JP2018082082A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】導電性高分子等の固体電解質の多孔質層内への充填性を改善し、ＥＳＲを低く抑えることができる、固体電解コンデンサの製造方法を提供することである。
【解決手段】その表面に誘電体層２６が形成された陽極部１８と、誘電体層２６の表面に形成され、固体電解質層３２を備えた陰極部３０と含む、固体電解コンデンサ１０の製造方法であって、陽極部１８の表面に、導電性高分子または当該導電性高分子の前駆体を、可撓性を有する多孔質体からなるローラーにより塗布することによって、固体電解質層３２を形成する工程を含むことを特徴とする、固体電解コンデンサ１０の製造方法である。
【選択図】図１

Description

本発明は、固体電解コンデンサの製造方法に関し、特に、例えば、弁作用金属を含む陽極部表面の誘電体層上に、導電性高分子からなる固体電解質層を含む陰極部を備えた、固体電解コンデンサの製造方法に関する。

本発明の背景となる従来の固体電解コンデンサには、コンデンサ素子が積層されるとともに、陽極部と陰極部とが、それぞれ陽極端子と陰極端子とに電気的に接続され、絶縁材料により全面を覆う外装を備えた固体電解コンデンサであって、陽極部は、陽極端子と接続される端部に溶接部を備え、溶接部と絶縁部の間に、陽極部の一部を束ねた集束部を備える、固体電解コンデンサがあった（例えば、特許文献１参照。）。
この従来の固体電解コンデンサでは、超音波溶接を実施する場合に、陽極部の切断が生じ難く、信頼性の向上が図れる固体電解コンデンサを提供することが可能となっている。

この従来の固体電解コンデンサの製造方法は、絶縁部により陽極部と陰極部に区分され、当該陰極部は、多孔質層を有する平板状の弁作用金属の表面に誘電体層を設け、当該誘電体層の表面に、固体電解質層、グラファイト層、銀ペースト層を順次設けて形成する工程を含む。この従来の固体電解コンデンサの製造方法では、固体電解質層が、化学酸化重合法や電解重合法を用いて形成される以外に、重合した導電性高分子を予め水溶液へ分散または溶解させた導電性高分子懸濁溶液に浸漬する方法、所謂、ディッピングおよび含浸法と呼ばれる塗布方法でも形成され得るものとなっている。

特開２０１３−１３６２７号

しかしながら、このような従来の固体電解コンデンサの製造方法１において、固体電解質層を形成する場合に、たとえば図８の（Ａ）に示すように、誘電体層３が形成された平板状の弁作用金属５を導電性高分子懸濁溶液７へ浸漬する方法を採用すると、導電性高分子懸濁溶液に浸漬した後に引き上げた際に、導電性高分子懸濁溶液に掛かる重力（自重）と表面張力の影響で、弁作用金属５の端部に液溜まり９ができやすく、弁作用金属５の表面の多孔質層５Ａ内への導電性高分子懸濁溶液７の充填が不十分な箇所が数多く発生するものであった。
この場合、固体電解コンデンサの等価直列抵抗（以下、ＥＳＲと示すことがある。）が増加する可能性が高くなって、信頼性の高い安定した品質の固体電解コンデンサを製造することが困難となっていた。

一方で、固体電解質として導電性重合体を用いた固体電解コンデンサは、二酸化マンガン等を固体電解質とする固体電解コンデンサに比べて等価直列抵抗および漏れ電流を小さくでき、電子機器の高性能化、小型化に対応できるコンデンサとして有用であるため、多くの製造方法が提案されている。
特に、近年では、パーソナルコンピューターに搭載されるＣＰＵは、高性能化の一途をたどり低ＥＳＲ化に対する要望が益々強まってきている。

それゆえに、本発明の主たる目的は、導電性高分子等の固体電解質の多孔質層内への充填性を改善し、ＥＳＲを低く抑えることができる、固体電解コンデンサの製造方法を提供することである。

請求項１に係る本発明は、表面に誘電体層が形成された陽極部と、誘電体層の表面に形成され、固体電解質層を備えた陰極部と含む、固体電解コンデンサの製造方法であって、誘電体層の表面に、導電性高分子または導電性高分子の前駆体を、可撓性を有する多孔質体からなるローラーにより塗布することによって、固体電解質層を形成する工程を含むことを特徴とする、固体電解コンデンサの製造方法である。
請求項２に係る本発明は、請求項１に係る発明に従属する発明であって、誘電体層は誘電体酸化皮膜で形成され、陽極部は、その表面に多孔質層を有し、多孔質層の表面に誘電体酸化皮膜が形成された弁作用金属基体を含み、固体電解質層は、誘電体酸化皮膜が形成された多孔質層の凹部に充填される第１の導電性高分子層と、第１の導電性高分子層の表面に形成される第２の導電性高分子層とを含み、第１の導電性高分子層は、弁作用金属基体の誘電体酸化皮膜の表面に、導電性高分子または前駆体を、ローラーにより塗布することによって形成される工程を含むことを特徴とする、固体電解コンデンサの製造方法である。
請求項３に係る本発明は、請求項１または請求項２に係る発明に従属する発明であって、ローラーは、軸部と、軸部に支持されて軸部の外周部に設けられる塗布ロール部とを含み、塗布ロール部は、少なくとも、陽極部と接触する接触部がスポンジ状物で形成されていることを特徴とする、固体電解コンデンサの製造方法である。
請求項４に係る本発明は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に係る発明に従属する発明であって、塗布ロール部の外周面には、軸部の軸方向に間隔を隔てて配設される凹凸部を含み、凹凸部の少なくとも凸部が、スポンジ状物で形成され、陽極部と接触することを特徴とする、固体電解コンデンサの製造方法である。
請求項５に係る本発明は、請求項１〜請求項４のいずれか１項に係る発明に従属する発明であって、スポンジ状物の気孔率は、４０％以上９０％以下に形成されていることを特徴とする、固体電解コンデンサの製造方法である。
請求項６に係る本発明は、請求項１〜請求項５のいずれか１項に係る発明に従属する発明であって、陽極部は、一方主面および他方主面を含み、ローラーは、陽極部の一方主面および／または他方主面に、導電性高分子または前駆体を塗布するように構成されていることを特徴とする、固体電解コンデンサの製造方法である。

