JP2018073177A - 画像処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電界効果トランジスタの発熱に起因する突入電流防止回路での不具合の発生を抑制可能な画像処理装置を提供する。
【解決手段】画像処理装置は、突入電流防止回路８を有する電源部７及び電源部を制御する制御部５を備える。突入電流防止回路８は、電界効果トランジスタ８１及びスイッチング素子８３を有する。スイッチング素子は、オン状態とオフ状態との切り替えにより、電界効果トランジスタの駆動状態と駆動停止状態とを選択する。制御部は、ゲート電圧検出部５５、異常判定部５６及び切替制御部５４を有する。ゲート電圧検出部は、電界効果トランジスタのゲート電圧を検出する。異常判定部は、ゲート電圧が異常低電圧であるか否かを判定する。切替制御部は、ゲート電圧が異常低電圧であると判定された場合に、スイッチング素子オン状態とオフ状態とを切り替えて、電界効果トランジスタを駆動停止状態にする。
【選択図】図３

Description

本発明は、突入電流防止回路を備える画像処理装置に関する。

プリンターなどの画像処理装置の電源装置には、突入電流防止回路が設けられることがある。例えばスイッチング素子や突入電流防止素子としての電界効果トランジスタを用いた突入電流防止回路が知られている（例えば、特許文献１及び２参照）。

特開２０００−２２４８４５号公報 特開２００４−１２９４１９号公報

ところで、電界効果トランジスタは、ゲート電圧がゲート閾値電圧よりも大きい場合にソースとドレインとの間に電流が流れる。電界効果トランジスタでは、ゲート電圧とゲート閾値電圧との差が小さいほどソースとドレインとの間のチャネル抵抗が大きい。

一方、電界効果トランジスタを用いた突入電流防止回路では、実装部品の入出力異常などが発生した場合、電界効果トランジスタのゲート電圧が小さくなることがある。そのため、前記突入電流防止回路では、ゲート電圧が小さくなることで電界効果トランジスタが発熱し、電界効果トランジスタ及びその周辺の実装部品にオープン不良、焼損などの不具合が生じ得る。

本発明の目的は、電界効果トランジスタの発熱に起因する突入電流防止回路での不具合の発生を抑制可能な画像処理装置を提供することにある。

本発明の一の局面に係る画像処理装置は、突入電流防止回路を有する電源部、及び前記電源部を制御する制御部を備える。前記突入電流防止回路は電界効果トランジスタ及びスイッチング素子を有する。前記スイッチング素子は、オン状態とオフ状態との切り替えにより前記電界効果トランジスタの駆動状態と駆動停止状態とを選択する。前記制御部は、ゲート電圧検出部、異常判定部及び切替制御部を有する。前記ゲート電圧検出部は、前記電界効果トランジスタのゲート電圧を検出する。前記異常判定部は、前記ゲート電圧検出部により検出される前記電界効果トランジスタのゲート電圧が予め定められる異常低電圧であるか否かを判定する。前記切替制御部は、前記異常判定部により前記電界効果トランジスタのゲート電圧が前記異常低電圧であると判定された場合に、前記スイッチング素子のオン状態とオフ状態とを切り替えて前記電界効果トランジスタを駆動停止状態にする。

本発明によれば、電界効果トランジスタの発熱に起因する突入電流防止回路での不具合の発生を抑制可能な画像処理装置が提供される。

図１は、本発明の第１実施形態に係る画像形成装置を模式的に示す断面図である。 図２は、図１に示される画像形成装置のシステム構成を示すブロック図である。 図３は、画像形成装置の電源部を制御部と共に示す回路図である。 図４は、画像形成装置の制御部により実行されるＦＥＴ監視処理の一例を示すフローチャートである。 図５は、図４に示されるＦＥＴ監視処理における温度監視処理の一例を示すフローチャートである。 図６は、図５に示される温度監視処理における温度正常時処理の一例を示すフローチャートである。 図７は、図５に示される温度監視処理における警告処理の一例を示すフローチャートである。 図８は、図５に示される温度監視処理における画像処理の停止処理の一例を示すフローチャートである。 図９は、図４に示されるＦＥＴ監視処理における電圧監視処理の一例を示すフローチャートである。 図１０は、図９に示される電圧監視処理における電圧正常時処理の一例を示すフローチャートである。 図１１は、図９に示される電圧監視処理における警告処理の一例を示すフローチャートである。 図１２は、本発明の第２実施形態における電源部及び制御部を示す回路図である。 図１３は、図１２に示される制御部によるＦＥＴ監視処理の一例を示すフローチャートである。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明し、本発明の理解に供する。なお、以下の実施形態は、本発明を具体化した一例であって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。

［第１実施形態］
まず、図１〜図３を参照しつつ、本発明の一実施形態に係る画像形成装置１０の構成について説明する。

図１及び図２に示されるように、画像形成装置１０は、ＡＤＦ１、画像読取部２、画像形成部３、給紙部４、制御部５、操作表示部６、及び電源部７を備える。画像形成装置１０は、原稿から画像データを読み取るスキャン機能、及び画像データに基づいて画像を形成するプリント機能と共に、ファクシミリ機能、及びコピー機能などの複数の機能を有する複合機である。ここに、画像形成装置１０は、本発明における画像処理装置の一例である。また、本発明は、スキャナー装置、プリンター装置、ファクシミリ装置、コピー機などの画像処理装置にも適用可能である。

ＡＤＦ１は、原稿セット部、複数の搬送ローラー、原稿押さえ、及び排紙部を備え、画像読取部２によって読み取られる原稿を搬送する自動原稿搬送装置である。画像読取部２は、原稿台、光源、複数のミラー、光学レンズ、及びＣＣＤ（Charge Coupled Device）を備え、原稿から画像データを読み取ることが可能である。

画像形成部３は、画像読取部２で読み取られた画像データ又は外部のパーソナルコンピューターなどの情報処理装置から入力された画像データに基づいて、電子写真方式で画像を形成する画像形成処理を実行可能である。具体的に、画像形成部３は、図１に示されるように、感光体ドラム３１、帯電器３２、光走査部３３、現像器３４、転写ローラー３５、クリーニング装置３６、定着部３７、及び排紙トレイ３８を備える。

給紙部４は、給紙カセット、及び複数の搬送ローラーを備え、前記給紙カセットに収容されるシートを画像形成部３に供給する。なお、前記シートは、紙、コート紙、ハガキ、封筒、及びＯＨＰシートなどである。

画像形成部３では、給紙部４から供給される前記シートに以下の手順で画像が形成され、画像形成後の前記シートが排紙トレイ３８に排出される。

まず、帯電器３２によって感光体ドラム３１の表面が所定の電位に一様に帯電される。次に、光走査部３３により感光体ドラム３１の表面に画像データに基づく光が照射される。これにより、感光体ドラム３１の表面に画像データに対応する静電潜像が形成される。そして、感光体ドラム３１上の静電潜像は現像器３４によってトナー像として現像される。なお、現像器３４には、画像形成部３に着脱可能なトナーコンテナ３４Ａからトナーが補給される。

続いて、感光体ドラム３１に形成されたトナー像は、転写ローラー３５によってシートに転写される。その後、シートに転写されたトナー像は、そのシートが定着部３７の定着ローラー及び加圧ローラーの間を通過する際に前記定着ローラーで加熱されて溶融定着される。なお、感光体ドラム３１の表面に残存したトナーはクリーニング装置３６で除去される。

制御部５は、不図示のＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＥＥＰＲＯＭ（登録商標）などの制御機器を備える。前記ＣＰＵは、各種の演算処理を実行するプロセッサーである。前記ＲＯＭは、前記ＣＰＵに各種の処理を実行させるための制御プログラムなどの情報が予め記憶される不揮発性の記憶部である。前記ＲＡＭは揮発性の記憶部であり、前記ＥＥＰＲＯＭは不揮発性の記憶部である。前記ＲＡＭ及び前記ＥＥＰＲＯＭは、前記ＣＰＵが実行する各種の処理の一時記憶メモリーとして使用される。制御部５では、前記ＣＰＵにより前記ＲＯＭに予め記憶された各種の制御プログラムが実行される。これにより、画像形成装置１０が制御部５により統括的に制御される。なお、制御部５は、集積回路などの電子回路で構成されたものであってもよく、画像形成装置１０を統括的に制御するメイン制御部とは別に設けられたエンジン制御部であってもよい。なお、制御部５の詳細は後述する。

