JP2018060851A - 接合基板、接合基板の検査方法、および半導体デバイスの製造方法。 - Google Patents

Abstract

【課題】接合基板から切り出した目的のチップにおける干渉縞が生じない程度の未接合箇所の有無を、目的のチップを破壊することなく、簡便かつ低コストに検出する。【解決手段】本発明に係る接合基板の検査方法は、シリコン基板とガラス基板とを陽極接合させるときに両基板間に電圧を印加するための正の電極が接続される位置に対応する接合面の領域に配置された第１テストパターンと、接合面において第１テストパターンを中心とした円の径方向に互いに離間して配置された複数の第２テストパターンとが形成された接合基板１００から、テストパターンを含む第１チップ１１０と第２チップ１２０とを切り出す第１工程Ｓ１と、第１チップの接合面を剥離する第２工程Ｓ２と、剥離した第１チップの接合面において凝集破壊が生じているか、界面破壊が生じているかを判定することにより、各第２チップの接合状態を判定する第３工程Ｓ３とを含むことを特徴とする。【選択図】図１

Description

本発明は、複数の基板を接合した接合基板、上記接合基板の検査方法、および半導体デバイスの製造方法に関し、例えば、シリコン基板とガラス基板とを陽極接合した陽極接合基板、上記陽極接合基板の検査方法、および上記陽極接合基板から切り出したセンサチップから成る半導体圧力センサの製造方法に関する。

従来から、シリコン基板同士またはシリコン基板と別の種類の材料から成る基板とを接合した接合基板を用いた圧力センサおよび加速度センサ等のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）デバイスが知られている。これらの半導体デバイスは、基板の接合状態がその特性に大きな影響を与えるため、接合状態が良好であるか否かを評価する必要がある。

例えば、シリコン基板（シリコンウエハ）とガラス基板とを陽極接合した陽極接合基板を用いた半導体圧力センサの製造工程では、上記陽極接合基板に対してガラス基板の裏面側から光を照射し、接合面に存在するボイドやギャップ等の未接合部分に起因する干渉縞（ニュートンリング）の有無を目視または光学顕微鏡で観察する光学的検査が一般に行われている。

しかしながら、上述した接合基板に対する光学的検査では、干渉縞が発生しない未接合部分が存在する場合には発見することができないという問題がある。具体的には、干渉縞が発生しないような原子レベルのギャップや、陽極接合されていない、すなわち共有結合に至っていないが密着しているような未接合部分が存在する場合には、それらの不具合箇所を上述の光学的検査で検出することはできない。

そこで、上述の光学的検査の代わりに（または、それに加えて）、接合面における干渉縞が発生しない未接合部分を発見するための検査方法が、例えば特許文献１，２に開示されている。

具体的に、特許文献１には、シリコン基板とガラス基板とを陽極接合した接合基板をダイシングすることによって得られたチップをフッ酸系水溶液から成るエッチング液に浸漬させ、そのときのチップの接合面にしみ込んだエッチング液の量に基づいてその接合面の状態を評価する技術が開示されている。

特許文献２には、ガラス基板が陽極接合する半導体ウェハの陽極接合部分にＰＮ接合から成る表面処理層を予め形成しておき、半導体ウェハの表面へ向かって光を照射したときに上記表面処理層の厚み方向へ流れる電流を測定する技術が開示されている。

特開２００３−５９９９５号公報 特開平１０−２２３５４号公報

上述した特許文献１，２の技術によれば、接合基板において干渉縞が発生しないような未接合部分が存在する場合であっても、その不具合箇所を発見することができる可能性はある。
しかしながら、特許文献１に開示された技術では、接合基板からダイシングしたチップをエッチング液に浸漬させる必要があるため、そのチップから製造されるＭＥＭＳデバイスにとって破壊検査となる場合がある。また、フッ酸系水溶液の取り扱いには注意が必要であり、簡便な検査方法とは言えない。

また、特許文献２に開示された技術では、半導体ウェハの陽極接合部分にＰＮ接合から成る表面処理層を形成する工程の増加や、光を照射したときに表面処理層を流れる電流を測定するための光学系や電流測定回路を備えた高額な測定装置が必要となるという課題がある。

本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、接合基板から切り出した目的のチップにおける干渉縞が生じない程度の未接合箇所の有無を、その目的のチップを破壊することなく、簡便かつ低コストに検出することにある。

本発明に係る接合基板の検査方法は、シリコン基板（１０１）とガラス基板（１０２）とが陽極接合され、シリコン基板とガラス基板との接合面に、シリコン基板およびガラス基板の少なくとも一方を選択的に加工して形成された複数のテストパターン（１０２Ｃ）を有する接合基板（１００）から、テストパターンを含む第１チップ（１１０）を切り出すとともに、接合基板のテストパターンが形成されている領域以外の領域から第２チップ（１２０）を切り出す第１工程（Ｓ１）と、第１チップの接合面を剥離する第２工程（Ｓ２）と、第２工程で剥離された第１チップの接合面において凝集破壊が生じている場合に、当該第１チップによって特定される接合基板上の領域から切り出された第２チップの接合状態が良好であると判定し、第２工程で剥離された第１チップの接合面において界面破壊が生じている場合に、当該第１チップによって特定される接合基板上の領域から切り出された第２チップの接合状態が不良であると判定する第３工程（Ｓ３，Ｓ４）とを含み、複数のテストパターンは、シリコン基板とガラス基板とを陽極接合させるときに、シリコン基板とガラス基板との間に電圧を印加するための正電極が接続されるシリコン基板上の領域と平面視で重なりを有する接合面の領域に配置された第１テストパターン（１０２Ｃ＿１）と、接合面において、平面視でテストパターンを中心とした円（１０３）の径方向に互いに離間して配置された複数の第２テストパターン（１０２Ｃ＿２〜１０２Ｃ＿ｎ）とを含むことを特徴とする。

上記接合基板の検査方法において、接合基板は、平面視円形状であって、第１テストパターンは、接合面において、平面視で接合面の中心（Ｐ）に配置され、第２テストパターンは、接合面において、平面視で第１テストパターンを通り互いに直交する２本の直線（１０６，１０７）上に複数離間して配置されていてもよい。

上記接合基板の検査方法において、第２テストパターンは、更に、接合面の周縁部（１００Ｄ）において、平面視で接合面の円周方向に複数並んで配置されていてもよい。

上記接合基板の検査方法において、接合基板は、平面視円形状であって、第１テストパターンは、接合面において、平面視で接合面の中心（Ｐ）と異なる位置（Ｓ）に形成され、第２テストパターンは、接合面において平面視で第１テストパターンを中心とした放射状に配置されていてもよい。

