JP2018067641A - 配線基板、半導体装置、およびそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】多層化、高密度化、高速化を満足する半導体部品が搭載される配線基板を提供する。
【解決手段】２層以上の絶縁層を有する配線基板１０であって、第１面に第１の配線３４０を備える第１の絶縁層１００と、第１面上に配置される第２の絶縁層４００と、を備える。第１の絶縁層が第１の配線３４０と接する第１の領域より、第１の絶縁層が第２の絶縁層と接する第２の領域は大きい表面粗さを有する。
【選択図】図１

Description

本開示の実施形態は、配線基板、半導体装置、およびそれらの製造方法に関する。

電子機器の小型化、高機能化に伴い、電子機器を構成する半導体部品さらには半導体部品が搭載される配線基板に関しても、多層化、高密度化、高速化の技術開発が進められている。

従来、半導体装置を含めた多層の電子部品の製造において、電気回路を構成する絶縁材の密着力を改善する手段として、液浸による全面一括粗化処理が行われてきた。液浸による粗化処理は酸化剤を用いる方法が一般的であるが、粗化条件の検討および制御が難しく、簡便且つ精密に絶縁材を粗化させる方法が求められている。

特許文献１には、絶縁樹脂粗化面形成方法において、多層プリント配線板の上下の絶縁樹脂層を、微細形状を有する金型を用いて上下から挟み、粗化面を一括形成する方法が開示されている。インプリント技術を応用することによってより簡便に微細な形状を形成することができ、回路パターンによって粗化形状を変化させることで、絶縁樹脂層と金属配線の密着性を向上させる方法が記載されている。

一方で、近年の信号の高速化により、信号を確実に伝搬するための伝送線路損失の低減がより重要になっている。伝送線路損失の一因は、導体抵抗による損失（以下、導体損失という）である。導体損失は、特に高周波信号の伝送において、電流が伝送線路の表面に集中し、電流が流れる有効断面積が小さくなることにより、抵抗が大きくなって信号が減衰（損失が増加）する。このため、伝送配線表面における粗化処理は、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす原因ともなりうる。

特開２０１２−１９９３８０号公報

しかしながら、従来の液浸により粗化方法においては、回路パターンによって粗化形状を変化させることは難しい。また、特許文献１においては、伝送線路部に選択的に粗化面を形成する方法が記載されており、伝送線路の導体損失に十分な考慮がなされていない。

本開示の実施形態は、簡便なプロセスで信頼性を向上した配線基板および半導体装置を提供することを目的の一つとする。

本開示の一実施形態によると、２層以上の絶縁層を有する配線基板であって、第１面に第１の配線を備える第１の絶縁層と、第１面上に配置される第２の絶縁層と、を備え、第１の絶縁層が第１の配線と接する第１の領域より、第１の絶縁層が第２の絶縁層と接する第２の領域は大きい表面粗さを有する配線基板が提供される。

第２の領域の表面粗さは、積層方向における高さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の凹凸構造によってもよい。

ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第２の領域の表面粗さが、算術平均粗さＲａは０．５以上１．５以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳは１．５以上２．５以下であってもよい。

ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第１の領域の表面粗さが、算術平均粗さＲａは０．１以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳは０．１以下であってもよい。

配線基板は、第１の絶縁層を貫通して第１の配線と電気的に接続する第１の層間接続部をさらに備え、第１の領域は、第１の絶縁層が第１の層間接続部と接する第３の領域より小さい表面粗さを有してもよい。

配線基板は、第１の絶縁層の第１面とは反対側の第２面に配置され、第１の層間接続部と電気的に接続する第１の電極をさらに備え、第３の領域は、第１の絶縁層が第１の電極と接する第４の領域より小さい表面粗さを有してもよい。

第１の領域において、底面は側面より小さい表面粗さを有してもよい。

第１の配線は、第１の絶縁層の第１面に配置され、第１の方向に延長する第２の配線と、第１の絶縁層は第１面に配置され、第１の方向と直交する第２の方向に延長する第３の配線と、を含み、第２の配線は第３の配線より総延長が長く、第１の絶縁層が第２の配線と接する第５の領域は、第１の絶縁層が第３の配線と接する第６の領域より小さい表面粗さを有してもよい。

第１の配線は伝送配線であって、配線基板の第１面に配置され、電源またはグランドと電気的に接続する第４の配線を備え、第１の領域は、第１の絶縁層が第４の配線と接する第７の領域より小さい表面粗さを有してもよい。

第２の絶縁層を貫通して第１の配線と電気的に接続する第２の層間接続部、第２の絶縁層の第１の絶縁層とは反対側の第３面に配置され、第２の層間接続部と電気的に接続する第５の配線、および第５の配線と電気的に接続する第２の電極、をさらに備える配線基板と、第３面上に間隙を介して配置され、第２の電極と電気的に接続する第３の電極を有する半導体部品と、第２の絶縁層の第３面と接し、半導体部品を包埋する第１の樹脂層と、を備える半導体装置であってもよい。

間隙に配置される第２の樹脂層をさらに備えてもよい。

第２の絶縁層が第５の配線と接する第８の領域より、第２の絶縁層が第１の樹脂層と接する第９の領域は大きい表面粗さを有し、第８の領域より、第２の絶縁層が第２の樹脂層と接する第１０の領域は大きい表面粗さを有してもよい。

ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第８の領域の表面粗さが、算術平均粗さＲａは０．１以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳは０．１以下であってもよい。

第１の絶縁層、第２の絶縁層、および第１の樹脂層は、同じ材料を含んでもよい。

第１の絶縁層、第２の絶縁層、および第１の樹脂層は、エポキシ樹脂を含んでもよい。

第１の樹脂層は、第１のフィラーを含んでもよい。

第１のフィラーの最大粒径は１０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。

第１の絶縁層、第２の絶縁層、および第２の樹脂層は、同じ材料を含んでもよい。

第１の絶縁層、第２の絶縁層、および第２の樹脂層は、エポキシ樹脂を含んでもよい。

第２の樹脂層は、第２のフィラーを含んでもよい。

第２のフィラーの最大粒径は１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。

配線基板は、第１の絶縁層を貫通して第１の配線と電気的に接続する第１の層間接続部と、第１の絶縁層の第１面とは反対側の第２面に配置され、第１の層間接続部と電気的に接続する第１の電極と、をさらに備え、第１の電極と電気的に接続する半田ボールをさらに備えてもよい。

本開示の一実施形態によると、第１の絶縁層の第１面に配置され、第１の凹凸構造を有するトレンチと、第１面に配置され、第１の凹凸構造よりも大きい第２の凹凸構造と、トレンチと接続する貫通孔と、を形成し、トレンチに配置する第１の配線と、貫通孔に配置する層間接続部と、を形成し、第１面に、第２の絶縁層を積層する配線基板の製造方法が提供される。

トレンチと、第２の凹凸構造と、貫通孔と、を形成する方法は、インプリント法によって一括形成してもよい。

トレンチと、第２の凹凸構造と、貫通孔とを形成する方法は、第１の絶縁層の残渣を除去することを含んでもよい。

第１の配線と、層間接続部と、を形成する方法は、第１面に、トレンチと第２の凹凸構造と貫通孔とを覆うように第１の導電体を形成し、第１の導電体と接し、トレンチと第２の凹凸構造と貫通孔とを埋めるように第２の導電体を形成し、第２の凹凸構造が露出するように、第１の導電体と第２の導電体とを除去することを含んでもよい。

第１の配線と、層間接続部と、を形成する方法は、第１の導電体をスパッタリング法によって形成し、第２の導電体を電解メッキ法によって形成し、第２の凹凸構造が露出するように、第１の導電体と第２の導電体とは化学機械研磨によって除去してもよい。

第２の凹凸構造は、積層方向における高さが０．０１μｍ以上３μｍ以下となるように形成してもよい。

ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第２の凹凸構造の表面粗さが、算術平均粗さＲａは０．５以上１．５以下で、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳは１．５以上２．５以下となるように形成してもよい。

ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第１の凹凸構造の表面粗さが、算術平均粗さＲａは０．１以下で、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳは０．１以下であってもよい。

第１の配線を形成することは、第１の絶縁層の第１面に配置され、第１の方向に延長する第２の配線と、第１の方向と直交する第２の方向に延長する第３の配線と、を形成し、第２の配線の総延長が、第３の配線の総延長より長いとき、第１の絶縁層が第２の配線と接する第５の領域は、第１の絶縁層が第３の配線と接する第６の領域より小さい表面粗さとなるように形成してもよい。

配線基板を準備し、配線基板に、第２の絶縁層を貫通して第１の配線と電気的に接続する第２の層間接続部、第２の絶縁層の第１の絶縁層とは反対側の第３面に配置され、第２の層間接続部と電気的に接続する第５の配線、および第５の配線と電気的に接続する第２の電極、を形成し、第２の電極と電気的に接続する第３の電極を有する半導体部品を、第３面上に間隙を介して配置し、第２の絶縁層の第３面と接し、半導体部品を包埋する第１の樹脂層を形成すること、を含んでもよい。

間隙に配置される第２の樹脂層をさらに形成してもよい。

本開示の実施形態によると、簡便なプロセスで信頼性を向上した配線基板および半導体装置を提供することができる。

本開示の一実施形態に係る配線基板の一例を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図、および（Ｃ）拡大図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板の一例を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図、および（Ｃ）拡大図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板の一例を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）（Ｃ）断面図、および（Ｄ）（Ｅ）拡大図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板の一例を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）（Ｃ）断面図、および（Ｄ）（Ｅ）拡大図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板の一例を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図、および（Ｃ）（Ｄ）拡大図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。 本開示の一実施形態に係る半導体装置の一例を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図、および（Ｃ）拡大図である。 本開示の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す断面図である。 本開示の参考例に係る配線基板の絶縁層の（Ａ）上面における走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真、（Ｂ）上面における凹凸構造を示す等高線グラフ、および（Ｃ）断面における凹凸構造を示すグラフである。 本開示の参考例に係る配線基板の絶縁層の（Ａ）上面におけるＳＥＭ写真、（Ｂ）上面における凹凸構造を示す等高線グラフ、および（Ｃ）断面における凹凸構造を示すグラフである。 本開示の参考例に係る配線基板の絶縁層の（Ａ）上面におけるＳＥＭ、（Ｂ）上面における凹凸構造を示す等高線グラフ、および（Ｃ）断面における凹凸構造を示すグラフである。

以下、図面を参照して、本開示の実施形態に係る配線基板、半導体装置、およびそれらの製造方法について説明する。但し、本開示の実施形態に係る配線基板、半導体装置、およびそれらの製造方法は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、説明の便宜上、上方又は下方という語句を用いて説明するが、上下方向が逆転してもよい。

＜第１実施形態＞
図１または図２を用いて、本開示の第１実施形態に係る配線基板１０の構成および配線基板１０の製造方法について説明する。

［配線基板の構成］
図１は、本開示の一実施形態に係る配線基板の一例を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図、および（Ｃ）拡大図である。図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ’線における断面図であり、図１（Ｃ）は図１（Ｂ）のＢ領域における拡大図である。図１（Ａ）および（Ｂ）に示すように、配線基板１０は、第１の絶縁層１００と、第２の絶縁層４００と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える。

第１の絶縁層１００の導電体は、第１の配線３４０と、第１の層間接続部３６０と、第１の電極３８０と、を含む。第１の絶縁層１００は、第１面に第１の配線３４０を備える。第１の配線３４０は、一端において、第１の絶縁層１００を貫通する第１の層間接続部３６０と電気的に接続する。本実施形態において、第１の配線３４０は、第１面に１本配置した例を示したがこれに限定されない。第１の配線３４０は、第１面に１本以上配置されればよい。また、本実施形態において、第１の配線３４０は第１の絶縁層１００の第１面にのみ配置したが、第１の配線３４０は第１面とは反対側の第２面にも配置されてもよい。第１の層間接続部３６０は、第１の絶縁層１００の第１面とは反対側の第２面において、第１の電極３８０と電気的に接続する。

第１の絶縁層１００の第１面上には第２の絶縁層４００が配置される。第２の絶縁層４００の導電体は、第２の配線６４０と、第２の層間接続部６６０と、第２の電極６８０と、を含む。第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００とは反対側の第３面に、第２の配線６４０を備える。第２の配線６４０は、第２の絶縁層４００を貫通する第２の層間接続部６６０と電気的に接続する。第２の層間接続部６６０はさらに、第１の配線３４０の一端とは反対側の他端と電気的に接続する。本実施形態において、第２の配線６４０は、第３面に１本配置した例を示したがこれに限定されない。第２の配線６４０は、第３面に１本以上配置されればよい。第２の配線６４０は、第２の絶縁層４００の第３面において、第２の電極６８０と電気的に接続する。

図１（Ａ）に示すように、第１の配線３４０および第２の配線６４０の平面形状は、第１の絶縁層１００および第２の絶縁層４００の第１側１０２から、第１側１０２とは反対側の第２側１０４に向かってそれぞれのラインが同じ方向に延びる形状を例示したが、この形状に限定されない。第１の配線３４０および第２の配線６４０の平面形状は例えば、それぞれのラインが異なる方向に延びてもよい。また複数の第１の配線３４０または第２の配線６４０が配置される場合、一部のラインが交差する又は一部のラインが連結してもよい。また、図１（Ａ）では、第１の絶縁層１００および第２の絶縁層４００が方形であるが、この形に限定されない。

図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）のＢ領域における拡大図である。図１（Ｃ）に示すように、第１の絶縁層１００は、第１の配線３４０と、第１の層間接続部３６０と、第２の絶縁層４００と接する。

第１の絶縁層１００が第１の配線３４０と接する第１の領域には、第１の凹凸構造１４０が形成される。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第１の領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．１以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが０．１以下である。第１の領域は、略平坦であることがより好ましい。

一方で、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域における第２の凹凸構造１６０は、積層方向における高さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の範囲である。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第２の領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．５以上１．５以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが１．５以上２．５以下である。第１の絶縁層１００が第１の配線３４０と接する第１の領域および第１の絶縁層１００が第１の層間接続部３６０と接する第３の領域より、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域は大きい表面粗さを有する。

本実施形態において、第１の絶縁層１００が第１の配線３４０と接する第１の領域と、第１の絶縁層１００が第１の層間接続部３６０と接する第３の領域とは小さい表面粗さを有する。第１の絶縁層１００の第１の領域と第３の領域とが小さい表面粗さを有することで、第１の配線３４０と第１の層間接続部３６０とは、第１の絶縁層１００と接する領域が小さい表面粗さを有する。導電体表面における粗面は、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす原因ともなりうる。このため第１の配線３４０と第１の層間接続部３６０の、第１の絶縁層１００と接する領域が小さい表面粗さを有することによって、高周波帯域における伝送特性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態において、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域は第２の凹凸構造１６０を有する。第１の絶縁層１００が第２の領域に第２の凹凸構造１６０を有することによって、第２の絶縁層４００の第１の絶縁層１００と接する領域にも凹凸構造が形成される。第２の絶縁層４００の凹凸構造は、第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０に嵌まるように形成される。第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０と第２の絶縁層４００の凹凸構造とが互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上することができる。これによって信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態において、配線基板１０は、２層の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える。第１の絶縁層が第１の配線と接する第１の領域および第１の絶縁層が第１の層間接続部と接する第３の領域より、第１の絶縁層が第２の絶縁層と接する第２の領域は大きい表面粗さを有する。しかしながらこれに限定されず、例えば、配線基板がｍ層の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備えてもよい。この場合、第ｎの絶縁層が第ｎの配線と接する領域および第ｎの絶縁層が第ｎの層間接続部と接する領域より、第ｎの絶縁層が第ｎ＋１の絶縁層と接する領域は大きい表面粗さを有してもよい。（ｍは３以上の任意の自然数、ｎは１以上ｍ−１以下の任意の自然数とする。）

