JP2018054609A - ガスセンサ及びその製造方法 - Google Patents

ガスセンサ及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018054609A
JP2018054609A JP2017183206A JP2017183206A JP2018054609A JP 2018054609 A JP2018054609 A JP 2018054609A JP 2017183206 A JP2017183206 A JP 2017183206A JP 2017183206 A JP2017183206 A JP 2017183206A JP 2018054609 A JP2018054609 A JP 2018054609A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polymer layer
hydrogen
gas sensor
substrate
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017183206A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6427645B2 (ja
Inventor
ウイ・ヒュン・リュウ
Eui Hyun Ryu
ピーター・トレフォナス・サード
Torefonas Peter Iii
ボク−ヒー・リー
Bok-Hee Lee
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd, Rohm and Haas Electronic Materials LLC filed Critical Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd
Publication of JP2018054609A publication Critical patent/JP2018054609A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6427645B2 publication Critical patent/JP6427645B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/125Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403Cells and electrode assemblies
    • G01N27/406Cells and probes with solid electrolytes
    • G01N27/407Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/02Analysing fluids
    • G01N29/022Fluid sensors based on microsensors, e.g. quartz crystal-microbalance [QCM], surface acoustic wave [SAW] devices, tuning forks, cantilevers, flexural plate wave [FPW] devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/02Analysing fluids
    • G01N29/036Analysing fluids by measuring frequency or resonance of acoustic waves
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/22Details, e.g. general constructional or apparatus details
    • G01N29/24Probes
    • G01N29/2437Piezoelectric probes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
    • G01N33/0006Calibrating gas analysers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
    • G01N33/0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
    • G01N33/0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
    • G01N33/0027General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/30Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
    • H10N30/304Beam type
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/021Gases
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/025Change of phase or condition
    • G01N2291/0255(Bio)chemical reactions, e.g. on biosensors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/025Change of phase or condition
    • G01N2291/0256Adsorption, desorption, surface mass change, e.g. on biosensors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

【課題】検査の検出表面積を増加させることでガスセンサの感度を向上させる。
【解決手段】ガスセンサであって、基板154と、該基板上に配置された第1の表面157及び第2の表面159を有する第1のポリマー層155Aであって、該第1の表面が、該基板に接触し、該第2の表面が、該第1の表面に対向し、かつ該第1の表面より大きい表面積を有し、該第1のポリマー層が、脱保護された水素供与体を有する反復単位を含む、第1のポリマー層と、該第1のポリマー層上に配置された第2のポリマー層155Bであって、該第2のポリマー層が、水素受容体を含む反復単位に由来する、第2のポリマー層と、を備える。
【選択図】図2(A)