操作表示部６は、制御部５からの制御指示に応じて各種の情報を表示する液晶ディスプレーなどの表示部、及びユーザーの操作に応じて制御部５に各種の情報を入力する操作キー又はタッチパネルなどの操作部を有する。

操作表示部６の表示部は、後述の電界効果トランジスタ８１（図３参照）が警戒状態であること、異常状態であること、画像処理が行えないことなどを報知する。なお、操作表示部６の表示部は、本発明の報知部の一例である。本発明の報知部の他の例としてはスピーカー（不図示）が挙げられる。報知部がスピーカーの場合には、例えば報知内容に対応させて予め定められる警告音やメッセージを出力することで電界効果トランジスタ８１が警戒温度状態であること、異常状態であること、画像処理が行えないことなどが報知される。

図３に示されるように、電源部７は、第１電源７１、第２電源７２、第３電源７３、インターロックスイッチ７４、及び突入電流防止回路８を備える。電源部７は、例えば画像形成装置１０に対し独立して取り外し可能である。

第１電源７１は、外部電源９１から供給される交流電圧（例え１００Ｖ）を予め定められた第１電圧Ｖ１（例えば２４Ｖ）の直流電圧に変換して出力するＡＣ−ＤＣコンバーターである。第１電源７１は、負荷９２、第３電源７３、及び後述の突入電流防止回路８に第１電圧Ｖ１を供給する。負荷９２は、例えばＡＤＦ１、画像読取部２、画像形成部３、給紙部４、制御部５、操作表示部６である。

第２電源７２は、後述の突入電流防止回路８に第２電圧Ｖ２を供給する直流電源である。第２電源７２は、突入電流防止回路８及び負荷９３に接続されている。

第３電源７３は、第１電源７１から供給される直流電圧を予め定められた第３電圧Ｖ３に変換して出力するＤＣ−ＤＣコンバーターである。第３電源７３は、後述の突入電流防止回路８の電界効果トランジスタ８１のゲートに第３電圧Ｖ３を供給する。また、第３電源７３は、後述の制御部５の第３電源制御部５２からの電圧指定信号により第３電圧Ｖ３を特定範囲（例えば０Ｖ〜５Ｖ）内で変更して出力可能である。

インターロックスイッチ７４は、後述の制御部５の選択処理部５１によりオン状態とオフ状態とが選択され、オン状態とオフ状態とに応じて電源部７を駆動状態又は停止状態にする。一方、突入電流防止回路８は、電源部７の駆動状態又は停止状態に応じて駆動状態又は停止状態が選択される。インターロックスイッチ７４は、後述の電界効果トランジスタ８１が正常状態又は警戒状態である場合にオン状態にされ、電源部７及び突入電流防止回路８を駆動状態にする。なお、インターロックスイッチ７４は、本発明の回路駆動選択部の一例である。また、本発明の回路駆動選択部は、インターロックスイッチ７４とは別に設けられたスイッチング部であってもよい。

突入電流防止回路８は、電界効果トランジスタ８１、サーミスター８２及びスイッチング素子８３を備える。突入電流防止回路８は、第１電源７１及びインターロックスイッチ７４に定格電流を超える電流が供給されることを防止する。

電界効果トランジスタ８１は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ（metal oxide semiconductor field effect transistor）である。なお、電界効果トランジスタ８１は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴであってもよい。

電界効果トランジスタ８１は、ゲートが第３電源７３の出力ライン７３１に接続され、ソースが第１電源７１の出力ライン７１１に接続され、ドレインが第２電源７２の出力ライン７２１に接続されている。電界効果トランジスタ８１は、ゲート電圧Ｖ_GSがゲート閾値電圧以上であることでソースとドレインとの間が導通され、駆動状態になる。一方、電界効果トランジスタ８１は、ゲート電圧Ｖ_GSがゲート閾値電圧未満であることでソースとドレインとの間が遮断され、停止状態になる。

そして、突入電流防止回路８では、電界効果トランジスタ８１が駆動状態になった場合に、第１電源７１の出力電流を負荷９３に分流できる。これにより、電界効果トランジスタ８１は、突入電流が第１電源７１、インターロックスイッチ７４に流入することを防止し、第１電源７１及びインターロックスイッチ７４に定格電流を超える電流が供給されることを防止する。

サーミスター８２は、電界効果トランジスタ８１の近傍に配置され、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔを測定する。サーミスター８２は、第１電源７１の出力ライン７１１及びグランド（ＧＮＤ）に接続されている。そのため、サーミスター８２には第１電圧Ｖ１が印加される。また、サーミスター８２は、制御部５の温度検出部５３に接続されており、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔに応じた電圧を温度検出部５３に出力する。なお、サーミスター８２に代えて、熱電対などの温度センサーを使用してもよい。

スイッチング素子８３は、オン状態とオフ状態との切り替えにより電界効果トランジスタ８１のゲートに第３電圧Ｖ３が印加される状態と印加されない状態とを選択する。即ち、スイッチング素子８３は、オン状態とオフ状態との切り替えにより電界効果トランジスタ８１の駆動状態と駆動停止状態とを選択する。スイッチング素子８３は、電界効果トランジスタ８１が正常状態又は警戒状態である場合にオン状態にされ、電界効果トランジスタ８１を駆動状態にされる。一方、スイッチング素子８３は、電界効果トランジスタ８１が異常状態である場合にオフ状態にされ、電界効果トランジスタ８１を駆動停止状態にされる。

本実施形態では、スイッチング素子８３は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴである。この場合のスイッチング素子８３は、ゲートが切替制御部５４に接続され、ソースが第３電源７３の出力ライン７３１に接続され、ドレインが電界効果トランジスタ８１のゲートに接続される。スイッチング素子８３は、ゲート電圧Ｖ_GSがゲート閾値電圧以上である場合にソースとドレインとが導通したオン状態になる。これにより、電界効果トランジスタ８１のゲートに第３電圧Ｖ３が印加される。一方、ゲート電圧Ｖ_GSがゲート閾値電圧未満である場合にソースとドレインとが遮断されたオフ状態になる。これにより、電界効果トランジスタ８１のゲートに第３電圧Ｖ３が印加されない。

なお、スイッチング素子８３としては、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ、ＰＮＰ型トランジスタ、ＮＰＮ型トランジスタなどの一般にスイッチング素子として使用されている他の種類のトランジスタが挙げられる。

また、制御部５は、電源部７を制御する。具体的には、制御部５は、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔ及びゲート電圧Ｖ_GSを監視し、第３電源７３、インターロックスイッチ７４及びスイッチング素子８３を制御する。制御部５は、選択処理部５１、第３電源制御部５２、温度検出部５３、切替制御部５４、ゲート電圧検出部５５、異常判定部５６、及び報知制御部５７を備える。

選択処理部５１は、インターロックスイッチ７４のオン状態とオフ状態との切替を制御し、突入電流防止回路８に第１電圧Ｖ１が入力される状態と入力されない状態とを選択する。具体的には、選択処理部５１は、インターロックスイッチ７４をオン状態にすることで、突入電流防止回路８に第１電圧Ｖ１を入力させ、突入電流防止回路８を駆動状態にする。一方、選択処理部５１は、インターロックスイッチ７４をオフ状態にすることで、突入電流防止回路８に第１電圧Ｖ１が入力されないようにし、突入電流防止回路８を停止状態にする。

第３電源制御部５２は、スイッチング素子８３の温度Ｔ及び／又はゲート電圧Ｖ_GSに応じて、第３電源７３から出力される第３電圧Ｖ３を調整する。また、第３電源制御部５２は、第３電源７３から出力される第３電圧Ｖ３を調整することで、スイッチング素子８３のゲート電圧Ｖ_GSを調整する。例えば、第３電源制御部５２は、異常判定部５６により電界効果トランジスタ８１の温度Ｔ又はゲート電圧Ｖ_GSが警戒温度又は警戒電圧であると判定された場合、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔを正常温度で維持できるように第３電圧Ｖ３を調整する。即ち、電界効果トランジスタ８１は、第３電圧Ｖ３が小さくされることでゲート電圧Ｖ_GSが大きくされるため、チャネル抵抗が小さくされる。これにより、電界効果トランジスタ８１における温度上昇が抑制される。

第３電源制御部５２による第３電圧Ｖ３の調整は、例えば温度検出部５３により検出される温度Ｔ又はゲート電圧検出部５５により検出されるゲート電圧Ｖ_GSと、基準温度又は基準電圧との差分値に基づいて行われる。基準温度又は基準電圧は、例えば第１閾値温度Ｔｔｈ１又は第１閾値電圧Ｖｔｈ１である。そして、第３電源制御部５２は、例えば前記差分値に応じて決定される制御量に対応する電圧指定信号を生成し、第３電源７３に送信する。

