JP2018054594A - 接触式プローブ - Google Patents
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Abstract
Description
このプロービング技術としては、例えばSEM(Scanning Electron Microscope)画像を利用しながら行うSEM式プローバや、AFM(Atomic Force Microscope)画像を利用しながら行うAFM式プローバ等が知られている。このうち、SEM式プローバは、LSI等の半導体素子の故障解析に好適に利用されている。
また近年では、金属製探針に代わり、カーボンナノチューブの表面に金属膜を被膜させた探針を具備する微小接触式プローバも知られている(例えば、特許文献1参照)。金属膜の被膜方法としては、例えばパルスドレーザーデポジション(PLD)法等が用いられている。この微小接触式プローバでは、上記探針が形成されたカンチレバーを、加振機構を利用して振動させながら電気的特性の測定を行う。
さらに、探針を細径化するほど、探針の剛性が低下するので短命化に繋がり易いうえ、電極の表面に傷等を生じさせ易くなってしまう。さらには、探針を細径化するほど、電極の表面に付着したコンタミネーションを除去することが難しくなってしまい、コンタミネーションに起因する接触抵抗の増大を招いてしまう。
しかしながら従来の金属製探針では、さらなる細径化を図った場合、上述した課題を克服することが難しく、改善の余地があった。それに加え、タングステンや白金イリジウム等の金属は加工性が悪いので、形状自由度が低く、安定した加工再現性を得ることが難しい。従って、さらなる細径化を図りつつ所望の探針形状に仕上げること自体が困難である。さらに、タングステンや白金イリジウム等の金属は機械的強度の観点から耐久性に乏しいので、さらなる細径化を図った場合には探針に欠けや変形等が生じ易くなってしまう。そのため、例えば真空中において探針を交換するといった手間が生じてしまい、故障解析の作業効率の低下を招くおそれがあった。
従って、適度な接触応力を確保した状態で、測定対象物に対して接触部を接触させることができる。しかも、接触部は測定対象物とは反対側に向けて反るように湾曲しているので、接触部を測定対象物に接触させる際に、プローブ本体の先端縁部が測定対象物に対して入り込む或いは食い込んでしまうことを防止できる。従って、測定対象物に対して局所的な外力を作用させ難いので、測定対象物に傷等が付いてしまうことを抑制しながら接触部を測定対象物に対して接触させることができる。また、接触部は反るように湾曲しているので、測定対象物に対して接触部を面接触或いは線接触させた状態で接触させることができる。
なお、Co−Ni基合金が高弾性材料であるので、接触部を測定対象物から離間させることで、プローブ本体は弾性復元変形して元の状態に復帰する。
なお、各図面では、図面を見易くして発明の理解を助けるために、各構成部品の縮尺を適宜変更している。
図1に示すように、半導体デバイスである半導体パッケージ1は、ステージ部2及び複数のリード3を有するリードフレーム4と、ステージ部2上に配設された半導体チップ(測定対象物)5と、半導体チップ5とリード3とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ6と、リードフレーム4、半導体チップ5及びボンディングワイヤ6を一体的に固定する樹脂モールド部7と、を備えている。
ただし、ボンディングワイヤ6を利用する場合に限定されるものではなく、例えば導電性バンプを介して半導体チップ5をステージ部2上にフリップチップ実装しても構わない。この場合には、半導体チップ5は電極面5aを下方に向けた状態でステージ部2上に固定されると共に、導電性バンプを介して例えばステージ部2上に形成された電気回路等に電気的に接続される。
図示の例では、半導体チップ5は、P型半導体層13が形成されたシリコン基板14と、P型半導体層13上に形成された絶縁基板15と、P型半導体層13中に間隔をあけて形成された一対のN型半導体層16と、を備えている。一対のN型半導体層16は、P型半導体層13と絶縁基板15との界面付近に形成されている。P型半導体層13のうち一対のN型半導体層16の間に位置する部分と、絶縁基板15との間には、酸化膜層17が形成されている。
これらコンタクト電極18は、絶縁基板15を貫通するように形成されていると共に、絶縁基板15の表面に露出している。コンタクト電極18のうち、絶縁基板15の表面に露出している部分が電極パッド部8として機能する。なお、絶縁基板15の表面が電極面5aとして機能する。
