JP2018091699A - ガスセンサ及びガス検知システム - Google Patents
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Abstract
Description
先ず、第1の実施形態について説明する。図1は、第1の実施形態に係るガスセンサを示す図である。
次に、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態は、ガスセンサ10を含むガス検知システムに関する。図6は、第2の実施形態に係るガス検知システムを示す図である。
次に、第3の実施形態について説明する。第3の実施形態は、ガスセンサ10とは異なるガスセンサを含むガス検知システムに関する。図12は、第3の実施形態に係るガス検知システムを示す図である。
次に、第4の実施形態について説明する。第4の実施形態は、ガスセンサ10及び20とは異なるガスセンサを含むガス検知システムに関する。図14は、第4の実施形態に係るガス検知システムを示す図である。
検知室と、
前記検知室内の少なくとも第1の気体の濃度に応じて電気的特性を変化させる第1の検出部と、
前記検知室内の前記第1の気体及び前記第1の気体とは異なる第2の気体の濃度に応じて電気的特性を変化させる第2の検出部と、
を有し、
前記第1の検出部又は前記第2の検出部の一方は、
半導体層と、
前記半導体層上方に設けられ、少なくとも一部が前記検知室内の気体に接するグラフェン膜と、
前記半導体層と前記グラフェン膜との間のバリア膜と、
前記グラフェン膜に接続された第1の電極と、
前記半導体層の表面に前記バリア膜の下方の部分を間に挟むようにして設けられた第2の電極及び第3の電極と、
を有することを特徴とするガスセンサ。
前記第1の検出部又は前記第2の検出部の他方は、
少なくとも一部が前記検知室内の気体に接する金属ダイカルコゲナイド膜と、
前記金属ダイカルコゲナイド膜に接続された第4の電極及び第5の電極と、
を有することを特徴とする付記1に記載のガスセンサ。
前記金属ダイカルコゲナイド膜は二硫化モリブデン膜であることを特徴とする付記2に記載のガスセンサ。
前記第1の検出部又は前記第2の検出部の他方は、
前記第4の電極と前記第5の電極との間で金属ダイカルコゲナイド膜の電位を制御する第6の電極と、
前記金属ダイカルコゲナイド膜と前記第6の電極との間の絶縁膜と、
を有することを特徴とする付記2又は3に記載のガスセンサ。
前記検知室内の前記第1の気体及び前記第2の気体の両方とは異なる第3の気体の濃度に応じて電気的特性を変化させる第3の検出部を有し、
前記第3の検出部は、
少なくとも一部が前記検知室内の気体に接する固体電解質膜と、
前記固体電解質膜に接続された第7の電極及び第8の電極と、
を有することを特徴とする付記2乃至4のいずれか1項に記載のガスセンサ。
前記固体電解質膜は臭化銅膜であることを特徴とする付記5に記載のガスセンサ。
前記第1の検出部又は前記第2の検出部の他方は、
少なくとも一部が前記検知室内の気体に接する固体電解質膜と、
前記固体電解質膜に接続された第7の電極及び第8の電極と、
を有することを特徴とする付記1に記載のガスセンサ。
前記固体電解質膜は臭化銅膜であることを特徴とする付記7に記載のガスセンサ。
前記第1の検出部及び前記第2の検出部を加熱する加熱装置を有することを特徴とする付記1乃至8のいずれか1項に記載のガスセンサ。
前記加熱装置はランプを有することを特徴とする付記9に記載のガスセンサ。
前記第1の検出部及び前記第2の検出部に紫外線を照射する紫外線照射装置を有することを特徴とする付記1乃至10のいずれか1項に記載のガスセンサ。
付記1乃至11のいずれか1項に記載のガスセンサと、
前記第1の検出部及び前記第2の検出部の各出力信号から前記第2の気体の濃度を特定する演算部と、
を有することを特徴とするガス検知システム。
10、20、30:ガスセンサ
11:検知室
12:演算部
13:ヒーター
14:温湿度モニタ
100:第1の検出部
111:グラフェン膜
121:電流モニタ
200:第2の検出部
211:金属ダイカルコゲナイド膜
221:電流モニタ
300:第3の検出部
311:固体電解質膜
321:電流モニタ
Claims (7)
- 検知室と、
前記検知室内の少なくとも第1の気体の濃度に応じて電気的特性を変化させる第1の検出部と、
前記検知室内の前記第1の気体及び前記第1の気体とは異なる第2の気体の濃度に応じて電気的特性を変化させる第2の検出部と、
を有し、
前記第1の検出部又は前記第2の検出部の一方は、
半導体層と、
前記半導体層上方に設けられ、少なくとも一部が前記検知室内の気体に接するグラフェン膜と、
前記半導体層と前記グラフェン膜との間のバリア膜と、
前記グラフェン膜に接続された第1の電極と、
前記半導体層の表面に前記バリア膜の下方の部分を間に挟むようにして設けられた第2の電極及び第3の電極と、
を有することを特徴とするガスセンサ。 - 前記第1の検出部又は前記第2の検出部の他方は、
少なくとも一部が前記検知室内の気体に接する金属ダイカルコゲナイド膜と、
前記金属ダイカルコゲナイド膜に接続された第4の電極及び第5の電極と、
を有することを特徴とする請求項1に記載のガスセンサ。 - 前記金属ダイカルコゲナイド膜は二硫化モリブデン膜であることを特徴とする請求項2に記載のガスセンサ。
- 前記第1の検出部又は前記第2の検出部の他方は、
前記第4の電極と前記第5の電極との間で金属ダイカルコゲナイド膜の電位を制御する第6の電極と、
前記金属ダイカルコゲナイド膜と前記第6の電極との間の絶縁膜と、
を有することを特徴とする請求項2又は3に記載のガスセンサ。 - 前記検知室内の前記第1の気体及び前記第2の気体の両方とは異なる第3の気体の濃度に応じて電気的特性を変化させる第3の検出部を有し、
前記第3の検出部は、
少なくとも一部が前記検知室内の気体に接する固体電解質膜と、
前記固体電解質膜に接続された第7の電極及び第8の電極と、
を有することを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載のガスセンサ。 - 前記固体電解質膜は臭化銅膜であることを特徴とする請求項5に記載のガスセンサ。
- 請求項1乃至6のいずれか1項に記載のガスセンサと、
前記第1の検出部及び前記第2の検出部の各出力信号から前記第2の気体の濃度を特定する演算部と、
を有することを特徴とするガス検知システム。
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