なお、前記電圧指定信号は、電源部７の起動時にも生成される。電源部７の起動時における電圧指定信号は起動時ごとに同一になる。そのため、電源部７の起動時の第３電圧Ｖ３は起動時ごとに同一になる。以下において、起動時の第３電圧Ｖ３を初期設定値Ｖ３₀と称する。

なお、第３電源制御部５２は、異常判定部５６により電界効果トランジスタ８１の温度Ｔ又はゲート電圧Ｖ_GSが正常温度又は正常電圧であると判定される場合においても、第３電源７３から出力される第３電圧Ｖ３を調整してもよい。これにより、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔ又はゲート電圧Ｖ_GSは、最適範囲に制御される。

温度検出部５３は、サーミスター８２から出力される電圧に基づき、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔを検出する。

切替制御部５４は、スイッチング素子８３のオン状態とオフ状態との切り替えを制御する。切替制御部５４は、スイッチング素子８３のゲートに印加する電圧を調整し、ゲート電圧Ｖ_GSをゲート閾値電圧以上にすることでスイッチング素子８３をオン状態にする。これにより、電界効果トランジスタ８１のゲートに第３電圧Ｖ３が印加され、電界効果トランジスタ８１はソースとドレインとが導通したオン状態になる。一方、切替制御部５４は、スイッチング素子８３のゲートに電圧を印加しないことでゲート電圧Ｖ_GSをゲート閾値電圧未満にし、スイッチング素子８３をオン状態にする。これにより、電界効果トランジスタ８１のゲートに第３電圧Ｖ３が印加されず、電界効果トランジスタ８１はソースとドレインとが遮断されたオフ状態になる。

ゲート電圧検出部５５は、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSを検出する。ここで、ゲート電圧Ｖ_GSは、ゲート閾値電圧を超える値であるとソースとドレインとの間を導通させる。一方、電界効果トランジスタ８１のソースとドレインとの間のチャネル抵抗は、ゲート電圧Ｖ_GSとゲート閾値電圧との差分が小さいほどが大きく、前記差分が０に近づくに従い急激に大きくなる傾向がある。そのため、前記差分が小さいと電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが上昇してしまい、突入電流防止回路８に復旧不可能な異常が発生しかねない。そこで、ゲート電圧検出部５５は、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSを検出することで、電界効果トランジスタ８１の温度上昇及びその可能性を把握する。

ここで、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴでは、ゲートにソースよりも所定値以上小さい電圧を加えることでチャネル抵抗値が小さくなり、ソースからドレインに向かって電流が流れる。そのため、電界効果トランジスタ８１としてＰチャネルＭＯＳＦＥＴを用いる場合、ゲート電圧Ｖ_GSは、ソースに印加される第１電圧Ｖ１からゲートに印加される第３電圧Ｖ３を差分した値となる。従って、ゲート電圧検出部５５は、第１電圧Ｖ１と第３電圧Ｖ３との差分（Ｖ１−Ｖ３）としてゲート電圧Ｖ_GSを検出する。

異常判定部５６は、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが正常温度、警戒温度、及び異常過熱温度のいずれであるかを判定する。具体的には、異常判定部５６は、温度検出部５３により検出される電界効果トランジスタ８１の温度Ｔを、第１閾値温度Ｔｔｈ１及び第２閾値温度Ｔｔｈ２と比較することで、正常温度であるか否か、警戒温度であるか否か、及び異常過熱温度であるか否かを判定する。

ここで、異常過熱温度は、突入電流防止回路８に重度の異常をもたらし得る温度として予め定められる。重度の異常とは、例えば電界効果トランジスタ８１及びその周辺の実装部品にオープン不良、焼損などの不具合が生じることをいう。正常温度は、電界効果トランジスタ８１及びその周辺の実装部品を問題なく駆動できる温度として予め定められる。正常温度は、例えば電界効果トランジスタ８１の仕様により決定される。警戒温度は、正常温度と異常過熱温度との間の温度として定められる。

そして、第１閾値温度Ｔｔｈ１は正常温度と警戒温度との境界温度として設定され、第２閾値温度Ｔｔｈ２は警戒温度と異常過熱温度との境界温度として設定される。そのため、異常判定部５６は、温度検出部５３により検出される温度が第１閾値温度Ｔｔｈ１未満である場合、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが正常温度であると判定する。異常判定部５６は、温度検出部５３により検出される温度が第１閾値温度Ｔｔｈ１以上で第２閾値温度Ｔｔｈ２未満である場合、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが警戒温度であると判定する。異常判定部５６は、温度検出部５３により検出される温度が第２閾値温度Ｔｔｈ２以上の場合、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが異常過熱温度であると判定する。

また、異常判定部５６は、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが正常電圧、警戒電圧、及び異常低電圧のいずれであるかを判定する。具体的には、異常判定部５６は、ゲート電圧検出部５５により検出される電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSを、第１閾値電圧Ｖｔｈ１及び第２閾値電圧Ｖｔｈ２と比較することで、正常電圧であるか否か、警戒電圧であるか否か、及び異常低電圧であるか否かを判定する。

ここで、異常低電圧は、ソースとドレインとの間のチャネル抵抗が大きく、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが異常過熱温度になり得る電圧として予め定められる。正常電圧は、ソースとドレインとの間のチャネル抵抗が小さく、電界効果トランジスタ８１を問題なく駆動できる電圧として予め定められる。警戒電圧は、正常電圧と異常低電圧との間の温度として定められる。

そして、第１閾値電圧Ｖｔｈ１は正常電圧と警戒電圧との境界電圧として設定され、第２閾値電圧Ｖｔｈ２は警戒電圧と異常低電圧との境界電圧として設定される。そのため、異常判定部５６は、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが第１閾値電圧Ｖｔｈ１を超える場合、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが正常電圧であると判定する。異常判定部５６は、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが第２閾値電圧Ｖｔｈ２を超え第１閾値電圧Ｖｔｈ１以下である場合、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが警戒電圧であると判定する。異常判定部５６は、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが第２閾値電圧Ｖｔｈ２以下の場合、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが異常低電圧であると判定する。

異常判定部５６は、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔ及びゲート電圧Ｖ_GSの異常の判定を所定時間ごとに繰り返し行う。前記所定時間については特に制限はなく、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔ又はゲート電圧Ｖ_GSに異常が発生する頻度、電界効果トランジスタ８１の温度上昇特性などを考慮して決定すればよい。

報知制御部５７は、操作表示部６の表示部などの報知部に警告を行わせる。例えば、報知制御部５７は、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが警戒温度であること、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが警戒電圧であること、画像処理が行えないことのメッセージを操作表示部６の表示部に表示させる。また、報知制御部５７は、スピーカー（不図示）などの報知部に前記警戒温度又は前記警戒電圧であることを報知する警告音やメッセージを出力させてもよい。

また、報知制御部５７は、異常判定部５６により電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが警戒温度であると判定された回数、及び／又は電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが警戒電圧であると判定された回数をカウントする。以下において、前記警戒温度であると判定した回数を第１カウント値Ｎ１と称し、警戒電圧であると判定した回数を第２カウント値Ｎ２と称する。第１カウント値Ｎ１は、所定の起算点から所定時間経過後に異常判定部５６により電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが正常温度であると判定された場合にリセットされる。第２カウント値Ｎ２は、所定の起算点から所定時間経過後に異常判定部５６によりゲート電圧Ｖ_GSが正常電圧であると判定された場合にリセットされる。例えば、報知制御部５７は、第１カウント値Ｎ１又は第２カウント値Ｎ２がリセットされた後の最初に警戒温度又は警戒電圧であると判定されたときを起算点として所定時間が経過するまでの特定期間内に、警戒温度又は警戒電圧であると判定した回数をカウントする。

報知制御部５７は、異常判定部５６により警戒温度又は警戒電圧であると判定された場合、前記特定期間内での第１カウント値Ｎ１又は第２カウント値Ｎ２が予め定められる規定回数を超えることを条件に、警戒状態である旨の報知を操作表示部６の表示部などの報知部に行わせる。

［ＦＥＴ監視処理］
以下、図４〜図１１を参照しつつ、画像形成装置１０において制御部５により実行される電界効果トランジスタ８１の監視処理（ＦＥＴ監視処理）の手順の一例について説明する。ここで、ＦＥＴ監視処理は、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔ及びゲート電圧Ｖ_GSを監視し、突入電流防止回路８を制御する処理である。また、ステップＳ１１、ステップＳ１２などの表記は、制御部５により実行される処理手順（ステップ）の番号を表している。

