えば、透光性接着剤１４０ｒに波長変換層１５０を配置した後、透光性接着剤等によって波長変換層１５０上に保護層１６０を固定してもよい。あるいは、透光性接着剤１４０ｒに波長変換層１５０を配置した後、波長変換層１５０上に保護層１６０を形成してもよい。
次に、支持層３００上に未硬化の樹脂組成物を付与し、樹脂組成物を硬化させる。このとき、少なくとも発光素子１１０の側部１１０ｓと保護層１６０の側部１６０ｓとが樹脂組成物によって覆われるように、支持層３００上に樹脂組成物を付与する（図５のステップＳ４）。例えば、光反射性のフィラーが分散された樹脂組成物を支持層３００上に付与する。その後、樹脂組成物を硬化させることにより、図１０に示すように、発光素子１１０および保護素子１２０Ａを覆う樹脂層１３０ｓを形成することができる。
光反射性のフィラーを分散させる樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂もしくはフッ素樹脂、または、これらの樹脂の２種以上を含む樹脂を用いることができる。光反射性のフィラーとしては、金属の粒子、または、光反射性のフィラーを分散させる樹脂材料よりも高い屈折率を有する無機材料もしくは有機材料の粒子を用いることができる。光反射性のフィラーの例は、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、硫酸バリウム、酸化ケイ素、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）等の粒子である。
樹脂層１３０ｓの形成には、例えば圧縮成形法を適用可能であり、圧縮成形法を適用する場合、樹脂層１３０ｓを形成するための樹脂組成物として、例えば、エポキシ系またはシリコーン系の粉状のモールドコンパウンドを用いることができる。図１０の下段において模式的に示すように、支持層３００と発光素子１１０の下面１１０ｂとの間、および、支持層３００と保護素子１２０Ａの下面１２０ｂとの間にも樹脂層１３０ｓの一部が配置され得る。なお、図１０では、説明の便宜のために、樹脂層１３０ｓの一部を除いた状態の断面を示している。以降の図面についても同様である。
次に、樹脂層１３０ｓの一部を除去することにより、図１１に示すように、保護層１６０を樹脂層１３０ｓから露出させる。例えば、支持層３００と反対側から支持層３００に向かって樹脂層１３０ｓを研削する。研削により、支持層３００と反対側に研削面１３０ｇを形成し、保護層１６０を樹脂層１３０ｓから露出させることができる。このとき、保護層１６０の一部が樹脂層１３０ｓとともに除去されてもかまわない。
次に、例えば、発光素子１１０および保護素子１２０Ａを樹脂層１３０ｓごと第２の支持層３１０上に一時的に固定する。このとき、図１２の下段に示すように、樹脂層１３０ｓから露出された保護層１６０を支持層３１０に対向させて、発光素子１１０および保護素子１２０Ａを支持層３１０上に一時的に固定する。支持層３１０としては、上述した支持層３００と同様に、バックグラインディングテープ、ダイシングテープ等を用い得る。その後、支持層３００を除去することにより、発光素子１１０の正極１１２および負極１１４と、保護素子１２０Ａの第１端子１２２および第２端子１２４とを樹脂層１３０ｓから露出させる（図５のステップＳ５）。支持層３００として紫外線硬化材料の粘着層を有する樹脂テープを用いた場合には、支持層３００に紫外線を照射することによって樹脂層１３０ｓから支持層３００を容易に剥離することができる。
次に、発光素子１１０の正極１１２および負極１１４と、保護素子１２０Ａの第１端子１２２および第２端子１２４とが露出された面上に一対の電極を形成する。例えば、図１３に示すように、まず、発光素子１１０の正極１１２および負極１１４と、保護素子１２０Ａの第１端子１２２および第２端子１２４とが露出された面上に、Ｃｕ、Ａｕ等の導電層１０６を形成する。導電層１０６の形成には、スパッタリング法、蒸着法、無電解めっき法等を適用できる。樹脂材料に対する密着性に優れるＮｉの膜を形成した後に例えばＡｕまたはＡｕ合金の膜を堆積することによって導電層１０６を形成してもよい。