上記接合基板の検査方法において、シリコン基板は、ガラス基板（２）の一方の面に陽極接合された第１シリコン基板（１）と、ガラス基板の他方の面に陽極接合された第２シリコン基板（３）とを含み、テストパターン（２ｄａ，２ｄｂ）は、第１シリコン基板とガラス基板とが接合された面、および第２シリコン基板とガラス基板とが接合された面に夫々形成されていてもよい。

上記接合基板の検査方法において、第３工程は、界面破壊が生じているテストパターンによって囲まれる接合基板上の領域（１００Ｅ，１００Ｆ，１００Ｇ）から切り出された第２チップの接合状態が不良であると判定する工程を含んでもよい。

本発明に係る半導体デバイスの製造方法は、シリコン基板（１，３）およびガラス基板（２）の少なくとも一方の表面に複数のテストパターン（２ｄａ，２ｄｂ）を形成するテストパターン形成工程（Ｓ１２）と、テストパターンを介してシリコン基板とガラス基板とを陽極接合した接合基板を形成する基板接合工程（Ｓ１３，Ｓ１５）と、上記接合基板の検査方法によって、基板接合工程で形成した接合基板（１）から、テストパターンを含む第１チップ（５）と、製造の目的とされる複数の第２チップ（６）とを切り出し、第１チップの接合面の剥離状態に基づいて、接合状態が良好な第２チップを選別するチップ選別工程（Ｓ１６）と、チップ選別工程で選別された第２チップをパッケージングし、上記半導体デバイスとするパッケージング工程（Ｓ１７）とを含むことを特徴とする。

本発明に係る接合基板の検査方法によれば、接合基板から切り出した目的のチップにおける干渉縞が生じない程度の未接合箇所の有無を、その目的のチップを破壊することなく、簡便かつ低コストに検出することが可能となる。

本発明の一実施の形態に係る接合基板の検査方法の流れを示すフロー図である。 陽極接合処理において、正電極のプローブを接合面の中心上に接続したときのシリコン基板およびガラス基板の断面構造を模式的に示す図である。 陽極接合処理において、正電極のプローブを接合面の中心上に接続したときのシリコン基板およびガラス基板の平面構造を模式的に示す図である。 陽極接合処理において、正電極のプローブを接合面の中心上に接続してシリコン基板とガラス基板との間に高電圧を印加したときの電流密度の分布を示す図である。 接合基板におけるテストパターンの配置例を示す平面図である。 接合基板におけるテストパターンの配置例を示す断面図である。 接合基板におけるテストパターンの別の配置例を示す平面図である。 陽極接合処理において、正電極のプローブを接合面の中心からずれた位置に接続したときのシリコン基板およびガラス基板の断面構造を模式的に示す図である。 陽極接合処理において、正電極のプローブを接合面の中心からずれた位置に接続してシリコン基板とガラス基板との間に高電圧を印加したときの電流密度の分布を示す図である。 接合基板におけるテストパターンの別の配置例を示す平面図である。 接合基板から切り出されるテストチップとセンサチップの配置例を示す図である。 光学顕微鏡で観察された、凝集破壊を起こしたテストチップのシリコン基板側の剥離面の一例を示す図である。 光学顕微鏡で観察された、界面破壊を起こしたテストチップのシリコン基板側の剥離面の一例を示す図である。 接合状態が良好な領域と不良な領域を判別する方法の一例を示す図である。 接合状態が良好な領域と不良な領域を判別する方法の別の一例を示す図である。 接合状態が良好な領域と不良な領域を判別する方法の別の一例を示す図である。 半導体圧力センサの主要素であるセンサチップの平面構造を模式的に示す図である。 半導体圧力センサの主要素であるセンサチップの断面構造を模式的に示す図である。 本発明の一実施の形態に係る接合基板の検査方法を用いた半導体圧力センサの製造方法の流れを示すフロー図である。 半導体圧力センサの各製造工程を説明するための図である。 半導体圧力センサの各製造工程を説明するための図である。 半導体圧力センサの各製造工程を説明するための図である。 半導体圧力センサの各製造工程を説明するための図である。 半導体圧力センサの各製造工程を説明するための図である。 半導体圧力センサの各製造工程を説明するための図である。 本発明の一実施の形態に係る接合基板検査システムの構成を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。なお、以下の説明において、各実施の形態において共通する構成要素には同一の参照符号を付し、繰り返しの説明を省略する。

〈本発明の一実施の形態に係る接合基板の検査方法〉
図１は、本発明の一実施の形態に係る接合基板の検査方法の流れを示すフロー図である。
図１に示される検査方法は、複数の基板を接合した接合基板における基板間の接合状態を検査するための方法である。本実施の形態では、一例として、シリコン基板とガラス基板とを陽極接合した接合基板の検査方法について説明する。

（１）陽極接合
先ず、図１に示す検査方法について説明する前に、陽極接合について詳細に説明する。 陽極接合とは、接合部材間に第３の材料を介在させない直接的な接合方法であって、高温状態においてシリコン基板とガラス基板とを重ね合わせて高電圧を印加することにより、シリコン基板とガラス基板とを接合する技術である。

より具体的には、シリコン基板とガラス基板とを重ね合わせて数百℃で加熱した状態において、シリコン基板を正電極側とし、ガラス基板をマイナス電極側として数百ボルトの電圧を印加したとき、シリコン基板の界面付近におけるガラス基板中の金属可動イオンが負電極側へ移動し、界面付近のガラス基板中に欠乏層（金属可動イオンが欠乏した層）が形成される。その欠乏層とシリコン基板との間に静電気引力が発生することにより、シリコン基板とガラス基板との境界面において共有結合が起こり、シリコン基板とガラス基板とが接合される。

陽極接合の接合強度は、シリコン基板およびガラス基板の平面方向の電流密度によって決定され、電流密度が小さいとシリコン基板とガラス基板とが十分に接合せず、シリコン基板とガラス基板の界面で剥離が発生し易くなる。

シリコン基板およびガラス基板の平面方向の電流密度の分布は、電圧を印加するための電極のサイズ、電極の接続位置、および基板の反り等に起因する密着性の低下や、基板の平面方向の熱分布の不均一性等によって決まり、特に、電極の接続位置に大きく依存する。