なお、半導体チップ5には、上述したトランジスタが複数組み込まれており、それに対応して図2に示すように電極面5aに複数の電極パッド部8が露出している。
図4及び図5に示すように、接触式プローブ20は、Co、Ni、Cr及びMoを含むCo−Ni基合金から形成された弾性変形可能なプローブ本体21と、プローブ本体21が取り付けられた保持部材22と、を備えている。
ただし、プローブ本体21の固定はデポジション膜Dに限定されるものではなく、例えば接着や溶着等、他の固着方法で固定しても構わないし、係止等の嵌め合いを利用して固定しても構わない。
なお、プローブ本体21の表面のうち、電極面5a側に向いた面を対向壁面27といい、対向壁面27とは反対側に向いた面を頂壁面28という。これら対向壁面27及び頂壁面28は、プローブ本体21の全長に亘って形成され、延在部25及び接触部26の一部を構成する。
また、本実施形態ではプローブ本体21の延在方向に沿ったプローブ本体21の長さを本体長さLといい、上下方向に沿ったプローブ本体21の長さを本体高さTといい、プローブ本体21の延在方向に直交し、且つ電極面5aに対して平行な方向に沿ったプローブ本体21の長さを本体幅(横幅)Wという。
図示の例では、先端延在部32における本体高さTは、本体幅Wに沿った長さの半分以下の長さとされている。これにより、先端延在部32は薄い平板状に形成されている。そのため、先端延在部32は上下方向に撓むように弾性変形し易い形状とされている。
接触部26は、先端延在部32と同じ本体幅Wとされていると共に、その横幅に亘って一定の厚みを有するように形成されている。そのため、接触部26は薄い湾曲板状に形成されている。図示の例では、接触部26は一定の曲率で滑らかに湾曲しており、その先端縁部26aは上方を向いている。なお、本実施形態において接触部26の厚みは、先端延在部32における本体高さTに相当する。
本体長さLとしては、例えば100μm以下とされ、好ましくは10μm以下とされている。基端延在部30における本体高さTとしては、例えば100nm以下とされ、好ましくは50nm以下とされている。接触部26の厚みとしては、例えば50nm以下とされている。プローブ本体21における本体幅Wとしては、例えば100nm以下とされ、好ましくは50nm以下とされている。
本体幅Wを100nm以下とすることで、例えば近年の半導体デバイス構造の微細化にも十分に対応することができ、例えば直径が数十nmの電極パッド部8であっても、接触部26を確実に接触させることが可能となる。
Co−Ni基合金としては、組成が質量比で、Co:28〜42%、Cr:10〜27%、Mo:3〜12%、Ni:15〜40%、Ti:0.1〜1%、Mn:1.5%以下、Fe:0.1〜26%、C:0.1%以下、Nb:3%以下を含み、残部不可避不純物からなる組成であることが好ましい。
より好ましくは、上記組成に加え、W:5%以下、Al:0.5%以下、Zr:0.1%以下、B:0.01%以下からなる群より選択される少なくとも1種を含むことが良い。これらの組成範囲を限定した理由を以下に簡単に説明する。
Crは耐食性を確保するのに不可欠な成分であり、またマトリクスを強化する効果を有するが、10%未満では優れた耐食性を得る効果が弱く、27%を超えると加工性及び靱性が急激に低下する。従ってCrの質量比は10〜27%が好ましい。
Niは面心立方格子相を安定化し、加工性を維持し、耐食性を高める効果を有するが、Co、Cr、Mo、Nb、Feの組成範囲において、Niが15%未満では安定した面心立方格子相を得ることが困難であり、40%を超えると機械的強度が低下する。従って、Niの質量比は15〜40%が好ましい。
Mnは脱酸、脱硫の効果、及び面心立方格子相を安定化する効果を有するが、多過ぎると耐食性、耐酸化性を劣化させる。従って、Mnの質量比は1.5%以下が好ましい。
Cはマトリクスに固溶するほか、Cr、Mo、Nb、W等と炭化物を形成し、結晶粒の粗大化の防止効果を有するが、多過ぎると靭性の低下、耐食性の劣化等が生じる。従って、Cの質量比は0.1%以下が好ましい。
Wは、マトリクスに固溶してこれを強化し、加工硬化能を著しく増大させる効果を有するが、5%を超えるとσ相を析出して靭性が低下することから、Wを含有させる場合は質量比を5%以下とすることが好ましい。