次に、レーザーアブレーション、フォトリソグラフィ等を用いて導電層１０６の一部を除去することにより、図１４に示すように、導電層１０６のうち発光素子１１０の正極１１２および保護素子１２０Ａの第１端子１２２を覆う部分と、導電層１０６のうち発光素子１１０の負極１１４および保護素子１２０Ａの第２端子１２４を覆う部分とを分離する。図１４に示す例では、導電層１０６の一部がｙ方向に沿って除去されることにより、導電層１０６のうち発光素子１１０の正極１１２および保護素子１２０Ａの第１端子１２２を覆う第１部分１０６ａと、導電層１０６のうち発光素子１１０の負極１１４および保護素子１２０Ａの第２端子１２４を覆う第２部分１０６ｂとが形成されている。例えば印刷法によって、第１部分１０６ａおよび第２部分１０６ｂの間の領域にポリイミド樹脂等の絶縁材料をさらに配置してもよい。
次に、図１５に示すように、ダイシング等によって例えばｘ軸方向およびｙ軸方向に沿って樹脂層１３０ｓおよび導電層１０６の一部を除去する。樹脂層１３０ｓおよび導電層１０６の一部の除去により、発光素子１１０の側部１１０ｓおよび保護素子１２０Ａの側部１２０ｓを覆う光反射性樹脂層１３０を形成することができる。また、発光素子１１０の正極１１２と保護素子１２０Ａの第１端子１２２とを互いに電気的に接続する第１電極１０２と、発光素子１１０の負極１１４と保護素子１２０Ａの第２端子１２４とを互いに電気的に接続する第２電極１０４とを形成することができる（図５のステップＳ６）。図１５を参照すれば分かるように、この例では、矩形状の第１電極１０２の４つの側面のうちの３つ、および、矩形状の第２電極１０４の４つの側面のうちの３つが、光反射性樹脂層１３０の側面に整合している。
樹脂層１３０ｓおよび導電層１０６の一部の除去により、支持層３１０上の構造が、各々が発光素子１１０および保護素子１２０Ａの組を含む複数の単位構造に分割される。支持層３１０を除去することにより、図１および図２を参照して説明した発光装置１００が得られる。なお、発光素子１１０および保護素子１２０Ａの組を単位として支持層３１０上の構造を分割してもよいし、２以上の発光素子１１０および保護素子１２０Ａの組を含む構造を単位として支持層３１０上の構造を分割してもよい。
（第２の例）
なお、図３および図４を参照して説明した構造は、例えば以下のようにして得ることができる。図１６に示すように、まず、支持層３００上に保護素子１２０Ａを配置する。次に、図１７に示すように、保護素子１２０Ａの上面１２０ｕ側から保護素子１２０Ａを覆うように発光素子１１０を支持層３００上に配置する。このとき、図１７の上段に例示するように、発光素子１１０として、保護素子１２０Ａに物理的に干渉しないような形状を有する正極１１２および負極１１４を有する素子を用いる。保護素子１２０Ａの上面１２０ｕが例えば絶縁層を有する等、保護素子１２０Ａと発光素子１１０とがこれらの間で電気的に絶縁されている場合には、保護素子１２０Ａの上面１２０ｕと、発光素子１１０の下面１１０ｂとが互いに接触していても構わない。
次に、発光素子１１０の上面１１０ｕの上方に保護層１６０を配置する。このとき、発光素子１１０の上面１１０ｕ上に保護層１６０を形成してもよいし、図１８に例示するように、発光素子１１０の上面１１０ｕ上に未硬化の透光性接着剤１４０ｒを付与した後、保護層１６０を透光性接着剤１４０ｒ上に配置してもよい。その後の工程は、図１０〜図１５を参照して説明した第１の例と同様であり得る。発光素子１１０の上面１１０ｕの上方への保護層１６０の配置の際、例えば透光性接着剤１４０ｒの硬化によって、図１９に示すように、発光素子１１０の上面１１０ｕと保護層１６０との間に導光体１４０を形成してもよい。図１９に例示する構成において、導光部１４０ａは、保護層１６０の下面１６０ｂおよび発光素子１１０の上面１１０ｕの間に位置する。
以上に説明した実施形態によれば、工程を複雑化させることなく、給電のための電極の面積が拡大された発光装置を得ることができる。このように、本開示の実施形態によれば、例えば、複雑な配線が形成された基板を必要とすることなく、実装が比較的容易かつ小型な発光装置を提供することが可能である。
図１６〜図１９を参照して説明したように、保護素子１２０Ａを支持層３００上に配置した後、保護素子１２０Ａを覆うように発光素子１１０を支持層３００上に配置することも可能である。保護素子１２０Ａの全体が発光素子１１０に重なるような保護素子１２０Ａの配置を採用することにより、発光装置のサイズをより低減することが可能である。発光素子１１０の正極１１２および負極１１４の形状は、図１７に示すようなＣ字状に限定されず、保護素子１２０Ａに物理的に干渉しないように適宜決定すればよい。