配線基板が３層以上の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える場合、第ｎの絶縁層は複数含んでもよく、任意の層の組み合わせであってもよい。複数の絶縁層が、絶縁層が配線と接する領域および絶縁層が層間接続部と接する領域より、絶縁層同士が接する領域は大きい表面粗さを有することで、それぞれの密着性をさらに向上することができる。これによって信頼性をさらに向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態においては、最上層となる第２の絶縁層も、第２の絶縁層が第２の配線と接する領域および第２の絶縁層が第２の層間接続部と接する領域より、第２の絶縁層が最上面に露出する領域は大きい表面粗さを有する。最上層の絶縁層が、絶縁層が配線と接する領域および絶縁層が層間接続部と接する領域より、最上面に露出する領域は大きい表面粗さを有することで、後述する樹脂層の密着性を向上することができる。これによって信頼性をさらに向上した半導体装置を提供することができる。

図１（Ｃ）において、第２の領域の第２の凹凸構造１６０は、一例として四角錐形が均一に配置されている。しかしながらこれに限定されず、第２の領域の第２の凹凸構造１６０が、上記条件の範囲内であれば任意の形状でよい。第２の領域の第２の凹凸構造１６０は、例えば、多角錐形、多角錐台形、多角柱形、円錐形、円錐台形、円柱形、ライン状などであってもよく、これらの組み合わせであってもよい。また第２の領域の第２の凹凸構造１６０は上記条件の範囲内であれば、不均一な凹凸構造であってもよい。

第１の配線３４０および第２の配線６４０の幅および高さは、用途に応じて適宜選択できる。第１の配線３４０および第２の配線６４０の幅および高さは、同一であってもよいし、異なってもよい。第１の配線３４０および第２の配線６４０の高さは、第２の凹凸構造１６０より大きければよい。

第１の絶縁層１００および第２の絶縁層４００の材料は、電気絶縁性を有する材料であればよい。第１の絶縁層１００および第２の絶縁層４００の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂材料、シリコーン系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、フェノール系樹脂材料、ポリイミド系樹脂材料、ポリスルホン系樹脂材料、ポリエステル系樹脂材料、ポリカーボネイト系樹脂材料等を用いることができる。第１の絶縁層１００および第２の絶縁層４００の材料としては、エポキシ系樹脂材料であることが好ましい。なお、第１の絶縁層１００および第２の絶縁層４００は、それぞれ単一の層によって構成された例を図示したが、これに限定されず、複数の基材又は層が積層された構造であってもよい。第１の絶縁層１００および第２の絶縁層４００の材料は、同一の材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。

第１の絶縁層１００および第２の絶縁層４００の厚さは、特に制限はなく、用途に応じて適宜選択できる。第１の絶縁層１００および第２の絶縁層４００の厚さが薄すぎると、基材のたわみが大きくなるため、製造過程におけるハンドリングが困難になる。一方、第１の絶縁層１００および第２の絶縁層４００の厚さが厚すぎると、基材の重量が増加し、ハンドリングを行う装置への負担が大きくなる。また、第１の絶縁層１００および第２の絶縁層４００の厚さが厚いほど、各層間を電気的に接続する層間接続部を形成するための貫通孔がより深くなる。

図１（Ｂ）及び（Ｃ）に示すように、第１の配線３４０、第１の層間接続部３６０、第２の配線６４０、および第２の層間接続部６６０はそれぞれ、第１の導電体２００と、第２の導電体２２０とを有する（以降、第１の導電体２００と第２の導電体２２０とを区別しないときは、導電体あるいは第１の配線３４０、第１の層間接続部３６０、第２の配線６４０、または第２の層間接続部６６０という）。第１の導電体２００は、第１のトレンチ１２０の内側の表面に配置される。第２の導電体２２０は、第１のトレンチ１２０の内側に配置され、第１の導電体２００と接している。

第１の導電体２００の材料と、第２の導電体２２０の材料は、導電性を有する材料であればよい。例えば、本実施形態において第１の導電体２００はスパッタリング法により形成される銅であり、第２の導電体２２０は電解メッキ法により形成される銅であるがこれに限定されない。導電体の材料としては、例えば、金、銀、銅、白金、ニッケル、ロジウム、ルテニウム、又はイリジウム等を用いることができる。また第１の導電体２００の材料と、第２の導電体２２０の材料は、同一の材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。第１の配線３４０、第１の層間接続部３６０、第２の配線６４０、および第２の層間接続部６６０の材料は、同一の材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。さらに第１の配線３４０、第１の層間接続部３６０、第２の配線６４０、および第２の層間接続部６６０の材料は、単一の材料であってもよいし、２つ以上の異なる材料の組み合わせであってもよい。

第１の電極３８０の材料および第２の電極６８０の材料は、導電性を有する材料であればよい。導電体の材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム等を用いることができる。また第１の電極３８０の材料と、第２の電極６８０の材料は、同一の材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。本実施形態において第１の電極３８０および第２の電極６８０は、導電体を積層し、フォトリソグラフィ法により形成されるがこれに限定されない。

［配線基板１０の製造方法］
図２を用いて、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する。図２において、図１に示す要素と同じ要素には同一の符号を付した。

図２（Ａ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、インプリント法により、第１の絶縁層１００に第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を形成する工程を示す図である。まず第１の絶縁層１００に第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を形成する型１１０を形成する。型１１０は、第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０に対応する突起部を有する。第１のトレンチ１２０および第１の貫通孔１８０に対応する型１１０の突起部の表面は略平坦に形成する。

次に、型１１０を用いて、第１の絶縁層１００の第１面に第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を印刻する。図２では示さなかったが、第１の絶縁層１００は基板（図示せず）上に塗布して形成してもよい。この場合、第１の絶縁層１００の基板とは反対側の面を第１面とする。第１の絶縁層１００を軟化させ、その第１面に型１１０を圧入する。その状態で第１の絶縁層１００を硬化させ、型１１０を第１の絶縁層１００から剥離することで、図２（Ａ）に示す断面構造の第１の絶縁層１００を得ることができる。第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０には、絶縁材料の残渣が残ることがある。このため過マンガン酸塩溶液を用いたウェット処理や、酸素プラズマを用いたドライ処理を行うことによって、絶縁材料の残渣を除去する。絶縁材料の残渣を除去することによって、良好な層間接続を得ることができ、信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態において、第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０はインプリント法によって一体に形成する。これによって製造工程を簡略化することができる。また、インプリント法は一般的なフォトリソグラフィ法と比べて薬液の使用量が少なく、環境に配慮されている。

第１の絶縁層１００に形成される第１のトレンチ１２０の内側の表面（第１の領域）には、インプリント法によって第１の凹凸構造１４０が形成される。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第１の領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．１以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが０．１以下である。第１の領域は、略平坦であることがより好ましい。

一方で、第１の絶縁層１００に形成する第２の凹凸構造１６０は、積層方向における高さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の範囲である。第２の凹凸構造１６０の積層方向における高さが０．０１μｍ以下である場合、インプリント法において第２の凹凸構造１６０を形成する型１１０の形成が困難となる。第２の凹凸構造１６０の積層方向における高さが３μｍ以上の場合、絶縁層の厚みによっては深すぎて、下層まで貫通してしまい不必要な粗さとなってしまう。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第２の凹凸構造１６０における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．５以上１．５以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが１．５以上２．５以下である。第２の領域における表面粗さは、第１の領域および第３の領域における表面粗さよりも大きく形成する。

第１の配線３４０が配置される第１のトレンチ１２０のアスペクト比は、用途に応じて適宜選択できる。ここで、第１のトレンチ１２０のアスペクト比は、開口部幅に対する深さとして定義される。第１の配線３４０が配置される第１のトレンチ１２０のアスペクト比が小さすぎると、配線基板１０における第１の配線３４０の微細パターンを形成することが困難になる。第１の配線３４０が配置される第１のトレンチ１２０のアスペクト比が大きすぎると、導電体を第１のトレンチ１２０に充填することが困難になる。

図２（Ｂ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の絶縁層１００上に第１の導電体２００を形成する工程を示す図である。図２（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を、第１の導電体２００で覆うように成膜する。本実施形態においては、スパッタリング法を用いて銅を成膜した。しかしながらこれに限定されず、第１の導電体２００は次の工程における電解メッキ法による金属充填のためのシード層となればよい。またシード層および／またはバリア層であってもよい。第１の導電体２００は、図２（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を反映している。別言すると、第１の導電体２００は、第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０に沿って形成される。すなわち、第１の導電体２００は、第１の絶縁層１００に形成した凹凸構造を有する。しかしながらこれに限定されず、第１の絶縁層１００に形成した凹凸構造は第１の導電体２００で少なくとも一部埋まってしまってもよい。

図２（Ｃ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の導電体２００上に第２の導電体２２０を形成する工程を示す図である。図２（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を、第２の導電体２２０で充填する。本実施形態において、第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０は、電解メッキ法を用いて銅で充填する。しかしながらこれに限定されず、第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を金属充填する方法としては、印刷法などを用いることもできる。

図２（Ｄ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の絶縁層１００上を研磨する工程を示す図である。図２（Ｄ）に示すように、第１の絶縁層１００上の略全面を研磨する。本実施形態において、第１の絶縁層１００の表面は化学機械研磨法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を用いて研磨した。第１の絶縁層１００上の第１の導電体２００及び第２の導電体２２０を選択的に研磨することで、第１のトレンチ１２０および第１の貫通孔１８０内部以外の不要な第１の導電体２００及び第２の導電体２２０を除去することができる。これによって、第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０は露出する。第１のトレンチ１２０内の第１の導電体２００及び第２の導電体２２０は、第１の配線３４０として形成される。第１の貫通孔１８０内の第１の導電体２００及び第２の導電体２２０は、第１の層間接続部３６０として形成される。本実施形態において、第１の配線３４０と第１の層間接続部３６０は一体に形成したが、これに限定されない。それぞれ別体に形成してもよい。

図２（Ｅ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の絶縁層１００上に第２の絶縁層４００を積層する工程を示す図である。本実施形態において、第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００上に塗布することで形成する。ここで第２の絶縁層４００は、図２（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０が埋まるように形成される。すなわち第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０を反映している。別言すると、第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００と接する領域に凹凸構造を有する。第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０と、第２の絶縁層４００の凹凸構造は、互いに噛み合うように接着する。第２の絶縁層４００を第１の絶縁層１００上に積層することによって、第１の配線３４０と第１の層間接続部３６０は、第１の絶縁層１００および第２の絶縁層４００に埋設される。

図２（Ｆ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、図２（Ａ）〜（Ｄ）の工程により、第２の絶縁層４００に第２の配線６４０と第２の層間接続部６６０を形成する工程を示す図である。第１の絶縁層１００と同様に、インプリント法により、第２の絶縁層４００に凹凸構造、第２のトレンチ、および第２の貫通孔を形成し、第１の導電体および第２の導電体で充填後、研磨することで、第２の絶縁層４００に、凹凸構造、第２の配線６４０、および第２の層間接続部６６０を形成する。本実施形態においては、２層の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える配線基板の製造方法を示した。しかしながらこれに限定されず、それぞれの層における任意のパターンを有するトレンチ、貫通孔、および凹凸構造に対応する突起部を有する型を用意することで、２層以上の絶縁層を有する配線基板を適宜形成することができる。

図２（Ｇ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の電極３８０と第２の電極６８０とを形成する工程を示す図である。本実施形態において、第２の電極６８０はフォトリソグラフィを用いて形成する。しかしながらこれに限定されず、例えば、第２の電極６８０は第２の配線６４０と第２の層間接続部６６０と一体に形成されてもよい。本実施形態において、第１の電極３８０はフォトリソグラフィを用いて形成するがこれに限定されない。図２では示さなかったが、第１の絶縁層１００は第１面とは反対側の第２面に基板（図示せず）を有してもよい。この場合、まず基板を剥離する工程を含んでもよい。第１の絶縁層１００の第２面において、第１の貫通孔１８０には絶縁材料の残渣が残ることがある。このため過マンガン酸塩溶液を用いたウェット処理や、酸素プラズマを用いたドライ処理を行うことによって、絶縁材料の残渣を除去する。絶縁材料の残渣を除去することによって、良好な電極の接続を得ることができ、信頼性を向上した配線基板を提供することができる。なお、第１の電極３８０は、後述する半導体部品を配置したあとで形成してもよい。

以上のように、本実施形態に係る配線基板１０の製造方法によると、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域に第２の凹凸構造１６０を形成することができる。このような選択的な粗化面形成方法において、第１の絶縁層１００に第２の凹凸構造１６０を形成することで、第２の絶縁層４００の第１の絶縁層１００と接する領域に凹凸構造が形成される。第２の絶縁層４００の凹凸構造は、第１の絶縁層１００の凹凸構造に嵌まるように形成される。第１の絶縁層１００と第２の絶縁層４００との凹凸構造が互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上し、剥離を防止することができる。これによって信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態に係る配線基板１０の製造方法によると、第１の絶縁層１００が第１の配線３４０と接する第１の領域は小さい表面粗さに形成することができる。第１の絶縁層１００が第１の層間接続部３６０と接する第３の領域は小さい表面粗さに形成することができる。第１の領域と第３の領域と小さい表面粗さに形成することで、第１の配線３４０と第１の層間接続部３６０とは、第１の絶縁層１００と接する領域が小さい表面粗さに形成される。導電体表面における粗化処理は、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす原因ともなりうる。第１の配線３４０と第１の層間接続部３６０との、第１の絶縁層１００と接する領域を小さい表面粗さに形成することによって、高周波帯域における伝送特性を向上した配線基板を提供することができる。

＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る配線基板は、第１の絶縁層が第１の配線と接する第１の領域は、第１の絶縁層が第１の層間接続部と接する第３の領域より小さい表面粗さを有し、第３の領域は第１の絶縁層が第１の電極と接する第４の領域より小さい表面粗さを有し、第４の領域は第１の絶縁層が第２の絶縁層と接する第２の領域より小さい表面粗さを有する。

図３または図４を用いて、本開示の第２実施形態に係る配線基板２０の構成および配線基板２０の製造方法について説明する。ここで、第１実施形態と同様である部分は、その詳しい説明を省略する。

［配線基板の構成］
図３は、本開示の一実施形態に係る配線基板の一例を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図、および（Ｃ）拡大図である。図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＡ−Ａ’線における断面図であり、図３（Ｃ）は図３（Ｂ）のＢ領域における拡大図である。図３（Ａ）および（Ｂ）に示すように、配線基板２０は、第１の絶縁層１００と、第２の絶縁層４００と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える。

第１の絶縁層１００の導電体は、第１の配線３４０と、第１の層間接続部３６０と、第１の電極３８０と、を含む。第１の絶縁層１００は、第１面に第１の配線３４０を備える。第１の配線３４０は、一端において、第１の絶縁層１００を貫通する第１の層間接続部３６０と電気的に接続する。本実施形態において、第１の配線３４０は、第１面に１本配置した例を示したがこれに限定されない。第１の配線３４０は、第１面に１本以上配置されればよい。また、本実施形態において、第１の配線３４０は第１の絶縁層１００の第１面にのみ配置したが、第１の配線３４０は第１面とは反対側の第２面にも配置されてもよい。第１の層間接続部３６０は、第１の絶縁層１００の第１面とは反対側の第２面において、第１の電極３８０と電気的に接続する。

第１の絶縁層１００の第１面上には第２の絶縁層４００が配置される。第２の絶縁層４００の導電体は、第２の配線６４０と、第２の層間接続部６６０と、第２の電極６８０と、を含む。第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００とは反対側の第３面に、第２の配線６４０を備える。第２の配線６４０は、第２の絶縁層４００を貫通する第２の層間接続部６６０と電気的に接続する。第２の層間接続部６６０はさらに、第１の配線３４０の一端とは反対側の他端と電気的に接続する。本実施形態において、第２の配線６４０は、第３面に１本配置した例を示したがこれに限定されない。第２の配線６４０は、第３面に１本以上配置されればよい。第２の配線６４０は、第２の絶縁層４００の第３面において、第２の電極６８０と電気的に接続する。