具体的には、陽極接合が起こる過程において生じる欠乏層は、元のガラス基板と比べて電気抵抗が非常に大きいため、高電圧の印加時にガラス基板に流れる電流、すなわち電流密度は、欠乏層の成長に伴って著しく減少する。

例えば、図２Ａ，２Ｂに示すように、平面視円形状のシリコン基板１０１およびガラス基板１０２を平面視で互いの中心Ｐが重なるように重ね合わせた状態で、シリコン基板１０１上の、中心Ｐと平面視で重なりを有する領域に、正電極のプローブ１０４を配置し、ガラス基板１０２のシリコン基板１０１と反対側の面に負電極１０５を接続して高電圧を印加して陽極接合を行う場合を考える。

この場合、シリコン基板１０１とガラス基板１０２との間の陽極接合は、図２Ｂに示すように、正電極と負電極との間の距離が最も近いプローブ１０４の直下、すなわちシリコン基板１０１およびガラス基板１０２の中心Ｐから外周部に向かって陽極接合（欠乏層）が広がるため、シリコン基板１０１およびガラス基板１０２の中心Ｐ（プローブ１０４）から離れるほど、欠乏層による電気抵抗が大きくなり、電流密度が小さくなる傾向がある。

図３は、陽極接合処理において、シリコン基板とガラス基板との間に高電圧を印加したときの電流密度の分布を示す図である。図３において、領域内の色が濃いほど電流密度が大きいことを表している。
図３に示すように、正電極としてのプローブ１０４をシリコン基板１０１とガラス基板１０２との接合面の中心Ｐ上に接続した場合、平面方向の電流密度は、接合面と同心円状に分布する。

（２）本実施の形態に係る接合基板の検査方法の概要
上述のように、陽極接合基板では、陽極接合処理時に正電極のプローブ１０４が接続される位置を中心として同心円状に電流密度が分布するため、正電極のプローブ１０４が接続される位置から離れるほど、未接合箇所が生じやすくなる。

そこで、本実施の形態に係る接合基板の検査方法では、陽極接合処理時の電流密度の分布を考慮して、シリコン基板１０１とガラス基板１０２との接合面に、シリコン基板１０１およびガラス基板１０２の少なくとも一方を選択的に加工することにより、複数のテストパターン１０２Ｃを予め形成しておき、陽極接合処理後に、ガラス基板１０２とシリコン基板１０１とが接合された接合基板１００からテストパターンを含むテストチップを切り出し、テストチップの接合面の引き剥がし試験を行う。

そして、剥離したテストチップの接合面の破壊状態を検査し、剥離したテストチップの接合面において、一方の材料が他方の材料から剥離されることなく千切れた破壊（以下、凝集破壊（母材破壊）という。）が生じている場合に、そのテストチップによって特定される接合基板１００上の領域から切り出されたセンサチップの接合状態が良好であると推定する。一方、剥離したテストチップの接合面において、一方の材料が千切れることなく、他方の材料から剥離する破壊（以下、「界面破壊」という。）が生じている場合に、そのテストチップによって特定される接合基板１００上の領域から切り出されたセンサチップの接合状態が不良であると推定する。

（３）テストパターンの配置
ここで、テストパターンを形成する位置は、陽極接合処理時において高電圧を印加したときの接合基板における電流密度の分布の傾向を考慮して決定すればよい。
具体的には、ガラス基板１０２とシリコン基板１０１との接合面において、陽極接合処理時にガラス基板１０２とシリコン基板１０１との間に高電圧を印加したときに電流密度が最も大きくなる位置、すなわち、上記接合面において陽極接合処理時に高電圧を印加するための正電極のプローブ（電極）１０４が接続される位置と平面視で重なりを有する領域に、テストパターンを１つ形成するとともに、上記接合面において、平面視で上記接合面の中心Ｐを中心とした円の径方向に互いに離間して複数のテストパターンを形成する。

上記テストパターンは、ガラス基板１０２およびシリコン基板１０１の少なくとも一方の表面を選択的に加工することによって形成されている。

以下、テストパターンの具体的な配置例について説明する。
ここでは、シリコン基板１０１およびガラス基板１０２が平面視円形状のウェハであって、陽極接合処理時に、平面視で互いの中心が一致するように重ね合わされて配置されているものとする。また、テストパターンは、シリコン基板１０１とガラス基板１０２との接合面におけるガラス基板１０２側に形成されるものとする。

先ず、正電極のプローブ１０４が平面視で上記接合面の中心Ｐと重なりを有するシリコン基板１０１上の領域に接続される場合のテストパターンの配置例について説明する。

正電極のプローブ１０４をシリコン基板１０１とガラス基板１０２との接合面の中心Ｐ上に接続した場合、図３に示したように、接合面と同心円状に電流密度が分布する。そこで、この場合には、以下の図４Ａ，４Ｂに示すようにテストパターンを配置すればよい。

図４Ａ，４Ｂは、正電極のプローブを接合面の中心Ｐと重なりを有するシリコン基板上の領域に接続される場合のテストパターンの配置例を示す図である。
図４Ａには、複数のテストパターンが形成された接合基板の平面構造が模式的に示され、図４Ｂには、図４Ａの接合基板の断面構造が模式的に示されている。

図４Ａ，４Ｂに示されるように、テストパターン１０２Ｃ＿１は、陽極接合処理において、ガラス基板１０２とシリコン基板１０１との間に高電圧を印加したときに電流密度が最も大きくなる位置、すなわち、ガラス基板１０２の主面１０２Ａにおいて、平面視で接合基板１００の中心Ｐと重なる位置に形成されている。

また、テストパターン１０２Ｃ＿２〜１０２Ｃ＿ｎ（ｎは２以上の整数）は、ガラス基板１０２の主面１０２Ａにおいて、平面視でテストパターン１０２Ｃ＿１を中心とした円１０３の径方向に互いに離間して配置されている。例えば、図４Ａ，４Ｂに示されるように、平面視でテストパターン１０２Ｃ＿１（中心Ｐ）を通り、互いに直交する２本の直線１０６、１０７上に並んで配置されている。

ここで、テストパターン１０２Ｃ＿２〜１０２Ｃ＿ｎは、直線１０６、１０７上のみならず、図５に示すように、接合面の周縁部１００Ｄ、すなわち陽極接合処理においてガラス基板１０２とシリコン基板１０１との間に高電圧を印加したときに電流密度が最も小さくなる領域に、平面視で当該接合面の円周方向に複数並んで配置されてもよい。