本発明によれば、導電性高分子等の固体電解質の多孔質層内への充填性を改善し、ＥＳＲ（等価直列抵抗）を低く抑えることができる、固体電解コンデンサの製造方法が得られる。

本発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

本発明の実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法により形成される固体電解コンデンサの一例を模式的に示した断面図である。 図１に示した固体電解コンデンサに用いられる単体のコンデンサ素子の構造の一例を模式的に示した断面図であって、且つ、図１に示した固体電解コンデンサの製造方法の一部を説明するための図でもある。 図３の（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ、図１に示した固体電解コンデンサの製造方法の一部を説明するための図であって、誘電体皮膜層の表面に固体電解質層の第１の導電性高分子層を形成する工程の一例を模式的に示した断面図である。 図３に示した固体電解質層の第１の導電性高分子層を形成する工程に用いられる塗布ローラーの一例を示した図であって、（Ａ）はその断面図であり、（Ｂ）はその側面図である。 図４に示した塗布ローラーの他の例を示す図であって、（Ａ）はその断面図であり、（Ｂ）はその側面図である。 図４に示した塗布ローラーを用いて、誘電体皮膜層の表面に、固体電解質層の第１の導電性高分子層を形成したときの作用・効果を模式的に示した要部拡大図である。 本発明の実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法によって形成される固体電解コンデンサの内部構造の要部を模式的に示した一部拡大断面図である。 図８の（Ａ）は、本発明背景となる従来の固体電解コンデンサの製造方法において、固体電解質層が形成される工程を模式的に示した要部分解斜視図であって、図８の（Ｂ）は、図８の（Ａ）の固体電解質層形成工程により、固体電解質層が形成された後の状態を模式的に示した要部断面図である。

図１は、本発明の実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法により形成される固体電解コンデンサの一例を模式的に示した断面図である。
この固体電解コンデンサ１０は、図１に示すように、第１のコンデンサ素子積層体１２および第２のコンデンサ素子積層体１４を含む。第１のコンデンサ素子積層体１２および第２のコンデンサ素子積層体１４は、それぞれ、複数のコンデンサ素子１６が積層されることによって形成される。

単体のコンデンサ素子１６は、図２に示すように、陽極部１８を含み、陽極部１８は、たとえば弁作用金属からなる、たとえば箔状（平板状）、柱状、円柱状、円錐状の弁作用金属基体２０を含む。弁作用金属基体２０は、芯部２２と、芯部２２の表面に沿って配設される多孔質層２４とを有している。そのため、弁作用金属基体２０の表層は、多数の細孔、空隙を含み、凹凸を有する多孔質構造となっている。弁作用金属基体２０としては、弁作用を有し、化成処理によって簡単に酸化皮膜を形成できるものが好ましく、本実施形態例では、電気的特性を高めるために、例えば、平板状のアルミ箔の表面にエッチング加工により粗面化処理が施され、さらに粗面化された表面に酸化アルミの皮膜を形成する化成処理が施された化成アルミ箔が用いられている。

弁作用金属基体２０としては、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウム、マグネシウム、ケイ素などの金属単体、またはこれらの合金が好ましく、より具体的な材料としては、これらの金属板、金属箔あるいはこれらを主成分とする焼結体等からも選ばれ得る。また、多孔質層２４の形態としては、圧延箔のエッチング物、微粉焼結体などの多孔質成形体の形態も採用され得る。

弁作用金属基体２０は、コンデンサ素子１６の容量生成領域に位置する陽極部本体としての弁作用金属基体本体２０ａと、弁作用金属基体本体２０ａから容量生成領域の外側に引き出されている陽極引出し部としての弁作用金属基体引出し部２０ｂとを有している。

弁作用金属基体２０の表面には、誘電体層として、誘電体酸化皮膜層２６が形成されている。誘電体酸化皮膜層２６は、たとえば、弁作用金属基体２０の表面を酸化することによって形成されている。誘電体酸化皮膜層２６は、例えば、アジピン酸アンモニウム水溶液などの電解液中にて、弁作用金属基体２０の表面を陽極酸化することで形成されたものである。したがって、誘電体酸化皮膜層２６の表面にも、たとえば図２に示すように、弁作用金属基体２０の表面と同様に、凹凸が形成されている。

弁作用金属基体２０の長手方向の一端側において、誘電体酸化皮膜層２６の表面の一部には、遮蔽部として、所定幅の絶縁層２８が形成される。この絶縁層２８は、後述する陰極部３０を形成する際に付与される原料溶液が、陽極引出し部としての弁作用金属基体引出し部２０ｂに入らないように遮断するためのものである。絶縁層２８は、たとえば、電気絶縁性を有する絶縁樹脂で形成されている。

絶縁層２８を構成する材料としては一般的な耐熱性樹脂、好ましくは溶剤に可溶あるいは膨潤しうる耐熱性樹脂またはその前駆体、無機質微粉とセルロース系樹脂からなる組成物等が使用できるが、材料は特に限定されない。具体例としてはポリフェニルスルホン（ＰＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、シアン酸エステル樹脂、フッ素樹脂（テトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体等）、ポリイミド及びそれらの誘導体等が挙げられる。ポリイミド、ポリエーテルスルホン、フッ素樹脂及びそれらの前駆体が好ましく、特に弁作用金属に十分な密着力、充填性を有し、約４５０℃までの高温処理に耐えられる絶縁性に優れたポリイミドが好ましい。ポリイミドとしては、２００℃以下、好ましくは１００〜２００℃の低温度での熱処理により硬化が十分可能であり、陽極箔の表面上の誘電体層の熱による破損・破壊等の外的衝撃が少ないポリイミドが好適に使用できる。

また、誘電体酸化皮膜層２６の表面には、陰極部３０が形成されている。陰極部３０は、図２に示すように、絶縁層２８の表面の一部を覆うようにして、誘電体酸化皮膜層２６の表面に固体電解質層３２が形成されている。この固体電解質層３２は、特に、たとえば図２および図７に示すように、多孔質層２４の凹部２５に形成される第１の導電性高分子層３４と、第１の導電性高分子層３４の表面に形成される第２の導電性高分子層３６とを含む。第１の導電性高分子層３４は、絶縁層２８を除く誘電体酸化皮膜層２６の表面に形成されている。また、第２の導電性高分子層３６は、絶縁層２８の表面の一部を覆うようにして、第１の導電性高分子層３４の表面に形成されている。