＜ステップＳ１１＞
まず、図４に示されるステップＳ１１において、制御部５は、突入電流防止回路８に第１電圧Ｖ１の入力が開始されたか否かを判断する。即ち、制御部５は、突入電流防止回路８の駆動が開始されたか否かを判断する。具体的には、制御部５は、選択処理部５１がインターロックスイッチ７４をオフ状態からオン状態に切り替えたか否かに基づいて、ステップＳ１１の判断を実行する。

なお、突入電流防止回路８の駆動開始は、画像形成装置１０の主電源（不図示）がオン状態にされたとき、又は電源部７が再起動されたときに行われる。

ここで、制御部５は、突入電流防止回路８に第１電圧Ｖ１の入力が開始されたと判断すると（ステップＳ１１：Ｙｅｓ）、ステップＳ１２に処理を移行させる。一方、制御部５は、突入電流防止回路８に第１電圧Ｖ１の入力が開始されていないと判断すると（ステップＳ１１：Ｎｏ）、ＦＥＴ監視処理を終了する。

＜ステップＳ１２＞
ステップＳ１２において、制御部５は、電界効果トランジスタ８１のゲートに第３電圧Ｖ３を印加する。ここで、ステップＳ１２の処理は、制御部５の切替制御部５４によりスイッチング素子８３をオン状態にすることで実行される。具体的には、切替制御部５４は、スイッチング素子８３にゲート閾値電圧以上のゲート電圧Ｖ_GSを印加する。

＜ステップＳ１３＞
ステップＳ１３において、制御部５は、第３電源７３から出力される第３電圧Ｖ３を初期設定値Ｖ３₀に調整する。ここで、制御部５の温度検出部５３により検出される温度が警戒温度であるときには、後述のステップＳ１５５１（図７参照）において第３電源制御部５２から出力される第３電圧Ｖ３が初期設定値Ｖ３₀よりも低く調整される。そのため、電界効果トランジスタ８１の異常から復旧したときには、第３電源制御部５２から出力される第３電圧Ｖ３が初期設定値Ｖ３₀よりも低くなっていることがある。そこで、ステップＳ１３の処理を実行することで、突入電流防止回路８の駆動開始時の第３電圧Ｖ３を常に初期設定値Ｖ３₀とすることができる。これにより、電界効果トランジスタ８１の異常からの復旧による突入電流防止回路８の駆動開始時に、第３電圧Ｖ３が低すぎるという事態が発生することを防止できる。

＜ステップＳ１４＞
ステップＳ１４において、制御部５は、ステップＳ１４の処理を開始してから所定時間が経過したか否かを判断する。なお、ステップＳ１４における所定時間が経過したか否かの起算点は、後述のステップＳ１５の温度監視処理の開始時点若しくは終了時点、又はステップＳ１６の電圧監視処理の開始時点若しくは終了時点であってもよい。

ここで、制御部５は、ステップＳ１４の処理を開始してから所定時間が経過したと判断すると（ステップＳ１４：Ｙｅｓ）、ステップＳ１５に処理を移行させる。一方、制御部５は、ステップＳ１４の処理を開始してから所定時間が経過していないと判断すると（ステップＳ１４：Ｎｏ）、ステップＳ１４の処理を開始してから所定時間が経過したと判断するまで（ステップＳ１４：Ｙｅｓ）、ステップＳ１４の判断を繰り返し行う。

＜ステップＳ１５＞
ステップＳ１５において、制御部５は、温度監視処理を実行する。ここで、ステップＳ１５の処理は、制御部５の温度検出部５３及び異常判定部５６により実行される。なお、温度監視処理の詳細は後述する。

＜ステップＳ１６＞
ステップＳ１６において、制御部５は、電圧監視処理を実行する。ここで、ステップＳ１６の処理は、制御部５のゲート電圧検出部５５及び異常判定部５６により実行される。なお、電圧監視処理の詳細は後述する。また、電圧監視処理は、ステップＳ１５の温度監視処理よりも先に実行してもよい。

＜ステップＳ１７＞
ステップＳ１７において、制御部５は、突入電流防止回路８への第１電圧Ｖ１の入力が停止されたか否かを判断する。即ち、制御部５は、突入電流防止回路８の駆動が停止されたか否かを判断する。

なお、突入電流防止回路８の駆動停止は、画像形成装置１０の主電源（不図示）がオフ状態にされたとき、又は突入電流防止回路８に異常が発生したとき（図８のステップ１５６２）に行われる。

ここで、制御部５は、突入電流防止回路８への第１電圧Ｖ１の入力が停止されていると判断すると（ステップＳ１７：Ｙｅｓ）、ＦＥＴ監視処理を終了する。一方、制御部５は、突入電流防止回路８への第１電圧Ｖ１の入力が停止されていないと判断すると（ステップＳ１７：Ｎｏ）、ステップＳ１４に処理を移行させ、所定時間が経過することを条件に（ステップＳ１４：Ｙｅｓ）、ステップＳ１５の温度監視処理及びステップＳ１６の電圧監視処理を引き続き実行する。

〔温度監視処理〕
次に、図５〜図８を参照しつつ、図４に示されるＦＥＴ監視処理のステップＳ１５で実行される温度監視処理の詳細を説明する。

＜ステップＳ１５１＞
まず、図５に示されるステップＳ１５１において、制御部５の温度検出部５３は、サーミスターから出力される電圧に基づき、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔを検出する。電界効果トランジスタ８１の温度Ｔの検出は、ＦＥＴ監視処理の実行中において所定時間ごとに繰り返し行われる。

＜ステップＳ１５２＞
ステップＳ１５２において、制御部５の異常判定部５６は、温度検出部５３により検出される温度が第１閾値温度Ｔｔｈ１以上であるか否かを判断する。即ち、異常判定部５６は、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが正常温度であるか、警戒温度以上であるかを判断する。

ここで、制御部５は、温度検出部５３により検出される温度が第１閾値温度Ｔｔｈ１以上であると判断すると（ステップＳ１５２：Ｙｅｓ）、ステップＳ１５４に処理を移行させる。一方、制御部５は、温度検出部５３により検出される温度が第１閾値温度Ｔｔｈ１未満であると判断すると（ステップＳ１５２：Ｎｏ）、ステップＳ１５３に処理を移行させる。

＜ステップＳ１５３＞
制御部５は、異常判定部５６が温度検出部５３により検出される温度が第１閾値温度Ｔｔｈ１以上でない場合（ステップＳ１５２：Ｎｏ）、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが正常であると判断できる。そのため、ステップＳ１５３において、制御部５は、温度正常時処理を実行する。なお、温度正常時処理の詳細は後述する。

＜ステップＳ１５４＞
ステップＳ１５４において、制御部５の異常判定部５６は、温度検出部５３により検出される温度が第２閾値温度Ｔｔｈ２以上であるか否かを判断する。即ち、異常判定部５６は、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが異常過熱温度であるか、警戒温度であるかを判断する。

ここで、制御部５は、温度検出部５３により検出される温度が第２閾値温度Ｔｔｈ２以上であると判断されると（ステップＳ１５４：Ｙｅｓ）、ステップＳ１５６に処理を移行させる。一方、制御部５は、温度検出部５３において検出される温度が第２閾値温度Ｔｔｈ２未満であると判断すると（ステップＳ１５４：Ｎｏ）、ステップＳ１５５に処理を移行させる。

＜ステップＳ１５５＞
温度検出部５３により検出される温度が第１閾値温度Ｔｔｈ１以上であり（ステップＳ１５２：Ｙｅｓ）、第２閾値温度Ｔｔｈ２以上でない場合（ステップＳ１５４：Ｎｏ）、制御部５は電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが警戒温度であると判断できる。そのため、ステップＳ１５５において、制御部５は警告処理を実行する。なお、警告処理の詳細は後述する。

＜ステップＳ１５６＞
異常判定部５６が温度検出部５３により検出される温度が第２閾値温度Ｔｔｈ２以上である場合（ステップＳ１５４：Ｙｅｓ）、制御部５は電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが異常過熱温度であると判断できる。そのため、ステップＳ１５６において、制御部５は画像処理の停止処理を実行する。なお、画像処理の停止処理の詳細は後述する。

（温度正常時処理）
次に、図６を参照しつつ、図５のステップ１５３で実行される温度正常時処理の詳細を説明する。

＜ステップＳ１５３０＞
まず、図６に示されるステップＳ１５３０において、制御部５の異常判定部５６は、前回第１カウント値をリセットしてから所定時間が経過したか否かを判定する。即ち、異常判定部５６は、警戒温度であると判定された回数をカウントすべき前記特定期間が経過したか否かを判定する。

