JP2018082001A - シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン単結晶インゴットを所定の長さのシリコンブロックに切断する切断工程S2と、シリコンブロックを酸洗浄する洗浄工程S3と、シリコンブロックに中性子線を照射する中性子線照射工程S4と、シリコンブロックを外周研削する研削工程S5と、研削工程S5によって外周研削されたシリコンブロックをスライスするスライス工程S7を備える。
【選択図】図1
Description
11 バスケット
12 酸洗浄槽
13 洗浄液
20 ワイヤソー
21 カーボンベッド
22 昇降装置
S11 インゴット用意工程
S12 研削工程
S13 切断工程
S14 洗浄工程
S15 中性子線照射工程
S16 OF・ノッチ加工工程
S17 スライス工程
S1 インゴット用意工程
S2 切断工程
S3 洗浄工程
S4 中性子線照射工程
S5 研削工程
S6 OF・ノッチ加工工程
S7 スライス工程
S8 プレ研削工程
W シリコンウェーハ
Claims (7)
- シリコン単結晶インゴットを加工して目標直径のシリコンウェーハを製造する方法であって、
前記シリコン単結晶インゴットを所定の長さのシリコンブロックに切断加工する切断工程と、
前記シリコンブロックを酸洗浄する洗浄工程と、
前記シリコンブロックに中性子線を照射する中性子線照射工程と、
前記シリコンブロックを外周研削する研削工程と、
前記研削工程によって外周研削された前記シリコンブロックをスライスするスライス工程とを備えることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 前記研削工程後の前記シリコンブロックの直径は、前記シリコンウェーハの前記目標直径よりも1〜2mm大きい、請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記切断工程の前に、前記シリコン単結晶インゴットを外周研削するプレ研削工程をさらに備える、請求項1又は2に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記プレ研削工程後の前記シリコン単結晶インゴットの直径は、前記シリコンウェーハの前記目標直径よりも2〜7mm大きい、請求項3に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記洗浄工程は、前記シリコンブロックを酸洗浄槽内で揺動させる、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記洗浄工程は、多数の穴が開いたメッシュ構造のバスケット内に前記シリコンブロックを横向きで収容した状態で行う、請求項5に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記スライス工程は、前記シリコンブロックの外周面に中間部材を接着固定し、前記中間部材を介して前記シリコンブロックを保持した状態で前記シリコンブロックをワイヤソーでスライスする、請求項1乃至6のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
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- 2016-11-15 JP JP2016222433A patent/JP6677144B2/ja active Active
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