次に、正電極のプローブ１０４が平面視で上記接合面の中心Ｐと重ならないシリコン基板１０１上の領域に接続される場合のテストパターンの配置例について説明する。

図６Ａは、正電極のプローブをシリコン基板とガラス基板との接合面の中心から離れた位置に接続して高電圧を印加したときのシリコン基板およびガラス基板の断面図である。
図６Ｂは、図６Ａの場合におけるシリコン基板およびガラス基板の平面方向の電流密度の分布を示す図である。

図６Ｂに示すように、正電極のプローブ１０４をシリコン基板１０１とガラス基板１０２との接合面の中心Ｐから離れた点Ｓ上に接続して高電圧を印加した場合、点Ｓを中心とする同心円状に電流密度が分布する。この場合には、以下の図７に示すようにテストパターンを配置すればよい。

図７は、接合基板におけるテストパターンの第２の配置例を示す図である。
図７には、複数のテストパターンが形成された接合基板の平面構造が模式的に示されている。

図７に示されるように、テストパターン１０２Ｃ＿１は、ガラス基板１０２の主面１０２Ａにおいて、平面視で正電極のプローブ１０４が接続される点Ｓと重なる位置、すなわち平面視で上記接合面の中心Ｐと異なる位置に形成されている。

また、テストパターン１０２Ｃ＿２〜１０２Ｃ＿ｎは、ガラス基板１０２の主面１０２Ａにおいて、平面視でテストパターン１０２Ｃ＿１（点Ｓ）を中心として放射状に配置されている。

なお、以下の説明では、接合基板１００に形成された任意のテストパターンを「テストパターン１０２Ｃ」と表記する場合がある。

（４）本実施の形態に係る接合基板の検査方法の詳細
次に、図１を用いて、本実施の形態に係る接合基板の検査方法について詳細に説明する。
ここでは、上述したシリコン基板１０１とガラス基板１０２とを陽極接合した接合基板１００から、半導体圧力センサを構成するセンサチップを切り出す場合を例にとり、説明する。

先ず、図１において、シリコン基板１０１とガラス基板１０２とが陽極接合され、シリコン基板１０１とガラス基板１０２との接合面に複数のテストパターン１０２Ｃが形成された接合基板１００から、一つのテストパターン１０２Ｃ毎にテストチップを切り出すとともに、接合基板１００のテストパターン１０２Ｃが形成されていない領域から、製造の目的とされるセンサチップを切り出す（第１工程：Ｓ１）。

具体的には、図８に示すように、接合基板１００をスクライブライン１０９に沿ってダイシングブレードで切断することにより、夫々のテストパターン１０２Ｃを含む複数のテストチップ１１０＿１〜１１０＿ｎを夫々切り出すとともに、テストパターン１０２Ｃが形成された領域以外の領域から複数のセンサチップ１２０＿１〜１２０＿ｍを夫々切り出す。

次に、各テストチップ１１０＿１〜１１０＿ｎにおけるシリコン基板１０１とガラス基板１０２との接合面を剥離する引き剥がし試験を行う（第２工程：Ｓ２）。例えば、公知の引張試験装置を用いてテストチップにおけるシリコン基板１０１とガラス基板１０２とを互いに離れる方向に引っ張ることにより、接合面を剥離してもよいし、テストチップにおけるシリコン基板１０１とガラス基板１０２との接合面に薄い板状の器具を押し入れることにより、各テストチップ１１０＿１〜１１０＿５の接合面を剥離してもよい。

次に、剥離された各テストチップ１１０の接合面を検査する（第３工程：Ｓ３）。具体的には、第２工程Ｓ２で剥離された各テストチップ１１０の接合面の破壊状態を夫々観察し、剥離した各テストチップ１１０の接合面の破壊状態に基づいて、各テストチップ１１０の接合状態を判定する。

テストチップ１１０の接合面において凝集破壊が生じている場合には、そのテストチップ１１０の接合状態が良好であると判定し、その接合面において界面破壊が生じている場合には、そのテストチップ１１０の接合状態が不良であると判定する。

ここで、各テストチップ１１０＿１〜１１０＿５の剥離された接合面の破壊状態が凝集破壊であるか界面破壊であるかは、光学顕微鏡等によって、ガラス基板１０２またはシリコン基板１０１の剥離面を観察することにより、容易に判断することができる。

図９Ａは、光学顕微鏡で観察された、凝集破壊を起こしたテストチップのシリコン基板側の剥離面の一例を示す図であり、図９Ｂは、光学顕微鏡で観察された、界面破壊を起こしたテストチップのシリコン基板側の剥離面の一例を示す図である。図９Ａ，９Ｂには、平面視四角形状のテストパターン１０２Ｃを形成したテストチップの剥離面の画像が一例として夫々示されている。

陽極接合状態が良好なテストチップ１１０の場合、テストチップ１１０の接合面は共有結合しているため、テストチップ１１０のシリコン基板１０１側にガラスの一部が残った状態、すなわち接合面は凝集破壊となり、図９Ａに示すように、テストパターン１０２Ｃは黒色に見える。

一方、陽極接合状態が不良なテストチップ１１０の場合、テストチップ１１０の接合面は共有結合されていないため、テストチップ１１０のシリコン基板１０１側にはガラスが残らない状態、すなわち接合面は界面破壊となり、図９Ｂに示すように、剥離されたテストパターン１０２Ｃは周辺のシリコン基板１０１と同色に見える。

各テストチップ１１０の破壊状態の検査が完了したら、界面破壊が生じているテストチップ１１０の接合基板１０上の位置と、凝集破壊が生じているテストチップ１１０の接合基板１００上の位置から、接合基板１００の接合状態が良好な領域と不良な領域とを判別し、接合状態が良好な領域から切り出されたセンサチップ１２０を選別する（第４工程：Ｓ４）。

接合基板１００における接合状態が良好な領域および不良な領域は、凝集破壊（母材破壊）が生じているテストチップと界面破壊が生じているテストチップ１１０の接合基板１００上の相互の位置関係から推定することができる。

例えば、図１０に示すように、テストパターン１０２Ｃ＿１〜１０２Ｃ＿ｎを配置した接合基板において、テストパターン１０２Ｃ＿１０〜１０２Ｃ＿１５の接合面で界面破壊が生じ、それ以外のテストパターン１０２Ｃの接合面で凝集破壊が生じた場合には、テストパターン１０２Ｃ＿１０〜１０２Ｃ＿１５で囲まれた領域１００Ｅから切り出したセンサチップの接合状態が不良であり、それ以外の領域から切り出したセンサチップの接合状態は良好であると推定することができる。