図３（Ｃ）は、図３（Ｂ）のＢ領域における拡大図である。図３（Ｃ）に示すように、第１の絶縁層１００は、第１の配線３４０と、第１の層間接続部３６０と、第２の絶縁層４００と、第１の電極３８０と接する。

第１の絶縁層１００が第１の配線３４０と接する第１の領域には、第１の凹凸構造１４０が形成される。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第１の領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．１以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが０．１以下である。第１の領域は、略平坦であることがより好ましい。さらに第１の領域における表面粗さは、第１の絶縁層１００が第１の層間接続部３６０と接する第３の領域における表面粗さより小さい。第３の領域における表面粗さは、第１の絶縁層１００が、第１の電極３８０と接する第４の領域における表面粗さより小さい。

一方で、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域における第２の凹凸構造１６０は、積層方向における高さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の範囲である。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第２の領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．５以上１．５以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが１．５以上２．５以下である。第１の絶縁層１００が第１の配線３４０と接する第１の領域、第１の絶縁層１００が第１の層間接続部３６０と接する第３の領域、および第１の絶縁層１００が第１の電極３８０と接する第４の領域より、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域は大きい表面粗さを有する。

本実施形態において、第１の領域は第３の領域より小さい表面粗さを有し、第３の領域は第４の領域より小さい表面粗さを有することで、第１の配線３４０は第１の層間接続部３６０より小さい表面粗さを有し、第１の層間接続部３６０は第１の電極３８０より小さい表面粗さを有する。配線表面における粗面は、層間接続部における粗面より総延長が長く、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい。層間接続部における粗面は、電極における粗面より総延長が長く、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい。このため、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい導電体ほど小さい表面粗さを有することによって、高周波帯域における伝送特性を向上した配線基板を提供することができる。

第３の領域は第１の領域より大きい表面粗さを有し、第４の領域は第３の領域より大きい表面粗さを有することによって、第１の層間接続部３６０は第１の配線３４０より大きい表面粗さが形成され、第１の電極３８０は第１の層間接続部３６０より大きい表面粗さが形成される。第１の層間接続部３６０の凹凸構造は、第３の領域の凹凸構造に嵌まるように形成される。第１の電極３８０の凹凸構造は、第４の領域の凹凸構造に嵌まるように形成される。それぞれの凹凸構造が互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上することができる。高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が小さい導電体ほど大きい表面粗さを有することによって、表皮効果による導体損失を抑制しつつ、第１の絶縁層１００と導電体との密着を向上し、より信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態において、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域は第２の凹凸構造１６０を有する。第１の絶縁層１００が第２の領域に第２の凹凸構造１６０を有することによって、第２の絶縁層４００の第１の絶縁層１００と接する領域にも凹凸構造が形成される。第２の絶縁層４００の凹凸構造は、第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０に嵌まるように形成される。第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０と第２の絶縁層４００の凹凸構造とが互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上することができる。これによって信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態において、配線基板２０は、２層の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える。第１の絶縁層１００において第３の領域は第１の領域より大きい表面粗さを有し、第４の領域は第３の領域より大きい表面粗さを有し、第２の領域は第４の領域より大きい表面粗さを有する。しかしながらこれに限定されず、例えば、配線基板がｍ層の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備えてもよい。この場合も、第１の絶縁層１００において第３の領域は第１の領域より大きい表面粗さを有し、第４の領域は第３の領域より大きい表面粗さを有し、第２の領域は第４の領域より大きい表面粗さを有する。さらに、第ｎの絶縁層において、第ｎの絶縁層が第ｎ＋１の絶縁層と接する領域は、第ｎの絶縁層が第ｎの層間接続部と接する領域より大きい表面粗さを有し、第ｎの絶縁層が第ｎの層間接続部と接する領域は、第ｎの絶縁層が第ｎの配線と接する領域より大きい表面粗さを有してもよい。（ｍは３以上の任意の自然数、ｎは２以上ｍ−１以下の任意の自然数とする。）

配線基板が３層以上の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える場合、第ｎの絶縁層は複数含んでもよく、任意の層の組み合わせであってもよい。複数の絶縁層が、絶縁層同士が接する領域は、絶縁層が層間接続部と接する領域より大きい表面粗さを有し、絶縁層が層間接続部と接する領域は、絶縁層が配線と接する領域より大きい表面粗さを有することで、それぞれの密着性をさらに向上することができる。これによって信頼性をさらに向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態においては、最上層となる第２の絶縁層も、第２の絶縁層が第２の層間接続部と接する領域は、第２の絶縁層が第２の配線と接する領域より大きい表面粗さを有し、第２の絶縁層が最上面に露出する領域は、第２の絶縁層が第２の層間接続部と接する領域より大きい表面粗さを有する。最上層の絶縁層が、絶縁層が配線と接する領域および絶縁層が層間接続部と接する領域より、最上面に露出する領域は大きい表面粗さを有することで、後述する樹脂層の密着性を向上することができる。これによって信頼性をさらに向上した半導体装置を提供することができる。

［配線基板２０の製造方法］
図４を用いて、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する。図４において、図３に示す要素と同じ要素には同一の符号を付した。

図４（Ａ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、インプリント法により、第１の絶縁層１００に第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を形成する工程を示す図である。まず第１の絶縁層１００に第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を形成する型１１０を形成する。型１１０は、第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０に対応する突起部を有する。第１のトレンチ１２０および第１の貫通孔１８０に対応する型１１０の突起部の表面は略平坦に形成する。

次に、型１１０を用いて、第１の絶縁層１００の第１面に第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を印刻する。図４では示さなかったが、第１の絶縁層１００は基板（図示せず）上に塗布して形成してもよい。この場合、第１の絶縁層１００の基板とは反対側の面を第１面とする。第１の絶縁層１００を軟化させ、その第１面に型１１０を圧入する。その状態で第１の絶縁層１００を硬化させ、型１１０を第１の絶縁層１００から剥離することで、図４（Ａ）に示す断面構造の第１の絶縁層１００を得ることができる。第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０には、絶縁材料の残渣が残ることがある。このため過マンガン酸塩溶液を用いたウェット処理や、酸素プラズマを用いたドライ処理を行うことによって、絶縁材料の残渣を除去する。絶縁材料の残渣を除去することによって、良好な層間接続を得ることができ、信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態において、第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０はインプリント法によって一体に形成する。これによって製造工程を簡略化することができる。また、インプリント法は一般的なフォトリソグラフィ法と比べて薬液の使用量が少なく、環境に配慮されている。

第１の絶縁層１００に形成される第１のトレンチ１２０の内側の表面（第１の領域）には、インプリント法によって第１の凹凸構造１４０が形成される。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第１の領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．１以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが０．１以下である。第１の領域は、略平坦であることがより好ましい。

本実施形態において、第１の領域における表面粗さは、第３の領域における表面粗さよりも小さく形成される。第１の絶縁層１００に形成される第１の貫通孔１８０の内側の表面（第３の領域）には、インプリント法によって第３の凹凸構造が形成される。第１の貫通孔１８０は第１のトレンチ１２０より積層方向（層と垂直方向）に深さが大きい。このため、型１１０を第１の絶縁層１００から剥離するときの摩擦によって、積層方向（層と垂直方向、側面）の表面に凹凸構造が形成される。層方向（層と水平方向、底面）の表面に形成される凹凸構造は、積層方向（層と垂直方向、側面）の表面に形成される凹凸構造よりも小さい。このため層方向に多くの表面を有する第１の領域は、積層方向に多くの表面を有する第３の領域より小さい表面粗さを有する。

一方で、第１の絶縁層１００に形成する第２の凹凸構造１６０は、積層方向における高さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の範囲である。第２の凹凸構造１６０の積層方向における高さが０．０１μｍ以下である場合、インプリント法において第２の凹凸構造１６０を形成する型１１０の形成が困難となる。第２の凹凸構造１６０の積層方向における高さが３μｍ以上の場合、絶縁層の厚みによっては深すぎて、下層まで貫通してしまい不必要な粗さとなってしまう。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第２の凹凸構造１６０における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．５以上１．５以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが１．５以上２．５以下である。第２の領域における表面粗さは、第１の領域、第３の領域、および後述する第４の領域における表面粗さよりも大きく形成する。

図４（Ｂ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の絶縁層１００上に第１の導電体２００を形成する工程を示す図である。図４（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、第３の凹凸構造、および第１の貫通孔１８０を、第１の導電体２００で覆うように成膜する。本実施形態においては、スパッタリング法を用いて銅を成膜した。しかしながらこれに限定されず、第１の導電体２００は次の工程における電解メッキ法による金属充填のためのシード層となればよい。またシード層および／またはバリア層であってもよい。第１の導電体２００は、図４（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、第３の凹凸構造、および第１の貫通孔１８０を反映している。別言すると、第１の導電体２００は、第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、第３の凹凸構造、および第１の貫通孔１８０に沿って形成される。すなわち、第１の導電体２００は、第１の絶縁層１００に形成した凹凸構造を有する。しかしながらこれに限定されず、第１の絶縁層１００に形成した凹凸構造は第１の導電体２００で少なくとも一部埋まってしまってもよい。

図４（Ｃ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の導電体２００上に第２の導電体２２０を形成する工程を示す図である。図４（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、第３の凹凸構造、および第１の貫通孔１８０を、第２の導電体２２０で充填する。本実施形態において、第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、第３の凹凸構造、および第１の貫通孔１８０は、電解メッキ法を用いて銅で充填する。しかしながらこれに限定されず、第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、第３の凹凸構造、および第１の貫通孔１８０を金属充填する方法としては、印刷法などを用いることもできる。

図４（Ｄ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の絶縁層１００上を研磨する工程を示す図である。図４（Ｄ）に示すように、第１の絶縁層１００上の略全面を研磨する。本実施形態において、第１の絶縁層１００の表面は化学機械研磨法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を用いて研磨した。第１の絶縁層１００上の第１の導電体２００及び第２の導電体２２０を選択的に研磨することで、第１のトレンチ１２０および第１の貫通孔１８０内部以外の不要な第１の導電体２００及び第２の導電体２２０を除去することができる。これによって、第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０は露出する。第１のトレンチ１２０内の第１の導電体２００及び第２の導電体２２０は、第１の配線３４０として形成される。第１の貫通孔１８０内の第１の導電体２００及び第２の導電体２２０は、第１の層間接続部３６０として形成される。本実施形態において、第１の配線３４０と第１の層間接続部３６０は一体に形成したが、これに限定されない。それぞれ別体に形成してもよい。

図４（Ｅ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の絶縁層１００上に第２の絶縁層４００を積層する工程を示す図である。本実施形態において、第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００上に塗布することで形成する。ここで第２の絶縁層４００は、図４（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０が埋まるように形成される。すなわち第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０を反映している。別言すると、第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００と接する領域に凹凸構造を有する。第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０と、第２の絶縁層４００の凹凸構造は、互いに噛み合うように接着する。第２の絶縁層４００を第１の絶縁層１００上に積層することによって、第１の配線３４０と第１の層間接続部３６０は、第１の絶縁層１００および第２の絶縁層４００に埋設される。

図４（Ｆ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、図４（Ａ）〜（Ｄ）の工程により、第２の絶縁層４００に第２の配線６４０と第２の層間接続部６６０を形成する工程を示す図である。第１の絶縁層１００と同様に、インプリント法により、第２の絶縁層４００に凹凸構造、第２のトレンチ、および第２の貫通孔を形成し、第１の導電体および第２の導電体で充填後、研磨することで、第２の絶縁層４００に、凹凸構造、第２の配線６４０、および第２の層間接続部６６０を形成する。本実施形態においては、２層の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える配線基板の製造方法を示した。しかしながらこれに限定されず、それぞれの層における任意のパターンを有するトレンチ、貫通孔、および凹凸構造に対応する突起部を有する型を用意することで、２層以上の絶縁層を有する配線基板を適宜形成することができる。

図４（Ｇ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の電極３８０と第２の電極６８０とを形成する工程を示す図である。本実施形態において、第２の電極６８０はフォトリソグラフィを用いて形成する。しかしながらこれに限定されず、例えば、第２の電極６８０は第２の配線６４０と第２の層間接続部６６０と一体に形成されてもよい。本実施形態において、第１の電極３８０はフォトリソグラフィを用いて形成するがこれに限定されない。図４では示さなかったが、第１の絶縁層１００は第１面とは反対側の第２面に基板（図示せず）を有してもよい。この場合、まず基板を剥離する工程を含んでもよい。第１の絶縁層１００の第２面において、第１の貫通孔１８０には絶縁材料の残渣が残ることがある。このため過マンガン酸塩溶液を用いたウェット処理や、酸素プラズマを用いたドライ処理を行うことによって、絶縁材料の残渣を除去する。絶縁材料の残渣を除去することによって、良好な電極の接続を得ることができ、信頼性を向上した配線基板を提供することができる。なお、第１の電極３８０は、後述する半導体部品を配置したあとで形成してもよい。

本実施形態において、第１の絶縁層１００が第１の電極３８０と接する第４の領域における表面粗さは、第３の領域における表面粗さよりも大きく形成される。第１の絶縁層１００の第１の電極３８０と接する表面（第４の領域）には、第４の凹凸構造を形成してもよい。第４の領域が第４の凹凸構造を有することで、第１の電極３８０の第１の絶縁層１００と接する面にも凹凸構造が形成される。それぞれの凹凸構造が互いに噛み合うように接着することによって、密着性を向上することができる。第１の電極３８０は外力にさらされるため、導電体の他の部位に比べ絶縁材との密着力がより強く要求される。第１の絶縁層１００と第１の電極３８０との密着性を向上し、より信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

以上のように、本実施形態に係る配線基板２０の製造方法によると、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域に第２の凹凸構造１６０を形成することができる。このような選択的な粗化面形成方法において、第１の絶縁層１００に第２の凹凸構造１６０を形成することで、第２の絶縁層４００の第１の絶縁層１００と接する領域に凹凸構造が形成される。第２の絶縁層４００の凹凸構造は、第１の絶縁層１００の凹凸構造に嵌まるように形成される。第１の絶縁層１００と第２の絶縁層４００との凹凸構造が互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上し、剥離を防止することができる。これによって信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態に係る配線基板２０の製造方法によると、第１の領域は第３の領域より小さい表面粗さを有し、第３の領域は第４の領域より小さい表面粗さを有することで、第１の配線３４０は第１の層間接続部３６０より小さい表面粗さを有し、第１の層間接続部３６０は第１の電極３８０より小さい表面粗さを有するように形成することができる。配線表面における粗面は、層間接続部における粗面より、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい。層間接続部における粗面は、電極における粗面より、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい。このため、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい導電体ほど小さい表面粗さを有するように形成することで、高周波帯域における伝送特性を向上した配線基板を提供することができる。

第３の領域は第１の領域より大きい表面粗さを有し、第４の領域は第３の領域より大きい表面粗さを有することによって、第１の層間接続部３６０は第１の配線３４０より大きい表面粗さが形成され、第１の電極３８０は第１の層間接続部３６０より大きい表面粗さが形成される。第１の層間接続部３６０の凹凸構造は、第３の凹凸構造に嵌まるように形成される。第１の電極３８０の凹凸構造は、第４の凹凸構造に嵌まるように形成される。それぞれの凹凸構造が互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上することができる。高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が小さい導電体ほど大きい表面粗さを有することによって、表皮効果による導体損失を抑制しつつ、第１の絶縁層１００と導電体との密着を向上し、より信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

＜第３実施形態＞
第３実施形態に係る配線基板は、第１の絶縁層が第１の配線と接する第１の領域および第１の絶縁層が第１の層間接続部と接する第３の領域において、底面は側面より小さい表面粗さを有し、第１の領域および第３の領域より第２の領域は大きい表面粗さを有する。

図５または図６を用いて、本開示の第３実施形態に係る配線基板３０の構成および配線基板３０の製造方法について説明する。ここで、第１実施形態と同様である部分は、その詳しい説明を省略する。