ここで、制御部５は、前回第１カウント値をリセットしてから所定時間が経過したと判断すると（ステップＳ１５３０：Ｙｅｓ）、ステップＳ１５３１に処理を移行させる。一方、制御部５は、前回第１カウント値をリセットしてから所定時間が経過していないと判断すると（ステップＳ１５３０：Ｎｏ）、ステップＳ１５３２に処理を移行させる。

＜ステップＳ１５３１＞
ステップＳ１５３１において、制御部５の異常判定部５６は、第１カウント値Ｎ１をリセットする。第１カウント値Ｎ１は、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが前回正常温度であると判定されてから今回警戒温度であると判定されるまでの特定期間に、異常判定部５６により電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが警戒温度であると判定された回数に相当する。第１カウント値Ｎ１は、後述の警告処理のステップ１５５３において加算される（図７参照）。

＜ステップＳ１５３２＞
ステップＳ１５３２において、制御部５は、第３電圧Ｖ３が初期設定値Ｖ３₀であるか否かを判断する。この判断は、制御部５によって第１電圧Ｖ１からゲート電圧検出部５５において検出されるゲート電圧Ｖ_GSを差分して算出される第３電圧Ｖ３を初期設定値Ｖ３₀と比較することで実行される。

ここで、制御部５は、第３電圧Ｖ３が初期設定値Ｖ３₀であると判断すると（ステップＳ１５３２：Ｙｅｓ）、ステップＳ１５３４に処理を移行させる。一方、制御部５は、第３電圧Ｖ３が初期設定値Ｖ３₀でないと判断すると（ステップＳ１５３２：Ｎｏ）、ステップＳ１５３３に処理を移行させる。

＜ステップＳ１５３３＞
ステップＳ１５３３において、制御部５は、第３電圧Ｖ３を初期設定値Ｖ３₀に調整する。ステップＳ１５３３における第３電圧Ｖ３の調整は、上述のステップＳ１３（図４参照）と同様の手順で実行される。

＜ステップＳ１５３４＞
ステップＳ１５３４において、制御部５の異常判定部５６は、警告中であるか否かを判断する。具体的には、異常判定部５６は、後述のステップＳ１５５６（図７参照）又はステップＳ１６６６（図１１参照）において、警告フラグがセットされているか否かにより警告中であるか否かを判断する。

ここで、制御部５は、警告中であると判断すると（ステップＳ１５３４：Ｙｅｓ）、ステップＳ１５３５に処理を移行させる。一方、制御部５は、警告中でないと判断すると（ステップＳ１５３４：Ｎｏ）、温度正常時処理を終了し、ステップＳ１６（図４参照）に処理を移行させる。

＜ステップＳ１５３５及びＳ１５３６＞
ステップＳ１５３５及びＳ１５３６において、制御部５の異常判定部５６は、警告の解除を指示し、警告フラグをクリアする。ステップＳ１５３６の処理を終了すると、制御部５は、温度正常時処理を終了し、ステップＳ１６（図４参照）に処理を移行させる。

（警告処理）
次に、図７を参照しつつ、図５のステップ１５５で実行される警告処理の詳細を説明する。

＜ステップＳ１５５１＞
まず、図７に示されるステップＳ１５５１において、制御部５の第３電源制御部５２は、第３電圧Ｖ３を調整する。具体的には、まず第３電源制御部５２は、温度検出部５３により検出される温度と、第１閾値温度Ｔｔｈ１などの基準値との差分値に応じて制御量を決定する。次いで、第３電源制御部５２は、前記差分値に基づき前記制御量に対応する電圧指定信号を生成する。そして、第３電源制御部５２は、前記電圧指定信号を第３電源７３に送信することで、第３電源７３から出力される第３電圧Ｖ３を調整する。第３電圧Ｖ３は、０Ｖと初期設定値Ｖ３₀との間の範囲で調整され、前記差分値が大きいほど小さくされる。即ち、第３電圧Ｖ３は、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが警戒温度である場合に、その温度Ｔが高いほど電界効果トランジスタ８１のチャネル抵抗が小さくなる電圧値に調整される。

＜ステップＳ１５５２＞
ステップＳ１５５２において、制御部５の異常判定部５６は、警告中であるか否かを判断する。この判断は、温度正常時処理のステップＳ１５３４（図６参照）と同様の手順に従い実行される。

ここで、制御部５は、警告中であると判断すると（ステップＳ１５５２：Ｙｅｓ）、警告処理を終了し、ステップＳ１６（図４参照）に処理を移行させる。一方、制御部５は、警告中でないと判断すると（ステップＳ１５５２：Ｎｏ）、ステップＳ１５５３に処理を移行させる。

＜ステップＳ１５５３＞
ステップＳ１５５３において、制御部５の異常判定部５６は、第１カウント値Ｎ１に１を加算する。即ち、ステップＳ１５５３では、異常判定部５６により電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが前回正常温度であると判定されてから今回警戒温度であると判定されるまでの特定期間に警戒温度であると判定された回数をカウントする。

＜ステップＳ１５５４＞
ステップＳ１５５４において、異常判定部５６は前記第１カウント値Ｎ１が予め定められた基準回数Ｎ１αであるか否かを判断する。即ち、異常判定部５６は、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが警戒温度であることが一時的なものか継続的なものかを判断する。

ここで、制御部５は、第１カウント値Ｎ１が基準回数Ｎ１αであると判断すると（ステップＳ１５５４：Ｙｅｓ）、ステップＳ１５５５に処理を移行させる。一方、制御部５は、第１カウント値Ｎ１が基準回数Ｎ１αでないと判断すると（ステップＳ１５５４：Ｎｏ）、警告処理を終了し、ステップＳ１６（図４参照）に処理を移行させる。

＜ステップＳ１５５５＞
ステップＳ１５５５において、制御部５の報知制御部５７は、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが警戒温度である旨の警告を操作表示部６、スピーカー（不図示）などの報知部に行わせる。これにより、警戒状態であることをユーザーに認識させ、ユーザーに対して電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが警戒温度よりも高くならないような措置を講じさせることができる。

＜ステップＳ１５５６＞
ステップＳ１５５６において、異常判定部５６は警告中であることを示す警告フラグをセットする。この警告フラグにより、異常判定部５６は警告中であることを把握することが可能となる。なお、警告フラグは制御部５のレジスタ（不図示）などにセットされる。

（画像処理の停止処理）
次に、図８を参照しつつ、図５のステップ１５６で実行される画像処理の停止処理の詳細を説明する。

＜ステップＳ１５６１＞
まず、図８に示されるステップＳ１５６１において、制御部５の切替制御部５４は、電界効果トランジスタ８１のゲートへの第３電圧Ｖ３の印加を停止する。即ち、切替制御部５４は、スイッチング素子８３のゲートへの電圧の印加を停止することで、電界効果トランジスタ８１のゲートへの第３電圧Ｖ３の印加を停止する。これにより、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSがゲート閾値電圧よりも小さくなり、電界効果トランジスタ８１は駆動が停止される。その結果、電界効果トランジスタ８１の温度上昇が抑制される。

＜ステップＳ１５６２＞
ステップＳ１５６２において、制御部５の選択処理部５１は、突入電流防止回路８への第１電圧Ｖ１の入力を停止する。即ち、切替制御部５４は、インターロックスイッチ７４をオフ状態にすることで電源部７の駆動を停止させ、突入電流防止回路８への第１電圧Ｖ１の入力を停止させる。このことによっても、突入電流防止回路８の駆動が停止される。その結果、電界効果トランジスタ８１の駆動をより確実に停止することができ、電界効果トランジスタ８１の温度上昇がより確実に抑制される。

＜ステップＳ１５６３＞
ステップＳ１５６３において、制御部５の報知制御部５７は、操作表示部６の表示部などの報知部に画像処理が行えないことを報知するメッセージの表示を指示する。一方、前記指示を受けた操作表示部６の表示部などの報知部は、前記メッセージを表示する。これにより、画像形成装置１０は、ユーザーに対して画像処理が行えない状態であることを報知する。また、前記メッセージを確認したユーザーは、画像処理が行えないことを理解でき、画像形成装置１０のメンテナンスを行うなどの対策を講じることができる。なお、制御部５は、操作表示部６の表示部に前記メッセージを表示させることに加えて、画像形成装置１０の再起動及び／又は画像形成装置１０のメンテナンスを行うべき旨のメッセージを表示させてもよい。