また、本開示の実施形態によれば、発光素子１１０の上面１１０ｕと下面１１０ｂとを結ぶ側面の少なくとも一部上に導光部１４０ｂを形成することが可能である。導光部１４０ｂを設けることにより、発光素子１１０の側部１１０ｓからの光を利用でき、より輝度の高い発光装置を提供し得る。上述したように、導光部１４０ｂおよび光反射性樹脂層１３０の境界は、断面視において直線状である必要はなく、例えば、外向き（光反射性樹脂層１３０側）に凸の曲線状または内向き（発光素子１１０側）に凸の曲線状であり得る。さらに、発光素子１１０の上面１１０ｕと保護層１６０との間に波長変換層１５０が配置された発光装置を得ることも比較的容易である。したがって、発光素子１１０から出射される光の波長とは異なる波長の光を放射する発光装置の提供も容易である。
（第３の例）
以下、図２０〜図３７を参照しながら、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法を説明する。図２０は、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法の概略を示すフローチャートである。図２１〜図３７は、本開示の他のある実施形態による発光装置の製造方法の製造工程を説明するための図である。
まず、図２１に示すように、透光部１７２を有する第１樹脂層１７０を準備する（図２０のステップＳ１１）。第１樹脂層１７０は、２以上の透光部１７２を有し得る。図２１に例示する構成において、第１樹脂層１７０は、光反射性樹脂部１７４を有し、各透光部１７２は、光反射性樹脂部１７４によって互いに分離されている。光反射性樹脂部１７４を構成する材料は、上述の樹脂層１３０ｓの材料と同様であり得る。ここでは、ｘ方向に並ぶ２つの透光部１７２が示されているが、透光部１７２の数および配置がこの例に限定されないことは言うまでもない。例えば、第１樹脂層１７０中、ｙ方向に沿って複数の透光部１７２が配置され得る。
第１樹脂層１７０は、例えば、光反射性のフィラーが分散された樹脂基板１７０ｐを準備し（図２２参照）、図２３に示すように、樹脂基板１７０ｐに穴部１７０ｈを設け、その後、ポッティング等によって穴部１７０ｈに樹脂組成物を充填して樹脂組成物を硬化させることによって得ることができる。樹脂組成物として例えば透明な樹脂組成物を用いれば、透明な透光部を有する第１樹脂層１７０が得られる。透明な透光部を形成するための材料としては、上述の保護層１６０を形成するための材料と同様の材料を用いることができる。
蛍光体が分散された樹脂材料を用いてもよい。蛍光体が分散された樹脂材料で穴部１７０ｈを充填すれば、透光部１７２として波長変換部を形成することができる。波長変換部を形成するための材料としては、上述の波長変換層１５０を形成するための材料と同様の材料を用い得る。穴部１７０ｈ内に透明な層と、波長変換部の層とを順次に形成してもよい。このように、透光部１７２が、その少なくとも一部に波長変換部を含んでいてもよい。
次に、発光素子１１０を準備し（図２０のステップＳ１２ａ）、図２４に示すように正極１１２および負極１１４が設けられた下面１１０ｂを第１樹脂層１７０とは反対側に向けて、発光素子１１０を透光部１７２の上方に配置する（図２０のステップＳ１３ａ）。このとき、未硬化の透光性接着剤１４０ｒを第１樹脂層１７０の透光部１７２上に付与し、透光部１７２のうち、透光性接着剤１４０ｒが付与された領域に発光素子１１０を配置してもよい。その後、透光性接着剤１４０ｒを硬化させることにより、図２５に示すように、透光部１７２上に導光体１４０を形成することが可能である。導光体１４０は、発光素子１１０の上面１１０ｕと下面１１０ｂとを結ぶ側面の少なくとも一部上の導光部１４０ｂを有し得る。