［配線基板の構成］
図５は、本開示の一実施形態に係る配線基板の一例を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）（Ｃ）断面図、および（Ｄ）（Ｅ）拡大図である。図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＡ−Ａ’線における断面図であり、図５（Ｃ）は図５（Ａ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。図５（Ｄ）は図５（Ｂ）のＣ領域における拡大図であり、図５（Ｅ）は図５（Ｃ）のＤ領域における拡大図である。図５（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｃ）に示すように、配線基板３０は、第１の絶縁層１００と、第２の絶縁層４００と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える。

第１の絶縁層１００の導電体は、第１の配線３４０と、第１の層間接続部３６０と、第１の電極３８０と、を含む。第１の絶縁層１００は、第１面に第１の配線３４０を備える。第１の配線３４０は、一端において、第１の絶縁層１００を貫通する第１の層間接続部３６０と電気的に接続する。本実施形態において、第１の配線３４０は、第１面に１本配置した例を示したがこれに限定されない。第１の配線３４０は、第１面に１本以上配置されればよい。また、本実施形態において、第１の配線３４０は第１の絶縁層１００の第１面にのみ配置したが、第１の配線３４０は第１面とは反対側の第２面にも配置されてもよい。第１の層間接続部３６０は、第１の絶縁層１００の第１面とは反対側の第２面において、第１の電極３８０と電気的に接続する。

第１の絶縁層１００の第１面上には第２の絶縁層４００が配置される。第２の絶縁層４００の導電体は、第２の配線６４０と、第２の層間接続部６６０と、第２の電極６８０と、を含む。第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００とは反対側の第３面に、第２の配線６４０を備える。第２の配線６４０は、第２の絶縁層４００を貫通する第２の層間接続部６６０と電気的に接続する。第２の層間接続部６６０はさらに、第１の配線３４０の一端とは反対側の他端と電気的に接続する。本実施形態において、第２の配線６４０は、第３面に１本配置した例を示したがこれに限定されない。第２の配線６４０は、第３面に１本以上配置されればよい。第２の配線６４０は、第２の絶縁層４００の第３面において、第２の電極６８０と電気的に接続する。

図５（Ｄ）は、図５（Ｂ）のＣ領域における拡大図である。図５（Ｅ）は、図５（Ｃ）のＤ領域における拡大図である。図５（Ｄ）および（Ｅ）に示すように、第１の絶縁層１００は、第１の配線３４０と、第１の層間接続部３６０と、第２の絶縁層４００と接する。

第１の絶縁層１００が第１の配線３４０と接する第１の領域の層方向（層と水平方向、底面）の表面には、第１の凹凸構造１４０が形成される。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第１の領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．１以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが０．１以下である。第１の領域の層方向（層と水平方向、底面）の表面は、略平坦であることがより好ましい。さらに第１の領域の層方向（層と水平方向、底面）の表面における表面粗さは、第１の領域の積層方向（層と垂直方向、側面）の表面における表面粗さより小さい。第１の領域の層方向（層と水平方向、底面）の表面における表面粗さは、第１の絶縁層１００が第１の層間接続部３６０と接する第３の領域の積層方向（層と垂直方向、側面）の表面における表面粗さより小さい。

一方で、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域における第２の凹凸構造１６０は、積層方向における高さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の範囲である。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第２の領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．５以上１．５以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが１．５以上２．５以下である。第１の絶縁層１００が第１の配線３４０と接する第１の領域および第１の絶縁層１００が第１の層間接続部３６０と接する第３の領域より、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域は大きい表面粗さを有する。

本実施形態において、第１の領域の底面は第１の領域の側面より小さい表面粗さを有し、第１の領域の底面は第３の領域の側面より小さい表面粗さを有することで、第１の配線３４０の底面は第１の配線３４０の側面より小さい表面粗さを有し、第１の配線３４０の底面は第１の層間接続部３６０の側面より小さい表面粗さを有する。配線表面における粗面は、層間接続部における粗面より総延長が長く、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい。このため、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい導電体ほど、より小さい表面粗さを有することによって、高周波帯域における伝送特性を向上した配線基板を提供することができる。

第１の領域の側面は第１の領域の底面より大きい表面粗さを有し、第３の領域の側面は第１の領域の底面より大きい表面粗さを有することによって、第１の配線３４０の側面は第１の配線３４０の底面より大きい表面粗さが形成され、第１の層間接続部３６０の側面は第１の配線３４０の底面より大きい表面粗さが形成される。第１の配線３４０の凹凸構造は、第１の領域の凹凸構造に嵌まるように形成される。第１の層間接続部３６０の凹凸構造は、第３の領域の凹凸構造に嵌まるように形成される。それぞれの凹凸構造が互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上することができる。高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が小さい導電体ほどより大きい表面粗さを有することによって、表皮効果による導体損失を抑制しつつ、第１の絶縁層１００と導電体との密着を向上し、より信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態において、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域は第２の凹凸構造１６０を有する。第１の絶縁層１００が第２の領域に第２の凹凸構造１６０を有することによって、第２の絶縁層４００の第１の絶縁層１００と接する領域にも凹凸構造が形成される。第２の絶縁層４００の凹凸構造は、第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０に嵌まるように形成される。第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０と第２の絶縁層４００の凹凸構造とが互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上することができる。これによって信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態において、配線基板３０は、２層の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える。第１の絶縁層１００において、第１の領域の側面および第３の領域の側面は第１の領域の底面より大きい表面粗さを有し、第２の領域は第１の領域および第３の領域より大きい表面粗さを有する。しかしながらこれに限定されず、例えば、配線基板がｍ層の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備えてもよい。この場合、第ｎの絶縁層が第ｎの配線の底面と接する領域より、第ｎの絶縁層が第ｎの配線の側面と接する領域および第ｎの絶縁層が第ｎの層間接続部の側面と接する領域は大きい表面粗さを有し、第ｎの絶縁層が第ｎの配線の側面と接する領域および第ｎの絶縁層が第ｎの層間接続部の側面と接する領域より、第ｎの絶縁層が第ｎ＋１の絶縁層と接する領域は大きい表面粗さを有してもよい。（ｍは３以上の任意の自然数、ｎは１以上ｍ−１以下の任意の自然数とする。）

配線基板が３層以上の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える場合、第ｎの絶縁層は複数含んでもよく、任意の層の組み合わせであってもよい。複数の絶縁層が、絶縁層が配線底面と接する領域より、絶縁層が配線側面と接する領域および絶縁層が層間接続部側面と接する領域は大きい表面粗さを有し、絶縁層が配線側面と接する領域および絶縁層が層間接続部側面と接する領域より、絶縁層同士が接する領域は大きい表面粗さを有することで、それぞれの密着性をさらに向上することができる。これによって信頼性をさらに向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態においては、最上層となる第２の絶縁層も、第２の絶縁層が第２の配線と接する側面の領域および第２の絶縁層が第２の層間接続部と接する側面の領域は、第２の絶縁層が第２の配線と接する底面の領域より大きい表面粗さを有し、第２の絶縁層が最上面に露出する領域は、第２の絶縁層が第２の配線と接する領域および第２の絶縁層が第２の層間接続部と接する領域より大きい表面粗さを有する。最上層の絶縁層が、絶縁層が配線と接する領域および絶縁層が層間接続部と接する領域より、最上面に露出する領域は大きい表面粗さを有することで、後述する樹脂層の密着性を向上することができる。これによって信頼性をさらに向上した半導体装置を提供することができる。

［配線基板３０の製造方法］
図６を用いて、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する。図６において、図５に示す要素と同じ要素には同一の符号を付した。

図６（Ａ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、インプリント法により、第１の絶縁層１００に第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を形成する工程を示す図である。まず第１の絶縁層１００に第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を形成する型１１０を形成する。型１１０は、第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０に対応する突起部を有する。第１のトレンチ１２０および第１の貫通孔１８０に対応する型１１０の突起部の表面は略平坦に形成する。

次に、型１１０を用いて、第１の絶縁層１００の第１面に第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を印刻する。図６では示さなかったが、第１の絶縁層１００は基板（図示せず）上に塗布して形成してもよい。この場合、第１の絶縁層１００の基板とは反対側の面を第１面とする。第１の絶縁層１００を軟化させ、その第１面に型１１０を圧入する。その状態で第１の絶縁層１００を硬化させ、型１１０を第１の絶縁層１００から剥離することで、図６（Ａ）に示す断面構造の第１の絶縁層１００を得ることができる。第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０には、絶縁材料の残渣が残ることがある。このため過マンガン酸塩溶液を用いたウェット処理や、酸素プラズマを用いたドライ処理を行うことによって、絶縁材料の残渣を除去する。絶縁材料の残渣を除去することによって、良好な層間接続を得ることができ、信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態において、第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０はインプリント法によって一体に形成する。これによって製造工程を簡略化することができる。また、インプリント法は一般的なフォトリソグラフィ法と比べて薬液の使用量が少なく、環境に配慮されている。

第１の絶縁層１００に形成される第１のトレンチ１２０の内側層方向（層と水平方向、底面）の表面（第１の領域）には、インプリント法によって第１の凹凸構造１４０が形成される。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第１の領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．１以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが０．１以下である。第１の領域の層方向（層と水平方向、底面）の表面は、略平坦であることがより好ましい。

本実施形態において、第１の領域の底面における表面粗さは、第１の領域の側面および第３の領域の側面における表面粗さよりも小さく形成される。第１の絶縁層１００に形成される第１の領域の側面および第３の領域の側面には、インプリント法によって積層方向（層と垂直方向、側面）の表面における凹凸構造が形成される。インプリント法における型１１０を第１の絶縁層１００から剥離するときの摩擦によって、積層方向（層と垂直方向、側面）の表面に凹凸構造が形成される。層方向（層と水平方向、底面）の表面に形成される凹凸構造は、積層方向（層と垂直方向、側面）の表面に形成される凹凸構造よりも小さい。このため第１の領域の層方向（層と水平方向、底面）の表面は、第１の領域の積層方向（層と垂直方向、側面）の表面および第３の領域の積層方向（層と垂直方向、側面）の表面より小さい表面粗さを有する。

一方で、第１の絶縁層１００に形成する第２の凹凸構造１６０は、積層方向における高さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の範囲である。第２の凹凸構造１６０の積層方向における高さが０．０１μｍ以下である場合、インプリント法において第２の凹凸構造１６０を形成する型１１０の形成が困難となる。第２の凹凸構造１６０の積層方向における高さが３μｍ以上の場合、絶縁層の厚みによっては深すぎて、下層まで貫通してしまい不必要な粗さとなってしまう。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第２の凹凸構造１６０における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．５以上１．５以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが１．５以上２．５以下である。第２の領域における表面粗さは、第１の領域および第３の領域における表面粗さよりも大きく形成する。

図６（Ｂ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の絶縁層１００上に第１の導電体２００を形成する工程を示す図である。図６（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、積層方向（層と垂直方向、側面）の表面に形成される凹凸構造、および第１の貫通孔１８０を、第１の導電体２００で覆うように成膜する。本実施形態においては、スパッタリング法を用いて銅を成膜した。しかしながらこれに限定されず、第１の導電体２００は次の工程における電解メッキ法による金属充填のためのシード層となればよい。またシード層および／またはバリア層であってもよい。第１の導電体２００は、図６（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、積層方向（層と垂直方向、側面）の表面に形成される凹凸構造、および第１の貫通孔１８０を反映している。別言すると、第１の導電体２００は、第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、積層方向（層と垂直方向、側面）の表面に形成される凹凸構造、および第１の貫通孔１８０に沿って形成される。すなわち、第１の導電体２００は、第１の絶縁層１００に形成した凹凸構造を有する。しかしながらこれに限定されず、第１の絶縁層１００に形成した凹凸構造は第１の導電体２００で少なくとも一部埋まってしまってもよい。

図６（Ｃ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の導電体２００上に第２の導電体２２０を形成する工程を示す図である。図６（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、積層方向（層と垂直方向、側面）の表面に形成される凹凸構造、および第１の貫通孔１８０を、第２の導電体２２０で充填する。本実施形態において、第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、積層方向（層と垂直方向、側面）の表面に形成される凹凸構造、および第１の貫通孔１８０は、電解メッキ法を用いて銅で充填する。しかしながらこれに限定されず、第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０、第２の凹凸構造１６０、積層方向（層と垂直方向、側面）の表面に形成される凹凸構造、および第１の貫通孔１８０を金属充填する方法としては、印刷法などを用いることもできる。

図６（Ｄ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の絶縁層１００上を研磨する工程を示す図である。図６（Ｄ）に示すように、第１の絶縁層１００上の略全面を研磨する。本実施形態において、第１の絶縁層１００の表面は化学機械研磨法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を用いて研磨した。第１の絶縁層１００上の第１の導電体２００及び第２の導電体２２０を選択的に研磨することで、第１のトレンチ１２０および第１の貫通孔１８０内部以外の不要な第１の導電体２００及び第２の導電体２２０を除去することができる。これによって、第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０は露出する。第１のトレンチ１２０内の第１の導電体２００及び第２の導電体２２０は、第１の配線３４０として形成される。第１の貫通孔１８０内の第１の導電体２００及び第２の導電体２２０は、第１の層間接続部３６０として形成される。本実施形態において、第１の配線３４０と第１の層間接続部３６０は一体に形成したが、これに限定されない。それぞれ別体に形成してもよい。

図６（Ｅ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の絶縁層１００上に第２の絶縁層４００を積層する工程を示す図である。本実施形態において、第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００上に塗布することで形成する。ここで第２の絶縁層４００は、図６（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０が埋まるように形成される。すなわち第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０を反映している。別言すると、第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００と接する領域に凹凸構造を有する。第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０と、第２の絶縁層４００の凹凸構造は、互いに噛み合うように接着する。第２の絶縁層４００を第１の絶縁層１００上に積層することによって、第１の配線３４０と第１の層間接続部３６０は、第１の絶縁層１００および第２の絶縁層４００に埋設される。

図６（Ｆ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、図６（Ａ）〜（Ｄ）の工程により、第２の絶縁層４００に第２の配線６４０と第２の層間接続部６６０を形成する工程を示す図である。第１の絶縁層１００と同様に、インプリント法により、第２の絶縁層４００に凹凸構造、第２のトレンチ、および第２の貫通孔を形成し、第１の導電体および第２の導電体で充填後、研磨することで、第２の絶縁層４００に、凹凸構造、第２の配線６４０、および第２の層間接続部６６０を形成する。本実施形態においては、２層の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える配線基板の製造方法を示した。しかしながらこれに限定されず、それぞれの層における任意のパターンを有するトレンチ、貫通孔、および凹凸構造に対応する突起部を有する型を用意することで、２層以上の絶縁層を有する配線基板を適宜形成することができる。

図６（Ｇ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の電極３８０と第２の電極６８０とを形成する工程を示す図である。本実施形態において、第２の電極６８０はフォトリソグラフィを用いて形成する。しかしながらこれに限定されず、例えば、第２の電極６８０は第２の配線６４０と第２の層間接続部６６０と一体に形成されてもよい。本実施形態において、第１の電極３８０はフォトリソグラフィを用いて形成するがこれに限定されない。図６では示さなかったが、第１の絶縁層１００は第１面とは反対側の第２面に基板（図示せず）を有してもよい。この場合、まず基板を剥離する工程を含んでもよい。第１の絶縁層１００の第２面において、第１の貫通孔１８０には絶縁材料の残渣が残ることがある。このため過マンガン酸塩溶液を用いたウェット処理や、酸素プラズマを用いたドライ処理を行うことによって、絶縁材料の残渣を除去する。絶縁材料の残渣を除去することによって、良好な電極の接続を得ることができ、信頼性を向上した配線基板を提供することができる。なお、第１の電極３８０は、後述する半導体部品を配置したあとで形成してもよい。