Description

本開示は、ガスセンサ及びその製造方法に関する。
ガスセンサは、家庭及び工業界における有害な、不要な、及び不快なガスの存在を検出するために使用される。かかるガスの例は、一酸化炭素、二酸化炭素、ホルムアルデヒド、硫化水素、アミン、オゾン、アンモニア、ベンゼン等である。これらの有害なガスを検出するために、ガスとの水素結合、ファンデルワールス相互作用、π−π相互作用、及び静電相互作用等の弱い相互作用を有する官能化ポリマーが使用される。これらの官能化ポリマーは概して、化学センサ内に使用される圧電性センサと直接接触するセンサ電極の表面にコーティングされる。
この検出プロセス中、捕捉された有害な、不要な、及び不快なガスからの重量変化が、圧電性プロセスによって電流に転換される。したがって、ガスセンサの感度は、センサの検出表面に接触するガスの量に依存する。したがって、検出能力を改善するために、センサの接触表面の表面積を増加させることが望ましい。
ガスセンサであって、基板と、該基板上に配置された第1の表面及び第2の表面を有する第1のポリマー層であって、該第1の表面が、該基板に接触し、該第2の表面が、該第1の表面に対向し、かつ該第1の表面より大きい表面積を有し、該第1のポリマー層が、脱保護された水素供与体を有する反復単位を含む、第1のポリマー層と、該第1のポリマー層上に配置された第2のポリマー層であって、該第2のポリマー層が、水素受容体を含む反復単位に由来する、第2のポリマー層と、を備えるガスセンサが、本明細書に開示される。
ガスセンサの製造方法であって、第1の表面及び第2の表面を有する第1のポリマー層を基板上に配置することであって、該第1の表面が、該基板に接触し、該第2の表面が、該第1の表面に対向し、かつ該第1の表面より大きい表面積を有し、該第1のポリマー層が、脱保護された水素供与体を有する反復単位を含む、配置することと、第2のポリマー層を該第1のポリマー層上に配置することであって、該第2のポリマー層が、水素受容体を含む反復単位に由来する、配置することと、を含む方法も、本明細書に開示される。
ガスの検出方法であって、ガスセンサをガス状分子と接触させることであって、該ガスセンサが、基板、該基板上に配置された第1の表面及び第2の表面を有する第1のポリマー層であって、該第1の表面が該基板に接触し、該第2の表面が該第1の表面に対向し、かつ該第1の表面より大きい表面積を有し、該第1のポリマー層が脱保護された水素供与体を有する反復単位を含む、第1のポリマー層、ならびに該第1のポリマー層上に配置された第2のポリマー層であって、該第2のポリマー層が水素受容体を含む反復単位に由来する、第2のポリマー層を備える、接触させることと、該ガス分子と該第2のポリマー層との間に水素結合、ファンデルワールス相互作用、π−π相互作用、または静電相互作用のうちの少なくとも1つを形成することと、該水素結合、該ファンデルワールス相互作用、該π−π相互作用、及び該静電相互作用の該形成の前及び後の該センサの重量差に基づいて、該ガス分子の同一性を決定することと、を含む方法も、本明細書に開示される。
ガス感知デバイスアセンブリの例示的な分解図を描写する。 その上に配置された第1及び第2のポリマー層を有する基板の1つの例示的な実施形態を描写する。 その上に配置された第1及び第2のポリマー層を有する基板の別の例示的な実施形態を描写する。 感知要素の1つの製造方法を描写する。 感知要素の別の製造方法を描写する。
大気中の望ましくない有害なガスの検出の感度を改善するガスセンサ及びガスセンサのためのセンサ要素が、本明細書に開示される。センサ要素は、その上に第1のポリマー層が配置された基板を備える。実施形態では、基板は、センサ要素の重量変化を電気信号に変換する圧電性結晶である。第1のポリマー層は、基板に接触する第1の表面と、第1の表面より大きい表面積を有する、第1の表面に対向する第2の表面とを有する。例示的な実施形態では、第2の表面は、テクスチャ加工された表面を有する。テクスチャは、テクスチャ加工されていない同一の表面を著しく上回って表面積を増加させる。
実施形態では、第1のポリマー層は、脱保護された水素供与体を有する反復単位を含む。第2のポリマー層は、第1のポリマー層上に配置される。第2のポリマー層は、水素受容体を含む反復単位を有する。
ガス分子が第2のポリマー層の自由表面に接触するとき(自由表面は、周囲大気に接触していない表面である)、それは、水素結合、ファンデルワールス相互作用、π−π相互作用、静電相互作用、またはそれらの組み合わせによって自由表面と相互作用し、それはセンサ要素の重量を増加させる。圧電性結晶は、感知要素の重量差を電気信号に変換し、該電気信号は次に、有害ガスの同一性を決定するために使用される。
図1は、センサ要素150とハウジング160とを備えるガス感知デバイスアセンブリ100の分解図を示す。センサ要素150は、関心の流体成分と相互作用して、元の多層コーティングとは異なる質量特性の相互作用生成物をもたらす第1のポリマー層及び第2のポリマー層でコーティングされた(以下、多層コーティング155)、基板154を備える。実施形態では、基板154は、圧電性結晶を備える。
その上に配置された多層コーティングを有する基板154(本明細書ではコーティング基板とも称される)は、プラグ部材152に装着され、コーティング基板が空洞162内に延在する状態でプラグ部材がハウジング160に係合されるときに、基板154のそれぞれのリードはプラグ部材の外に突出する。ハウジング160は、開口164を特徴付け、それによって、ガスは、センサ要素150を含有する空洞162内へ流れ得る。図1の正面斜視図には示されていないが、ハウジング160は、センサ要素150を通過して流れる流体成分をハウジングから排出するために、開口164に対向し、かかる開口に対して位置決めされた別の開口をその中に有する。
センサ要素150のリード156及び158は、図1に電子機器モジュール166として概略的に示される好適な電子機器に接触してもよく、それによって、有害ガス種の存在及び濃度が検出され得る。電子機器モジュール166は、ワイヤ163及び165によって、それぞれセンサ要素リード156及び158に接触する。
電子機器モジュール166は、(i)振動電場が印加されている間の圧電性結晶の出力共鳴周波数をサンプリングする、(ii)センサ材料が監視されている流体中のガス種と相互作用するときの相互作用生成物の形成に起因する、基本共鳴周波数からの共鳴周波数の変化を決定する、及び(iii)かかる流体中のガス種の存在を示す出力を発生させる、機能を提供する。
図1に示されるセンサアセンブリの特定の実施形態では、ハウジング160は、その中に機械加工されたセンサ要素150の挿入のための空洞162と、センサを通って流れるように監視されているガスのための2つの貫通開口(開口164、及び図1には示されていない対向する開口)とを有する金属またはプラスチックのハウジングを備えてもよい。流れ規制開口部が、このハウジングの本体内にある。フロントエンドドライバ電子機器は、センサアセンブリの脚(リード156及び158)に直接差し込まれる。
図2(A)及び2(B)は、その上に配置された多層コーティング155を有する基板154を示す。好適な基板154は、圧電性特性を示すものである。かかる基板の例は、石英、ベルリナイト(AlPO)、トパーズ、トルマリングループ鉱物、チタン酸鉛(PbTiO)、ランガサイト(LaGaSiO14)、石英様結晶;オルトリン酸ガリウム(GaPO)、同様に石英様結晶;ニオブ酸リチウム(LiNbO)、タンタル酸リチウム(LiTaO)、チタン酸バリウム(BaTiO)、チタン酸ジルコン酸鉛(Pb[ZrTi1-x]O、0≦x≦1)−より一般的にはPZTとして知られる、ニオブ酸カリウム(KNbO)、タングステン酸ナトリウム(NaWO)、BaNaNb、PbKNb15、酸化亜鉛(ZnO)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)等、またはそれらの組み合わせである。