次に、図２６に示すように、第１導電構造体１２６Ｂおよび第２導電構造体１２８Ｂを有する保護素子１２０Ｂを準備する（図２０のステップＳ１２ｂ）。第１導電構造体１２６Ｂおよび第２導電構造体１２８Ｂは、例えば保護素子１２０Ｂの下面１２０ｂ側に設けられる。図２６に例示する構成において、第１導電構造体１２６Ｂは、下面１２０ｂ側に位置する第１端子１２２と、第１端子１２２に接続された第１導電部材１２２ｂとを含み、第２導電構造体１２８Ｂは、下面１２０ｂ側に位置する第２端子１２４と、第２端子１２４に接続された第２導電部材１２４ｂとを含む。第１端子１２２、第２端子１２４、第１導電部材１２２ｂおよび第２導電部材１２４ｂの全てが下面１２０ｂ上に設けられている必要はない。
この例では、第１導電部材１２２ｂおよび第２導電部材１２４ｂは、球状のＡｕバンプが積み重ねられた構造を有している。第１導電部材１２２ｂおよび第２導電部材１２４ｂのそれぞれが有するＡｕバンプの数は、２以上であり得る。複数のＡｕバンプに代えて、Ｃｕのピラー、また、合金によってＣｕ等の金属のコアが被覆されたボール等を第１導電部材１２２ｂおよび第２導電部材１２４ｂとして用いてもよい。なお、保護素子１２０Ｂのうち、第１導電部材１２２ｂおよび第２導電部材１２４ｂを除いた構造は、上述の保護素子１２０Ａと同様の構造であり得る。換言すれば、上述の保護素子１２０Ａの第１端子１２２および第２端子１２４にそれぞれ第１導電部材１２２ｂおよび第２導電部材１２４ｂを接続することによって第１導電構造体１２６Ｂおよび第２導電構造体１２８Ｂを形成し、第１導電構造体１２６Ｂおよび第２導電構造体１２８Ｂを有する保護素子１２０Ｂを得ることが可能である。
次に、図２７Ａの下段に示すように、保護素子１２０Ｂの下面１２０ｂを第１樹脂層１７０とは反対側に向けて、保護素子１２０Ｂを第１樹脂層１７０の上方に配置する（図２０のステップＳ１３ｂ）。なお、図２７Ａには、模式的な平面図と側面図とがあわせて示されている。図２７Ａの上段に表されているように、ここでは、第１樹脂層１７０のうちの光反射性樹脂部１７４上に保護素子１２０Ｂを配置している。なお、図２７Ｂの下段に模式的に示すように、保護素子１２０Ｂの上面１２０ｕと第１樹脂層１７０との間には、接着剤等の層１４２を介在させてもよい。
保護素子１２０Ｂの配置は、この例に限定されない。例えば、保護素子１２０Ｂは、第１樹脂層１７０の透光部１７２と光反射性樹脂部１７４とに跨って配置されてもよい。あるいは、第１樹脂層１７０の透光部１７２上、かつ、発光素子１１０に重ならない位置に保護素子１２０Ｂを配置することも可能である。ただし、保護素子１２０Ｂの全部または一部が透光部１７２上に位置すると、透光部１７２を通過する光が保護素子１２０Ｂによって吸収されてしまうことがあり得る。図２７Ａの例のように、保護素子１２０Ｂの上面１２０ｕと光反射性樹脂部１７４とが対向するように保護素子１２０Ｂを第１樹脂層１７０の上方に配置することによって、保護素子１２０Ｂの上面１２０ｕによる光の吸収を防止することができる。したがって、光の利用効率の観点からは、図２７Ａおよび図２７Ｂに例示するように、第１樹脂層１７０の透光部１７２上に発光素子１１０を配置し、光反射性樹脂部１７４の上方に保護素子１２０Ｂを配置すると有利である。
図２８に示すように、保護素子１２０Ｂを発光素子１１０の下面１１０ｂの上方に配置してもよい。図２８に模式的に示すように、保護素子１２０Ｂおよび発光素子１１０の間には、接着剤等の層１４２が介在し得る。換言すれば、保護素子１２０Ｂおよび発光素子１１０は、絶縁層、絶縁性の接着材等を介して接合され得る。保護素子１２０Ｂと発光素子１１０の下面１１０ｂとの間は、絶縁されていればよく、保護素子１２０Ｂがその上面１２０ｕに絶縁層を有する場合、保護素子１２０Ｂの上面１２０ｕと、発光素子１１０の下面１１０ｂとが接していてもよい。平面視において発光素子１１０に重なる位置に保護素子１２０Ｂを固定することによって、より小型な発光装置を得ることができる。例えば、保護素子１２０Ｂの全体が発光素子１１０の下面１１０ｂの上方に位置する。ただし、保護素子１２０Ｂの一部が発光素子１１０の下面１１０ｂの外縁からはみ出すような配置も適用可能である。
次に、第１樹脂層１７０上に樹脂組成物を付与した後に樹脂組成物を硬化させることにより、図２９に示すように、発光素子１１０の全体および保護素子１２０Ｂの全体を覆う第２樹脂層１８０ｓを第１樹脂層１７０上に形成する（図２０のステップＳ１４）。第２樹脂層１８０ｓを形成するための樹脂組成物には、上述の樹脂層１３０ｓを形成するための樹脂組成物と同様の材料を用いることができる。