また、例えば図１１に示すように、テストパターン１０２Ｃ＿２０〜１０２Ｃ＿２６を含むテストチップの接合面で界面破壊が生じ、それ以外のテストパターン１０２Ｃの接合面で凝集破壊が生じた場合には、テストパターン１０２Ｃ＿２０〜１０２Ｃ＿２６で囲まれた領域１００Ｆから切り出したセンサチップの接合状態が不良であり、それ以外の領域から切り出したセンサチップの接合状態は良好であると推定することができる。

なお、図１０，１１の配置例において、接合面の中心Ｐ（正電極のプローブ１０４が接続される位置）と平面視で重なる位置に形成されたテストパターン１０２Ｃ＿１で界面破壊が起こった場合には、他のテストパターン１０２Ｃ＿２〜１０２Ｃ＿ｎの破壊状態に関わらず、接合基板１００全体の接合状態が不良であると判定してもよい。

また、図１２に示すように、テストパターン１０２Ｃ＿２〜１０２＿ｎを放射状に配置した接合基板において、例えばテストパターン１０２Ｃ＿２〜１０２Ｃ＿１１で界面破壊が生じ、それ以外のテストパターン１０２Ｃで凝集破壊が生じた場合には、テストパターン１０２Ｃ＿２〜１０２Ｃ＿１１で囲まれた領域１００Ｇから切り出したセンサチップ１２０の接合状態が不良であり、それ以外の領域から切り出したセンサチップ１２０の接合状態は良好であると推定することができる。

〈本発明の一実施の形態に係る半導体デバイスの製造方法〉
次に、本実施の形態に係る接合基板の検査方法を用いた半導体デバイスの製造方法について説明する。ここでは、一例として、ひずみゲージ等の素子パターンが形成されたシリコン基板とガラス基板とを陽極接合したセンサチップから成る半導体圧力センサの製造方法について説明する。

（１）センサチップの構造
先ず、半導体圧力センサを構成するセンサチップの構造について簡単に説明する。
図１３Ａ，１３Ｂは、半導体圧力センサの主要素であるセンサチップの構造を模式的に示す図である。図１３Ａには、センサチップの平面構造が示され、図１３Ｂには、図１３ＡのセンサチップのＡ−Ａ断面における断面構造が示されている。

図１３Ａ，１３Ｂに示されるセンサチップ２０は、２つの半導体基板１，３によってガラス基板２を挟んだ３層構造を有する。
半導体基板１は、シリコンから成る基板である。半導体基板１（以下、「シリコン基板１」とも称する。）の上面中央部にはセンサダイアフラム１ａが形成されている。センサダイアフラム１ａの上面側には圧力検出素子としてのひずみゲージが形成されている（図示せず）。

ガラス基板２の一方の主面には、シリコン基板１に形成されたセンサダイアフラム１ａを取り囲むように厚肉部２ａ形成されている。厚肉部２ａの上端面には、シリコン基板１が陽極接合されている。また、ガラス基板２の他方の主面には、厚肉部２ａと同形状の厚肉部２ｂが形成されている。更に、ガラス基板２には、平面視でシリコン基板１のダイアフラム１ａと重なる領域に貫通孔２ｃが形成されている。

半導体基板３は、半導体基板１と同様に、シリコンから成る基板である。半導体基板３（以下、「シリコン基板３」とも称する。）は、ガラス基板２の貫通孔２ｃと同軸の貫通孔３ｃが形成された中空構造を有し、ガラス基板２およびシリコン基板１を支持する支持部材（シリコンチューブ）として機能する。シリコン基板３の上端面３Ａは、ガラス基板２の厚肉部２ｂの下端面に陽極接合されている。

図１３Ａ，１３Ｂに示されるセンサチップ２０によれば、貫通孔３ｃ，２ｃを通してセンサダイアフラム１ａの下面側に加えられた圧力を、センサダイアフラム１ａの上面側に形成されたひずみゲージによって検出することができる。

上述したように、陽極接合基板から成るセンサチップを用いた半導体圧力センサは、シリコン基板とガラス基板との接合状態がその特性に大きな影響を与えるため、基板間の接合面の状態が良好であるセンサチップを選別する必要がある。
そこで、本実施の形態に係る半導体デバイスの製造方法では、ガラス基板およびシリコン基板の何れか一方の表面に、半導体圧力センサとしての機能を実現するための回路パターン等とともに複数のテストパターンを予め形成しておき、陽極接合処理後に、センサチップともに複数のテストチップを切り出し、それらのテストチップを用いて、上述の接合基板の検査方法を実施することにより、接合状態が良好なセンサチップを選別して、特性が良好な半導体圧力センサを実現する。

（２）半導体圧力センサの製造方法
次に、この半導体圧力センサの製造方法について詳細に説明する。なお、以下の説明では、一例として、シリコン基板１，３とガラス基板２は、平面視円形状の基板（ウェハ）であり、径が互いに等しいものとする。

図１４は、上述した接合基板の検査方法を用いた半導体圧力センサの製造方法の流れを示すフロー図である。
図１５Ａ〜１５Ｆは、上記半導体圧力センサの各製造工程を説明するための図である。なお、図１５Ａ〜１５Ｆには、半導体圧力センサチップの形成するためのウェハ（ガラス基板およびシリコン基板）の一部が図示されている。

図１５Ａに示すように、先ず、貫通孔３ｃが形成されたシリコン基板３を用意し、そのシリコン基板３を、シリコン基板３の厚み方向に所定の切り残しが生じるように、ブレード９を用いてスクライブラインに沿ってダイシングを行う（一部ダイシング工程：Ｓ１１）。

次に、ガラス基板２を用意し、そのガラス基板２上に、半導体圧力センサとしての機能を実現するために必要なパターンとともにテストパターン２ｄａ，２ｄｂを複数形成する（パターン形成工程：Ｓ１２）。
例えば、一枚のガラス基板２の第１主面（以下、「上面」とも称する）２Ａおよび第２主面（以下、「下面」とも称する。）２Ｂを、例えばブラスト加工処理やウェットエッチング処理によって夫々加工することにより、図１５Ｂに示すように、厚肉部２ａ，２ｂおよびテストパターン２ｄａ，２ｄｂを形成するとともに、ガラス基板２の上面２Ａと下面２Ｂを貫通する貫通孔２ｃを形成する。
ここで、テストパターン２ｄを形成するガラス基板２上の位置は、例えば図４Ａ，４Ｂに示したとおりである。