多層コーティング155は、第1のポリマー層155A及び第2のポリマー層155Bを備える。第1のポリマー層155Aは、対向する表面157及び159を有し、表面157(以下、第1の表面157)は、基板154に接触する。第2の表面159は、テクスチャ加工され、第2のポリマー層155Bに接触する。実施形態では、第2のポリマー層155Bは、第1の表面161及び第2の表面163を有する。第2のポリマー層155Bの第1の表面161は、第1のポリマー層155Aの第2の表面159に接触する。実施形態では、第2のポリマー層155Bの第2の表面163は、第2のポリマー層155Bの第2の表面159に平行である。
第1のポリマー層155Aは、脱保護された水素供与体を有する反復単位を含む。脱保護された水素供与体は、第1のポリマー層155Aの第2のポリマー層155Bからのマクロ相分離を防止するために、第2のポリマー層155Bを構成するポリマー単位と化学的に相互作用することが望ましい。第1のポリマー層155A内に使用されるポリマーは、ホモポリマー、コポリマー、またはそれらの組み合わせのいずれかを含む熱可塑性ポリマーであってもよい。コポリマーは、ブロックコポリマー(例えば、ジブロックコポリマーまたはトリブロックコポリマー)、交互コポリマー、ランダムコポリマー、グラジエントコポリマー、グラフトコポリマー、星型ブロックコポリマー、イオノマー、または前述のポリマーのうちの少なくとも1つを含む組み合わせであってもよい。
第1のポリマー層155Aのホモポリマーまたはコポリマーは、第2のポリマー層155B内の水素受容体基と(例えば、結合を形成することによって)相互作用する脱保護された水素供与体を含む。脱保護された水素供与体は、第1のポリマー層155Aのホモポリマーまたはコポリマー中に存在する保護された水素供与体(例えば、保護された酸基または保護されたアルコール基)を脱保護することによって得られる。保護された水素供与体基(ブロックされた水素供与体基とも称される)は概して、保護された酸基または保護されたアルコール基を含む。酸及び/またはアルコール基は、酸、酸発生剤(例えば、熱酸発生剤または光酸発生剤)、熱エネルギー、または電磁放射線への曝露によって脱保護され得る部分(例えば、分解性基)によって保護される。
ブロッキングに使用され得る好適な酸分解性基は、C4−303級アルキルエステルである。例示的なC4−303級アルキル基としては、2−(2−メチル)プロピル(「t−ブチル」)、2−(2−メチル)ブチル、1−メチルシクロペンチル、1−エチルシクロペンチル、1−メチルシクロヘキシル、1−エチルシクロヘキシル、2−メチルアダマンチル、2−エチルアダマンチル、または前述のうちの少なくとも1つを含む組み合わせが挙げられる。特定の実施形態では、酸分解性基は、t−ブチル基またはエチルシクロペンチル基である。
カルボン酸を保護するための追加的な分解性基としては、置換メチルエステル、例えば、メトキシメチル、テトラヒドロピラニル、テトラヒドロフラニル、2−(トリメチルシリル)エトキシメチル、ベンジルオキシメチル等;2−置換エチルエステル、例えば、2,2,2−トリクロロエチル、2−ハロエチル、2−(トリメンチルシリル(trimentylsilyl))エチル等;2,6−ジアルキルフェニルエステル、例えば、2,6−ジメチルフェニル、2,6−ジイソプロピルフェニル、ベンジル等;置換ベンジルエステル、例えば、トリフェニルメチル、p−メトキシベンジル、1−ピレニルメチル等;シリルエステル、例えば、トリメチルシリル、ジ−t−ブチルメチルシリル、トリイソプロピルシリル等が挙げられる。
電磁放射線によって分解されて、遊離カルボン酸またはアルコールを形成し得る基の例としては、以下のものが挙げられる:
電磁放射によって分解されて、遊離アミンを形成し得る基の例としては、以下のものが挙げられる:
追加的な保護基及びそれらを分解するための方法は、有機化学の技術分野において既知であり、Greene and Wutsによって「Protective groups in organic synthesis」、Third Edition,John Wiley & Sons,Inc.,1999にまとめられている。
第1のポリマー層155Aは、コポリマーを含み、第1のポリマーは、ブロックされた水素供与体を含み、第2のポリマーは、第1のポリマーと非相溶性である天然ポリマーであってもよい。
第1のブロック(ブロックされた水素供与体とも称される)は、保護された酸基及び/または保護されたアルコール基を含有する。酸及び/またはアルコール基は、酸、酸発生剤(例えば、熱酸発生剤または光酸発生剤)、熱エネルギー、または電磁放射線への曝露によって脱保護され得る部分によって保護される。好適な酸分解性基は、上に列挙される。
保護された基の分解の温度は、100〜250℃である。電磁放射線は、UV放射、赤外線放射、X線、電子ビーム放射等を含む。例示的な保護された酸基は、下の式(1)〜(9)に示される。
及び
式中、nは、反復単位の数であり、Rは、C〜C30アルキル基、好ましくはC〜C10アルキル基であり、式(7)〜(12D)内のRは、水素、C〜C10アルキルであり、Rは、水素またはC〜C10アルキルである。式(8)中、酸素ヘテロ原子は、オルト、メタ、またはパラ位のいずれかに位置してもよい。
保護され得る他の酸基としては、リン酸基及びスルホン酸基が挙げられ得る。第1のポリマー層155Aのブロックコポリマー内に使用され得るスルホン酸基及びリン酸基を含有するブロックが、下に示される。
及び
好適な酸素含有基は、レジストパターンの表面に脱保護されたアルコール基と水素結合を形成し得る。有用な酸素含有基としては、例えば、エーテル及びアルコール基が挙げられる。好適なアルコールとしては、例えば、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル等の1級ヒドロキシル基、1−ヒドロキシエチル、1−ヒドロキシプロピル等の2級ヒドロキシル基、及び2−ヒドロキシプロパン−2−イル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピル等の3級アルコール、及び2−ヒドロキシベンジル、3−ヒドロキシベンジル、4−ヒドロキシベンジル、2−ヒドロキシナフチル等のフェノール誘導体が挙げられる。有用なエーテル基としては、例えば、メトキシ、エトキシ、2−メトキシエトキシ等が挙げられる。他の有用な酸素含有基としては、ペンタン−2,4−ジオン等のジケトン官能性、及びエタノン、ブタノン等のケトンが挙げられる。
保護されたアルコールブロックの例は、式(12)及び(13)に示され、
及び
式中、nは、反復単位の数であり、式(12)内のRは、水素またはC〜C10アルキルであり、Rは、水素またはC〜C10アルキルである。
I式(1)〜(13)に示されるポリマーに加えて、第1のポリマー層155A内でポリマーに変換され、ホモポリマーとしてか、またはコポリマーの一部として使用され得る他のモノマーは、例えば、下に示される。
第1のポリマー層155A内に使用される第1のポリマーがホモポリマーであるとき、それは、1,000〜100,000グラム毎モル、好ましくは5,000〜30,000グラム毎モルの重量平均分子量平均を有する。
第1のポリマー層155A内に使用される第1のポリマーがコポリマーの一部であるとき、それは、1,000〜100,000グラム毎モル、好ましくは5,000〜30,000グラム毎モルの重量平均分子量平均を有する。