次に、第２樹脂層１８０ｓの一部を除去することにより、発光素子１１０の正極１１２および負極１１４と、保護素子１２０Ｂの第１導電構造体１２６Ｂおよび第２導電構造体１２８Ｂとを第２樹脂層１８０ｓから露出させる（図２０のステップＳ１５）。例えば、第２樹脂層１８０ｓの上面１８０ｕ側（第１樹脂層１７０と反対側、図２９参照）から第１樹脂層１７０に向かって第２樹脂層１８０ｓを研削し、研削面１８０ｇを有する光反射性樹脂層１８０を形成する。研削により、図３０に示すように、発光素子１１０の正極１１２および負極１１４と、保護素子１２０Ｂの第１導電構造体１２６Ｂおよび第２導電構造体１２８Ｂとが研削面１８０ｇにおいて露出される。
次に、図３１に示すように、発光素子１１０の正極１１２と保護素子１２０Ｂの第１導電構造体１２６Ｂとを互いに電気的に接続する第１電極１０２と、発光素子１１０の負極１１４と保護素子１２０Ｂの第２導電構造体１２８Ｂとを互いに電気的に接続する第２電極１０４とを形成する（図２０のステップＳ１６）。例えば、研削面１８０ｇの全体を覆う導電層を形成し、導電層のうち、正極１１２および負極１１４に挟まれた領域上の部分と、第１導電構造体１２６Ｂおよび第２導電構造体１２８Ｂに挟まれた領域上の部分とを選択的に除去する。このとき、導電層のうち、最終的に得るべき発光装置間の領域上の部分を除去してもよい。
このように、導電層のうちの不要な部分を除去することによって、図１４および図１５を参照して説明した例と同様にして、発光素子１１０および保護素子１２０Ｂの組ごとに第１電極１０２および第２電極１０４を研削面１８０ｇ上に形成することができる。第１電極１０２の形成により、発光素子１１０の正極１１２と保護素子１２０Ｂの第１導電構造体１２６Ｂとが互いに電気的に接続され、第２電極１０４の形成により、発光素子１１０の負極１１４と保護素子１２０Ｂの導電構造体１２８とが互いに電気的に接続される。
次に、第１電極１０２および第２電極１０４の形成後の構造をダイシング等によって複数の単位構造に分割する。例えば、発光素子１１０および保護素子１２０Ｂの組を単位として分割することにより、図３２に示すような構造を有する発光装置１００Ｂが得られる。図３２には、模式的な平面図と断面図とがあわせて示されている。なお、図３１に示すようにダイシングストリート上の導電層を除去しておくと、ダイシングによる分割を効率的に実行し得る。
図３２に例示する構成において、発光装置１００Ｂの第１電極１０２は、発光素子１１０の正極１１２および保護素子１２０Ｂの第１導電構造体１２６Ｂとを覆い、これらを互いに電気的に接続する。また、第２電極１０４は、発光素子１１０の負極１１４および保護素子１２０Ｂの第２導電構造体１２８Ｂとを覆い、これらを互いに電気的に接続する。したがって、第１電極１０２および第２電極１０４により、発光素子１１０と保護素子１２０Ｂとを電気的に逆並列に接続できる。
以上に説明したように、本実施形態の製造方法によれば、図５〜図１９を参照して説明した実施形態と同様に、複雑な配線が形成された基板を用いることなく、実装が比較的容易かつ小型な発光装置を提供することが可能である。
ここで説明した例では、第１導電構造体１２６Ｂおよび第２導電構造体１２８Ｂを有する保護素子１２０Ｂを用いている。例えば、保護素子１２０Ｂの下面１２０ｂ側の第１端子１２２上に第１導電部材１２２ｂを接続し、第２端子１２４上に第２導電部材１２４ｂを接続することにより、第１導電構造体１２６Ｂおよび第２導電構造体１２８Ｂを形成することができる。下面１２０ｂの法線方向に沿って下面１２０ｂから離れるように延びる第１導電構造体１２６Ｂおよび第２導電構造体１２８Ｂを有する保護素子１２０Ｂを用いることにより、図３０を参照しながら説明したように、研削等を利用して、第１導電構造体１２６Ｂおよび第２導電構造体１２８Ｂと、発光素子１１０の正極１１２および負極１１４とを光反射性樹脂層１８０から露出させることができる。図２８を参照して説明したように、このような保護素子１２０Ｂを発光素子１１０の下面１１０ｂの上方に配置すれば、最終的に得られる発光装置１００Ｂにおいて保護素子１２０Ｂと発光素子１１０とが横に並ばない。すなわち、小型化に有利である。
図３２に例示する構成において、発光素子１１０からの光は、透光部１７２を介して発光装置１００Ｂの外部に出射される。透光部１７２の一部または全部を、例えば蛍光体を含有する波長変換層とすれば、発光素子１１０から出射される光の波長とは異なる波長の光を放射する発光装置を提供することができる。