さらに、固体電解質層３２の第２の導電性高分子層３６の表面には、集電層としての導電体層３８が形成されている。導電体層３８は、下地層としてのカーボンペースト層４０を含み、カーボンペースト層４０は、絶縁層２８を除く第２の導電性高分子層３６の表面に形成されている。カーボンペースト層４０の表面には、銀ペースト層４２が形成されている。
この場合、陰極部３０は、第１の導電性高分子層３４および第２の導電性高分子層３６を含む固体電解質層３２と、カーボンペースト層４０および銀ペースト層４２を含む導電体層３８との複合層から構成されている。第１の導電性高分子層３４、第２の導電性高分子層３６、カーボンペースト層４０および銀ペースト層４２は、それぞれの原料溶液を付与することによって形成される。

第１のコンデンサ素子積層体１２および第２のコンデンサ素子積層体１４を構成する複数のコンデンサ素子１６は、それぞれ、互いに隣接する陽極部１８の陽極引き出し部としての弁作用金属基体引出し部２０ｂ同士が、電気的に接続され、且つ、互いに隣接する陰極部３０の導電体層３０（集電層）同士が電気的に接続されるように積層されている。
すなわち、第１のコンデンサ素子積層体１２および第２のコンデンサ素子積層体１４は、それぞれ、図１に示すように、複数枚のコンデンサ素子１６が積層され、コンデンサ素子１６同士の陰極部３０間に、導電性ペースト（図示せず）によって一体的に接合されて形成される。図１に示した固体電解コンデンサ１０では、第１のコンデンサ素子積層体１２および第２のコンデンサ素子積層体１４が、それぞれ、たとえば３枚のコンデンサ素子１６が積層されることによって形成されている。

図１に示した固体電解コンデンサ１０では、当該固体電解コンデンサ１０の中央部、言い換えると、第１のコンデンサ素子積層体１２および第２のコンデンサ素子積層体１４の境界部に、金属材料からなる第１のリードフレーム４４および第２のリードフレーム４６が接合されている。第１のリードフレーム４４は、陽極部１８側のリードフレームとして形成され、第２のリードフレーム４６は、陰極部３０側のリードフレームとして形成されている。

第１のリードフレーム４４および第２のリードフレーム４６の一方主面上には、それぞれ、たとえば導電性接着剤層（図示せず）が形成され、当該導電性接着剤層を介して、第１のコンデンサ素子積層体１２の一方主面側が、第１のリードフレーム４４および第２のリードフレーム４６の一方主面上に積層固着されている。また、第１のリードフレーム４４および第２のリードフレーム４６の他方主面上には、それぞれ、たとえば導電性接着剤層（図示せず）が形成され、当該導電性接着剤層を介して、第２のコンデンサ素子積層体１４の一方主面側が、第１のリードフレーム４４および第２のリードフレーム４６の他方主面上に積層固着されている。

一方、第１のリードフレーム４６をコンデンサ素子１６の陽極部１８に接合する場合、導電性接着剤層を介して、第２のコンデンサ素子積層体１４を積層固着する以外にも、例えば、第１のリードフレーム４６の接合部分に、低融点金属メッキを施したものが用いられ得る。この場合、メッキ部分にコンデンサ素子１６の誘電体酸化皮膜層２６が露出している陽極部１８を重ね合わせ、当該重ね合わせ部位に、たとえば抵抗溶接を施すようにしてもよい。抵抗溶接を施すことで、陽極部１８の端部の誘電体酸化皮膜層２６の固有抵抗によって接合部分が発熱し、第１のリードフレーム４４のメッキ金属が溶融して、第１のリードフレーム４４と陽極部１８の端部とが一体に接合される。また、特に、アルミニウム化成箔等を弁作用金属基体２０に用いた場合には、この誘電体酸化皮膜層２６の抵抗発熱によってアルミニウム化成箔の表面が溶融し、陽極部１８に積層したアルミニウム化成箔の表面が相互に溶け込んで一体に接合される。

なお、図１に示す固体電解コンデンサ１０において、積層されるコンデンサ素子１６の数は任意であり、また、第１のリードフレーム４４および第２のリードフレーム４６の上側と下側に重ねられる第１のコンデンサ素子積層体１２および第２のコンデンサ素子積層体１４の数は、同じ積層数である必異なく、異なる積層数であってもよい。
さらに、第１のリードフレーム４４および第２のリードフレーム４６の材料としては、例えば、鉄およびニッケルを主体とした鉄ニッケル系合金、亜鉛材料、銅材料、または、銅にスズ、ニッケル、鉄等を加えた銅合金などが各種の電子機材において一般に用いられているが、上記した接合方法は、これら一般のリードフレーム材料によって形成されたものについても広く適用され得る。これらのリードフレーム材料の中でも、特に、銅または銅合金等からなる良導電性材料によって形成されたリードフレームに対して有用である。

図１に示す固体電解コンデンサ１０では、第１のリードフレーム４４および第２のリードフレーム４６の一部が外部に露出されるように、第１のコンデンサ素子積層体１２および第２のコンデンサ素子積層体１４は、その全体が外装樹脂４８によって封止されている。外装樹脂４８は、第１の封止部５０および第２の封止部５２を含む。第１の封止部５０によって、第１のリードフレーム４４および第２のリードフレーム４６の一方主面側で、第１のコンデンサ素子積層体１２の略全体が封止されている。また、第２の封止部５２によって、第１のリードフレーム４４および第２のリードフレーム４６の他方主面側で、第２のコンデンサ素子積層体１４の略全体が封止されている。