第1のポリマー層155A内に使用されるコポリマーの第2のポリマーの例は、ポリスチレン、ポリアクリレート、ポリオレフィン、ポリシロキサン、ポリカーボネート、ポリアクリル酸、ポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアリレート、ポリアリールスルホン、ポリエーテルスルホン、硫化ポリフェニレン、ポリ塩化ビニル、ポリスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、ポリベンゾオキサゾール、ポリフタリド、ポリ酸無水物、ポリビニルエーテル、ポリビニルチオエーテル、ポリビニルケトン、ポリハロゲン化ビニル、ポリビニルニトリル、ポリビニルエステル、ポリスルホネート、ポリスルフィド、ポリチオエステル、ポリスルホンアミド、ポリ尿素、ポリホスファゼン、ポリシラザン等、またはそれらの組み合わせを含む。
第1のポリマー層155A内に使用されるコポリマーの例示的な第2のポリマーは、ビニル芳香族モノマーに由来する。第2のブロックのビニル芳香族モノマーは、好ましくは以下の一般式(14):
のものであり、式中、Rは、水素及びC〜Cアルキルまたはハロアルキル、例えば、フルオロ−、クロロ−、ヨード−、もしくはブロモアルキル等から選択され、水素が典型的であり、Rは、水素、ハロゲン(F、Cl、I、またはBr)、及び任意に置換されたアルキル、例えば、任意に置換されたC〜C10直鎖もしくは分岐状アルキルまたはC〜C環状アルキル等、任意に置換されたアリール、例えば、C〜C25、C〜C15、もしくはC〜C10アリール、またはC〜C30、C〜C20、もしくはC〜C15アラルキル等から独立して選択され、また任意に、−O−、−S−、−C(O)O−、及び−OC(O)−から選択される1つ以上の結合部分を含み、2つ以上のR基が、例えば、ナフチル、アントラセニル等の縮合環等の1つ以上の環を形成し、aは、0〜5の整数である。
式(14)の好適なビニル芳香族モノマーとしては、例えば、以下から選択されるモノマーが挙げられる:
第1のポリマー層155A内に使用される第2のポリマーがコポリマーの一部であるとき、それは、1,000〜100,000グラム毎モル、好ましくは3,000〜30,000グラム毎モルの重量平均分子量平均を有する。
第2のポリマー層155Bは概して、水素受容体及び感知受容体を含有する反復単位に由来するポリマーを含む。実施形態では、水素受容体は、感知受容体と同じである。別の実施形態では、水素受容体は、感知受容体とは異なる。第2のポリマー層155B内に使用されるポリマーは、第1のポリマー層155Aが第2のポリマー層155Bからマクロ相分離することを防止するために、第1のポリマー層155A内に使用されるポリマーとの相互作用を受け得る。水素受容体は、第1のポリマー層155Aの脱保護された水素供与体との水素結合、ファンデルワールス相互作用、π−π相互作用、静電相互作用、またはそれらの組み合わせを受けるように動作する。感知受容体はまた、センサを取り巻く周囲大気中に存在する有害な、不要な、または不快なガス分子との水素結合、ファンデルワールス相互作用、π−π相互作用、静電相互作用、またはそれらの組み合わせを受けるように動作する。
第2のポリマー層155B内に使用される水素受容体含有ポリマーは、ホモポリマーまたはコポリマーであってもよい。実施形態では、水素受容体含有ポリマーは、ランダムコポリマーまたはブロックコポリマーであり得る。第2のポリマー層155B内に使用される水素受容体含有ポリマーがコポリマーであるとき、両ポリマーは概して、水素受容体を有する反復単位を含む。実施形態では、第2のポリマー層155B内に使用されるポリマーがホモポリマーであるとき、水素受容体はまた、感知受容体の役割を果たしてもよい。別の実施形態では、第2のポリマー層155B内に使用されるポリマーがコポリマーであるとき、反復単位のうちの一方は水素受容体として機能し、他方は感知受容体として機能してもよい。別法として、コポリマーの反復単位のうちの一方は、水素受容体及び感知受容体の両方として機能してもよく、他方の反復単位は、別の機能を実施する。
水素受容体含有ポリマーは概して、窒素含有基を含む。感知受容体は、窒素含有基、脂肪族もしくは芳香族基、またはハロゲン化脂肪族もしくは芳香族基を含む。好適な窒素含有基は、ポリマー層155A及び155Bの表面に酸基とイオン結合を形成し得る。有用な窒素含有基としては、例えば、アミン基及びアミド基、例えば、アミン等の1級アミン、N−メチルアミン、N−エチルアミン、N−t−ブチルアミン等を含むアルキルアミン等の2級アミン、N,N−ジメチルアミン、N,N−メチルエチルアミン、N,N−ジエチルアミン等を含むN,N−ジアルキルアミン等の3級アミンが挙げられる。有用なアミド基としては、N−メチルアミド、N−エチルアミド、N−フェニルアミド、N−ジメチルアミド等のアルキルアミドが挙げられる。窒素含有基はまた、例えば、ピリジン、インドール、イミダゾール、トリアジン、ピロリジン、アザシクロプロパン、アザシクロブタン、ピペリジン、ピロール、プリン、ジアゼチジン、ジチアジン、アゾカン、アゾナン(azonane)、キノリン、カルバゾール、アクリジン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の、環の一部でもあり得る。好ましい窒素含有基は、アミン基、アミド基、ピリジン基、またはそれらの組み合わせである。実施形態では、第2のポリマー層155B内のアミンは、第1のポリマー層155Aの表面で遊離酸とイオン結合を形成して、第2のポリマー層155Bを固定する。
実施形態では、第2のポリマー層155B内に使用されるポリマーの反復単位は、水素受容体を含有する。実施形態では、水素受容体は、窒素含有基を含む。窒素含有基を含む水素受容体含有ポリマーの例は、下の式(15)〜(20)に示され、
式中、nは、反復単位の数であり、Rは、C〜C30アルキル基、好ましくはC〜C10アルキル基であり、R及びRは、同一または異なっていることができ、また水素、ヒドロキシル、C〜C30アルキル基、好ましくはC〜C10基であり得、Rは、水素またはC〜C30アルキル基である。
式中、n、R、R、R、及びRは、式(15)において上に定義される。
式(16)の構造の好ましい形態は、下の式(17)に示される:
式中、RNR基は、パラ位に位置し、n、R、R、R、及びRは、式(15)において上に定義される。
窒素含有基を含む水素受容体含有ブロックの別の例は、下の式(18)に示される
式(4)において、n及びRは、式(15)において定義され、窒素原子は、オルト、メタ、パラ位、または任意のそれらの組み合わせ(例えば、オルト及びパラ位の両方)にあり得る。
窒素含有基を含む水素受容体含有ブロックのまた別の例は、下の式(19)に示され、
式中、n及びRは、式(15)において上に定義される。
窒素含有基を含む水素受容体含有ブロックのまた別の例は、下の式(20)に示されるポリ(アルキレンイミン)であり、
式中、Rは、1〜4個の窒素原子で置換された5員環であり、Rは、C〜C15アルキレンであり、nは、反復単位の総数を表す。式(20)の構造の例は、ポリエチレンイミンである。式(20)の水素受容体の例示的な構造は、下に示される。
上述の通り、水素受容体を含むブロックは、所望によりブロック基によって保護されてもよい。水素受容体は、酸分解性基、熱分解性基、または電磁放射線によって分解され得る基によって保護またはブロックされてもよい。実施形態では、酸分解性基は、電磁放射線への曝露の結果として熱分解または分解され得る。
保護されたアミンブロック(ブロックまたは保護された受容体)の例は、下の式(18)〜(21)に示される。
適用可能な式(18)〜(21)において、Rは、水素またはC〜C10アルキルであり、R及びRは、同一または異なっており、独立して、C〜C30アルキル基、好ましくはC〜C10基である。