図３２の下段において模式的に示すように、この例では透光部１７２の側部１７２ｓが光反射性樹脂部１７４によって覆われているので、透光部１７２の側部１７２ｓからの光の漏れを抑制することができる。また、発光素子１１０の側部１１０ｓは、光反射性樹脂層１８０によって覆われている。したがって、発光素子１１０の側面からの光が発光装置１００Ｂの側部から出射されることを抑制して、光の利用効率を向上させることができる。本実施形態の製造方法によれば、透光部１７２のうち、透光性接着剤が付与された領域上に発光素子１１０を配置することによって発光素子１１０の側面の一部上に比較的容易に導光部１４０ｂを形成し得る。導光部１４０ｂを設けることにより、発光素子１１０の側面からの光を透光部１７２に導き、光の利用効率を向上させることができる。換言すれば、発光装置１００Ｂの輝度を向上させる効果が得られる。上述の導光体１４０における導光部１４０ｂと同様に、導光部１４０ｂおよび光反射性樹脂層１８０の境界は、断面視において曲線状であってもよい。さらに、本実施形態の製造方法によれば、発光素子１１０の下面１１０ｂを光反射性樹脂層１８０によって覆うことが比較的容易である。発光素子１１０の下面１１０ｂを覆うように光反射性樹脂層１８０を形成することにより、下面１１０ｂ側からの光の出射を抑制して発光装置１００Ｂにおける光の利用効率を向上させることができる。
（変形例）
なお、第１導電部材１２２ｂおよび第２導電部材１２４ｂの構成は、上述の例に限定されず、例えば、Ａｕバンプに代えてリード線等を用いることも可能である。
図３３は、端子に接続されたリード線を第１導電部材１２２ｗおよび第２導電部材１２４ｗとして有する保護素子１２０Ｃを用いた場合の発光装置の製造工程の一部を示す。図３３は、第１樹脂層１７０の透光部１７２に発光素子１１０を配置した状態を示す。図３３は、第１樹脂層１７０上の発光素子１１０および保護素子１２０Ｃを側面から見た図であるので、第１樹脂層１７０の透光部１７２上に保護素子１２０Ｃを配置しているように見えるが、ここでは、図３２を参照して説明した例と同様に、第１樹脂層１７０の光反射性樹脂部１７４上に保護素子１２０Ｃを配置する。このような配置により、透光部１７２を通過した光の保護素子１２０Ｃによる吸収を防止して光の利用効率を向上させ得る。
図３３に例示する構成において、保護素子１２０Ｃの第１導電構造体１２６Ｃは、第１端子１２２と第１導電部材１２２ｗとを含み、第２導電構造体１２８Ｃは、第２端子１２４と第２導電部材１２４ｗとを含む。第１導電部材１２２ｗおよび第２導電部材１２４ｗは、例えば、Ａｕワイヤである。なお、この例では、第１導電部材１２２ｗの先端および第２導電部材１２４ｗの先端が、それぞれ、発光素子１１０の正極１１２および１１４に接続されている。しかしながら、保護素子１２０Ｃの第１端子１２２と発光素子１１０の正極１１２とが第１導電部材１２２ｗによって予め接続されている必要はない。第１導電部材１２２ｗの先端が正極１１２の表面より高い位置にあればよい。第２導電部材１２４ｗについても同様であり、その先端が負極１１４の表面より高い位置にあればよく、保護素子１２０Ｃの第２端子１２４と発光素子１１０の負極１１４とが第２導電部材１２４ｗによって予め接続されている必要はない。
発光素子１１０および保護素子１２０Ｃの配置後、図３４に示すように、発光素子１１０の全体および保護素子１２０Ｃの全体を覆う第２樹脂層１８０ｓを第１樹脂層１７０上に形成する。次に、図３５に示すように、研削面１８０ｇにおいて発光素子１１０の正極１１２および負極１１４が現れるまで、第２樹脂層１８０ｓの上面１８０ｕ側（第１樹脂層１７０と反対側）から第１樹脂層１７０に向かって第２樹脂層１８０ｓを研削する。研削により、第１導電構造体１２６Ｃの一部である第１導電部材１２２ｗと、第２導電構造体１２８Ｃの一部である第２導電部材１２４ｗとが研削面１８０ｇにおいて露出される。