第１のリードフレーム４４および第２のリードフレーム４６は、図１に示すように、固体電解コンデンサ１０の中央部に接合され、第１のリードフレーム４４と第２のリードフレーム４６とを上下に区画する境界部５４を構成している。第１のリードフレーム４４および第２のリードフレーム４６は、固体電解コンデンサ１０の中央部に沿って、同一軸線上に配置されている。第１のリードフレーム４４および第２のリードフレーム４６は、それぞれ、その一部が外装樹脂４８の側面から引き出され、且つ、第２の封止部５２と間隔を有するように、当該第２の封止部５２の側面から底面側に、たとえばＬ字状に引き回されるように折り曲げられている。この場合、外装樹脂４８内に封止されている第１のリードフレーム４４の一端部４４ａおよび第２のリードフレーム４６の一端部４６ａ同士は、所定の間隔を隔てて、外装樹脂４８内に封止されている。また、外装樹脂４８から露出している第１のリードフレーム４４の他端部４４ｂおよび第２のリードフレーム４６の他端部４６ｂ同士も、所定の間隔を隔てて配設されている。

第２の封止部５２の底面と対向する側に折り曲げられた第１のリードフレーム４４の折り曲げ部４５Ａおよび第２のリードフレーム４６の折り曲げ部４７Ａは、それぞれ、陽極端子部４５および陰極端子部４７として形成される。陽極端子部４５および陰極端子部４７は、それぞれ、この固体電解コンデンサ１０の実装面となる、たとえば実装基板（図示せず）と対向する第２の封止部５２の底面と対向するように配設されている。

次に、図１に示した固体電解コンデンサ１０の製造方法の一例について、説明する。
最初に、上記した単体のコンデンサ素子１６の製造方法の一例について、図１〜図７を適宜参照しながら、以下に説明する。
＜陽極部を形成する工程＞
先ず、陽極部１８を構成する弁作用金属基体２０として、例えば、アルミ箔の表面にエッチング加工により粗面化処理が施され、さらに粗面化された表面に酸化アルミの皮膜を形成する化成処理が施された化成アルミ箔が作製される。この場合、弁作用金属基体２０の表層部には、多孔質層２４が形成されている。
弁作用金属基体２０は、平板シート状の形態を有し得る。弁作用金属基体２０の厚さは、特に限定されないが、例えば５０〜２００μｍ、好ましくは９０〜１３０μｍである。弁作用金属基体２０の幅および長さは、製造する固体電解コンデンサ１０のサイズに応じて適宜選択され得る。

＜誘電体層（誘電体酸化皮膜層）を形成する工程＞
次に、この弁作用金属基体２０に化成処理が施され、誘電体層となる誘電体酸化皮膜層２６が弁作用金属基体２０の表面に形成される。すなわち、化成用電解液に弁作用金属基体２０を配置すると共に、当該弁作用金属基体２０を挟んで一対の陰極棒を配置し、弁作用金属基体２０を陽極として陽極と陰極棒との間に電圧を印加し、例えば、液温を２０〜５０℃、電流密度を１〜４００ｍＡ／ｃｍ２に設定して、例えば、１時間、化成処理（陽極酸化）を実施し、誘電体酸化皮膜層２６を弁作用金属基体２０の表面に形成する。ここで、化成用電解液としては、例えば、ホウ酸、シュウ酸、硫酸、アジピン酸又はこれらの塩を含有した濃度が１〜２０重量％の水溶液を使用することができる。

＜遮蔽部（絶縁層）する工程＞
次に、誘電体酸化皮膜層２６の形成された弁作用金属基体２０の所定箇所にポリイミド等の絶縁材（マスク材）を塗布して乾燥させ、その後、熱処理して硬化させることによって、遮蔽部としての絶縁層２８が形成される。この絶縁層２８によって、陽極引出し部としての弁作用金属基体引出し部２０ｂが形成される領域と、陰極部３０が形成される領域とが、分離・絶縁され、区分されている。

＜陰極部を形成する工程＞
［固体電解質層（第１の導電性高分子層）を形成する工程］
次に、弁作用金属基体２０の表面には、絶縁層２８を除く誘電体酸化皮膜層２６が形成された弁作用金属基体２０に、固体電解質層３２が形成される。固体電解質層３２は、既述したように、誘電体酸化皮膜層２６の表面に形成される第１の導電性高分子層３４と、第１の導電性高分子層３４の表面に形成される第２の導電性高分子層３６とを備えている。
この場合、第１の導電性高分子層３４の原料溶液として、導電性高分子溶液またはその前駆体を、特に、ローラー法によって塗布して、その後、乾燥させることが複数回繰返される。それによって、誘電体酸化皮膜層２６の表面に、第１の導電性高分子層３４が形成される。この第１の導電性高分子層３４は、特に、たとえば図２および図７に示すように、弁作用金属基体２０の多孔質層２４の凹部２５に充填されるように形成される。
また、このローラー法では、重合性ポリマー溶液と酸化剤溶液との混合液を含浸・付着させたローラーを、表面に誘電体酸化皮膜層２６が形成された弁作用金属基体２０の誘電体酸化皮膜層２６の表面に押し付けて当該ローラー回転させることによって、当該混合液を塗布するものとなっている。第１の導電性高分子層３４の原料溶液としては、重合性ポリマー溶液と酸化剤溶液との混合液が好ましく、具体的には、たとえばポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）［ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ］と、ポリスチレンスルホン酸とを混合した原料溶液がより好ましい。

［固体電解質層（第２の導電性高分子層）を形成する工程］
さらに、絶縁層２８の一部を覆うようにして、誘電体酸化皮膜層２６の表面に形成された第１の導電性高分子層３４の表面には、第２の導電性高分子層３６が形成される。この第２の導電性高分子層３６は、上記したポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸が混合された原料溶液を、たとえばディッピングによる塗布方法によって、第１の導電性高分子層３４の表面に塗布した後、乾燥させることが、複数回繰返される。それによって、弁作用金属基体２０の多孔質層２４の凹部２５に充填されるように形成された第１の導電性高分子層３４の表面を被覆するように、第２の導電性高分子層３６が形成される。

［導電体層（カーボンペースト層および銀ペースト層）を形成する工程＞
さらに、固体電解質層３２の第２の導電性高分子層３６の表面には、導電体層３８が形成される。すなわち、固体電解質層３２の第２の導電性高分子層３６の表面に、例えば、カーボンペーストおよび銀ペーストを順次塗布して乾燥、焼付処理を施し、第１の導電層となるカーボンペースト層４０と、第２の導電層となる銀ペースト層４２が形成される。カーボンペースト層４０および銀ペースト層４２は、それぞれ、たとえばディッピングによる塗布方法によって形成される。これによって、図２に示した単体のコンデンサ素子１６が形成される。