〔電圧監視処理〕
次に、図９〜図１１を参照しつつ、図４のステップ１６で実行される電圧監視処理の詳細を説明する。

＜ステップＳ１６１＞
まず、図９に示されるステップＳ１６１において、制御部５は、突入電流防止回路８に第１電圧Ｖ１が入力されているか否かを判断する。具体的には、制御部５は、切替制御部５４によりインターロックスイッチ７４がオン状態であるか否かを判断する。

ここで、制御部５は、突入電流防止回路８に第１電圧Ｖ１が入力されていると判断すると（ステップＳ１６１：Ｙｅｓ）、ステップＳ１６２に処理を移行させる。一方、制御部５は、突入電流防止回路８に第１電圧Ｖ１が入力されていないと判断すると（ステップＳ１６１：Ｎｏ）、電圧監視処理を終了し、ステップＳ１７（図４参照）に処理を移行させる。即ち、制御部５は、突入電流防止回路８の駆動が停止されていると判断できるため、電圧監視処理を終了する。

＜ステップＳ１６２＞
ステップＳ１６２において、制御部５のゲート電圧検出部５５は、ゲート電圧Ｖ_GSを検出する。具体的には、ゲート電圧検出部５５は、上述のように第１電圧Ｖ１と第３電圧Ｖ３との差分としてゲート電圧Ｖ_GSを検出する。電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSの検出は、ＦＥＴ監視処理の実行中において所定時間ごとに繰り返し行われる。

＜ステップＳ１６３＞
ステップＳ１６３において、制御部５の異常判定部５６は、ゲート電圧検出部５５により検出されるゲート電圧Ｖ_GSが第１閾値電圧Ｖｔｈ１以下であるか否かを判断する。即ち、異常判定部５６は、ゲート電圧Ｖ_GSが正常電圧であるか、警戒電圧以上であるかを判断する。

ここで、制御部５は、ゲート電圧Ｖ_GSが第１閾値電圧Ｖｔｈ１以下であると判断すると（ステップＳ１６３：Ｙｅｓ）、ステップＳ１６５に処理を移行させる。一方、制御部５は、ゲート電圧Ｖ_GSが第１閾値電圧Ｖｔｈ１以下でないと判断すると（ステップＳ１６３：Ｎｏ）、ステップＳ１６４に処理を移行させる。

＜ステップＳ１６４＞
制御部は、ゲート電圧Ｖ_GSが第１閾値電圧Ｖｔｈ１以下でない場合（ステップＳ１６３：Ｙｅｓ）、ゲート電圧Ｖ_GSが正常であると判断できる。そのため、ステップＳ１６４において、制御部５は、電圧正常時処理を実行する。なお、電圧正常時処理の詳細は後述する。

＜ステップＳ１６５＞
ステップＳ１６５において、異常判定部５６は、ゲート電圧Ｖ_GSが第２閾値電圧Ｖｔｈ２以下であるか否かを判断する。即ち、ゲート電圧検出部５５は、ゲート電圧Ｖ_GSが異常低電圧であるか、警戒電圧であるかを判断する。

ここで、制御部５は、ゲート電圧Ｖ_GSが第２閾値電圧Ｖｔｈ２以下であると判断すると（ステップＳ１６５：Ｙｅｓ）、ステップＳ１６７に処理を移行させる。一方、制御部５は、ゲート電圧Ｖ_GSが第２閾値電圧Ｖｔｈ２以下でないと判断すると（ステップＳ１６５：Ｎｏ）、ステップＳ１６６に処理を移行させる。

＜ステップＳ１６６＞
ゲート電圧Ｖ_GSが第１閾値電圧Ｖｔｈ１以下であり（ステップＳ１６３：Ｙｅｓ）、第２閾値電圧Ｖｔｈ２以下でない場合（ステップＳ１６５：Ｎｏ）、制御部５は電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが警戒電圧であると判断できる。そのため、ステップＳ１６６において、制御部５は警告処理を実行する。なお、警告処理の詳細は後述する。

＜ステップＳ１６７＞
ゲート電圧Ｖ_GSが第２閾値電圧Ｖｔｈ２以下である場合（ステップＳ１６５：Ｙｅｓ）、制御部５は電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが異常低電圧であると判断できる。そのため、ステップＳ１６７において、制御部５は画像処理の停止処理を実行する。なお、ステップＳ１６７の画像処理の停止処理は、先に説明した温度監視処理の画像処理の停止処理（図８参照）と同様であるため説明を省略する。

（ゲート電圧正常時処理）
次に、図１０を参照しつつ、図９のステップ１６４で実行されるゲート電圧正常時処理の詳細を説明する。

＜ステップＳ１６４０＞
まず、図１０に示されるステップＳ１６４０において、制御部５の第３電源制御部５２は、第３電圧Ｖ３を初期設定値Ｖ３₀に調整する。ステップＳ１６４１は、ＦＥＴ監視処理のステップＳ１３（図４参照）と同様の手順に従い実行される。

＜ステップＳ１６４１＞
ステップＳ１６４１において、制御部５の異常判定部５６は、前回第２カウント値をリセットしてから所定時間が経過したか否かを判定する。即ち、異常判定部５６は、警戒電圧であると判定された回数をカウントすべき前記特定期間が経過したか否かを判定する。

ここで、制御部５は、前回第２カウント値をリセットしてから所定時間が経過したと判断すると（ステップＳ１６４１：Ｙｅｓ）、ステップＳ１６４２に処理を移行させる。一方、制御部５は、前回第１カウント値をリセットしてから所定時間が経過していないと判断すると（ステップＳ１６４１：Ｎｏ）、ステップＳ１６４３に処理を移行させる。

＜ステップＳ１６４２＞
ステップＳ１６４２において、制御部５の異常判定部５６は、第２カウント値Ｎ２をリセットする。第２カウント値Ｎ２は、ゲート電圧Ｖ_GSが前回正常電圧であると判定されてから今回警戒電圧であると判定されるまでの特定期間に、異常判定部５６によりゲート電圧Ｖ_GSが警戒電圧であると判定された回数に相当する。

＜ステップＳ１６４３＞
ステップＳ１６４３において、制御部５の異常判定部５６は、警告中であるか否かを判断する。この判断は、上述の温度正常時処理のステップＳ１５３４（図６参照）と同様の手順に従い実行される。

ここで、制御部５は、警告中であると判断すると（ステップＳ１６４３：Ｙｅｓ）、ステップＳ１６４４に処理を移行させる。一方、制御部５は、警告中でないと判断すると（ステップＳ１６４３：Ｎｏ）、ゲート電圧正常時処理を終了し、ステップＳ１７（図４参照）に処理を移行させる。

＜ステップＳ１６４４及びＳ１６４５＞
ステップＳ１６４４及びＳ１６４５において、制御部５の異常判定部５６は、警告の解除を指示し、警告フラグをクリアする。ステップＳ１６４５の処理が終了すると、制御部５はゲート電圧正常時処理を終了し、ステップＳ１７（図４参照）に処理を移行させる。

（警告処理）
次に、図１１を参照しつつ、図９のステップ１６６で実行される警告処理の詳細を説明する。

＜ステップＳ１６６１＞
まず、図１１に示されるステップＳ１６６１において、制御部５の第３電源制御部５２は、第３電圧Ｖ３を調整する。具体的には、まず第３電源制御部５２は、ゲート電圧検出部５５により検出されるゲート電圧Ｖ_GSと、第１閾値電圧Ｖｔｈ１などの基準値との差分値に応じて制御量を決定する。次いで、第３電源制御部５２は、前記差分値に基づき前記制御量に対応する電圧指定信号を生成する。そして、第３電源制御部５２は、前記電圧指定信号を第３電源７３に送信することで、第３電源７３から出力される第３電圧Ｖ３を調整する。第３電圧Ｖ３は、０Ｖと初期設定値Ｖ３₀との間の範囲で調整され、前記差分値の絶対値が大きいほど小さくされる。即ち、第３電圧Ｖ３は、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが警戒電圧である場合に、そのゲート電圧Ｖ_GSが小さいほど電界効果トランジスタ８１のチャネル抵抗が小さくなるように電圧値が調整される。

＜ステップＳ１６６２＞
ステップＳ１６６２において、制御部５の異常判定部５６は、警告中であるか否かを判断する。この判断は、ステップＳ１５３４（図６参照）と同様の手順に従い実行される。