次に、図３６に示すように、研削面１８０ｇに現れた、発光素子１１０の正極１１２と第１導電構造体１２６Ｃの第１導電部材１２２ｗとを覆う第１電極１０２と、発光素子１１０の負極１１４と第２導電構造体１２８Ｃの第２導電部材１２４ｗとを覆う第２電極１０４とを研削面１８０ｇ上に形成する。第１電極１０２の形成により、発光素子１１０の正極１１２と保護素子１２０Ｃの第１導電構造体１２６Ｃとが第１電極１０２によって互いに電気的に接続される。第２電極１０４の形成により、発光素子１１０の負極１１４と保護素子１２０Ｃの第２導電構造体１２８Ｃとが第２電極１０４によって互いに電気的に接続される。
さらに、ダイシング等によって複数の単位構造への分割を実行することにより、図３７に示す発光装置１００Ｃが得られる。図３７には、模式的な平面図と断面図とがあわせて示されている。この例においても、発光素子１１０と保護素子１２０Ｃとを第１電極１０２および第２電極１０４によって電気的に逆並列に接続することができる。
本開示の実施形態によれば、製造工程の複雑化を回避しながら、発光素子と保護素子とが一体化された発光装置が提供される。本開示の実施形態によれば、発光素子と保護素子とを互いに電気的に接続する電極を発光装置の底面側に配置して、これらの電極によって発光素子および保護素子に給電することができる。給電用の電極として、発光素子の正極、負極、および、保護素子の端子と比較して大きな面積を有する電極が形成されるので、配線基板等に対する位置合わせが容易になる。すなわち、配線基板等に対する実装が容易な発光装置が提供される。本開示の実施形態は、各種照明用光源、車載用光源、バックライト用光源等の提供に有用である。
１００、１００Ａ〜１００Ｃ 発光装置
１００ｂ 発光装置の下面
１０２ 第１電極
１０４ 第２電極
１０６ 導電層
１１０ 発光素子
１１０ｂ 発光素子の下面
１１０ｓ 発光素子の側部
１１０ｕ 発光素子の上面
１１２ 正極
１１４ 負極
１２０Ａ〜１２０Ｃ 保護素子
１２０ｂ 保護素子の下面
１２０ｓ 保護素子の側部
１２０ｕ 保護素子の上面
１２２ 第１端子
１２４ 第２端子
１２２ｂ、１２２ｗ 第１導電部材
１２４ｂ、１２４ｗ 第２導電部材
１２６Ｂ、１２６Ｃ 第１導電構造体
１２８Ｂ、１２８Ｃ 第２導電構造体
１３０、１８０ 光反射性樹脂層
１４０ 導光体
１４０ａ、１４０ｂ 導光部
１５０ 波長変換層
１６０ 保護層
１６０ｂ 保護層の下面
１６０ｓ 保護層の側部
１７０ 第１樹脂層
１７０ｈ 樹脂層の穴部
１７０ｐ 樹脂基板
１７２ 樹脂層の透光部
１７４ 樹脂層の光反射性樹脂部
１８０ｓ 第２樹脂層
３００、３１０ 支持層

Claims (12)

  1. 第１面および前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面上に位置する正極および負極とを有する発光素子を、前記第１面が支持層に対向するように前記発光素子を前記支持層上に配置する工程（Ａ）と、
    第３面を有し、前記第３面側に第１端子および第２端子が設けられた保護素子を、前記第３面が支持層に対向するように前記保護素子を前記支持層上に配置する工程（Ｂ）と、
    前記発光素子の前記第２面の上方に保護層を配置する工程（Ｃ）と、
    樹脂組成物で少なくとも前記発光素子および前記保護層の側部を覆った後、前記樹脂組成物を硬化させる工程（Ｄ）と、
    前記支持層を除去することにより、前記正極、前記負極、前記第１端子および前記第２端子を露出させる工程（Ｅ）と、
    前記正極および前記第１端子に電気的に接続された第１電極、ならびに、前記負極および前記第２端子に電気的に接続された第２電極を形成する工程（Ｆ）と
    を含む、発光装置の製造方法。
  2. 前記工程（Ａ）は、前記工程（Ｂ）の後に実行され、
    前記工程（Ａ）において、前記発光素子は、前記保護素子を覆うように前記支持層上に配置される、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
  3. 前記工程（Ｃ）は、
    前記発光素子の前記第２面上に未硬化の透光性接着剤を付与する工程（Ｃ１）と、
    前記透光性接着剤上に前記保護層を配置し、前記透光性接着剤を硬化させることにより、前記第１面および前記第２面を結ぶ側面の少なくとも一部上に導光部を形成する工程（Ｃ２）と、
    を含む、請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