＜コンデンサ素子積層体（第１のコンデンサ素子積層体および第２のコンデンサ素子積層体）を形成する工程＞
それから、第１のコンデンサ素子積層体１２および第２のコンデンサ素子積層体１４は、それぞれ、単体のコンデンサ素子１６が、複数個、積重ねられて形成される。
コンデンサ素子１６を積み重ねて第１のコンデンサ素子積層体１２を形成する工程は、各コンデンサ素子１６の陽極部１８の弁作用金属基体２０同士が電気的に接続され、かつ、陰極部３０の導電体層３８同士が電気的に接続されるように、複数のコンデンサ素子１６を積み重ねて形成する工程である。複数のコンデンサ素子１６は、第１のリードフレーム４４（陽極側のリードフレーム）を挟み込むように積層される。また、他の複数のコンデンサ素子１６は、第２のリードフレーム４６（陰極側のリードフレーム）を挟み込むように積層される。

＜陽極部（弁作用金属基体）を接続する工程＞
陽極部１８を接続する工程は、各コンデンサ素子１６の弁作用金属基体引出し部２０ｂに第１のリードフレーム４４の一方側を接続する工程である。第１のリードフレーム４４の一方側と、各コンデンサ素子１６の弁作用金属基体引出し部２０ｂ同士とは、たとえば抵抗溶接により接合される。その際、それぞれの弁作用金属基体引出し部２０ｂは、第１のリードフレーム４４の一方側に向かって曲げ加工されたうえで接合される。また、弁作用金属基体引出し部２０ｂの表面に形成されていた誘電体酸化皮膜層２６は、抵抗溶接の工程で除去される。抵抗溶接の条件は、たとえば電力０．４ｋｗ〜２．０ｋｗ、電力付与時間５ｍｓ〜４０ｍｓである。

＜陰極部（導電体層）を接続する工程＞
陰極部３０を接続する工程は、各コンデンサ素子１６の導電体層３８の銀ペースト層４２に第２のリードフレーム４６の一方側を接続する工程である。第２のリードフレーム４６の一方側と、各コンデンサ素子１６の導電体層３８の銀ペースト層４２同士とは、銀ペースト等の導電性接着剤（図示せず）により接続される。
なお、上記した陽極部１８を接続する工程は、陰極部３０を接続する工程の先に実施されてもよいし、後に実施されてもよい。

＜外装樹脂（第１の封止部および第２の封止部）を形成する工程＞
その後、第１のコンデンサ素子積層体１２および第２のコンデンサ素子１４全体と、第１のリードフレーム４４の一方側と、第２のリードフレーム４６の一方側とを覆うようにして、外装樹脂４８が封止される。外装樹脂４８の封止部５０および封止部５２は、それぞれ、たとえばトランスファー成形によって形成されている。以上により、固体電解コンデンサ１０が形成される。

本発明に係る実施形態例の特定の態様では、その多孔質層２４の表面に誘電体酸化皮膜層２６（誘電体層）が形成された弁作用金属基体２０（陽極部）の当該誘電体酸化皮膜層２６の表面に、導電性高分子原料溶液またはその前駆体をローラー６０で塗布することを含む、第１の導電性高分子層３４を形成する工程を備えた固体電解コンデンサ１０の製造方法に特徴を有するものである。
そこで、以下には、特に、ローラー６０を用いた第１の導電性高分子層３４の形成工程について、たとえば図３、図４、図５、図６、図６および図７を参照しながら、詳述する。

先ず、ローラー６０について説明する。ローラー６０は、図４の（Ａ）および（Ｂ）に示すように、たとえば円筒状の軸部６２を含む。軸部６２は、塩化ビニル等の合成樹脂材料で形成されている。軸部６２の外周面には、当該軸部６２の軸方向の中間部に、円筒状の塗布ロール部６４が配設されている。塗布ロール部６４は、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製スポンジ等の可撓性を有し、吸水性および保水性に優れた多孔質発泡体で形成されている。塗布ロール部６４としては、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）以外にも、ＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル）、ポリウレタン、ポリオレフィン、ポリエチレン、ゴム系、シリコン、メラミン、アクリルなどの多孔質発泡体からなるスポンジ状物が、適宜、用いられ得る。

このスポンジ状物としては、その気孔率が、４０％以上９０％以下に形成されていることが好ましく、また、６０％以上８０％以下に形成されていることがさらに好ましい。
なお、気孔率（％）は、次の測定式により算出される。
気孔率（％）＝（最大吸水重量／水の密度）／｛（スポンジ状物の乾燥時の重量／スポンジ状物の真密度）+（最大吸水重量／水の密度）｝×１００
上記の測定式において、最大吸水重量＝（最大吸水時の重量−乾燥時の重量）とする。

次に、上記したローラー６０を含む、塗布装置ＣＡ（Coating Applicator）によって、上記した第１の導電性高分子層３４の形成工程について、説明する。
塗布装置ＣＡは、たとえば図３の（Ａ）に示すように、導電性高分子原料溶液としてのたとえばポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）［ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ］と、ポリスチレンスルホン酸とを混合した原料溶液７２が投入された２つの液槽７０を含む。２つの液槽７０には、それぞれ、ローラー６０が配設される。２つのローラー６０は、液槽７０の原料溶液７２が含浸されるように、それぞれ、当該液槽７０の上部に配設されている。この場合、２つのローラー６０は、それぞれ、その軸部６２が支持具（図示せず）に回動自在に支持されている。支持具は、液槽７０を当該液槽７０の幅方向に変位可能に支持する搬送具（図示せず）に固定されている。この搬送具によって、２つの液槽７０は、当該液槽７０の幅方向に、互いに接近、且つ、離間するように配設されている。そのため、２つのローラー６０は、その塗布ロール部６４の外周面が、互いに当接して押圧状態に配置可能に構成される。