以上のように、本実施形態に係る配線基板３０の製造方法によると、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域に第２の凹凸構造１６０を形成することができる。このような選択的な粗化面形成方法において、第１の絶縁層１００に第２の凹凸構造１６０を形成することで、第２の絶縁層４００の第１の絶縁層１００と接する領域に凹凸構造が形成される。第２の絶縁層４００の凹凸構造は、第１の絶縁層１００の凹凸構造に嵌まるように形成される。第１の絶縁層１００と第２の絶縁層４００との凹凸構造が互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上し、剥離を防止することができる。これによって信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態に係る配線基板３０の製造方法によると、第１の領域の底面は第１の領域の側面より小さい表面粗さを有し、第１の領域の底面は第３の領域の側面より小さい表面粗さを有することで、第１の配線３４０の底面は第１の配線３４０の側面より小さい表面粗さを有し、第１の配線３４０の底面は第１の層間接続部３６０の側面より小さい表面粗さを有するように形成することができる。配線表面における粗面は、層間接続部における粗面より、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい。このため、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい導電体ほど小さい表面粗さを有するように形成することで、高周波帯域における伝送特性を向上した配線基板を提供することができる。

第１の領域の側面は第１の領域の底面より大きい表面粗さを有し、第３の領域の側面は第１の領域の底面より大きい表面粗さを有することによって、第１の配線３４０の側面は第１の配線３４０の底面より大きい表面粗さが形成され、第１の層間接続部３６０の側面は第１の配線３４０の底面より大きい表面粗さが形成される。第１の配線３４０の側面の凹凸構造は、第１の領域の側面の凹凸構造に嵌まるように形成される。第１の層間接続部３６０の側面の凹凸構造は、第３の領域の側面の凹凸構造に嵌まるように形成される。それぞれの凹凸構造が互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上することができる。高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が小さい導電体ほど大きい表面粗さを有することによって、表皮効果による導体損失を抑制しつつ、第１の絶縁層１００と導電体との密着を向上し、より信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

＜第４実施形態＞
第４実施形態に係る配線基板は、ロール方式のインプリント法において、第１の絶縁層が型の進行方向に延長する配線と接する領域は、第１の絶縁層が型の進行方向と直交する方向に延長する配線が接する領域より小さい表面粗さを有する。

図７または図８を用いて、本開示の第４実施形態に係る配線基板４０の構成および配線基板４０の製造方法について説明する。ここで、第１実施形態と同様である部分は、その詳しい説明を省略する。

［配線基板の構成］
図７は、本開示の一実施形態に係る配線基板の一例を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）（Ｃ）断面図、および（Ｄ）（Ｅ）拡大図である。図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＡ−Ａ’線における断面図であり、図７（Ｃ）は図７（Ａ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。図７（Ｄ）は図７（Ｃ）のＣ領域における拡大図であり、図７（Ｅ）は図７（Ｃ）のＤ領域における拡大図である。図７（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｃ）に示すように、配線基板４０は、第１の絶縁層１００と、第２の絶縁層４００と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える。

第１の絶縁層１００の導電体は、第１の配線３４０と、第１の層間接続部３６０と、第１の電極３８０と、を２つずつ含む。第１の絶縁層１００は、第１面に第１の配線３４０ａと第１の配線３４０ｂとを備える。第１の絶縁層１００の第１側１０２から第２側１０４（第１の方向）に向かって延長する第１の配線３４０ａは、第１の方向と直交する第１側１０２から第３側１０６（第２の方向）に向かって延長する第１の配線３４０ｂより長い。第１の配線３４０ａは、一端において、第１の絶縁層１００を貫通する第１の層間接続部３６０ａと電気的に接続する。第１の層間接続部３６０ａは、第１の絶縁層１００の第１面とは反対側の第２面において、第１の電極３８０ａと電気的に接続する。第１の配線３４０ｂは、一端において、第１の絶縁層１００を貫通する第１の層間接続部３６０ｂと電気的に接続する。第１の層間接続部３６０ｂは、第１の絶縁層１００の第２面において、第１の電極３８０ｂと電気的に接続する。（以降、第１の配線３４０ａと第１の配線３４０ｂとを区別しないときには第１の配線３４０という。第１の層間接続部３６０ａと第１の層間接続部３６０ｂとを区別しないときには第１の層間接続部３６０という。第１の電極３８０ａと第１の電極３８０ｂとを区別しないときには第１の電極３８０という。）本実施形態において、第１の配線３４０は、第１面に２本配置した例を示したがこれに限定されない。第１の配線３４０は、第１面に２本以上配置されればよい。第１の方向に向かって延長する第１の配線３４０ａの総延長は、第１の方向と直交する第２の方向に向かって延長する第１の配線３４０ｂの総延長より長ければよい。また、本実施形態において、第１の配線３４０は第１の絶縁層１００の第１面にのみ配置したが、第１の配線３４０は第１面とは反対側の第２面にも配置されてもよい。

第１の絶縁層１００の第１面上には第２の絶縁層４００が配置される。第２の絶縁層４００の導電体は、第２の配線６４０と、第２の層間接続部６６０と、第２の電極６８０と、を２つずつ含む。第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００とは反対側の第３面に、第２の配線６４０ａと第２の配線６４０ｂとを備える。第２の絶縁層４００の第１側１０２から第２側１０４（第１の方向）に向かって延長する第２の配線６４０ａは、第１の方向と直交する第１側１０２から第３側１０６（第２の方向）に向かって延長する第２の配線６４０ｂより長い。第２の配線６４０ａは、第２の絶縁層４００を貫通する第２の層間接続部６６０ａと電気的に接続する。第２の層間接続部６６０ａはさらに、第１の配線３４０ａの一端とは反対側の他端と電気的に接続する。第２の配線６４０ａは、第２の絶縁層４００の第３面において、第２の電極６８０ａと電気的に接続する。第２の配線６４０ｂは、第２の絶縁層４００を貫通する第２の層間接続部６６０ｂと電気的に接続する。第２の層間接続部６６０ｂはさらに、第１の配線３４０ｂの一端とは反対側の他端と電気的に接続する。第２の配線６４０ｂは、第２の絶縁層４００の第３面において、第２の電極６８０ｂと電気的に接続する。（以降、第２の配線６４０ａと第２の配線６４０ｂとを区別しないときには第２の配線６４０という。第２の層間接続部６６０ａと第２の層間接続部６６０ｂとを区別しないときには第２の層間接続部６６０という。第２の電極６８０ａと第２の電極６８０ｂとを区別しないときには第２の電極６８０という。）本実施形態において、第２の配線６４０は、第３面に２本配置した例を示したがこれに限定されない。第２の配線６４０は、第３面に２本以上配置されればよい。第１の方向に向かって延長する第２の配線６４０ａの総延長は、第１の方向と直交する第２の方向に向かって延長する第２の配線６４０ｂの総延長より長ければよい。

図７（Ｄ）は、図７（Ｃ）のＣ領域における拡大図である。図７（Ｅ）は、図７（Ｃ）のＤ領域における拡大図である。図７（Ｄ）および（Ｅ）に示すように、第１の絶縁層１００は、第１の配線３４０と、第１の層間接続部３６０と、第２の絶縁層４００と接する。

第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ａと接する領域には、第１の凹凸構造１４０ａが形成される。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第１の配線３４０ａと接する領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．１以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが０．１以下である。第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ａと接する領域は、略平坦であることがより好ましい。さらに第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ａと接する領域における表面粗さは、第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ｂと接する領域における表面粗さより小さい。

一方で、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域における第２の凹凸構造１６０は、積層方向における高さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の範囲である。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第２の領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．５以上１．５以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが１．５以上２．５以下である。第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ａと接する領域および第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ｂと接する領域より、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域は大きい表面粗さを有する。

本実施形態において、第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ａと接する領域は第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ｂと接する領域より小さい表面粗さを有することで、第１の配線３４０ａは第１の配線３４０ｂより小さい表面粗さを有する。配線表面における粗面は、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい。このため、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい総延長の長い導電体ほど小さい表面粗さを有することによって、高周波帯域における伝送特性を向上した配線基板を提供することができる。

第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ｂと接する領域は第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ａと接する領域より大きい表面粗さを有することによって、第１の配線３４０ｂは第１の配線３４０ａより大きい表面粗さが形成される。第１の配線３４０ｂの凹凸構造は、第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ｂと接する領域における第１の凹凸構造１４０ｂに嵌まるように形成される。それぞれの凹凸構造が互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上することができる。高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が小さい導電体ほど大きい表面粗さを有することによって、表皮効果による導体損失を抑制しつつ、第１の絶縁層１００と導電体との密着を向上し、より信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態において、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域は第２の凹凸構造１６０を有する。第１の絶縁層１００が第２の領域に第２の凹凸構造１６０を有することによって、第２の絶縁層４００の第１の絶縁層１００と接する領域にも凹凸構造が形成される。第２の絶縁層４００の凹凸構造は、第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０に嵌まるように形成される。第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０と第２の絶縁層４００の凹凸構造とが互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上することができる。これによって信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態において、配線基板４０は、２層の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える。第１の絶縁層１００において、第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ｂと接する領域は、第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ａと接する領域より大きい表面粗さを有し、第２の領域は第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ｂと接する領域より大きい表面粗さを有する。しかしながらこれに限定されず、例えば、配線基板がｍ層の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備えてもよい。この場合、第ｎの絶縁層が第ｎａの配線と接する領域より、第ｎの絶縁層が第ｎｂの配線と接する領域は大きい表面粗さを有し、第ｎの絶縁層が第ｎｂの配線と接する領域より、第ｎの絶縁層が第ｎ＋１の絶縁層と接する領域は大きい表面粗さを有してもよい。（ｍは３以上の任意の自然数、ｎは１以上ｍ−１以下の任意の自然数とする。）

配線基板が３層以上の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える場合、第ｎの絶縁層は複数含んでもよく、任意の層の組み合わせであってもよい。複数の絶縁層が、絶縁層が総延長の長い配線と接する領域より、絶縁層が総延長の短い配線と接する領域は大きい表面粗さを有し、絶縁層が総延長の短い配線と接する領域より、絶縁層同士が接する領域は大きい表面粗さを有することで、それぞれの密着性をさらに向上することができる。これによって信頼性をさらに向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態においては、最上層となる第２の絶縁層も、第２の絶縁層が総延長の短い第２の配線と接する領域は、第２の絶縁層が総延長の長い第２の配線と接する領域より大きい表面粗さを有し、第２の絶縁層が最上面に露出する領域は、第２の絶縁層が第２の配線と接する領域より大きい表面粗さを有する。最上層の絶縁層が、絶縁層が配線と接する領域より、最上面に露出する領域は大きい表面粗さを有することで、後述する樹脂層の密着性を向上することができる。これによって信頼性をさらに向上した半導体装置を提供することができる。

［配線基板４０の製造方法］
図８を用いて、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する。図８において、図７に示す要素と同じ要素には同一の符号を付した。

図８（Ａ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、インプリント法により、第１の絶縁層１００に第１のトレンチ１２０ａ、第１のトレンチ１２０ｂ、第２の凹凸構造１６０、第１の貫通孔１８０ａ（図示せず）、および第１の貫通孔１８０ｂを形成する工程を示す図である（以降、第１のトレンチ１２０ａおよび第１のトレンチ１２０ｂを区別しないときには第１のトレンチ１２０という。第１の貫通孔１８０ａおよび第１の貫通孔１８０ｂを区別しないときには第１の貫通孔１８０という。）。まず第１の絶縁層１００に第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を形成する型１１０を形成する。型１１０は、第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０に対応する突起部を有する。第１のトレンチ１２０および第１の貫通孔１８０に対応する型１１０の突起部の表面は略平坦に形成する。

次に、型１１０を用いて、第１の絶縁層１００の第１面に第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を印刻する。図８では示さなかったが、第１の絶縁層１００は基板（図示せず）上に塗布して形成してもよい。この場合、第１の絶縁層１００の基板とは反対側の面を第１面とする。第１の絶縁層１００を軟化させ、その第１面に型１１０を圧入する。その状態で第１の絶縁層１００を硬化させ、型１１０を第１の絶縁層１００から剥離することで、図８（Ａ）に示す断面構造の第１の絶縁層１００を得ることができる。第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０には、絶縁材料の残渣が残ることがある。このため過マンガン酸塩溶液を用いたウェット処理や、酸素プラズマを用いたドライ処理を行うことによって、絶縁材料の残渣を除去する。絶縁材料の残渣を除去することによって、良好な層間接続を得ることができ、信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態において、第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０はインプリント法によって一体に形成する。これによって製造工程を簡略化することができる。また、インプリント法は一般的なフォトリソグラフィ法と比べて薬液の使用量が少なく、環境に配慮されている。

第１の絶縁層１００に形成される第１のトレンチ１２０ａの内側の表面には、インプリント法によって第１の凹凸構造１４０ａが形成される。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第１の領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．１以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが０．１以下である。第１のトレンチ１２０ａの内側の表面は、略平坦であることがより好ましい。

本実施形態において、第１のトレンチ１２０ａの内側の表面における表面粗さは、第１のトレンチ１２０ｂの内側の表面における表面粗さよりも小さく形成される。第１の絶縁層１００に形成される第１のトレンチ１２０ｂの内側の表面には、インプリント法によって第１の凹凸構造１４０ｂが形成される。例えば、ロール方式のインプリント法において型１１０を第１の絶縁層１００から剥離するときの摩擦によって、ロールの型１１０の進行方向と直交する第２の方向（図８Ａ方向、図７（ａ）の第１側１０２から第３側１０６の方向）に延長する第１のトレンチ１２０ｂの内側の表面に第１の凹凸構造１４０ｂが形成される。ロールの型１１０の進行方向に延長する第１のトレンチ１２０ａの内側の表面に形成される第１の凹凸構造１４０aは、第１のトレンチ１２０ｂの内側の表面に形成される第１の凹凸構造１４０ｂよりも小さい。このため第１のトレンチ１２０ａの内側の領域は、第１のトレンチ１２０ｂの内側の領域より小さい表面粗さを有する。

一方で、第１の絶縁層１００に形成する第２の凹凸構造１６０は、積層方向における高さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の範囲である。第２の凹凸構造１６０の積層方向における高さが０．０１μｍ以下である場合、インプリント法において第２の凹凸構造１６０を形成する型１１０の形成が困難となる。第２の凹凸構造１６０の積層方向における高さが３μｍ以上の場合、絶縁層の厚みによっては深すぎて、下層まで貫通してしまい不必要な粗さとなってしまう。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第２の凹凸構造１６０における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．５以上１．５以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが１．５以上２．５以下である。第２の領域における表面粗さは、第１の配線３４０と接する領域における表面粗さよりも大きく形成する。

図８（Ｂ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の絶縁層１００上に第１の導電体２００を形成する工程を示す図である。図８（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０a、第１の凹凸構造１４０b、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を、第１の導電体２００で覆うように成膜する。本実施形態においては、スパッタリング法を用いて銅を成膜した。しかしながらこれに限定されず、第１の導電体２００は次の工程における電解メッキ法による金属充填のためのシード層となればよい。またシード層および／またはバリア層であってもよい。第１の導電体２００は、図８（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０a、第１の凹凸構造１４０b、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を反映している。別言すると、第１の導電体２００は、第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０a、第１の凹凸構造１４０b、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０に沿って形成される。すなわち、第１の導電体２００は、第１の絶縁層１００に形成した凹凸構造を有する。しかしながらこれに限定されず、第１の絶縁層１００に形成した凹凸構造は第１の導電体２００で少なくとも一部埋まってしまってもよい。

図８（Ｃ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の導電体２００上に第２の導電体２２０を形成する工程を示す図である。図８（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０a、第１の凹凸構造１４０b、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を、第２の導電体２２０で充填する。本実施形態において、第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０a、第１の凹凸構造１４０b、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０は、電解メッキ法を用いて銅で充填する。しかしながらこれに限定されず、第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０a、第１の凹凸構造１４０b、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を金属充填する方法としては、印刷法などを用いることもできる。