  4. 前記工程（Ｃ）は、前記発光素子の前記第２面と前記保護層との間に波長変換層を配置する工程（Ｃ１）を含む、請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
  5. 前記工程（Ｃ１）は、
    前記発光素子の前記第２面上に未硬化の透光性接着剤を付与する工程（Ｃ２）と、
    前記透光性接着剤上に前記波長変換層を配置し、前記透光性接着剤を硬化させることにより、前記第１面および前記第２面を結ぶ側面の少なくとも一部上に導光部を形成する工程（Ｃ３）と、
    を含む、請求項４に記載の発光装置の製造方法。
  6. 透光部を有する第１樹脂層を準備する工程（Ａ）と、
    第１面および前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面上に位置する正極および負極とを有する発光素子を準備する工程（Ｂ）と、
    第３面を有し、前記第３面側に第１導電構造体および第２導電構造体が設けられた保護素子を準備する工程（Ｃ）と、
    前記発光素子の前記第１面を前記第１樹脂層とは反対側に向けて、前記発光素子を前記透光部の上方に配置する工程（Ｄ）と、
    前記保護素子の前記第３面を前記第１樹脂層とは反対側に向けて、前記保護素子を前記第１樹脂層または前記発光素子の前記第１面の上方に配置する工程（Ｅ）と、
    前記発光素子の全体および前記保護素子の全体を覆う第２樹脂層を前記第１樹脂層上に形成する工程（Ｆ）と、
    前記第２樹脂層の一部を除去することにより、前記正極、前記負極、前記第１導電構造体および前記第２導電構造体を前記第２樹脂層から露出させる工程（Ｇ）と、
    前記正極および前記第１導電構造体に電気的に接続された第１電極、ならびに、前記負極および前記第２導電構造体に電気的に接続された第２電極を形成する工程（Ｈ）と
    を含む、発光装置の製造方法。
  7. 前記工程（Ｅ）において、前記保護素子は、前記発光素子の前記第１面の上方に配置される、請求項６に記載の発光装置の製造方法。
  8. 前記工程（Ｇ）は、前記第２樹脂層を上面側から研削することによって、前記正極、前記負極、前記第１導電構造体および前記第２導電構造体が露出された研削面を形成する工程（Ｇ１）を含み、
    前記工程（Ｈ）は、前記研削面上に前記第１電極を形成することによって前記正極および前記第１導電構造体を前記第１電極によって電気的に接続し、前記研削面上に前記第２電極を形成することによって前記負極および前記第２導電構造体を前記第２電極によって電気的に接続する工程（Ｈ１）を含む、請求項６または７に記載の発光装置の製造方法。
  9. 前記工程（Ｅ）は、
    前記透光部上に未硬化の透光性接着剤を付与する工程（Ｅ１）と、
    前記透光部のうち前記透光性接着剤が付与された領域に前記発光素子を配置し、前記透光性接着剤を硬化させることにより、前記第１面および前記第２面を結ぶ側面の少なくとも一部上に導光部を形成する工程（Ｅ２）と、
    を含む、請求項６から８のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
  10. 前記保護素子は、前記第３面側に第１端子および第２端子を有し、
    前記工程（Ｃ）は、
    前記第１端子に第１導電部材を接続することによって前記第１導電構造体を形成し、前記第２端子に第２導電部材を接続することによって前記第２導電構造体を形成する工程（Ｃ１）
    を含む、請求項６から９のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
  11. 前記工程（Ａ）は、
    樹脂基板を準備する工程（Ａ１）と、
    前記樹脂基板の一部に穴部を形成する工程（Ａ２）と、
    樹脂組成物を前記穴部に充填し、前記樹脂組成物を硬化させることによって前記透光部を形成する工程（Ａ３）と
    を含む、請求項６から１０のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
  12. 前記樹脂組成物は、蛍光体を含有する、請求項１１に記載の発光装置の製造方法。
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