弁作用金属基体２０（陽極部）の多孔質層２４の表面に誘電体酸化皮膜層２６（誘電体層）が形成された状態のコンデンサ素子の中間体（以下、単に、ワークとも言う。）１００は、たとえば図３の（Ｂ）に示すように、２つのローラー６０の間を下から上方に通過するように移動される。ワーク１００が２つのローラー６０の間を通過するとき、ワーク１００の一方主面および他方主面側に、２つのローラー６０の塗布ロール部６４から、原料溶液７２が転写されて塗布される（塗布工程）。この場合、ワーク１００に原料溶液７２が転写される速度、つまり、ワーク１００が２つのローラー６０の間を通過する速度（以下、転写速度とも言う。）は、たとえば５０ｍｍ／ｓに設定されている。なお、この転写速度は、たとえば１０ｍｍ／ｓ以上１５０ｍｍ／ｓに設定されることが好ましい。

それから、ワーク１００に転写された部位は、乾燥機等の乾燥手段によって、乾燥される（乾燥工程）。このようにして、塗布工程と乾燥工程とが、複数回繰返されることによって、ワーク１００の表面の所定の部位に、第１の導電性高分子層３４が形成される。
その後、ワーク１００に形成された第１の導電性高分子層３４の表面には、たとえばディッピングにより第２の導電性高分子層３６が形成される。

本発明の発明者の知見によれば、本発明に係る実施形態例の固体電解コンデンサ１０の製造方法では、上記したローラー６０を用いた塗布工程により、その表面に誘電体酸化皮膜層２６を備えた弁作用金属基体２０の当該誘電体酸化皮膜層２６の表面に第１の導電性高分子層３４が形成されているため、それによって、本明細書の段落番号［０００５］で示した課題を解決することを見出した。
すなわち、ローラー６０の塗布ロール部６４が、可撓性を有し、且つ、吸水性および保水性に優れた多孔質発泡体で形成されたスポンジ状物で構成されているため、たとえば図３の（Ａ）および（Ｂ）に示すように、塗布ロール部６４に原料溶液７２を含浸させてワーク１００に転写・塗布させることによって、ワーク１００の表面、つまり、弁作用金属基体２０の誘電体酸化皮膜層２６の表面に固体電解質層３２の第１の導電性高分子層３４を形成すれば、固体電解コンデンサ１０のＥＳＲを低く抑えることを見出した。

この場合、上記したローラー６０を用いた導電性高分子の原料溶液の塗布工程によれば、特に、たとえば図７の（Ａ）および（Ｂ）に示すように、弁作用金属基体２０の多孔質層２４の表面に形成された誘電体酸化皮膜層２６の凹部２５の中に、導電性高分子の原料液７２（図６では、図示せず）が侵入する。これによって、誘電体酸化皮膜層２６表面の凹部２５の内壁面２５ａに原料液７２を付着させ、且つ、当該凹部２５内に原料液７２を充填させることができる。言い換えると、弁作用金属基体２０の多孔質層２４の内部に、原料液７２を充填させることができる。

さらに、このことを詳述すると、図３の（Ａ）および（Ｂ）に示すように、原料溶液７２が含浸された塗布ロール部６４でワーク１００の表面、つまり、弁作用金属基体２０の誘電体酸化皮膜層２６の凹部２５に原料液７２を塗布・転写させるとき、特に、図６の（Ａ）に示すように、塗布ロール部６４とワーク１００の表面とが離間された状態から、図６の（Ｂ）に示すように、塗布ロール部６４とワーク１００の表面とが互いに押圧されて当接された状態となる。この場合、塗布ロール部６４の塗布面６４ａに、弁作用金属基体２０表面の多孔質層２４の凸部２７が押圧され、当該塗布ロール部６４の塗布面６４ａが窪んだ状態となり、塗布面６４ａには、一時的に、窪み部６４ｂと突出部６４ｃとが形成されるものとなる。

この場合、塗布ロール部６４に含浸された原料液７２は、塗布ロール部６４の突出部６４ｃを介して、弁作用金属基体２０表面の多孔質層２４の凹部２５に供給され、当該凹部２５内に充填される。また、それと同時に、当該原料液７２は、塗布ロール部６４の窪み部６４ｂを介して、弁作用金属基体２０表面の多孔質層２４の凸部２７表面に供給される。そのため、弁作用金属基体２０の多孔質層２４の凹部２５内部に、原料液７２を安定して充填させることができ、当該多孔質層２４の凹部２５内部および凸部２７の表面に、第１の導電性高分子層３４を強固に形成することができる。

さらに、本実施形態例に係る固体電解コンデンサ１０の製造方法では、第１の導電性高分子層３４の表面に、たとえばディッピングによる塗布方法により第２の導電高分子層３６が形成されているため、第１の導電性高分子層３４および第２の導電高分子層３６の協働作用により、弁作用金属基体２０の多孔質層２４の凹部２５、当該凹部２５の内壁面２５ａに露出する細孔および空隙部（図示せず）に充填形成される第１の導電性高分子層３４と、第１の導電性高分子層３４の表面に形成される第２の導電高分子層３６との接着性、および、第１の導電性高分子層３４と誘電体酸化皮膜層２６との接着性が強化されるものとなっている。そのため、弁作用金属基体２０の多孔質層２４の表面に形成された誘電体酸化皮膜層２６は、第１の導電性高分子層３４を介して、第２の導電高分子層３６との接着性および密着性が安定的に強化されるものとなっている。

すなわち、弁作用金属基体２０の多孔質層２４内に第１の導電性高分子層３４が、むら無く充填されるので、第１の導電性高分子層３４の表面に形成される第２の導電高分子層３６の膜厚も略均一なものとなる。そのため、上記したローラー６０を用いた塗布工程を有する固体電解コンデンサ１０の製造方法によれば、従来のディッピングによる塗布方法により固体電解質層３２を形成する工程を有する製造方法に比べて、当該固体電解コンデンサ１０のＥＳＲを低く抑えることができるものとなっている。したがって、近年の電子機器の高性能化、小型化に対応することができる低ＥＳＲ化の可能な固体電解コンデンサを提供することが可能となっている。

以下に、本発明の実施形態例に係る代表的な実施例を示し、具体的に説明する。以下の実施例は、単なる例示であって、本発明は、以下の実施例に何ら制限されるものではない。また、以下には、ディッピングによる塗布方法により固体電解質層を形成する工程を含む従来の製造方法に係る比較例も示し、本実施例および比較例で得られた固体電位コンデンサに交流電圧を印加してＥＳＲを測定し、その測定結果を［表１］および［表２］に示した。