図８（Ｄ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の絶縁層１００上を研磨する工程を示す図である。図８（Ｄ）に示すように、第１の絶縁層１００上の略全面を研磨する。本実施形態において、第１の絶縁層１００の表面は化学機械研磨法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を用いて研磨した。第１の絶縁層１００上の第１の導電体２００及び第２の導電体２２０を選択的に研磨することで、第１のトレンチ１２０および第１の貫通孔１８０内部以外の不要な第１の導電体２００及び第２の導電体２２０を除去することができる。これによって、第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０は露出する。第１のトレンチ１２０aおよび第１のトレンチ１２０ｂ内の第１の導電体２００及び第２の導電体２２０は、第１の配線３４０aおよび第１の配線３４０ｂとして形成される。第１の貫通孔１８０a（図示せず）および第１の貫通孔１８０ｂ内の第１の導電体２００及び第２の導電体２２０は、第１の層間接続部３６０a（図示せず）および第１の層間接続部３６０ｂとして形成される。本実施形態において、第１の配線３４０と第１の層間接続部３６０は一体に形成したが、これに限定されない。それぞれ別体に形成してもよい。

図８（Ｅ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の絶縁層１００上に第２の絶縁層４００を積層する工程を示す図である。本実施形態において、第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００上に塗布することで形成する。ここで第２の絶縁層４００は、図８（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０が埋まるように形成される。すなわち第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０を反映している。別言すると、第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００と接する領域に凹凸構造を有する。第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０と、第２の絶縁層４００の凹凸構造は、互いに噛み合うように接着する。第２の絶縁層４００を第１の絶縁層１００上に積層することによって、第１の配線３４０と第１の層間接続部３６０は、第１の絶縁層１００および第２の絶縁層４００に埋設される。

図８（Ｆ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、図８（Ａ）〜（Ｄ）の工程により、第２の絶縁層４００に第２の配線６４０と第２の層間接続部６６０を形成する工程を示す図である。第１の絶縁層１００と同様に、インプリント法により、第２の絶縁層４００に凹凸構造、第２のトレンチ、および第２の貫通孔を形成し、第１の導電体および第２の導電体で充填後、研磨することで、第２の絶縁層４００に、凹凸構造、第２の配線６４０、および第２の層間接続部６６０を形成する。本実施形態においては、２層の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える配線基板の製造方法を示した。しかしながらこれに限定されず、それぞれの層における任意のパターンを有するトレンチ、貫通孔、および凹凸構造に対応する突起部を有する型を用意することで、２層以上の絶縁層を有する配線基板を適宜形成することができる。

図８（Ｇ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の電極３８０と第２の電極６８０とを形成する工程を示す図である。本実施形態において、第２の電極６８０はフォトリソグラフィを用いて形成する。しかしながらこれに限定されず、例えば、第２の電極６８０は第２の配線６４０と第２の層間接続部６６０と一体に形成されてもよい。本実施形態において、第１の電極３８０はフォトリソグラフィを用いて形成するがこれに限定されない。図８では示さなかったが、第１の絶縁層１００は第１面とは反対側の第２面に基板（図示せず）を有してもよい。この場合、まず基板を剥離する工程を含んでもよい。第１の絶縁層１００の第２面において、第１の貫通孔１８０には絶縁材料の残渣が残ることがある。このため過マンガン酸塩溶液を用いたウェット処理や、酸素プラズマを用いたドライ処理を行うことによって、絶縁材料の残渣を除去する。絶縁材料の残渣を除去することによって、良好な電極の接続を得ることができ、信頼性を向上した配線基板を提供することができる。なお、第１の電極３８０は、後述する半導体部品を配置したあとで形成してもよい。

以上のように、本実施形態に係る配線基板４０の製造方法によると、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域に第２の凹凸構造１６０を形成することができる。このような選択的な粗化面形成方法において、第１の絶縁層１００に第２の凹凸構造１６０を形成することで、第２の絶縁層４００の第１の絶縁層１００と接する領域に凹凸構造が形成される。第２の絶縁層４００の凹凸構造は、第１の絶縁層１００の凹凸構造に嵌まるように形成される。第１の絶縁層１００と第２の絶縁層４００との凹凸構造が互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上し、剥離を防止することができる。これによって信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態に係る配線基板４０の製造方法によると、第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ａと接する領域は第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ｂと接する領域より小さい表面粗さを有することで、第１の配線３４０aは第１の配線３４０bより小さい表面粗さを有するように形成することができる。配線表面における粗面は、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい。このため、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい総延長の長い導電体ほど小さい表面粗さを有するように形成することで、高周波帯域における伝送特性を向上した配線基板を提供することができる。

第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ｂと接する領域は第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ａと接する領域より大きい表面粗さを有することによって、第１の配線３４０bは第１の配線３４０aより大きい表面粗さが形成される。第１の配線３４０bの凹凸構造は、第１の絶縁層１００が第１の配線３４０ｂと接する領域の第１の凹凸構造１４０ｂに嵌まるように形成される。それぞれの凹凸構造が互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上することができる。高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が小さい導電体ほど大きい表面粗さを有することによって、表皮効果による導体損失を抑制しつつ、第１の絶縁層１００と導電体との密着を向上し、より信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

＜第５実施形態＞
第５実施形態に係る配線基板は、伝送配線である第１の配線と、電源またはグランドと電気的に接続する第３の配線とを含み、第１の絶縁層が第１の配線と接する第１の領域は、第１の絶縁層が第３の配線と接する第５の領域より小さい表面粗さを有する。

図９または図１０を用いて、本開示の第５実施形態に係る配線基板５０の構成および配線基板５０の製造方法について説明する。ここで、第１実施形態と同様である部分は、その詳しい説明を省略する。

［配線基板の構成］
図９は、本開示の一実施形態に係る配線基板の一例を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図、および（Ｃ）（Ｄ）拡大図である。図９（Ｂ）は図９（Ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。図９（Ｃ）は図９（Ｂ）のＢ領域における拡大図であり、図９（Ｄ）は図９（Ｂ）のＣ領域における拡大図である。図９（Ａ）および（Ｂ）に示すように、配線基板５０は、第１の絶縁層１００と、第２の絶縁層４００と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える。

第１の絶縁層１００の導電体は、第１の配線３４０と、第１の層間接続部３６０（図示せず）と、第１の電極３８０（図示せず）と、第３の配線５４０と、第３の層間接続部（図示せず）と、第３の電極（図示せず）と、を含む。第１の絶縁層１００は、第１面に第１の配線３４０と第３の配線５４０とを備える。第１の配線３４０は、一端において、第１の絶縁層１００を貫通する第１の層間接続部３６０（図示せず）と電気的に接続する。第１の層間接続部３６０（図示せず）は、第１の絶縁層１００の第１面とは反対側の第２面において、第１の電極３８０（図示せず）と電気的に接続する。第３の配線５４０は、第１の絶縁層１００を貫通する第３の層間接続部（図示せず）と電気的に接続する。第３の層間接続部（図示せず）は、第１の絶縁層１００の第２面において、第３の電極（図示せず）と電気的に接続する。本実施形態において、第１の配線３４０は伝送配線であり、第３の配線５４０は電源またはグランドと電気的に接続する。また第１の配線３４０は、第１面に１本配置した例を示したがこれに限定されない。第１の配線３４０は、第１面に１本以上配置されればよい。また、本実施形態において、第１の配線３４０および第３の配線５４０は第１の絶縁層１００の第１面にのみ配置したが、第１の配線３４０は第１面とは反対側の第２面にも配置されてもよい。

第１の絶縁層１００の第１面上には第２の絶縁層４００が配置される。第２の絶縁層４００の導電体は、第２の配線６４０と、第２の層間接続部６６０（図示せず）と、第２の電極６８０（図示せず）と、第４の配線７４０と、第４の層間接続部（図示せず）と、第４の電極（図示せず）と、を含む。第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００とは反対側の第３面に、第２の配線６４０と第４の配線７４０とを備える。第２の配線６４０は、第２の絶縁層４００を貫通する第２の層間接続部６６０（図示せず）と電気的に接続する。第２の層間接続部６６０（図示せず）はさらに、第１の配線３４０の一端とは反対側の他端と電気的に接続する。第２の配線６４０は、第２の絶縁層４００の第３面において、第２の電極６８０（図示せず）と電気的に接続する。第４の配線７４０は、第１の絶縁層１００を貫通する第４の層間接続部（図示せず）と電気的に接続する。第４の層間接続部（図示せず）は、第１の絶縁層１００の第２面において、第４の電極（図示せず）と電気的に接続する。本実施形態において、第２の配線６４０は伝送配線であり、第４の配線７４０は電源またはグランドと電気的に接続する。また第２の配線６４０は、第３面に１本配置した例を示したがこれに限定されない。第２の配線６４０は、第３面に１本以上配置されればよい。

図９（Ｃ）は、図９（Ｂ）のＢ領域における拡大図である。図９（Ｄ）は、図９（Ｂ）のＣ領域における拡大図である。図９（Ｃ）および（Ｄ）に示すように、第１の絶縁層１００は、第１の配線３４０と、第３の配線５４０と、第２の絶縁層４００と接する。

第１の絶縁層１００が第１の配線３４０と接する第１の領域には、第１の凹凸構造１４０が形成される。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第１の領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．１以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが０．１以下である。第１の領域は、略平坦であることがより好ましい。さらに第１の領域における表面粗さは、第１の絶縁層１００が第３の配線５４０と接する第５の領域における表面粗さより小さい。

一方で、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域における第２の凹凸構造１６０は、積層方向における高さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の範囲である。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第２の領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．５以上１．５以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが１．５以上２．５以下である。第１の絶縁層１００が第１の配線３４０と接する第１の領域および第１の絶縁層１００が第３の配線５４０と接する第５の領域より、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域は大きい表面粗さを有する。

本実施形態において、第１の領域は第５の領域より小さい表面粗さを有することで、第１の配線３４０は第３の配線５４０より小さい表面粗さを有する。伝送配線表面における粗面は、電源またはグランドと電気的に接続する配線表面における粗面より、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい。このため、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい導電体ほど小さい表面粗さを有することによって、高周波帯域における伝送特性を向上した配線基板を提供することができる。

第５の領域は第１の領域より大きい表面粗さを有することによって、第３の配線５４０は第１の配線３４０より大きい表面粗さが形成される。第３の配線５４０の凹凸構造は、第５の領域における第５の凹凸構造１４０ｃに嵌まるように形成される。それぞれの凹凸構造が互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上することができる。伝送配線表面における粗面は、電源またはグランドと電気的に接続する配線表面における粗面より、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい。高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が小さい導電体ほど大きい表面粗さを有することによって、表皮効果による導体損失を抑制しつつ、第１の絶縁層１００と導電体との密着を向上し、より信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態において、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域は第２の凹凸構造１６０を有する。第１の絶縁層１００が第２の領域に第２の凹凸構造１６０を有することによって、第２の絶縁層４００の第１の絶縁層１００と接する領域にも凹凸構造が形成される。第２の絶縁層４００の凹凸構造は、第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０に嵌まるように形成される。第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０と第２の絶縁層４００の凹凸構造とが互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上することができる。これによって信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態において、配線基板５０は、２層の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える。第１の絶縁層１００において第５の領域は第１の領域より大きい表面粗さを有し、第２の領域は第５の領域より大きい表面粗さを有する。しかしながらこれに限定されず、例えば、配線基板がｍ層の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備えてもよい。この場合、第ｎの絶縁層が伝送配線と接する領域より、第ｎの絶縁層が電源またはグランドと電気的に接続する配線と接する領域は大きい表面粗さを有し、第ｎの絶縁層が電源またはグランドと電気的に接続する配線と接する領域より、第ｎの絶縁層が第ｎ＋１の絶縁層と接する領域は大きい表面粗さを有してもよい。（ｍは３以上の任意の自然数、ｎは１以上ｍ−１以下の任意の自然数とする。）

配線基板が３層以上の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える場合、第ｎの絶縁層は複数含んでもよく、任意の層の組み合わせであってもよい。複数の絶縁層が、絶縁層が伝送配線と接する領域より、絶縁層が電源またはグランドと電気的に接続する配線と接する領域は大きい表面粗さを有し、絶縁層が電源またはグランドと電気的に接続する配線と接する領域より、絶縁層同士が接する領域は大きい表面粗さを有することで、それぞれの密着性をさらに向上することができる。これによって信頼性をさらに向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態においては、最上層となる第２の絶縁層も、第２の絶縁層が第４の配線と接する領域は、第２の絶縁層が第２の配線と接する領域より大きい表面粗さを有し、第２の絶縁層が最上面に露出する領域は、第２の絶縁層が第２の配線と接する領域および第２の絶縁層が第４の配線と接する領域より大きい表面粗さを有する。最上層の絶縁層が、絶縁層が配線と接する領域より、最上面に露出する領域は大きい表面粗さを有することで、後述する樹脂層の密着性を向上することができる。これによって信頼性をさらに向上した半導体装置を提供することができる。

［配線基板５０の製造方法］
図１０を用いて、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する。図１０において、図９に示す要素と同じ要素には同一の符号を付した。

図１０（Ａ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、インプリント法により、第１の絶縁層１００に第１のトレンチ１２０a、第１のトレンチ１２０ｃ、第２の凹凸構造１６０、第５の凹凸構造１４０ｃ、第１の貫通孔１８０a（図示せず）および第１の貫通孔１８０ｃ（図示せず）を形成する工程を示す図である（以降、第１のトレンチ１２０ａおよび第１のトレンチ１２０ｃを区別しないときには第１のトレンチ１２０という。第１の貫通孔１８０ａおよび第１の貫通孔１８０ｃを区別しないときには第１の貫通孔１８０という。）。まず第１の絶縁層１００に第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、第５の凹凸構造１４０ｃ、および第１の貫通孔１８０を形成する型１１０を形成する。型１１０は、第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、第５の凹凸構造１４０ｃ、および第１の貫通孔１８０に対応する突起部を有する。第１のトレンチ１２０aおよび第１の貫通孔１８０に対応する型１１０の突起部の表面は略平坦に形成する。

次に、型１１０を用いて、第１の絶縁層１００の第１面に第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、第５の凹凸構造１４０ｃ、および第１の貫通孔１８０を印刻する。図１０では示さなかったが、第１の絶縁層１００は基板（図示せず）上に塗布して形成してもよい。この場合、第１の絶縁層１００の基板とは反対側の面を第１面とする。第１の絶縁層１００を軟化させ、その第１面に型１１０を圧入する。その状態で第１の絶縁層１００を硬化させ、型１１０を第１の絶縁層１００から剥離することで、図１０（Ａ）に示す断面構造の第１の絶縁層１００を得ることができる。第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０には、絶縁材料の残渣が残ることがある。このため過マンガン酸塩溶液を用いたウェット処理や、酸素プラズマを用いたドライ処理を行うことによって、絶縁材料の残渣を除去する。絶縁材料の残渣を除去することによって、良好な層間接続を得ることができ、信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態において、第１のトレンチ１２０、第２の凹凸構造１６０、第５の凹凸構造１４０ｃ、および第１の貫通孔１８０はインプリント法によって一体に形成する。これによって製造工程を簡略化することができる。また、インプリント法は一般的なフォトリソグラフィ法と比べて薬液の使用量が少なく、環境に配慮されている。

第１の絶縁層１００に形成される第１のトレンチ１２０ａの内側の表面には、インプリント法によって第１の凹凸構造１４０ａが形成される。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第１の領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．１以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが０．１以下である。第１のトレンチ１２０ａの内側の表面は、略平坦であることがより好ましい。

本実施形態において、第１のトレンチ１２０ａの内側の表面（第１の領域）における表面粗さは、第１のトレンチ１２０ｃの内側の表面（第５の領域）における表面粗さよりも小さく形成される。第１の絶縁層１００に形成される第５の領域には、インプリント法によって第５の凹凸構造１４０ｃが形成される。このため第１のトレンチ１２０ａの内側の領域は、第５の領域より小さい表面粗さを有する。