次に、図１５Ｃに示すように、ステップＳ１１で加工したシリコン基板３をステップＳ１２で加工したガラス基板２の下面２Ｂに重ね合わせて、上述の陽極接合処理を施すことにより、ガラス基板２とシリコン基板３とが陽極接合した接合基板４Ｘを形成する（基板接合工程１：Ｓ１３）。

次に、図１５Ｄに示すように、接合基板４Ｘ上のガラス基板２を、ブレード９を用いてスクライブラインに沿ってダイシングを行う（一部ダイシング工程：Ｓ１４）。

次に、センサダイアフラム１ａが形成されたシリコン基板１を用意し、図１５Ｅに示すように、そのシリコン基板１を、ステップＳ１４で加工した接合基板４Ｘのガラス基板２の上面２Ａに重ね合わせて、上述の陽極接合処理を施すことにより、シリコン基板１とガラス基板２とを陽極接合し、接合基板４を形成する（基板接合工程２；Ｓ１５）。

次に、接合基板４について、図１に示した処理フローに従って接合基板の検査を実施することにより、接合基板４におけるシリコン基板１，３とガラス基板２との接合状態が良好な領域と不良な領域と判別し、良好な領域から切り出したセンサチップを選別する（チップ選別工程：Ｓ１６）。

具体的には、図１５Ｆに示すように、ステップＳ１５で形成された接合基板４上のシリコン基板１，３を、ブレード９を用いてスクライブラインに沿ってダイシングを行うことにより、接合基板４から複数のセンサチップ６と複数のテストチップ５とを切り出す（Ｓ１）。

次に、切り出された各テストチップ５について、その接合面を引き剥がす（Ｓ２）。

次に、各テストチップ５の接合面におけるテストパターン２ｄａ，２ｄｂの破壊状態を夫々検査し、剥離した接合面において界面破壊が生じているか凝集破壊が生じているかを判別する（Ｓ３）。

上記半導体圧力センサの製造方法における各テストチップ５の引き剥がし試験は、シリコン基板１とガラス基板２との接合面と、シリコン基板３とガラス基板２との接合面の両方の接合面について行われ、両方の上記接合面におけるテストパターン２ｄａ，２ｄｂに凝集破壊が生じている場合には、そのテストチップ５の接合状態が良好であると推定され、少なくとも一方の上記接合面において界面破壊が生じている場合には、そのテストチップ５の接合状態が不良であると推定される。

そして、界面破壊が生じているテストチップ５と凝集破壊が生じているテストチップ５の夫々の接合基板４上の位置関係から、接合基板４における接合状態が良好な領域と不良な領域とを推定し、接合状態が良好な領域から切り出されたセンサチップ６を選別する（Ｓ４）。センサチップ６の具体的な選別方法については、上述のとおりである。

その後、図１４に示すように、ステップＳ１６で接合状態が良好と判定されたセンサチップ６をパッケージングし、半導体圧力センサデバイスとする（パッケージング工程：Ｓ１７）。

以上の処理により、陽極接合状態が良好なセンサチップ６のみを用いた半導体圧力センサデバイスを製造することが可能となる。

〈接合基板検査システム〉
上述した接合基板の検査方法は、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）等のプログラム処理を行う情報処理装置を用いて実現することも可能である。以下に一例を示す。

図１６は、本発明の一実施の形態に係る接合基板検査システムの構成を示す図である。
同図に示される接合基板検査システム５００は、図１に示した接合基板の検査方法のフローのうち、ステップＳ３とステップＳ４を実行するためのシステムであり、例えば、カメラ等の撮像装置５０と、プログラム処理を行うＰＣ等の情報処理装置５１とを備えている。

撮像装置５０は、上記ステップＳ２の引き剥がし試験によって接合面が剥離された複数のテストチップの接合面を夫々撮影し、その画像データを情報処理装置５１に入力する。

情報処理装置５１は、入力された画像データに基づいて接合基板における接合状態が良好なセンサチップを選別する。具体的に、情報処理装置５１は、画像取得部５２、破壊状態判定部５３、領域判定部５４、チップ選別部５５、記憶部５６、出力部５７、および操作入力部５８を備えている。

情報処理装置５１において、画像取得部５２は、撮像装置５０によって撮影された各テストチップの剥離された接合面の画像データ５６１を取得し、記憶部５６に記憶する。破壊状態判定部５３は、記憶部５６に記憶された画像データ５６１（例えば図９Ａ，９Ｂに示す画像の画像データ）に基づいて、公知のパターンマッチング処理等の各種画像処理を実行することにより、テストチップ毎に、接合面の破壊状態が界面破壊であるか凝集破壊であるかを判定し、判定結果をテストチップ判定データ５６２として記憶部５６に記憶する。

記憶部５６は、接合基板検査システムによる各種データ処理を実現するためのプログラムやパラメータが記憶される機能部であり、例えば、上述した画像データ５６１およびテストチップ判定データ５６２の他に、夫々のテストチップおよびセンサチップの接合基板上の座標情報（例えばＸ座標およびＹ座標）を含むチップ座標データ５６３と、後述する領域データ５６４と、選別チップデータ５６５とが記憶される。

領域判定部５４は、記憶部５６に記憶されているテストチップ判定データ５６２とチップ座標データ５６３とに基づいて、接合基板上の接合状態が良好な領域と不良な領域とを判定する。具体的に、領域判定部５４は、界面破壊が生じているテストチップの座標情報に基づいて、上述した手法により（図１０〜１２参照）、接合基板における接合状態が不良な領域を決定するとともに、それ以外の領域を接合状態が良好な領域として決定する。領域判定部５４は、接合状態が良好な領域を示す座標情報および接合状態が不良な領域を示す座標情報の少なくとも一方の情報を含む領域データ５６４を記憶部５６に記憶する。

チップ選別部５５は、記憶部５６に記憶されている領域データ５６４とチップ座標データ５６３とに基づいて、接合状態が良好なセンサチップを選別する。具体的に、チップ選別部５５は、チップ座標データ５６３に含まれるセンサチップの座標情報に基づいて、領域データ５６４によって特定される接合状態が良好な領域内に含まれる座標情報を有するセンサチップを選択し、選択したセンサチップのＩＤ情報を含む選別チップデータ５６５を記憶部５６に記憶する。なお、選別チップデータ５６５には、センサチップのＩＤ情報の他にそのセンサチップの座標情報等を含んでもよい。