ここで、制御部５は、警告中であると判断すると（ステップＳ１６６２：Ｙｅｓ）、警告処理を終了し、ステップＳ１７（図４参照）に処理を移行させる。一方、制御部５は、警告中でないと判断すると（ステップＳ１６６２：Ｎｏ）、ステップＳ１６６３に処理を移行させる。

＜ステップＳ１６６３＞
ステップＳ１６６３において、制御部５の異常判定部５６は、第２カウント値Ｎ２に１を加算する。即ち、ステップＳ１６６３では、ゲート電圧Ｖ_GSが前回正常電圧であると判定されてから今回警戒電圧であると判定されるまでの特定期間に警戒電圧であると判定された回数をカウントする。

＜ステップＳ１６６４＞
ステップＳ１６６４において、異常判定部５６は、第２カウント値Ｎ２が予め定められた基準回数Ｎ２αであるか否かを判断する。即ち、ステップＳ１６６４では、ゲート電圧Ｖ_GSが警戒電圧であることが一時的なものか継続的なものかを判断する。

ここで、制御部５は、第２カウント値Ｎ２が基準回数Ｎ２αであると判断すると（ステップＳ１６６４：Ｙｅｓ）、ステップＳ１６６５に処理を移行させる。一方、制御部５は、第２カウント値Ｎ２が基準回数Ｎ２αでないと判断すると（ステップＳ１６６４：Ｎｏ）、警告処理を終了し、ステップＳ１７（図４参照）に処理を移行させる。

＜ステップＳ１６６５＞
ステップＳ１６６５において、制御部５の報知制御部５７は、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが警戒電圧である旨の警告を操作表示部６の表示部、スピーカー（不図示）などの報知部に行わせる。これにより、警戒状態であることをユーザーに認識させ、ユーザーに対してゲート電圧Ｖ_GSが警戒電圧よりも低くならないような措置を講じさせることができる。

＜ステップＳ１６６６＞
ステップＳ１６６６において、異常判定部５６は警告中であることを示す警告フラグをセットする。この警告フラグにより、異常判定部５６は警告中であることを把握することが可能となる。なお、警告フラグは制御部５のレジスタ（不図示）などにセットされる。

このように画像形成装置１０では、ＦＥＴ監視処理の実行中に制御部５のゲート電圧検出部５５及び温度検出部５３により、突入電流防止回路８の電界効果トランジスタ８１の温度Ｔ及びゲート電圧Ｖ_GSが所定時間ごとに繰り返し検出される。これにより、電界効果トランジスタ８１の状態は、リアルタイムで監視可能である。また、電界効果トランジスタ８１に対しては、リアルタイムでの監視下で制御部５の異常判定部５６により電界効果トランジスタ８１の温度Ｔ及びゲート電圧Ｖ_GSの異常が判定される。これにより、突入電流防止回路８における電界効果トランジスタ８１の温度Ｔ又はゲート電圧Ｖ_GSの異常が、異常発生時から即座に発見可能になる。

そして、突入電流防止回路８では、電界効果トランジスタ８１が異常過熱温度又は異常低電圧となった場合に、制御部５の切替制御部５４によりスイッチング素子８３がオフ状態にされる。一方、電界効果トランジスタ８１は、スイッチング素子８３がオフ状態にされることで、ゲート電圧Ｖ_GSがゲート閾値電圧未満となり停止状態になる。これにより、電界効果トランジスタ８１の温度上昇が抑制され、電界効果トランジスタ８１及びその周辺の実装部品などにオープン不良、焼損などの不具合が生じることが抑制される。

加えて、突入電流防止回路８では、電界効果トランジスタ８１が異常過熱温度又は異常低電圧となった場合に、制御部５の選択処理部５１によりインターロックスイッチ７４がオフ状態にされる。これにより、突入電流防止回路８への第１電圧Ｖ１の入力が停止され、突入電流防止回路８の駆動が停止される。そのため、突入電流防止回路８では、電界効果トランジスタ８１のソースとドレインとの間の通電が確実に遮断され、電界効果トランジスタ８１及びその周辺の実装部品などに不具合が生じることがより確実に抑制される。

また、画像形成装置１０では、突入電流防止回路８における電界効果トランジスタ８１の状態をリアルタイムで監視しつつ、制御部５の異常判定部５６により電界効果トランジスタ８１の温度Ｔ又はゲート電圧Ｖ_GSが警戒電圧又は警戒温度であるか否かが判定される。これにより、電界効果トランジスタ８１が異常過熱温度及び異常低電圧になることを未然に防ぐことが可能になる。

一方、電源部７では、突入電流防止回路８における電界効果トランジスタ８１のゲートに対し、可変電圧電源である第３電源７３により電圧が印加される。そのため、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSは、第３電源７３の出力により調整可能である。そして、電源部７では、電界効果トランジスタ８１が警戒電圧又は警戒温度である場合に電界効果トランジスタ８１のゲートに印加する電圧が小さくされる。これにより、電界効果トランジスタ８１のチャネル抵抗を小さくできるため、電界効果トランジスタ８１が異常低電圧及び異常過熱温度になることが未然に防止される。

［第２実施形態］
以下、図１２及び図１３を参照しつつ、本発明の第２実施形態について説明する。但し、以下の説明においては、第２実施形態のうち第１実施形態と共通する構成については、第１実施形態の構成と同じ符号を付すことによりその詳細な説明を省略する。

図１２に示されるように、第２実施形態に係る画像形成装置は、突入電流防止回路８Ａ及び制御部５Ａを備える。

突入電流防止回路８Ａは、電界効果トランジスタ８１及びスイッチング素子８８Ａを備える。

電界効果トランジスタ８１は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴである。電界効果トランジスタ８１は、ゲートがスイッチング素子８８Ａを介してグランドに接続され、ソースが第１電源７１の出力ライン７１１に接続され、ドレインが第２電源７２の出力ライン７２１に接続されている。

スイッチング素子８８Ａは、オン状態とオフ状態とを切り替えることで、電界効果トランジスタ８１のゲートに第１電圧Ｖ１が印加される状態と印加されない状態とを選択する。即ち、スイッチング素子８８Ａは、オン状態とオフ状態との切り替えにより電界効果トランジスタ８１の駆動状態と駆動停止状態とを選択する。本実施形態では、スイッチング素子８４Ａは、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが正常である場合にはオン状態になり、電界効果トランジスタ８１のゲートが接地されている。一方、スイッチング素子８４Ａは、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが異常過熱温度である場合にはオフ状態になり、電界効果トランジスタ８１のゲートに第１電圧Ｖ１が印加される。ここで、スイッチング素子８８ＡはＮチャネルＭＯＳＦＥＴである。スイッチング素子８８Ａは、ゲートが切替制御部５４に接続され、ソースがグランドに接続され、ドレインが電界効果トランジスタ８１のゲートに接続されている。そして、スイッチング素子８８Ａは、オン状態とオフ状態との切替が切替制御部５４Ａにより行われる。

なお、スイッチング素子８８Ａの他の例としては、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ、ＰＮＰ型トランジスタ、ＮＰＮ型トランジスタなどの一般にスイッチング素子として使用される他の種類のトランジスタが挙げられる。

制御部５Ａは、選択処理部５１、切替制御部５４Ａ、ゲート電圧検出部５５、異常判定部５６Ａ及び報知制御部５７を備える。

ゲート電圧検出部５５は、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSを監視する。ゲート電圧検出部５５は、電界効果トランジスタ８１がＰチャネルＭＯＳＦＥＴであるため、ゲート電圧Ｖ_GSをＶ１電圧とグランド（０Ｖ）との差分（Ｖ１）として監視する。

選択処理部５１は、インターロックスイッチ７４のオン状態とオフ状態との切替を制御する。そして、選択処理部５１は、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが正常である場合にインターロックスイッチ７４をオン状態にする。一方、選択処理部５１は、電界効果トランジスタ８１の温度Ｔが異常過熱温度である場合にインターロックスイッチ７４をオフ状態にし、突入電流防止回路８Ａへの第１電圧Ｖ１の入力を停止する。

切替制御部５４Ａは、スイッチング素子８８Ａのオン状態とオフ状態とを選択する。具体的には、切替制御部５４Ａは、ゲート閾値電圧を超える電圧をスイッチング素子８８Ａのゲートに印加することでスイッチング素子８８Ａのオン状態にする。一方、切替制御部５４Ａは、スイッチング素子８８Ａのゲートに電圧を印加しないことでスイッチング素子８８Ａのオフ状態にする。