一方で、第１の絶縁層１００に形成する第２の凹凸構造１６０は、積層方向における高さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の範囲である。第２の凹凸構造１６０の積層方向における高さが０．０１μｍ以下である場合、インプリント法において第２の凹凸構造１６０を形成する型１１０の形成が困難となる。第２の凹凸構造１６０の積層方向における高さが３μｍ以上の場合、絶縁層の厚みによっては深すぎて、下層まで貫通してしまい不必要な粗さとなってしまう。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第２の凹凸構造１６０における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．５以上１．５以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが１．５以上２．５以下である。第２の領域における表面粗さは、第１のトレンチ１２０ａの内側の領域および第５の領域における表面粗さよりも大きく形成する。

図１０（Ｂ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の絶縁層１００上に第１の導電体２００を形成する工程を示す図である。図１０（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０a、第５の凹凸構造１４０ｃ、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を、第１の導電体２００で覆うように成膜する。本実施形態においては、スパッタリング法を用いて銅を成膜した。しかしながらこれに限定されず、第１の導電体２００は次の工程における電解メッキ法による金属充填のためのシード層となればよい。またシード層および／またはバリア層であってもよい。第１の導電体２００は、図１０（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０a、第５の凹凸構造１４０ｃ、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を反映している。別言すると、第１の導電体２００は、第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０a、第５の凹凸構造１４０ｃ、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０に沿って形成される。すなわち、第１の導電体２００は、第１の絶縁層１００に形成した凹凸構造を有する。しかしながらこれに限定されず、第１の絶縁層１００に形成した凹凸構造は第１の導電体２００で少なくとも一部埋まってしまってもよい。

図１０（Ｃ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の導電体２００上に第２の導電体２２０を形成する工程を示す図である。図１０（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０a、第５の凹凸構造１４０ｃ、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を、第２の導電体２２０で充填する。本実施形態において、第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０a、第５の凹凸構造１４０ｃ、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０は、電解メッキ法を用いて銅で充填する。しかしながらこれに限定されず、第１の絶縁層１００の第１のトレンチ１２０、第１の凹凸構造１４０a、第５の凹凸構造１４０ｃ、第２の凹凸構造１６０、および第１の貫通孔１８０を金属充填する方法としては、印刷法などを用いることもできる。

図１０（Ｄ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の絶縁層１００上を研磨する工程を示す図である。図１０（Ｄ）に示すように、第１の絶縁層１００上の略全面を研磨する。本実施形態において、第１の絶縁層１００の表面は化学機械研磨法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を用いて研磨した。第１の絶縁層１００上の第１の導電体２００及び第２の導電体２２０を選択的に研磨することで、第１のトレンチ１２０および第１の貫通孔１８０内部以外の不要な第１の導電体２００及び第２の導電体２２０を除去することができる。これによって、第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０は露出する。第１のトレンチ１２０aおよび第１のトレンチ１２０ｃ内の第１の導電体２００及び第２の導電体２２０は、第１の配線３４０および第３の配線５４０として形成される。第１の貫通孔１８０a（図示せず）および第１の貫通孔１８０ｃ（図示せず）内の第１の導電体２００及び第２の導電体２２０は、第１の層間接続部３６０a（図示せず）および第３の層間接続部５６０（図示せず）として形成される。本実施形態において、第１の配線３４０と第１の層間接続部３６０は一体に形成したが、これに限定されない。それぞれ別体に形成してもよい。

図１０（Ｅ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の絶縁層１００上に第２の絶縁層４００を積層する工程を示す図である。本実施形態において、第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００上に塗布することで形成する。ここで第２の絶縁層４００は、図１０（Ａ）で形成された第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０が埋まるように形成される。すなわち第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０を反映している。別言すると、第２の絶縁層４００は、第１の絶縁層１００と接する領域に凹凸構造を有する。第１の絶縁層１００の第２の凹凸構造１６０と、第２の絶縁層４００の凹凸構造は、互いに噛み合うように接着する。第２の絶縁層４００を第１の絶縁層１００上に積層することによって、第１の配線３４０と第１の層間接続部３６０は、第１の絶縁層１００および第２の絶縁層４００に埋設される。

図１０（Ｆ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、図１０（Ａ）〜（Ｄ）の工程により、第２の絶縁層４００に第２の配線６４０と、第２の層間接続部６６０と、第４の配線７４０と、第４の層間接続部７６０と、を形成する工程を示す図である。第１の絶縁層１００と同様に、インプリント法により、第２の絶縁層４００に凹凸構造、第２のトレンチ、および第２の貫通孔を形成し、第１の導電体および第２の導電体で充填後、研磨することで、第２の絶縁層４００に、凹凸構造、第２の配線６４０、第２の層間接続部６６０、第４の配線７４０、および第４の層間接続部７６０、を形成する。本実施形態においては、２層の絶縁層と、それぞれの絶縁層に形成される導電体とを備える配線基板の製造方法を示した。しかしながらこれに限定されず、それぞれの層における任意のパターンを有するトレンチ、貫通孔、および凹凸構造に対応する突起部を有する型を用意することで、２層以上の絶縁層を有する配線基板を適宜形成することができる。

図１０（Ｇ）は、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１の電極３８０（図示せず）と第２の電極６８０（図示せず）とを形成する工程を示す図である。本実施形態において、第２の電極６８０はフォトリソグラフィを用いて形成する。しかしながらこれに限定されず、例えば、第２の電極６８０は第２の配線６４０と第２の層間接続部６６０と一体に形成されてもよい。本実施形態において、第１の電極３８０はフォトリソグラフィを用いて形成するがこれに限定されない。図１０では示さなかったが、第１の絶縁層１００は第１面とは反対側の第２面に基板（図示せず）を有してもよい。この場合、まず基板を剥離する工程を含んでもよい。第１の絶縁層１００の第２面において、第１の貫通孔１８０には絶縁材料の残渣が残ることがある。このため過マンガン酸塩溶液を用いたウェット処理や、酸素プラズマを用いたドライ処理を行うことによって、絶縁材料の残渣を除去する。絶縁材料の残渣を除去することによって、良好な電極の接続を得ることができ、信頼性を向上した配線基板を提供することができる。なお、第１の電極３８０は、後述する半導体部品を配置したあとで形成してもよい。

以上のように、本実施形態に係る配線基板５０の製造方法によると、第１の絶縁層１００が第２の絶縁層４００と接する第２の領域に第２の凹凸構造１６０を形成することができる。第１の絶縁層１００が第３の配線５４０と接する第５の領域に第５の凹凸構造１４０ｃを形成することができる。このような選択的な粗化面形成方法において、第１の絶縁層１００に第２の凹凸構造１６０を形成することで、第２の絶縁層４００の第１の絶縁層１００と接する領域に凹凸構造が形成される。第２の絶縁層４００の凹凸構造は、第１の絶縁層１００の凹凸構造に嵌まるように形成される。第１の絶縁層１００と第２の絶縁層４００との凹凸構造が互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上し、剥離を防止することができる。第１の絶縁層１００に第５の領域に第５の凹凸構造１４０ｃを形成することで、第３の配線５４０の第１の絶縁層１００と接する領域に凹凸構造が形成される。第３の配線５４０の凹凸構造は、第１の絶縁層１００の凹凸構造に嵌まるように形成される。第１の絶縁層１００と第３の配線５４０との凹凸構造が互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上し、剥離を防止することができる。これによって信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

本実施形態に係る配線基板５０の製造方法によると、第１の領域は第５の領域より小さい表面粗さを有することで、第１の配線３４０は第３の配線５４０より小さい表面粗さを有するように形成することができる。伝送配線表面における粗面は、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい。このため、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が大きい導電体ほど小さい表面粗さを有するように形成することで、高周波帯域における伝送特性を向上した配線基板を提供することができる。

第５の領域は第１の領域より大きい表面粗さを有することによって、第３の配線５４０は第１の配線３４０より大きい表面粗さが形成される。第３の配線５４０の凹凸構造は、第５の領域の第５の凹凸構造１４０ｃに嵌まるように形成される。それぞれの凹凸構造が互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上することができる。高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす影響が小さい導電体ほど大きい表面粗さを有することによって、表皮効果による導体損失を抑制しつつ、第１の絶縁層１００と導電体との密着を向上し、より信頼性を向上した配線基板を提供することができる。

＜第６実施形態＞
本実施形態においては、第１実施形態から第５実施形態に係る配線基板に半導体部品を実装した半導体装置の一例について説明する。ここで、第１実施形態から第５実施形態に係る配線基板と同様である部分は、その詳しい説明を省略する。

図１１または図１２を用いて、本開示の第６実施形態に係る半導体装置１の構成および半導体装置１の製造方法について説明する。ここで、第１実施形態と同様である部分は、その詳しい説明を省略する。

［半導体装置の構成］
図１１は、本開示の一実施形態に係る導体装置の一例を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図、および（Ｃ）拡大図である。図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。図１１（Ｃ）は図１１（Ｂ）のＢ領域における拡大図である。図１１（Ａ）および（Ｂ）に示すように、半導体装置１は、第２の電極６８０を有する配線基板６０と、第２の電極６８０と電気的に接続する第５の電極８２０を有する半導体部品８００と、半導体部品８００を包埋する第１の樹脂層８４０と、半導体部品８００と配線基板６０との間隙に配置された第２の樹脂層８６０と、を備える。さらに配線基板６０の第１の電極３８０には、半田ボール９００を備える。

第１実施形態から第５実施形態で示すように、配線基板６０は、第２の絶縁層４００の第１の絶縁層１００とは反対側の第３面に、第２の電極６８０を有する。第２の絶縁層４００の第３面上には、半導体部品８００が間隙を介して配置される。半導体部品８００は、外部からの電源や信号の入出力用の第５の電極８２０を備える。配線基板６０の第２の電極６８０と、半導体部品８００の第５の電極８２０とは、対向し、導電部材８８０を介して電気的に接続する。第５の電極８２０は、例えば、金、銀、銅、アルミニウム等により構成されるが、これらに限定されるものではない。

半導体部品８００は、第１の樹脂層８４０で包埋される。第１の樹脂層８４０は、半導体部品８００の非回路面を覆うように配置され、配線基板６０の第２の絶縁層４００の第３面と接する。配線基板６０の第２の絶縁層４００の第３面と、半導体部品８００との間隙には、第２の樹脂層８６０が配置される。すなわち、第２の樹脂層８６０は、第２の絶縁層４００の第３面と、半導体部品８００の回路面と接し、配線基板６０の第２の電極６８０と、半導体部品８００の第５の電極８２０とを包埋する。

本実施形態において、配線基板６０の第１の絶縁層１００と、第２の絶縁層４００と、第１の樹脂層８４０と、第２の樹脂層８６０とは、エポキシ樹脂を含む。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等の液状のエポキシ樹脂を用いることができる。また、フェノールノボラック型、ナフタレン型等の半固形状のエポキシ樹脂を併用してもよい。しかしながらこれに限定されず、配線基板６０の第１の絶縁層１００と、第２の絶縁層４００と、第１の樹脂層８４０と、第２の樹脂層８６０とは、同じ熱膨張率を有する材料であればよい。配線基板６０の第１の絶縁層１００と、第２の絶縁層４００と、第１の樹脂層８４０とが、同じ熱膨張率を有する材料であることで、特に積層方向における線膨張率の不一致による反りや熱応力を抑制し、半導体部品８００の信頼性を向上することができる。

本実施形態において、第１の樹脂層８４０と第２の樹脂層８６０とは、さらに、フィラーを含んでもよい。フィラーは、例えば、シリカ系無機フィラーであってもよい。第１の樹脂層８４０と第２の樹脂層８６０とがフィラーを含むことで、低い熱膨張率で構成することができ、熱ひずみを抑制した信頼性を向上した半導体装置を提供することができる。第１の樹脂層８４０に含まれる第１のフィラーの最大粒径は、１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。最大粒径が１０μｍ以下の場合、フィラーのカットに要するコストが上昇するため好ましくない。最大粒径が１００μｍ以上の場合、第１の樹脂層８４０のモールド工程で流動性が損なわれ、未充填が発生し、生産性を損なうことがある。第２の樹脂層８６０に含まれる第２のフィラーの最大粒径は、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。最大粒径が１μｍ以下の場合、フィラーのカットに要するコストが上昇するため好ましくない。最大粒径が１０μｍ以上の場合、第２の樹脂層８６０の充填工程で流動性が損なわれ、未充填が発生し、生産性を損なうことがある。

配線基板６０の第１の電極３８０には、半導体装置１を外部基板に接続するための半田ボール９００が配置される。半田ボール９００で半導体装置１を外部基板に接続することで、安価に実施できる効果がある。

図１１（Ｃ）は、図１１（Ｂ）のＢ領域における拡大図である。図１１（Ｃ）に示すように、第２の絶縁層４００は、第２の配線６４０と、第１の樹脂層８４０と、第２の樹脂層８６０と接する。

第２の絶縁層４００が第２の配線６４０と接する第６の領域には、第６の凹凸構造４４０が形成される。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第６の領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．１以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが０．１以下である。第６の領域は、略平坦であることがより好ましい。

一方で、第２の絶縁層４００が第１の樹脂層８４０および第２の樹脂層８６０と接する第７の領域における第７の凹凸構造４６０は、積層方向における高さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の範囲である。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第２の領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．５以上１．５以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが１．５以上２．５以下である。第２の絶縁層４００が第２の配線６４０と接する第６の領域より、第２の絶縁層４００が第１の樹脂層８４０および第２の樹脂層８６０と接する第７の領域は大きい表面粗さを有する。

本実施形態において、第２の絶縁層４００が第２の配線６４０と接する第６の領域は小さい表面粗さを有する。第１の絶縁層１００の第６の領域が小さい表面粗さを有することで、第２の配線６４０は、第２の絶縁層４００と接する領域が小さい表面粗さを有する。導電体表面における粗面は、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす原因ともなりうる。このため第２の配線６４０の、第２の絶縁層４００と接する領域が小さい表面粗さを有することによって、高周波帯域における伝送特性を向上した半導体装置を提供することができる。

本実施形態において、第２の絶縁層４００が第１の樹脂層８４０および第２の樹脂層８６０と接する第７の領域は第７の凹凸構造４６０を有する。第２の絶縁層４００が第７の領域に第７の凹凸構造４６０を有することによって、第１の樹脂層８４０および第２の樹脂層８６０の第２の絶縁層４００と接する領域にも凹凸構造が形成される。第１の樹脂層８４０および第２の樹脂層８６０の凹凸構造は、第２の絶縁層４００の第７の凹凸構造４６０に嵌まるように形成される。それぞれの凹凸構造が互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上することができる。これによって信頼性を向上した半導体装置を提供することができる。本実施形態においては、第２の絶縁層４００が第１の樹脂層８４０と接する領域および第２の絶縁層４００が第２の樹脂層８６０と接する領域を第７の領域として区別しなかった。しかしながらこれに限定されず、それぞれの樹脂層の材料などに応じて、第１の樹脂層８４０と接する領域の凹凸構造４６０ａおよび第２の樹脂層８６０と接する領域の凹凸構造４６０ｂの大きさは適宜選択することができる（以降、凹凸構造４６０ａと凹凸構造４６０ｂとを区別しないときは、第７の凹凸構造４６０という）。

［半導体装置１の製造方法］
図１２を用いて、本開示の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図１２において、図１１に示す要素と同じ要素には同一の符号を付した。

図１２（Ａ）は、本開示の一実施形態に係る半導体装置の製造方法において、配線基板６０の第２の絶縁層４００の第３面上に、半導体部品８００を実装する工程を示す図である。半導体部品８００を配線基板６０に配置する前に、あらかじめ第２の樹脂層８６０を充填する。配線基板６０の第２の絶縁層４００の第３面と、半導体部品８００とは、間隙を介して配置する。配線基板６０の第２の絶縁層４００の第３面と半導体部品８００との間隙を、第２の樹脂層８６０で充填する。第２の樹脂層８６０をあらかじめ充填することで、間隙が気泡入ることなく、良好に充填することができ、信頼性を向上した半導体装置を提供することができる。配線基板６０の第２の電極６８０と、半導体部品８００の第５の電極８２０とは、導電部材８８０を介して電気的に接続する。