第2のポリマー層155B内に使用される例示的な水素受容体含有ポリマーは、ポリ(4−ビニルピロリドン(vinylpyrollidone))、ポリ(2−ビニルピロリドン(vinylpyrollidone))、ポリ(4−ビニルピロリドン(vinylpyrollidone))とポリ(2−ビニルピロリドン(vinylpyrollidone))とのコポリマー、及びそれらの配合物である。
第2のポリマー層155B内に使用されるポリマーは、1,000〜100,000グラム毎モル、好ましくは3,000〜30,000グラム毎モルの重量平均分子量平均を有するホモポリマーである。
ここで図2(A)、2(B)、及び3を参照すると、ガスセンサの1つの製造様式において、第1のポリマー層155Aは、基板154上に配置される。第1のポリマー層155Aは、ポリマーに加えて溶媒を含有し得る第1の組成物の一部である。第1の組成物は、初めに基板154上に配置される。第1の組成物は次に、溶媒を蒸発させることによって乾燥されて、第1の表面及び第2の表面を有する第1のポリマー層155Aを形成し得る。次に、フォトレジストが第1のポリマー層の第2の表面上に配置され得る。次に、第2の表面の表面積を増加させるために、第1のポリマー層155Aの一部分がエッチングされ得る。したがって、第2の表面は、第1の表面の表面積の少なくとも2倍、好ましくは第1の表面の表面の少なくとも4倍であるテクスチャ加工された表面を有する。これは図3に描写され、ここでは、第1のポリマー層155Aは、基板154の表面上に配置される。第1のポリマー層は、スピンコーティング、スプレー塗装、浸漬コーティング、ドクターブレード等を使用して、基板上に配置されてもよい。
次に、フォトレジスト200が第1のポリマー層155Aの第2の表面上に配置され、第1の層155Aの一部分が、テクスチャ加工された第2の表面を形成するために放射線(hν)、化学エッチング、イオンビームエッチング等を使用して取り除かれる。図2(A)に見られる通り、第1のポリマー層155Aのほんの一部分が、第2のポリマー層155Bが第1のポリマー層155A上に配置されるときに、それがその面積全体に沿って第1のポリマー層155Aの表面に接触するように、取り除かれてもよい。
しかしながら、図2(B)に見られる通り、第1のポリマー層155Aの一部分は、第2のポリマー層155Bが第1のポリマー層155A上に配置されるときに、それがその面積全体に沿って第1のポリマー層155Aの表面に接触するが、さらに基板に接触するように、取り除かれてもよい。換言すると、第1のポリマー層155Aの一部分は、基板154の表面を曝露するようにエッチングされ得る。
第1のポリマー層155Aの一部分が取り除かれた後、保護された水素供与体は、電磁放射線、熱分解、光酸発生剤、酸発生剤等、またはそれらの組み合わせを使用して脱保護され得る。次に、第2のポリマー層155Bが、スピンコーティング、スプレー塗装、浸漬コーティング、ドクターブレード等を使用して第1のポリマー層155Aの第2の表面上に配置される。
第2のポリマー層155Bは、溶媒と水素受容体を含有するポリマーとを含む第2の組成物を第1のポリマー層155A上に配置することによって得られ得る。第2のポリマー層155Bが保護された水素受容体を含有する場合、それは、電磁放射線、熱分解、光酸発生剤、酸発生剤等、またはそれらの組み合わせを使用して脱保護され得る。図3に見られ得る通り、第2のポリマー層155Bの自由表面は、第1のポリマー層155Aの第1の表面(これは、基板に接触する表面である)より大きい表面積を有する。
第1のポリマー層155A内に使用されるポリマーがコポリマーである場合、第1のポリマー及び第2のポリマーは、基板154上に配置される際に、(ブロックAによって生成される相A及びブロックBによって生成される相Bに)相分離し得る。これは、図4に示される。ブロックコポリマーの相のうちの1つは、第2のポリマー層155Bがその上に配置されるテクスチャ加工された第2の表面を形成するようにエッチングされ得る。第1及び第2のポリマー層は、所望により焼成に供されてもよい。好適な焼成温度は、75〜200℃、好ましくは100〜150℃である。
第1及び第2のポリマー層の総厚さは、約10〜3000ナノメートル、好ましくは100〜1500ナノメートルである。層の厚さは、小型で軽量のガスセンサを製造する能力を提供する。
それぞれの第1及び第2の組成物内で使用され得る好適な溶媒としては、例えば、アルキルエステル、例えば、酢酸n−ブチル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸n−ペンチル、プロピオン酸n−ヘキシル、及びプロピオン酸n−ヘプチル、ならびに酪酸アルキル、例えば、酪酸n−ブチル、酪酸イソブチル、及びイソ酪酸イソブチル;ケトン、例えば、2−ヘプタノン、2,6−ジメチル−4−ヘプタノン、及び2,5−ジメチル−4−ヘキサノン;脂肪族炭化水素、例えば、n−ヘプタン、n−ノナン、n−オクタン、n−デカン、2−メチルヘプタン、3−メチルヘプタン、3,3−ジメチルヘキサン、及び2,3,4−トリメチルペンタン、ならびにフッ素化脂肪族炭化水素、例えば、ペルフルオロヘプタン;ならびにアルコール、例えば、直鎖、分岐状、または環状C〜C一価アルコール、例えば、1−ブタノール、2−ブタノール、3−メチル−1−ブタノール、イソブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、1−ヘキサノール、1−ヘプタノール、1−オクタノール、2−ヘキサノール、2−ヘプタノール、2−オクタノール、3−ヘキサノール、3−ヘプタノール、3−オクタノール、及び4−オクタノール;2,2,3,3,4,4−ヘキサフルオロ−1−ブタノール、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−ペンタノール、及び2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−デカフルオロ−1−ヘキサノール、ならびにC〜Cフッ素化ジオール、例えば、2,2,3,3,4,4−ヘキサフルオロ−1,5−ペンタンジオール、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1,6−ヘキサンジオール、及び2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7−ドデカフルオロ−1,8−オクタンジオール;トルエン、アニソール、ならびにこれらの溶媒のうちの1つ以上を含有する混合物が挙げられる。これらの有機溶媒のうち、プロピオン酸アルキル、酪酸アルキル、及びケトン、好ましくは分岐状ケトンが好ましく、より好ましくは、C−Cプロピオン酸アルキル、C−Cプロピオン酸アルキル、C−Cケトン、及びこれらの溶媒のうちの1つ以上を含有する混合物が好ましい。好適な混合溶媒としては、例えば、例えば、上に説明されるアルキルケトン及びプロピオン酸アルキル等のアルキルケトン及びプロピオン酸アルキルの混合物が挙げられる。第1の組成物または第2の組成物の溶媒成分は、典型的には、第1の組成物または第2の組成物の総重量を基準として75〜99重量%の量で存在する。
感知要素が流体によって接触されるとき、流体中の特定のガス状分子は、第2のポリマー層に接触し、それに結合する。ガス状分子の結合の前及び後の感知要素の重量差は、圧電性基板による比例した電流の発生をもたらす。電気信号は、使用者に第2のポリマー層155Bと相互作用した分子(複数可)を示すように調整される。第2のポリマー層155Bの自由表面の増加された表面積は、感知要素の表面上での有害ガス分子の増加された収集を促進し、したがってガスセンサの感度を増加させる。