出力部５７は、例えばキーボードやマウス等の操作入力部５８からの指示に応じて、記憶部５６に記憶されている選別チップデータ５６５を読み出して外部装置６０に出力する。
外部装置６０としては、例えば液晶ディスプレイ等の表示装置や、公知のチップ選別機等を例示することができる。例えば、外部装置６０が上記表示装置である場合、当該表示装置は、出力部５７から入力された選別チップデータ５６５に基づいて、接合状態が良好なセンサチップの情報として当該表示装置の画面上に表示してもよい。

〈本発明の一実施の形態に係る接合基板の検査方法による効果〉
以上、本実施の形態に係る接合基板の検査方法によれば、陽極接合処理時の電流密度の分布を考慮して、ガラス基板およびシリコン基板の何れか一方の表面の所定の位置に予め複数のテストパターンを形成しておき、陽極接合処理後に、ガラス基板とシリコン基板とが接合された接合基板から上記テストパターンを含むテストチップを切り出し、そのテストチップの接合面の引き剥がし試験を行うことにより、剥離した接合面において界面破壊が生じているか、凝集破壊が生じているかを判定するので、干渉縞が生じないような接合不良が生じている未接合箇所をも検出することが可能となる。

また、本実施の形態に係る接合基板の検査方法では、陽極接合処理時に正電極のプローブ１０４が接続される領域と平面視で重なりを有する接合面の領域にテストパターン１０２Ｃ＿１を形成するとともに、平面視でテストパターン１０２Ｃ＿１を中心とした円の径方向に互いに離間して複数のテストパターン１０２Ｃ＿２〜１０２Ｃ＿ｎを形成している。すなわち、陽極接合処理時の電流密度の分布、すなわち電流の流れやすさに沿ってテストチップを形成しているので、それらのテストチップの接合面の破壊状態を観察することにより、接合基板（ウェハ）における陽極接合の接合状態（接合強度）の分布を精度よく把握することが可能となる。

また、剥離した接合面において界面破壊が生じているテストチップと凝集破壊（母材破壊）が生じているテストチップの接合基板上の位置から、その接合基板における接合状態が良好な領域と不良な領域とを推定するので、テストチップ以外の、接合基板から切り出された製造の目的とされるチップ（センサチップ）を破壊することなく、接合状態が良好なチップを選別することが可能となる。

また、本実施の形態に係る接合基板の検査方法では、引き剥がし試験によってテストチップの接合面を剥離してその接合面の破壊状態を観察するので、特許文献１のようにフッ酸系水溶液を用いる必要がなく、簡便に検査を行うことが可能となる。

また、上記テストパターンは、製造の目的とされるチップに必要な機能を実現するためのパターン等とともに形成することができるので、テストパターンを形成するための新たな製造工程を追加する必要はなく、また、特許文献２に係る発明のようにチップに流れる電流を測定する必要もないので、低コストに検査を行うことが可能となる。

すなわち、本実施の形態に係る接合基板の検査方法によれば、接合基板から切り出した目的のチップにおける干渉縞が生じない程度の未接合箇所の有無を、その目的のチップを破壊することなく、簡便かつ低コストに検出することが可能となる。

また、陽極接合処理時に正電極のプローブ１０４を接合面の中心Ｐに接続する場合には、接合面の中心Ｐにテストパターン１０２Ｃ＿１を形成するとともに、平面視で接合面の中心Ｐを通り互いに直交する２本の直線上に複数のテストパターン１０２Ｃ＿２〜１０２Ｃ＿ｎを離間して形成することにより、陽極接合処理においてシリコン基板とガラス基板との間に高電圧を印加したときの平面方向の電流密度の分布に沿って接合状態の検査を行うことができるので、接合基板において接合状態が良好な領域と不良な領域とを判定することが容易となる。

また、テストパターンを、接合面の周縁部に平面視で接合面の円周方向に複数並べて配置することにより、接合不良が発生しやすい周縁部における接合状態の良否をより正確に判定することが可能となる。

また、陽極接合処理時に正電極のプローブ１０４を接合面の中心Ｐと異なる位置Ｓに接続する場合には、接合面において、テストパターンを平面視で位置Ｓを中心として放射状に配置することにより（図７等参照）、陽極接合処理においてシリコン基板とガラス基板との間に高電圧を印加したときの平面方向の電流密度の分布に沿って接合状態の検査を行うことができるので、接合基板において接合状態が良好な領域と不良な領域とを判定することが容易となる。

また、本実施の形態に係る接合基板の検査方法を、接合基板を用いた半導体デバイス（例えば半導体圧力センサ）の製造方法に適用することにより、接合基板において接合状態が良好な半導体チップ（センサチップ）を適切に選別することが可能となるので、半導体デバイスの歩留まりを向上が期待できる。

以上、本発明者らによってなされた発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。

例えば、上記実施の形態では、接合基板がシリコン基板とガラス基板とを陽極接合した陽極接合基板である場合を例示したが、陽極接合基板のような接合強度の分布が生じる接合基板であればよく、上記検査方法による検査対象の接合基板は、陽極接合基板に限定されるものではない。

また、上記実施の形態では、テストパターンが、ガラス基板を加工することにより形成される場合を例示したが、これに限られず、シリコン基板およびガラス基板の少なくとも一方を加工して形成されていればよい。例えば、シリコン基板を加工することによりテストパターンを形成してもよいし、シリコン基板およびガラス基板の夫々の表面にテストパターンを形成し、それらのテストパターンを重ね合わせて陽極接合させてもよい。

１００…接合基板、１００Ｄ…周縁部、１００Ｅ〜１００Ｇ…接合状態が不良な領域、１０１…シリコン基板、１０２…ガラス基板、１０２Ｃ，１０２Ｃ＿１〜１０２Ｃ＿ｎ…テストパターン、１０６，１０７…直線、１０３…円、１０４…プローブ、１０５…負電極、１１０，１１０＿１〜１１０＿ｎ…テストチップ、１２０，１２０＿１〜１２０＿ｍ…センサチップ、Ｐ…接合面の中心、１，３…シリコン基板、２…ガラス基板、１ａ…センサダイアフラム、２ａ，２ｂ…厚肉部、２ｃ，３ｃ…貫通孔、２Ａ…ガラス基板２の上面、２Ｂ…ガラス基板２の下面、４Ｘ…接合基板、５０…撮像装置、５１…情報処理装置、５２…画像取得部、５３…破壊状態判定部、５４…領域判定部、５５…チップ選別部、５６…記憶部、５７…出力部、５８…操作入力部。