ゲート電圧検出部５５は、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSを検出する。

異常判定部５６Ａは、ゲート電圧検出部５５により検出されるゲート電圧Ｖ_GSと、第１閾値電圧Ｖｔｈ１又は第２閾値電圧Ｖｔｈ２とを比較し、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSの異常判定を行う。

また、異常判定部５６Ａは、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが警戒電圧であると判定した回数をカウントする。さらに、異常判定部５６Ａは、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが警戒電圧であることをユーザーに警告するための指示、及び電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが異常低電圧のために画像形成処理が実行できないことを報知するための指示を、例えば操作表示部６、スピーカー（不図示）などの報知部に与える。

報知制御部５７は、操作表示部６の表示部、スピーカー（不図示）などの報知部に警告を行わせる。例えば、報知制御部５７は、操作表示部６の表示部に電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが警戒電圧であること、画像処理が行えないことなどのメッセージを表示させる。また、報知制御部５７は、スピーカー（不図示）に前記警戒温度であること、画像処理が行えないことなどを報知させてもよい。

［ＦＥＴ監視処理］
以下、図１３を参照しつつ、制御部５Ａにより実行されるＦＥＴ監視処理の手順の一例について説明する。ここで、ＦＥＴ監視処理は、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSの異常を監視する処理である。以下において、前述の第１実施形態のＦＥＴ監視処理と同様のステップについては詳細な説明は省略する。

＜ステップＳ２１＞
まず、図１３に示されるステップＳ２１において、制御部５Ａは、突入電流防止回路８Ａへの第１電圧Ｖ１の入力が開始されたか否かを判断する。

ここで、制御部５Ａは、突入電流防止回路８Ａへの第１電圧Ｖ１の入力が開始されたと判断すると（ステップＳ２１：Ｙｅｓ）、ステップＳ２２に処理を移行させる。一方、制御部５Ａは、突入電流防止回路８Ａへの第１電圧Ｖ１の入力が開始されていないと判断すると（ステップＳ２１：Ｎｏ）、突入電流防止回路８Ａが駆動停止状態であると判断できるためＦＥＴ監視処理を終了する。

＜ステップＳ２２＞
制御部５Ａは、突入電流防止回路８Ａへの第１電圧Ｖ１の入力が開始された場合（ステップＳ２１：Ｙｅｓ）、突入電流防止回路８Ａの駆動状態になったと判断できる。そのため、ステップＳ２２において、制御部５Ａは、ステップＳ２２の処理を開始してから所定時間が経過したか否かを判断する。即ち、後述するステップＳ２３の電圧監視処理は、所定時間ごとに繰り返し行われる。なお、ステップＳ２２における所定時間が経過したか否かの起算点は、後述のステップＳ２３の電圧監視処理の開始時点又は終了時点であってもよい。

ここで、制御部５Ａは、ステップＳ２２の処理を開始してから所定時間が経過したと判断すると（ステップＳ２２：Ｙｅｓ）、ステップＳ２３に処理を移行させる。一方、制御部５Ａは、ステップＳ２２の処理を開始してから所定時間が経過していないと判断すると（ステップＳ２２：Ｎｏ）、ステップＳ２２の処理を開始してから所定時間が経過したと判断するまで（ステップＳ２２：Ｙｅｓ）、ステップＳ２２の判断を繰り返し行う。

＜ステップＳ２３＞
ステップＳ２３において、制御部５Ａは、電圧監視処理を実行する。ここで、ステップＳ２３の処理は、制御部５Ａのゲート電圧検出部５５及び異常判定部５６により、前述の第１実施形態の電圧監視処理（図９参照）と基本的に同様の手順に従い実行される。

＜ステップＳ２４＞
ステップＳ２４において、制御部５Ａは、突入電流防止回路８Ａへの第１電圧Ｖ１の入力が停止されたか否かを判断する。ステップＳ２４の判断は、図４に示されるＦＥＴ監視処理のステップＳ１７と同様な手順に従い実行される。

ここで、制御部５Ａは、突入電流防止回路８Ａへの第１電圧Ｖ１の入力が停止されていると判断すると（ステップＳ２４：Ｙｅｓ）、ＦＥＴ監視処理を終了する。一方、制御部５Ａは、突入電流防止回路８Ａへの第１電圧Ｖ１の入力が停止されていないと判断すると（ステップＳ２４：Ｎｏ）、ステップＳ２２に処理を移行させ、所定時間が経過することを条件に（ステップＳ２２：Ｙｅｓ）、ステップＳ２３の電圧監視処理を引き続き実行する。

このように画像形成装置１０の突入電流防止回路８Ａでは、ゲート電圧検出部５５により電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが所定時間ごとに検出される。そして、電界効果トランジスタ８１のゲート電圧Ｖ_GSが異常低電圧であるときには、スイッチング素子８８Ａがオフ状態になる。これにより、電界効果トランジスタ８１が異常過熱温度であるときに電界効果トランジスタ８１が駆動停止状態になる。そのため、突入電流防止回路８Ａは、電界効果トランジスタ８１の発熱に起因し、電界効果トランジスタ８１及びその周辺の実装部品などにオープン不良、焼損などの不具合が生じることが抑制される。加えて、突入電流防止回路８Ａでは、電界効果トランジスタ８１が異常過熱温度となった場合に、インターロックスイッチ７４がオフ状態になる。これにより、突入電流防止回路８Ａへの第１電圧Ｖ１の入力が停止され、電界効果トランジスタ８１及びその周辺の実装部品などにオープン不良、焼損などの不具合が生じることがより確実に抑制される。

本実施形態では、電界効果トランジスタ８１が突入電流防止素子として使用される場合を説明したが、本発明は電界効果トランジスタ８１がスイッチング素子として使用される場合にも適用できる。

１０ 画像形成装置
５ 制御部
５１ 選択処理部
５４ 切替制御部
５５ ゲート電圧検出部
５６ 異常判定部
５７ 報知制御部
６ 操作表示部
７ 電源部
７４ インターロックスイッチ
８ 突入電流防止回路
８１ 電界効果トランジスタ
８３ スイッチング素子

Claims (5)

1. 突入電流防止回路を有する電源部と、前記電源部を制御する制御部と、を備える画像処理装置であって、
   前記突入電流防止回路は、電界効果トランジスタと、オン状態とオフ状態との切り替えにより前記電界効果トランジスタの駆動状態と駆動停止状態とを選択するスイッチング素子と、を有し、
   前記制御部は、前記電界効果トランジスタのゲート電圧を検出するゲート電圧検出部と、前記ゲート電圧検出部により検出される前記電界効果トランジスタのゲート電圧が予め定められる異常低電圧であるか否かを判定する異常判定部と、前記異常判定部により前記電界効果トランジスタのゲート電圧が前記異常低電圧であると判定された場合に、前記スイッチング素子のオン状態とオフ状態とを切り替えて前記電界効果トランジスタを駆動停止状態にする切替制御部と、を有する画像処理装置。
2. 前記電源部は、前記突入電流防止回路の駆動状態と駆動停止状態とを選択する回路駆動選択部を有し、
   前記制御部は、前記異常判定部により前記電界効果トランジスタのゲート電圧が前記異常低電圧であると判定された場合に、前記突入電流防止回路の駆動停止状態を前記回路駆動選択部に選択させる選択処理部を有する請求項１に記載の画像処理装置。
3. 前記異常判定部は、前記電界効果トランジスタのゲート電圧が、前記異常低電圧、予め定められる正常電圧、及び前記正常電圧と前記異常低電圧との間の警戒電圧のいずれであるかの判定を行い、
   前記電界効果トランジスタのゲート電圧が前記警戒電圧であることを報知する報知部をさらに備え、
   前記制御部は、前記異常判定部により前記電界効果トランジスタのゲート電圧が前記警戒電圧であると判定された場合に、前記電界効果トランジスタのゲート電圧が前記警戒電圧であることの報知を前記報知部に行わせる報知制御部を有する請求項１又は２に記載の画像処理装置。
4. 前記報知制御部は、前記電界効果トランジスタのゲート電圧が前記警戒電圧であると判定した回数をカウントし、予め定められる特定期間内に前記電界効果トランジスタのゲート電圧が前記警戒電圧であると判定した回数が予め定められる規定回数を超える場合に、前記電界効果トランジスタのゲート電圧が前記警戒電圧であることの報知を前記報知部に行わせる請求項３に記載の画像処理装置。
5. 前記報知制御部は、前記異常判定部により前記電界効果トランジスタのゲート電圧が前記異常低電圧であると判定された場合に、画像処理が行えない状態であることの報知を前記報知部に行わせる請求項３又は４に記載の画像処理装置。

Images