したがって、ガスセンサは、居住、商業、または工業環境における環境に存在する有害ガスを検出するために使用されてもよい。具体的には、ガスセンサは、冷蔵庫、電化製品、ならびに食品及び傷みやすい品物が保管され得る保管場所において使用される。ガスセンサは、一酸化炭素、二酸化炭素、ホルムアルデヒド、硫化水素、アミン、オゾン、アンモニア、ベンゼン等の有害な、不要な、または不快なガスを検出するために使用されてもよい。
ガスセンサに関する別の用途は、生物学的プロセスによって排出される息もしくは揮発性ガスの分析にあるか、または疾患の診断のためである。例えば、ヒトの息は、多数の揮発性有機化合物(VOC)を含有する。呼気中のVOCの正確な検出は、疾患の早期診断に不可欠な情報を提供し得る。例えば、アセトン、硫化水素、アンモニア、メルカプタン、一酸化窒素、及びトルエンは、それぞれ、糖尿病、口臭、腎機能不全、及び肺癌を評価するために使用され得、これらの疾患の診断は、肺組織と血液との間の分子交換から生じる呼気中のVOCの濃度を分析することによって達成され得る。特定の疾患のバイオマーカとして機能し得る吐き出されたVOCの濃度の変動は、健康な人と病人とを区別し得る。
ガスのガスセンサ検出の別の用途は、果物等の食料品の成熟、または果物の過熟、または魚及び肉製品等の食料品の熟成もしくは腐敗の監視のためであってもよい。例えば、熟した果物は、エチレンガスを発生させる。果物によって排出されるエチレンガスまたは他の揮発性ガスの正確な検出は、賞味期限または食べ頃を監視し得る。魚製品の熟成または腐敗は、トリメチルアミン等のアミン、硫化水素、二酸化硫黄、酸化窒素、及びアンモニアを発生させ、肉の熟成または腐敗は、酢酸エチル、メタン、二酸化炭素、及びアンモニア等の他の揮発性成分を発生させる。排出されるVOCの濃度の変動は、製品の有用性、品質、及び安全性を診断するために使用されてもよい。
吐き出されるガスのガスセンサ検出の別の用途は、自動車、トラック、船、もしくは航空機、または他の工業用設備等の設備の安全な操作の目的のためのヒトの血中アルコールレベルの監視のためであってもよい。それに加えて、かかる吐き出されるガスのガスセンサ検出は、法医学または法執行用途を有することもできる。例えば、息中のアルコール、ケトン、及びアルデヒドの濃度の変動は、血中アルコールレベルと密接に相関する。
本ガスセンサは、以下の非限定的な実施例によって例示され得る。
これは、ガスの検出のための使用され得るガスセンサの製造の実現可能性を実証するための机上の実験例である。第1の層155Aは、実際に実験的に合成されており、一方、この実施例の感知層155B及びガス検出部分は、本出願の出願時点における概念的アイデアである。圧電性基板上への第1の層155Aの配置、第1の層155Aのエッチング、及び第1の層155Aのエッチングされた表面上への第2の層155Bの配置は全て、ガスセンサを製造することが実行可能であることを実証する概念である。
この実施例は、非共有相互作用によって第2のポリマー層155Bと相互作用するパターン化された第1のポリマー層155Aの製造を実証する。以下のモノマーを、パターン化された第1のポリマー層の合成に用いた。それらは、−1−エチルシクロペンチルメタクリレート(ECPMA)、1−メチルシクロペンチルメタクリレート(MCPMA)、2−プロペン酸、2−メチル−、2−[(ヘキサヒドロ−2−オキソ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−6−イル)オキシ]−2−オキソエチルエステル(MNLMA)、及び3−ヒドロキシ−1−アダマンチルアクリレート(HADA)である。
ECPMA(5.092グラム(g))、MCPMA(10.967g)、MNLMA(15.661g)、及びHADA(8.280g)のモノマーを、60gの酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGMEA)中に溶解させた。窒素で20分間泡立てることによって、モノマー溶液を脱気した。PGMEA(27.335g)を、凝縮器及び機械撹拌器を備えた500mLの三口フラスコに充填し、窒素で20分間泡立てることによって脱気した。その後、反応フラスコ内の溶媒を80℃の温度にした。V601(ジメチル−2,2−アゾジイソブチラート)(0.858グラム)を8グラムのPGMEA中に溶解させて、開始剤溶液を、窒素で20分間泡立てることによって脱気した。開始剤溶液を反応フラスコに添加し、次にモノマー溶液を、3時間窒素環境下で激しく撹拌しながら反応器に滴下供給した。モノマーの供給が完了した後、重合混合物をさらに1時間80℃で放置した。合計4時間の重合時間(3時間の供給及び1時間の供給後撹拌)の後、重合混合物を室温に冷却させた。沈殿は、メチルtert−ブチルエーテル(MTBE)(1634g)中で行った。
沈殿した粉末を、濾過によって収集し、一晩空気乾燥させ、120gのTHF中に再溶解させ、MTBE(1634g)中に再沈殿させた。最終ポリマーを濾過し、一晩空気乾燥させ、さらに真空下で60℃にて48時間乾燥させて、31.0グラムのポリ(ECPMA/MCPMA/MNLMA/HADA)(15/35/30/20)コポリマー(MP−1)(Mw=20,120グラム毎モル及びMw/Mn=1.59)を得た。
次に、最終ポリマー、ポリ(ECPMA/MCPMA/MNLMA/HADA)を、溶媒中に溶解させ、石英を含む圧電性基板上に配置して、第1のポリマー層155Aを形成する。マスク200(図3参照)を第1の層155A上に配置し、第1の層155Aの硬化されない部分を溶解によって取り除く。次に、第1のポリマー層155Aからの保護されたエステル部分を、酸、酸発生剤への曝露によって、またはエステル部分の崩壊を促進する高温への曝露によって脱保護する。脱保護は、水素供与体を暴露し、最終的に第2のポリマー層155Bとの相互作用を促進する。第1のポリマー層155Aの一部分の溶解は、第1の層155A(基板に接触していない表面)の表面積の増加を引き起こす。
次に、ポリ(4−ビニルピロリドン(vinylpyrollidone))水素受容体を含む第2のポリマー層155Bを、第1のポリマー層155Aのテクスチャ加工された表面上に鋳造する。第2のポリマー層155Bを乾燥させた後、圧電性基板154と、第2のポリマー層155Bに接触するテクスチャ加工された表面を有する第1のポリマー層155Aとを備えるガスセンサを、適切な電子機器と接触させて定置する。このデバイスを、微量の酢酸を含有するストリーム中に定置する。センサの重量の増加を、圧電性基板によって発生される電流によって検出する。
したがって、本センサは、センサの周りの周囲大気中に存在する酸性分子を検出するために使用され得る。一実施形態では、本センサは、望ましくないまたは不快なガスに曝露される前及び後のセンサの重量差によって、(大気中の)望ましくないまたは不快な分子の存在を検出し得る。別の実施形態では、本センサは、望ましくないまたは不快なガスに曝露される前及び後の感知層155Bの導電率の差によって、望ましくないまたは不快な分子の存在を検出し得る。また別の実施形態では、本センサは、望ましくないまたは不快なガスに曝露される前及び後の感知表面上に配置された分子の化学分析によって、望ましくないまたは不快な分子の存在を検出し得る。
本センサはまた、不快なまたは望ましくないガスの種々の分子の検出において消費された後に、感知表面を補充または修復する能力を備え得る。一実施形態では、本センサは、汚染されたセンサ表面を修復するように化学的に処理されてもよい。別の実施形態では、本センサは、検出されたガス分子を表面から剥離させることによって汚染された表面を修復するのに効果的な温度に加熱され得る。表面を修復するための加熱は、伝導、放射、または対流によって行われ得る。