Claims (12)

1. シリコン基板とガラス基板とが接合され、前記シリコン基板と前記ガラス基板との接合面に、前記シリコン基板および前記ガラス基板の少なくとも一方を加工して形成された複数のテストパターンを有する接合基板から、前記テストパターンを含む第１チップを切り出すとともに、接合基板のテストパターンが形成されている領域以外の領域から第２チップを切り出す第１工程と、
   前記第１チップの前記接合面を剥離する第２工程と、
   前記第２工程で剥離された前記第１チップの前記接合面において凝集破壊が生じている場合に、当該第１チップによって特定される前記接合基板上の領域から切り出された前記第２チップの接合状態が良好であると判定し、前記第２工程で剥離された前記第１チップの前記接合面において界面破壊が生じている場合に、当該第１チップによって特定される前記接合基板上の領域から切り出された前記第２チップの接合状態が不良であると判定する第３工程とを含み、
   前記複数のテストパターンは、
   前記シリコン基板と前記ガラス基板とを陽極接合させるときに、前記シリコン基板と前記ガラス基板との間に電圧を印加するための正電極が接続される前記シリコン基板上の領域と平面視で重なりを有する前記接合面の領域に配置された第１テストパターンと、
   前記接合面において、平面視で前記第１テストパターンを中心とした円の径方向に互いに離間して配置された複数の第２テストパターンとを含む
   接合基板の検査方法。
2. 請求項１に記載の接合基板の検査方法において、
   前記接合基板は、平面視円形状であって、
   前記第１テストパターンは、前記接合面において、平面視で前記接合面の中心に配置され、
   前記第２テストパターンは、前記接合面において、平面視で前記接合面の中心を通り互いに直交する２本の直線上に複数離間して配置されている
   ことを特徴とする接合基板の検査方法。
3. 請求項２に記載の接合基板の検査方法において、
   前記第２テストパターンは、更に、前記接合面の周縁部において、平面視で前記接合面の円周方向に複数並んで配置されている
   ことを特徴とする接合基板の検査方法。
4. 請求項１に記載の接合基板の検査方法において、
   前記接合基板は、平面視円形状であって、
   前記第１テストパターンは、前記接合面において、平面視で前記接合面の中心と異なる位置に形成され、
   前記第２テストパターンは、前記接合面において、平面視で前記第１テストパターンを中心とした放射状に配置されている
   ことを特徴とする接合基板の検査方法。
5. 請求項１乃至４の何れか一項に記載の接合基板の検査方法において、
   前記シリコン基板は、前記ガラス基板の一方の面に陽極接合された第１シリコン基板と、前記ガラス基板の他方の面に陽極接合された第２シリコン基板とを含み、
   前記テストパターンは、前記第１シリコン基板と前記ガラス基板とが接合された面、および前記第２シリコン基板と前記ガラス基板とが接合された面に夫々形成される
   ことを特徴とする接合基板の検査方法。
6. 請求項１乃至５の何れか一項に記載の接合基板の検査方法において、
   前記第３工程は、界面破壊が生じている前記テストパターンによって囲まれる前記接合基板上の領域から切り出された前記第２チップの接合状態が不良であると判定する工程を含む
   ことを特徴とする接合基板の検査方法。
7. シリコン基板およびガラス基板の少なくとも一方の表面に複数のテストパターンを形成するテストパターン形成工程と、
   前記テストパターンを介して前記シリコン基板と前記ガラス基板とを陽極接合した接合基板を形成する基板接合工程と、
   請求項１乃至６の何れか一項に記載の接合基板の検査方法によって、前記基板接合工程で形成した前記接合基板から、前記テストパターンを含む第１チップと、製造の目的とされる複数の第２チップとを切り出し、剥離した前記第１チップの接合面の破壊状態に基づいて、接合状態が良好な前記第２チップを選別するチップ選別工程と、
   前記チップ選別工程で選別された前記第２チップをパッケージングし、前記半導体デバイスとするパッケージング工程とを含む
   ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
8. シリコン基板と、
   ガラス基板と、
   前記シリコン基板および前記ガラス基板の少なくとも一方の基板の表面に形成された複数のテストパターンと、を有し、
   前記シリコン基板と前記ガラス基板とは、前記テストパターンを介して互いに陽極接合され、
   前記複数のテストパターンは、
   前記シリコン基板と前記ガラス基板とを陽極接合させるときに前記シリコン基板と前記ガラス基板との間に電圧を印加するための正電極が接続される前記シリコン基板上の領域と平面視で重なりを有する前記接合面の領域に配置された第１テストパターンと、
   前記接合面において前記第１テストパターンを中心とした円の径方向に互いに離間して配置された複数の第２テストパターンとを含む
   接合基板。
9. 請求項８に記載の接合基板において、
   前記ガラス基板および前記シリコン基板は、平面視円形状であって、
   前記第１テストパターンは、前記接合面において、平面視で前記接合面の中心に配置され、
   前記第２テストパターンは、前記接合面において、平面視で前記第１テストパターンを通り互いに直交する２本の直線上に複数離間して配置されている
   ことを特徴とする接合基板。
10. 請求項９に記載の接合基板において、
    前記第２テストパターンは、前記接合面の周縁部において、平面視で前記接合面の円周方向に複数並んで配置されている
    ことを特徴とする接合基板。
11. 請求項８に記載の接合基板において、
    前記ガラス基板および前記シリコン基板は、平面視円形状であって、
    前記第１テストパターンは、前記接合面において、平面視で前記接合面の中心と異なる位置に形成され、
    前記第２テストパターンは、前記接合面において、平面視で前記第１テストパターンを中心とした放射状に配置されている
    ことを特徴とする接合基板。
12. 請求項８乃至１１の何れか一項に記載の接合基板において、
    前記シリコン基板は、前記ガラス基板の一方の面に陽極接合された第１シリコン基板と、前記ガラス基板の他方の面に陽極接合された第２シリコン基板とを含み、
    前記テストパターンは、前記第１シリコン基板と前記ガラス基板とが接合される面、および前記第２シリコン基板と前記ガラス基板とが接合される面に夫々形成されている
    ことを特徴とする接合基板。