第１実施形態から第５実施形態にて示すように、第２の樹脂層８６０が第２の絶縁層４００と接する第７の領域は第７の凹凸構造４６０を有する。第２の絶縁層４００の第３面と半導体部品８００との間隙に位置する凹凸構造４６０ｂは、第２の樹脂層８６０で充填する。すなわち第２の樹脂層８６０は、第２の絶縁層４００の凹凸構造４６０ｂを反映している。別言すると、第２の樹脂層８６０は、第２の絶縁層４００と接する領域に凹凸構造を有する。第２の絶縁層４００の凹凸構造４６０ｂと、第２の樹脂層８６０の凹凸構造は、互いに噛み合うように接着する。第２の樹脂層８６０を第２の絶縁層４００と半導体部品８００との間隙に充填することによって、配線基板６０の第２の電極６８０と、半導体部品８００の第５の電極８２０とは、第２の樹脂層８６０に埋設される。

図１２（Ｂ）は、本開示の一実施形態に係る半導体装置の製造方法において、半導体部品８００を、第１の樹脂層８４０で包埋する工程を示す図である。半導体部品８００は、第１の樹脂層８４０で包埋する。第１の樹脂層８４０は、半導体部品８００の非回路面を覆うように形成する。第１の樹脂層８４０は配線基板６０の第２の絶縁層４００の第３面とも接する。第１の樹脂層８４０が第２の絶縁層４００と接する第７の領域は凹凸構造４６０ａを有する。第２の絶縁層４００の第３面に位置する凹凸構造４６０ａは、第１の樹脂層８４０で埋める。すなわち第１の樹脂層８４０は、第２の絶縁層４００の凹凸構造４６０ａを反映している。別言すると、第１の樹脂層８４０は、第２の絶縁層４００と接する領域に凹凸構造を有する。第２の絶縁層４００の凹凸構造４６０ａと、第１の樹脂層８４０の凹凸構造は、互いに噛み合うように接着する。

図１２（Ｃ）は、本開示の一実施形態に係る半導体装置の製造方法において、半導体装置に半田ボールを配置する工程である。配線基板６０の第１の電極３８０に、半導体装置１を外部基板に接続するための半田ボール９００を配置する。半田ボールで半導体装置１を外部基板に接続することで、安価に実施できる効果がある。

以上のように、本実施形態に係る半導体装置１の製造方法によると、第２の絶縁層４００が第１の樹脂層８４０および第２の樹脂層８６０と接する第７の領域における第７の凹凸構造４６０を形成することができる。このような選択的な粗化面形成方法において、第２の絶縁層４００に第７の凹凸構造４６０を形成することで、第１の樹脂層８４０および第２の樹脂層８６０の第２の絶縁層４００と接する領域に凹凸構造が形成される。第１の樹脂層８４０および第２の樹脂層８６０の凹凸構造は、第２の絶縁層４００の凹凸構造に嵌まるように形成される。第２の絶縁層４００と、第１の樹脂層８４０および第２の樹脂層８６０との凹凸構造が互いに噛み合うように接着することによって、それぞれの密着性を向上し、剥離を防止することができる。これによって信頼性を向上した半導体装置を提供することができる。

本実施形態に係る半導体装置１の製造方法によると、第６の領域は第７の領域より小さい表面粗さを有することで、第２の配線６４０は小さい表面粗さを有するように形成することができる。導電体表面における粗面は、高周波帯域で駆動した際の表皮効果による導体抵抗の増加、すなわち導体損失の増加を引き起こす原因ともなりうる。第２の配線６４０と、第２の絶縁層４００と接する領域を小さい表面粗さに形成することによって、高周波帯域における伝送特性を向上した半導体装置を提供することができる。

上述した、本開示の一実施形態に係る配線基板が備える第１の絶縁層における第１の凹凸構造および第２の凹凸構造をより詳細に説明する。

［参考例１］
本開示の参考例１に係る凹凸構造は、一実施形態に係る第２の凹凸構造であることから、その詳しい説明は省略する。

参考例１に係る第２の凹凸構造の各パラメータは以下の通りである。
凹部の形状：四角柱
凹部の高さ：２μｍ
凹部の幅：５μｍ
凹部の奥行：５μｍ
凹部のピッチ：１５μｍ

［参考例２］
本開示の参考例２に係る凹凸構造は、一実施形態に係る第２の凹凸構造であることから、その詳しい説明は省略する。

参考例２に係る第２の凹凸構造の各パラメータは以下の通りである。
凹部の形状：四角柱
凹部の高さ：２μｍ
凹部の幅：５μｍ
凹部の奥行：５μｍ
凹部のピッチ：１０μｍ

［参考例３］
本開示の参考例３に係る凹凸構造は、一実施形態に係る第１の凹凸構造であることから、その詳しい説明は省略する。

参考例３に係る第１の凹凸構造の各パラメータは以下の通りである。
凹部の形状：なし
凹部の高さ：０μｍ
凹部の幅：０μｍ
凹部の奥行：０μｍ
凹部のピッチ：０μｍ

本開示の一実施形態に係る配線基板が備える第１の領域における第１の凹凸構造および第２の領域における第２の凹凸構造の表面粗さを測定した。参考例１〜３の絶縁層の（Ａ）上面における電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真、（Ｂ）上面における凹凸構造を示す等高線グラフ、および（Ｃ）断面における凹凸構造を示すグラフを図１３〜１５に示す。ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した参考例１〜３の算術平均粗さＲａおよび十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳを表１に示す。

表１に示すように、第２の領域である参考例１および参考例２は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した表面粗さが、算術平均粗さＲａが０．５以上１．５以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが１．５以上２．５以下であった。一方で、第１の領域における表面粗さは、算術平均粗さＲａが０．１以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳが０．１以下であった。

１：半導体装置、１０，２０，３０，４０，５０，６０：配線基板、１００：第１の絶縁層、１１０：型、１２０，１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ：第１のトレンチ、１４０，１４０ａ，１４０ｂ：第１の凹凸構造、１６０：第２の凹凸構造、１８０，１８０ａ，１８０ｂ，１８０ｃ：第１の貫通孔、２００：第１の導電体、２２０：第２の導電体、３４０，３４０ａ，３４０ｂ：第１の配線、３６０，３６０ａ，３６０ｂ：第１の層間接続部、３８０，３８０ａ，３８０ｂ：第１の電極、４００：第２の絶縁層、４６０：第７の凹凸構造、５４０：第３の配線、６４０，６４０ａ，６４０ｂ：第２の配線、６６０，６６０ａ，６６０ｂ：第２の層間接続部、６８０，６８０ａ，６８０ｂ：第２の電極、７４０：第４の配線、８００：半導体部品、８２０：第５の電極、８４０：第１の樹脂層、８６０：第２の樹脂層、８８０：導電部材、９００：半田ボール、

Claims (33)

1. ２層以上の絶縁層を有する配線基板であって、
   第１面に第１の配線を備える第１の絶縁層と、
   前記第１面上に配置される第２の絶縁層と、を備え、
   前記第１の絶縁層が前記第１の配線と接する第１の領域より、前記第１の絶縁層が前記第２の絶縁層と接する第２の領域は大きい表面粗さを有する配線基板。
2. 前記第２の領域の表面粗さは、積層方向における高さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の凹凸構造による請求項１に記載の配線基板。
3. ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した前記第２の領域の表面粗さが、算術平均粗さＲａは０．５以上１．５以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳは１．５以上２．５以下である請求項１または２に記載の配線基板。
4. ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した前記第１の領域の表面粗さが、算術平均粗さＲａは０．１以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳは０．１以下である請求項１乃至３の何れか１項に記載の配線基板。
5. 前記配線基板は、前記第１の絶縁層を貫通して前記第１の配線と電気的に接続する第１の層間接続部をさらに備え、
   前記第１の領域は、前記第１の絶縁層が前記第１の層間接続部と接する第３の領域より小さい表面粗さを有する請求項１乃至４の何れか１項に記載の配線基板。
6. 前記配線基板は、前記第１の絶縁層の前記第１面とは反対側の第２面に配置され、前記第１の層間接続部と電気的に接続する第１の電極をさらに備え、
   前記第３の領域は、前記第１の絶縁層が前記第１の電極と接する第４の領域より小さい表面粗さを有する請求項５に記載の配線基板。
7. 前記第１の領域において、底面は側面より小さい表面粗さを有する請求項１乃至６の何れか１項に記載の配線基板。
8. 前記第１の配線は、
   前記第１の絶縁層の前記第１面に配置され、第１の方向に延長する第２の配線と、
   前記第１の絶縁層は前記第１面に配置され、前記第１の方向と直交する第２の方向に延長する第３の配線と、を含み、
   前記第２の配線は前記第３の配線より総延長が長く、
   前記第１の絶縁層が前記第２の配線と接する第５の領域は、前記第１の絶縁層が前記第３の配線と接する第６の領域より小さい表面粗さを有する請求項１乃至７の何れか１項に記載の配線基板。
9. 前記第１の配線は伝送配線であって、
   前記配線基板の前記第１面に配置され、電源またはグランドと電気的に接続する第４の配線を備え、
   前記第１の領域は、前記第１の絶縁層が前記第４の配線と接する第７の領域より小さい表面粗さを有する請求項１乃至請求項８の何れか１項に記載の配線基板。
10. 前記第２の絶縁層を貫通して前記第１の配線と電気的に接続する第２の層間接続部、前記第２の絶縁層の前記第１の絶縁層とは反対側の第３面に配置され、前記第２の層間接続部と電気的に接続する第５の配線、および前記第５の配線と電気的に接続する第２の電極、をさらに備える請求項１乃至９の何れか１項に記載された配線基板と、
    前記第３面上に間隙を介して配置され、前記第２の電極と電気的に接続する第３の電極を有する半導体部品と、
    前記第２の絶縁層の前記第３面と接し、前記半導体部品を包埋する第１の樹脂層と、
    を備える半導体装置。
11. 前記間隙に配置される第２の樹脂層をさらに備える請求項１０に記載の半導体装置。
12. 前記第２の絶縁層が前記第５の配線と接する第８の領域より、前記第２の絶縁層が前記第１の樹脂層と接する第９の領域は大きい表面粗さを有し、
    前記第８の領域より、前記第２の絶縁層が前記第２の樹脂層と接する第１０の領域は大きい表面粗さを有する請求項１１に記載の半導体装置。
13. ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した第８の領域の表面粗さが、算術平均粗さＲａは０．１以下であり、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳは０．１以下である請求項１２に記載の半導体装置。
14. 前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、および前記第１の樹脂層は、同じ材料を含む請求項１０乃至１３の何れか１項に記載の半導体装置。
15. 前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、および前記第１の樹脂層は、エポキシ樹脂を含む請求項１４に記載の半導体装置。
16. 前記第１の樹脂層は、第１のフィラーを含む請求項１５に記載の半導体装置。
17. 前記第１のフィラーの最大粒径は１０μｍ以上１００μｍ以下である請求項１６に記載の半導体装置。
18. 前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、および前記第２の樹脂層は、同じ材料を含む請求項１１乃至１３の何れか１項に記載の半導体装置。
19. 前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、および前記第２の樹脂層は、エポキシ樹脂を含む請求項１８に記載の半導体装置。
20. 前記第２の樹脂層は、第２のフィラーを含む請求項１９に記載の半導体装置。
21. 前記第２のフィラーの最大粒径は１μｍ以上１０μｍ以下である請求項２０に記載の半導体装置。
22. 前記配線基板は、
    前記第１の絶縁層を貫通して前記第１の配線と電気的に接続する第１の層間接続部と、
    前記第１の絶縁層の前記第１面とは反対側の第２面に配置され、前記第１の層間接続部と電気的に接続する第１の電極と、をさらに備え、
    前記第１の電極と電気的に接続する半田ボールをさらに備える請求項１０乃至２１の何れか１項に記載の半導体装置。
23. 第１の絶縁層の第１面に配置され、第１の凹凸構造を有するトレンチと、前記第１面に配置され、前記第１の凹凸構造よりも大きい第２の凹凸構造と、前記トレンチと接続する貫通孔と、を形成し、
    前記トレンチに配置する第１の配線と、前記貫通孔に配置する層間接続部と、を形成し、
    前記第１面に、第２の絶縁層を積層する配線基板の製造方法。
24. 前記トレンチと、前記第２の凹凸構造と、前記貫通孔と、を形成する方法は、インプリント法によって一括形成する請求項２３に記載の配線基板の製造方法。
25. 前記トレンチと、前記第２の凹凸構造と、前記貫通孔とを形成する方法は、前記第１の絶縁層の残渣を除去することを含む請求項２４に記載の配線基板の製造方法。
26. 前記第１の配線と、前記層間接続部と、を形成する方法は、
    前記第１面に、前記トレンチと前記第２の凹凸構造と前記貫通孔とを覆うように第１の導電体を形成し、
    前記第１の導電体と接し、前記トレンチと前記第２の凹凸構造と前記貫通孔とを埋めるように第２の導電体を形成し、
    前記第２の凹凸構造が露出するように、前記第１の導電体と前記第２の導電体とを除去することを含む請求項２３乃至２５の何れか１項に記載の配線基板の製造方法。
27. 前記第１の配線と、前記層間接続部と、を形成する方法は、
    前記第１の導電体をスパッタリング法によって形成し、
    前記第２の導電体を電解メッキ法によって形成し、
    前記第２の凹凸構造が露出するように、前記第１の導電体と前記第２の導電体とは化学機械研磨によって除去する請求項２６に記載の配線基板の製造方法。
28. 前記第２の凹凸構造は、積層方向における高さが０．０１μｍ以上３μｍ以下となるように形成する請求項２３乃至２７の何れか１項に記載の配線基板の製造方法。
29. ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した前記第２の凹凸構造の表面粗さが、算術平均粗さＲａは０．５以上１．５以下で、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳは１．５以上２．５以下となるように形成する請求項２３乃至２８の何れか１項に記載の配線基板の製造方法。
30. 前記第１の凹凸構造は、
    ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に基づいて測定した前記第１の凹凸構造の表面粗さが、算術平均粗さＲａは０．１以下で、十点平均粗さＲｚ_ＪＩＳは０．１以下である請求項２３乃至２９の何れか１項に記載の配線基板の製造方法。
31. 前記第１の配線を形成することは、
    前記第１の絶縁層の前記第１面に配置され、第１の方向に延長する第２の配線と、
    前記第１の方向と直交する第２の方向に延長する第３の配線と、
    を形成し、
    前記第２の配線の総延長が、前記第３の配線の総延長より長いとき、前記第１の絶縁層が前記第２の配線と接する第５の領域は、前記第１の絶縁層が前記第３の配線と接する第６の領域より小さい表面粗さとなるように形成する請求項２３乃至３０の何れか１項に記載の配線基板の製造方法。
32. 請求項１乃至９の何れか１項に記載された配線基板を準備し、
    前記配線基板に、前記第２の絶縁層を貫通して前記第１の配線と電気的に接続する第２の層間接続部、前記第２の絶縁層の前記第１の絶縁層とは反対側の第３面に配置され、前記第２の層間接続部と電気的に接続する第５の配線、および前記第５の配線と電気的に接続する第２の電極、を形成し、
    前記第２の電極と電気的に接続する第３の電極を有する半導体部品を、前記第３面上に間隙を介して配置し、
    前記第２の絶縁層の前記第３面と接し、前記半導体部品を包埋する第１の樹脂層を形成すること、
    を含む半導体装置の製造方法。
33. 前記間隙に配置される第２の樹脂層をさらに形成する請求項３２に記載の半導体装置の製造方法。