Claims (11)

  1. ガスセンサであって、
    基板と、
    前記基板上に配置された第1の表面及び第2の表面を有する第1のポリマー層であって、前記第1の表面が、前記基板に接触し、前記第2の表面が、前記第1の表面に対向し、かつ前記第1の表面より大きい表面積を有し、前記第1のポリマー層が、脱保護された水素供与体を有する反復単位を含む、第1のポリマー層と、
    前記第1のポリマー層上に配置された第2のポリマー層であって、前記第2のポリマー層が、水素受容体を含む反復単位に由来する、第2のポリマー層と、を備える、ガスセンサ。
  2. 前記水素受容体を含む前記反復単位が、窒素含有基を含み、前記水素受容体が、第1のポリマーの水素供与体との水素結合、ファンデルワールス相互作用、π−π相互作用、静電相互作用、またはそれらの組み合わせを受けるように動作する、請求項1に記載のガスセンサ。
  3. 前記水素受容体を含む前記反復単位が、感知受容体をさらに含み、前記感知受容体が、ガスとの水素結合、ファンデルワールス相互作用、π−π相互作用、静電相互作用、またはそれらの組み合わせを受けるように動作する、請求項1に記載のガスセンサ。
  4. 前記窒素含有基が、アミン、アミド、及びピリジン基から選択される、請求項2に記載のガスセンサ。
  5. 前記脱保護された水素供与体が、保護された酸基及び/または保護されたアルコール基を有する反復単位を脱保護することによって得られる、請求項1に記載のガスセンサ。
  6. 前記第2の表面が、テクスチャ加工される、請求項1に記載のガスセンサ。
  7. 前記テクスチャ加工された第2の表面が、前記第1の表面の表面積よりも少なくとも2倍大きい表面積を有する、請求項1に記載のガスセンサ。
  8. 前記第2のポリマー層が、テクスチャ加工された自由表面を有する、請求項1に記載のガスセンサ。
  9. ガスセンサの製造方法であって、
    第1の表面及び第2の表面を有する第1のポリマー層を基板上に配置することであって、前記第1の表面が、前記基板に接触し、前記第2の表面が、前記第1の表面に対向し、かつ前記第1の表面より大きい表面積を有し、前記第1のポリマー層が、脱保護された水素供与体を有する反復単位を含む、配置することと、
    第2のポリマー層を前記第1のポリマー層上に配置することであって、前記第2のポリマー層が、水素受容体を含む反復単位に由来する、配置することと、を含む、方法。
  10. ガスの検出方法であって、
    ガスセンサをガス状分子と接触させることであって、前記ガスセンサが、
    基板、
    前記基板上に配置された第1の表面及び第2の表面を有する第1のポリマー層であって、前記第1の表面が、前記基板に接触し、前記第2の表面が、前記第1の表面に対向し、かつ前記第1の表面より大きい表面積を有し、前記第1のポリマー層が、脱保護された水素供与体を有する反復単位を含む、第1のポリマー層、ならびに
    前記第1のポリマー層上に配置された第2のポリマー層であって、前記第2のポリマー層が、水素受容体を含む反復単位に由来する、第2のポリマー層を備える、接触させることと、
    前記ガス分子と前記第2のポリマー層との間に水素結合、ファンデルワールス相互作用、π−π相互作用、または静電相互作用のうちの少なくとも1つを形成することと、
    前記水素結合、前記ファンデルワールス相互作用、前記π−π相互作用、及び前記静電相互作用の前記形成の前及び後の前記センサの差に基づいて、前記ガス分子の同一性を決定することと、を含む、方法。
  11. 前記差が、重量差または導電率の差である、請求項10に記載の方法。