（１）陽極部（弁作用金属基体２０）の形成
表面に多孔質層２４を有する弁作用金属基体２０として、たとえば平板状の化成アルミ箔を準備した。この場合、弁作用金属基体２０の芯部２２の厚みは、たとえば３０μｍに形成され、多孔質層２４の厚みは、弁作用金属基体２０の一方主面側および他方主面側が、それぞれ、たとえば４０μｍに形成されている。
（２）誘電体層（誘電体酸化皮膜層２６）の形成
［化成］
上記した弁作用金属基体２０をアジピン酸アンモニウム水溶液中で酸化し、その表面に酸化アルミニウムからなる誘電体酸化皮膜層２６を形成した。酸化処理の条件は、たとえば６０℃、１６Ｖの条件で実施した。
（３）遮蔽部（絶縁層２８）の作成
弁作用金属基体２０の所定の部位に、陰極部３０の領域と弁作用金属基体引出し部２０ｂとを分離・絶縁するためのマスク材として、ポリイミドからなる絶縁ペーストを塗布して絶縁層２８を形成した。マスク材の材質は、ポリイミドの他にポリアミドイミドなどでもよい。
（４）内層用固体電解質層（第１の導電性高分子層３４）の形成
［ローラー６０による塗布］
ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸が混合された原料液７２を使用して、弁作用金属基体２０の多孔質層２４の凹部２５内に原料液７２をローラー６０により転写・塗布することによって、多孔質層２４の凹部２５内に第１の導電性高分子層３４を充填形成した。
すなわち、たとえば図３の（Ａ）および（Ｂ）に示すように、塗布ロール部６４を有するローラー６０を含む、塗布装置ＣＡにより、原料液７２をワーク１００（弁作用金属基体２０）の表面に、塗布した。ローラー６０は、ポリウレタン製スポンジローラが用いられている。図３の（Ｂ）に示すように、２つのローラー６０の塗布ロール部６４の間にワーク１００を下から上に通過させてワーク１００の所定の部位に原料液７２を塗布した。この場合、塗布条件としては、２つのローラー６０の塗布ロール部６４の間にワーク１００を下から上に通過させる速度（転写速度）が、たとえば５０ｍｍ／ｓに設定されている。
ワーク１００に転写された部位は、乾燥機によって乾燥し（乾燥工程）、ローラー６０による塗布工程と乾燥工程とをたとえば１０回繰返すことによって、ワーク１００の表面の所定の部位に、第１の導電性高分子層３４を形成した。
（５）外層用固体電解質層（第２の導電性高分子層３６）の形成
［ディッピングによる塗布（浸漬塗布）］
多孔質層２４の外層部分（多孔質層２４の表面）を固体電解質膜で被覆するために、ディッピングにより、上記した原料液７２をワーク１００の第１の導電性高分子層３４の表面に被膜し、第２の導電性高分子層３６を形成した。
（６）導電体層（カーボンペースト層４０）の形成
ワーク１００の第２の導電性高分子層３６の表面にカーボンペースト層４０を形成するため、当該第２の導電性高分子層３６の表面に、ディッピングにより、カーボンペーストを浸漬塗布した。
（７）導電体層（銀ペースト層４２）の形成
カーボンペースト層４０の表面に、銀ペースト層４２を形成するため、当該カーボンペースト層４０の表面に、ディッピングにより、銀ペーストを浸漬塗布した。
上記した（１）〜（７）の工程により、単体のコンデンサ素子１６が形成される。
（８）固体電解コンデンサ１０の形成
複数のコンデンサ素子１６を積層して、第１のコンデンサ素子積層体１２および第２のコンデンサ素子積層体１４を形成した。次に、各コンデンサ素子１６の弁作用金属基体引出し部２０ｂに第１のリードフレーム４４の一方側をたとえば抵抗溶接により接続した。次に、各コンデンサ素子１６の導電体層３８の銀ペースト層４２に第２のリードフレーム４６の一方側を導電性接着剤で接続した。それから、第１のコンデンサ素子積層体１２および第２のコンデンサ素子１４全体と、第１のリードフレーム４４の一方側と、第２のリードフレーム４６の一方側とを覆うようにして、たとえばエポキシ樹脂からなる外装樹脂４８を、たとえばトランスファー成形によって封止した。これにより、固体電解コンデンサ１０を形成した。

次に、ディッピングによる塗布方法により固体電解質層を形成する工程を含む、固体電解コンデンサの製造方法を比較例として示す。
［比較例］
この比較例では、上記した実施例と比べて、特に、上記（４）の内層用固体電解質層（第１の導電性高分子層３４）の形成方法が相違するだけで、それ以外の工程は、上記した実施例の（１）〜（３）および（５）〜（８）に示した工程と同様である。
そこで、以下には、内層用固体電解質層（第１の導電性高分子層３４）の形成方法についてのみ、説明する。
すなわち、この比較例では、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸が混合された原料液７２を使用して、弁作用金属基体２０の多孔質層２４の表面にディッピングによる塗布方法により当該原料液７２を浸漬することによって、多孔質層２４の表面に第１の導電性高分子層３４を形成した。
この場合、ディッピングによる塗布条件としては、浸漬速度がたとえば５０μ／ｓ、待機時間がたとえば１ｍｉｎ、引き上げ速度：５００μ／ｓに設定され、乾燥工程をたとえば１０回繰返した。

次に、上記した実施例および比較例で得られた固体電位コンデンサに交流電圧を印加してＥＳＲを測定し、その測定結果を、以下の［表１］および［表２］に示す。
なお、この実施例および比較例では、気孔率（％）が、次の測定式により算出される。
気孔率（％）＝（最大吸水重量／１）／｛（スポンジ状物の乾燥時の重量／１．２）+（最大吸水重量／１）｝×１００
上記の測定式において、最大吸水重量＝（最大吸水時の重量−乾燥時の重量）とする。また、ポリウレタン製スポンジの真密度を１．２ｇ／ｃｍ³とし、水の密度を１ｇ／ｃｍ³とした。

