JP2018087381A - スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
Description
バッキングプレート材の上面にターゲット材を拡散接合してスパッタリングターゲットを製造する方法であって、
熱板により前記ターゲット材の上面の中心部をその上面の外周部よりも先に一軸方向に押圧しながら加熱して、前記バッキングプレート材に前記ターゲット材を拡散接合する。
本明細書において、「ターゲット材の上面」とは、ターゲット材の面であって上記押圧時にバッキングプレート材と接している側と反対側の面を意味する。
バッキングプレート材と、
前記バッキングプレート材の上面に接合されたターゲット材と
を備え、
前記ターゲット材の中心部と前記バッキングプレート材の接合強度が、7kg/mm2以上である。
バッキングプレート材と、
前記バッキングプレート材の上面に接合されたターゲット材と
を備え、
前記ターゲット材の中心部と前記バッキングプレート材の接合強度が、7kg/mm2以上である。
ここで、ターゲット材の中心部とバッキングプレート材の接合強度とは、例えば、熱板の下面によりターゲット材の上面の中心部を押圧するとき、最初に下面により押圧される部分であるターゲット材の上面の中心部をターゲット材の下面へ向かって投影した領域において、バッキングプレート材との接合部の強度をいう。
図1Aは、本発明のスパッタリングターゲットの第1実施形態を示す斜視図である。図1Bは、スパッタリングターゲットの断面図である。図1Aと図1Bに示すように、スパッタリングターゲット1は、バッキングプレート材10と、バッキングプレート材10の上面に接合されたターゲット材20とを有する。バッキングプレート材10は、底板11と、底板11の上面の外周縁に設けられた環状の枠部12とを有する。ターゲット材20は、バッキングプレート材10の枠部12の内側に嵌合され、底板11の上面に拡散接合されている。枠部12の高さ方向を上下方向とし、底板11を下側とし、底板11と反対側を上側とする。バッキングプレート材10およびターゲット材20は、上方からみて、円形に形成されている。なお、バッキングプレート材10およびターゲット材20は、長円形や楕円形や多角形などに形成されていてもよい。
本実施形態によれば、上熱板31によりターゲット材20の上面21の少なくとも中心部に荷重をかけることができて、ターゲット材20のバッキングプレート材10に対する接合強度を強くすることができ、特に従来法では、低い接合強度しか得られなかったターゲット材20の中心部でも接合強度を強くできる。
図4は、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法の第2実施形態を示す断面図である。第2実施形態は、第1実施形態とは、ターゲット材および上熱板の形状が相違する。この相違する構成を以下に説明する。
図5は、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法の第3実施形態を示す断面図である。第3実施形態は、第1実施形態とは、ターゲット材の形状が相違する。この相違する構成を以下に説明する。
次に、本実施例1〜4と比較例を挙げて本願発明を説明する。
10 バッキングプレート材
11 底板
11a 上面
12 枠部
12a 上面
20,20A〜20D ターゲット材
20a 底面
21 上面
21a 突出部
21b 突出部
31、31A 上熱板
310 下面(プレス面)
310a 突出部
32 下熱板
40 メッキ層
41 突出部材
41a〜41d 第1〜第4突出部材
Claims (7)
- バッキングプレート材の上面にターゲット材を拡散接合してスパッタリングターゲットを製造する方法であって、
熱板により前記ターゲット材の上面の中心部をその上面の外周部よりも先に上方から押圧しながら加熱して、前記バッキングプレート材に前記ターゲット材を拡散接合する、スパッタリングターゲットの製造方法。 - 前記ターゲット材の前記上面の中心部は、その上面の外周部よりも、上方に突出している、請求項1に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記熱板において、押圧時に前記ターゲット材と接するプレス面の中心部は、そのプレス面の外周部よりも、下方に突出している、請求項1または2に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記ターゲット材の前記上面の中心部に、その上面の外周部よりも上方に突出する突出部材が設けられている、請求項1から3の何れか一つに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 環状の枠部を有する前記バッキングプレート材の前記枠部の内側に、前記ターゲット材を組み込んで、前記熱板により前記ターゲット材の前記上面の中心部をその上面の外周部よりも先に上方から押圧しながら加熱する、請求項1から4の何れか一つに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- バッキングプレート材と、
前記バッキングプレート材の上面に接合されたターゲット材と
を備え、
前記ターゲット材の中心部と前記バッキングプレート材の接合強度が、7kg/mm2以上である、スパッタリングターゲット。 - バッキングプレート材と、
前記バッキングプレート材の上面に接合されたターゲット材と
を備え、
前記ターゲット材の中心部と前記バッキングプレート材の接合強度が、7kg/mm2以上である、スパッタリングターゲット製造用接合体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016138711 | 2016-07-13 | ||
JP2016138711 | 2016-07-13 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017134085A Division JP6277309B2 (ja) | 2016-07-13 | 2017-07-07 | スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018087381A true JP2018087381A (ja) | 2018-06-07 |
JP6346386B2 JP6346386B2 (ja) | 2018-06-20 |
Family
ID=60953002
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017134085A Active JP6277309B2 (ja) | 2016-07-13 | 2017-07-07 | スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット |
JP2018004026A Active JP6346386B2 (ja) | 2016-07-13 | 2018-01-15 | スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017134085A Active JP6277309B2 (ja) | 2016-07-13 | 2017-07-07 | スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10369656B2 (ja) |
JP (2) | JP6277309B2 (ja) |
KR (3) | KR20190018425A (ja) |
CN (1) | CN108350566B (ja) |
TW (1) | TWI637074B (ja) |
WO (1) | WO2018012461A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023248817A1 (ja) * | 2022-06-22 | 2023-12-28 | 株式会社Mole′S Act | 金属接合体の製造方法及びダイカスト部材の接合方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6271798B2 (ja) | 2016-07-13 | 2018-01-31 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
US11754691B2 (en) * | 2019-09-27 | 2023-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Target measurement device and method for measuring a target |
US11621212B2 (en) * | 2019-12-19 | 2023-04-04 | International Business Machines Corporation | Backing plate with manufactured features on top surface |
CN114351096A (zh) * | 2022-01-26 | 2022-04-15 | 浙江最成半导体科技有限公司 | 溅射靶材、靶材组件及靶材组件的制作方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001262330A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-09-26 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 拡散接合スパッタリングターゲット組立て体及びその製造方法 |
JP2001303245A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-10-31 | Nikko Materials Co Ltd | パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体 |
JP2001316810A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置 |
JP2002069628A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Nikko Materials Co Ltd | パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット |
JP2007505217A (ja) * | 2003-09-09 | 2007-03-08 | プラックセアー エス.ティ.テクノロジー、 インコーポレイテッド | 長寿命スパッタ用ターゲット |
WO2011078148A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ガドリニウム製スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5693203A (en) * | 1992-09-29 | 1997-12-02 | Japan Energy Corporation | Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface |
US6073830A (en) | 1995-04-21 | 2000-06-13 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
US5836506A (en) | 1995-04-21 | 1998-11-17 | Sony Corporation | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
JPH09143707A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-03 | Hitachi Metals Ltd | スパッタリング用ターゲットの製造方法およびスパッタリング用ターゲット |
US6521108B1 (en) | 1998-12-29 | 2003-02-18 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonded sputter target assembly and method of making same |
US6283357B1 (en) * | 1999-08-03 | 2001-09-04 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Fabrication of clad hollow cathode magnetron sputter targets |
US6780794B2 (en) * | 2000-01-20 | 2004-08-24 | Honeywell International Inc. | Methods of bonding physical vapor deposition target materials to backing plate materials |
US6698647B1 (en) | 2000-03-10 | 2004-03-02 | Honeywell International Inc. | Aluminum-comprising target/backing plate structures |
JP4560170B2 (ja) | 2000-03-22 | 2010-10-13 | アルバックマテリアル株式会社 | 固相拡散接合スパッタリングターゲット組立て体及びその製造方法 |
JP4594488B2 (ja) | 2000-04-13 | 2010-12-08 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲット |
US6599405B2 (en) | 2001-05-30 | 2003-07-29 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Recessed sputter target |
US20070166554A1 (en) * | 2006-01-18 | 2007-07-19 | Ruchert Brian D | Thermal interconnect and interface systems, methods of production and uses thereof |
JP2008138274A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | バッキングプレート付きスパッタリングターゲットの製造方法 |
US8702919B2 (en) * | 2007-08-13 | 2014-04-22 | Honeywell International Inc. | Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof |
JP5175976B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2013-04-03 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
CN102133669A (zh) * | 2011-01-26 | 2011-07-27 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 靶材与背板的焊接方法 |
JP6271798B2 (ja) | 2016-07-13 | 2018-01-31 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
-
2017
- 2017-07-07 JP JP2017134085A patent/JP6277309B2/ja active Active
- 2017-07-10 KR KR1020187035598A patent/KR20190018425A/ko not_active IP Right Cessation
- 2017-07-10 KR KR1020187012193A patent/KR20180075535A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-07-10 US US15/770,857 patent/US10369656B2/en active Active
- 2017-07-10 KR KR1020217007389A patent/KR20210031771A/ko not_active IP Right Cessation
- 2017-07-10 CN CN201780003736.6A patent/CN108350566B/zh active Active
- 2017-07-10 WO PCT/JP2017/025145 patent/WO2018012461A1/ja active Application Filing
- 2017-07-11 TW TW106123188A patent/TWI637074B/zh active
-
2018
- 2018-01-15 JP JP2018004026A patent/JP6346386B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-19 US US16/446,179 patent/US10737352B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001262330A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-09-26 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 拡散接合スパッタリングターゲット組立て体及びその製造方法 |
JP2001303245A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-10-31 | Nikko Materials Co Ltd | パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体 |
JP2001316810A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置 |
JP2002069628A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Nikko Materials Co Ltd | パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット |
JP2007505217A (ja) * | 2003-09-09 | 2007-03-08 | プラックセアー エス.ティ.テクノロジー、 インコーポレイテッド | 長寿命スパッタ用ターゲット |
WO2011078148A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ガドリニウム製スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023248817A1 (ja) * | 2022-06-22 | 2023-12-28 | 株式会社Mole′S Act | 金属接合体の製造方法及びダイカスト部材の接合方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI637074B (zh) | 2018-10-01 |
US20190299324A1 (en) | 2019-10-03 |
JP6277309B2 (ja) | 2018-02-07 |
US20180304400A1 (en) | 2018-10-25 |
KR20180075535A (ko) | 2018-07-04 |
KR20190018425A (ko) | 2019-02-22 |
WO2018012461A1 (ja) | 2018-01-18 |
CN108350566B (zh) | 2019-08-23 |
US10737352B2 (en) | 2020-08-11 |
CN108350566A (zh) | 2018-07-31 |
KR20210031771A (ko) | 2021-03-22 |
TW201816157A (zh) | 2018-05-01 |
JP6346386B2 (ja) | 2018-06-20 |
US10369656B2 (en) | 2019-08-06 |
JP2018016884A (ja) | 2018-02-01 |
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