JP2017183206A 2016-09-26 2017-09-25 ガスセンサ及びその製造方法 Active JP6427645B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662400008P 2016-09-26 2016-09-26
US62/400,008 2016-09-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018054609A true JP2018054609A (ja) 2018-04-05
JP6427645B2 JP6427645B2 (ja) 2018-11-21

Family

ID=61685229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017183206A Active JP6427645B2 (ja) 2016-09-26 2017-09-25 ガスセンサ及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20180088073A1 (ja)
JP (1) JP6427645B2 (ja)
KR (1) KR101971505B1 (ja)
CN (1) CN107870182A (ja)
TW (1) TWI669496B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10539542B2 (en) * 2017-07-26 2020-01-21 Honeywell International Inc. Pressure transient normalization within a gas detector
CN108872314B (zh) * 2018-07-03 2021-01-26 中国工程物理研究院化工材料研究所 一种压电型氢气传感器及其制备方法和应用

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6283641A (ja) * 1985-10-08 1987-04-17 Sharp Corp 電界効果型半導体センサ
JPH06128721A (ja) * 1992-10-19 1994-05-10 Mitsubishi Electric Corp 窒素酸化物ガスセンサ用感応薄膜の形成方法
JPH10249985A (ja) * 1997-03-11 1998-09-22 Tokuyama Corp 有機/金属酸化物複合薄膜の製造方法
JP2001013055A (ja) * 1999-04-27 2001-01-19 Mitsubishi Electric Corp ガス検出装置およびその感応膜材料とその成膜方法
US20040095043A1 (en) * 2001-01-30 2004-05-20 Tomofumi Jitsukawa Oscillator and mass detector
WO2007114192A1 (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Kitakyushu Foundation For The Advancement Of Industry, Science And Technology ガス検知素子及びその製造方法
JP2010066170A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Hitachi Chem Co Ltd 塩基性ガスセンサ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60180957A (ja) * 1984-02-29 1985-09-14 日石三菱株式会社 セラミツクス製品の製造方法
EP0805971B1 (de) * 1994-11-07 1998-09-23 Ticona GmbH Polymer-sensor
JP4905752B2 (ja) 2001-07-24 2012-03-28 エスティー・ラボ株式会社 揮発性有機塩素化合物センサ
TWI410625B (zh) * 2008-12-31 2013-10-01 Ind Tech Res Inst 氣體感測材料及包含其之氣體感測器
KR102176758B1 (ko) * 2014-02-10 2020-11-10 에스케이하이닉스 주식회사 블록 코폴리머를 이용한 패턴 형성을 위한 구조 및 패턴 형성 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6283641A (ja) * 1985-10-08 1987-04-17 Sharp Corp 電界効果型半導体センサ
JPH06128721A (ja) * 1992-10-19 1994-05-10 Mitsubishi Electric Corp 窒素酸化物ガスセンサ用感応薄膜の形成方法
JPH10249985A (ja) * 1997-03-11 1998-09-22 Tokuyama Corp 有機/金属酸化物複合薄膜の製造方法
JP2001013055A (ja) * 1999-04-27 2001-01-19 Mitsubishi Electric Corp ガス検出装置およびその感応膜材料とその成膜方法
US20040095043A1 (en) * 2001-01-30 2004-05-20 Tomofumi Jitsukawa Oscillator and mass detector
WO2007114192A1 (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Kitakyushu Foundation For The Advancement Of Industry, Science And Technology ガス検知素子及びその製造方法
JP2010066170A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Hitachi Chem Co Ltd 塩基性ガスセンサ

Also Published As

Publication number Publication date
KR101971505B1 (ko) 2019-04-23
TWI669496B (zh) 2019-08-21
CN107870182A (zh) 2018-04-03
KR20180034252A (ko) 2018-04-04
TW201814268A (zh) 2018-04-16
JP6427645B2 (ja) 2018-11-21
US20180088073A1 (en) 2018-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6427645B2 (ja) ガスセンサ及びその製造方法
Huang et al. A new siloxane polymer for chemical vapor sensor
JP6700238B2 (ja) ガスセンサ及びその製造方法
CN109937357B (zh) 分析溶剂分子在聚合物材料中的扩散系数的方法
Khurshid et al. Aryl fluoride functionalized graphene oxides for excellent room temperature ammonia sensitivity/selectivity
Butnaru et al. Thermal decomposition of polyimides containing phosphine-oxide units
US8338552B2 (en) Co-polymer films for sensors
Kim et al. Flexible biomimetic block copolymer composite for temperature and long-wave infrared sensing
JP6765688B2 (ja) 機能化されたグラフェンの製造方法
JP6564156B2 (ja) ガス検知素子及びその製造方法
KR102023029B1 (ko) 2-노네날 감지용 센서 및 이의 제조방법
JP2002105226A (ja) 圧電・焦電体及びその製造方法
CN103163400A (zh) 一种耐电晕聚酰亚胺薄膜陷阱分布计算方法
Salah et al. Fabrication and characterization of zinc oxide (ZnO) thin films based humidity sensor with fast response by sol-gel method
KR20170109420A (ko) 가스센서
Salah et al. Fabrication of ZnO thin film based humidity sensor with fast response by sol-gel associated to spin coating method
RU2755457C2 (ru) Чувствительный элемент люминесцентного сенсора на основе квантовых точек и графена и способ его получения
Byrd et al. Semiconducting polymers for gas detection
Acharyya et al. Discrimination of VOCs along with concentration change detection applying a combination of DWT and Machine Learning tools
Ye et al. Ultra-sensitive and responsive capacitive humidity sensor based on graphene oxide
Supian et al. Copolysiloxane solvent detector using Langmuir-Blodgett surface potential method
Kashiwabara et al. Nature of peroxy radicals in polypropylene
CN105823824A (zh) 一种基于气体自检功能的有机垃圾处理机
JP2007183282A (ja) 導電性ポリピロール薄膜及びその製造方法
Hekiem et al. Study of adsorption isotherms in the detection of acetone and isopropyl alcohol using QCM sensor with chitosan sensing layer

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180817

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181005

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181029

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6427645

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250