［表１］および［表２］から明らかなように、弁作用金属基体２０の多孔質層２４の表面にディッピングによる塗布方法（Dip方式）により原料液７２を浸漬した比較例よりも、当該原料液７２をローラー６０で転写する塗布方法の方が、固体電解コンデンサのＥＳＲが低く抑えられていることが明らかである。
この場合、ローラー６０の塗布ロール部６４を形成するスポンジの気孔率が、４０％以上９０％以下に形成されていることが好ましく、また、６０％以上８０％以下に形成されていることがさらに好ましいものとなっている。

図５は、図４に示したローラーの他の例を示す図であって、（Ａ）はその断面図であり、（Ｂ）はその側面図である。
図５の（Ａ）および（Ｂ）に示すローラー６０は、図４の（Ａ）および（Ｂ）に示すローラー６０と比べて、特に、塗布ロール部の表面に凹凸部が形成されている点で相違している。すなわち、図５の（Ａ）および（Ｂ）に示すローラー６０では、塗布ロール部６８の表面に複数の凹凸部６９を有している。この凹凸部６９は、塗布ロール部６８の表面に溝加工を施すことによって、凸部６９Ａと凹部６９Ｂとを備えた凹凸部６９が形成される。
このローラー６０を用いて、上記したワーク１００を多連塗布する場合、凹凸部６９の凸部６９Ａの部位だけが、ワーク１００の所定の部位に当接して、導電性高分子またはその前駆体を塗布可能とする。一方、凹凸部６９の凹部６９Ｂには、導電性高分子またはその前駆体が保持されにくく、ワーク１００への塗布が抑制される。
そのため、ワーク１００への塗布が不要な部位には、導電性高分子またはその前駆体が塗布されないようにすることが可能となっている。ワーク１００の不要な部分に、導電性高分子またはその前駆体が塗布され場合には、それが無駄になり、また、それを除去する作業も必要となるので、固体電解コンデンサの製造コストが高くなり、生産性の低下にもつながるという、不具合が生じる虞があった。それに対して、図５の（Ａ）および（Ｂ）に示すように、塗布ロール部６８の表面に複数の凹凸部６９を有したローラー６０では、そのように不具合を防ぐことが可能となる。

なお、上述した発明の実施形態例では、弁作用金属基体２０の一方主面および他方主面に、導電性高分子またはその前駆体を塗布するように構成されているが、２つのローラー６０の内の１つのローラー６０だけを用いて、弁作用金属基体２０の一方主面または他方主面にのみ、電性高分子またはその前駆体を塗布するように構成してもよい。

１０ 固体電解コンデンサ
１２ 第１のコンデンサ素子積層体
１４ 第２のコンデンサ素子積層体
１６ 単体のコンデンサ素子
１８ 陽極部
２０ 弁作用金属基体
２０ａ 弁作用金属基体本体
２０ｂ 弁作用金属基体引出し部
２２ 芯部
２４ 多孔質層
２５ 多孔質層の凹部
２５ａ 多孔質層の凹部の内壁面
２６ 誘電体酸化皮膜層（誘電体層）
２７ 多孔質層の凸部
２８ 絶縁層
３０ 陰極部
３２ 固体電解質層
３４ 第１の導電性高分子層
３６ 第２の導電性高分子層
３８ 導電体層
４０ カーボンペースト層
４２ 銀ペースト層
４４ 第１のリードフレーム（陽極部側のリードフレーム）
４４ａ 第１のリードフレームの一端部
４４ｂ 第１のリードフレームの他端部
４５Ａ 第１のリードフレームの折り曲げ部
４５ 陽極端子部
４６ 第２のリードフレーム（陰極部側のリードフレーム）
４６ａ 第２のリードフレームの一端部
４６ｂ 第２のリードフレームの他端部
４７Ａ 第２のリードフレームの折り曲げ部
４７ 陰極端子部
４８ 外装樹脂
５０ 第１の封止部
５２ 第２の封止部
５４ 境界部
６０ ローラー
６２、６６ 軸部
６４、６８ 塗布ロール部
６４ａ 塗布ロール部の塗布面
６４ｂ 窪み部
６４ｃ 突出部
６９ 凹凸部
６９Ａ 凸部
６９ａ 塗布面
６９Ｂ 凹部（溝部）
７０ 液槽（固体電解質原料液の液槽／導電性高分子原料液の液槽）
７２ 原料液（固体電解質原料液／導電性高分子原料液）
１００ 単体のコンデンサ素子の中間体
ＣＡ 塗布装置

Claims (6)

1. 表面に誘電体層が形成された陽極部と、前記誘電体層の表面に形成され、固体電解質層を備えた陰極部と含む、固体電解コンデンサの製造方法であって、
   前記誘電体層の表面に、導電性高分子または前記導電性高分子の前駆体を、可撓性を有する多孔質体からなるローラーにより塗布することによって、前記固体電解質層を形成する工程を含むことを特徴とする、固体電解コンデンサの製造方法。
2. 前記誘電体層は誘電体酸化皮膜で形成され、
   前記陽極部は、その表面に多孔質層を有し、前記多孔質層の表面に誘電体酸化皮膜が形成された弁作用金属基体を含み、
   前記固体電解質層は、前記誘電体酸化皮膜が形成された前記多孔質層の凹部に充填される第１の導電性高分子層と、前記第１の導電性高分子層の表面に形成される第２の導電性高分子層とを含み、
   前記第１の導電性高分子層は、前記弁作用金属基体の前記誘電体酸化皮膜の表面に、前記導電性高分子または前記前駆体を、前記ローラーにより塗布することによって形成される工程を含むことを特徴とする、請求項１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
3. 前記ローラーは、軸部、および、前記軸部に支持されて前記軸部の外周部に設けられる塗布ロール部を含み、
   前記塗布ロール部は、少なくとも、前記陽極部と接触する接触部がスポンジ状物で形成されていることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
4. 前記塗布ロール部の外周面には、前記軸部の軸方向に間隔を隔てて配設される凹凸部を含み、前記凹凸部の少なくとも凸部が、前記スポンジ状物で形成され、前記陽極部と接触することを特徴とする、請求項４に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
5. 前記スポンジ状物の気孔率は、４０％以上９０％以下に形成されていることを特徴とする、請求項３または請求項４に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
6. 前記陽極部は、一方主面および他方主面を含み、
   前記ローラーは、前記陽極部の一方主面および／または他方主面に、前記導電性高分子または前記前駆体を塗布するように構成されていることを特徴とする、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

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