Zrは、高温での結晶粒界強度を上げて、熱間加工性を向上させる効果を有するが、多過ぎると逆に加工性が悪くなるため、Zrを含有させる場合は質量比を0.1%以下とすることが好ましい。
Bは、熱間加工性を改善する効果があるが、多過ぎると逆に熱間加工性が低下し割れ易くなるため、Bを含有させる場合は0.01%以下とすることが好ましい。
すなわち、組成が質量比で、Co:28〜42%、Cr:10〜27%、Mo:3〜12%、Ni:15〜40%、Ti:0.1〜1%、Mn:1.5%以下、Fe:0.1〜3%、C:0.1%以下、Nb:3%以下、及び残部不可避不純物よりなるCo−Ni基合金がより好ましい。
このような組成のCo−Ni基合金では、Feの上限を3%とすることにより、耐酸化性が低下することをより効果的に防ぐことができる。
このようにプローブ本体21は、高いヤング率及び剛性率を具備しているので、高い機械的強度を有しながら、本体高さT方向(上下方向)への弾性変形が可能とされている。
なお、保持部材22が導電性材料によって形成されているので、保持部材22を介して外部とプローブ本体21とを導通させることができ、プローブ本体21に測定電圧を印加させることが可能である。
次に、上述のように構成された接触式プローブ20を作製する場合について簡単に説明する。
従来より、Co−Ni基合金のような難削材を微細加工して接触式プローブ20を作製することに関しては、何ら開示も示唆もされていない。これに対して本実施形態では、図6に示すように、FIB(集束イオンビーム)及びEB(電子ビーム)の2つの荷電粒子ビームを照射可能なFIB加工装置40を利用することで、精度良く接触式プローブ20を作製することが可能になった。以下、接触式プローブ20の作製について説明する。
FIB加工装置40は、Co−Ni基合金の板部材41を挟持可能な第1ピンセット42と、保持部材22を挟持可能な第2ピンセット43と、FIB及びEBを照射する照射機構44と、FIB或いはEBの照射によって発生した二次荷電粒子Eを検出する検出器45と、デポジション膜Dを形成するための化合物ガスGを供給するガス銃46と、検出された二次荷電粒子Eに基づいて画像データを生成すると共に該画像データを表示部47に表示させる制御部48と、真空チャンバ49と、を備えている。
第1ピンセット42は、ピンセット部50で板部材41を挟持することで板部材41を安定的に保持している。第2ピンセット43は、ピンセット部50で保持部材22を挟持することで保持部材22を安定的に保持している。
SEM鏡筒56は、電子発生源56a及び電子光学系56bを有しており、電子発生源56aで発生した電子を電子光学系56bで細く絞ってEBにした後、真空チャンバ49内において板部材41や保持部材22に向けてEBを照射することが可能とされている。
なお、化合物ガスGは、二次荷電粒子Eによって分解され、気体成分と固体成分とに分離する。そして、分離した固体成分が堆積することでデポジション膜Dとなる。
制御部48には、オペレータが入力可能な入力部57が接続されている。これにより、制御部48は入力部57によって入力された信号に基づいて各構成品を制御している。つまり、オペレータは、入力部57を介して所望する領域にFIBやEBを照射して観察することや、所望する領域にFIBを照射してエッチング加工を行うことや、所望する領域に化合物ガスGを供給しながらFIBを照射してデポジション膜Dを堆積させることができる。
図7に示すように、第1ピンセット42で板部材41の一端部を保持した後、適宜板部材41の姿勢を変化させながらFIBを照射して、板部材41の一部を切り落とすように板部材41を連続的にエッチング加工する。これにより、図8に示すように、基端延在部30、中間延在部31を形成することができると共に、先端延在部32及び接触部26となる基礎部分58を形成することができる。
なお、接触部26は上記基礎部分58のエッチング加工によって形成されているので、図5に示すように、接触部26の先端縁部26a(すなわちプローブ本体21の先端縁部)は、中間延在部31よりも上方に突出することがない。
これにより、プローブ本体21と保持部材22との接触部分にFIBが照射されることで発生した二次荷電粒子Eが、化合物ガスGを分解して気体成分と固体成分とに分離させる。すると、分離した固体成分が、プローブ本体21と保持部材22との接触部分に堆積してデポジション膜Dとなる。
つまり、上述の作製方法によれば、難削材として知られるCo−Ni基合金であっても、接触式プローブ20を精度良く、さらには効率良く作製することができる。
次に、上述のように構成された接触式プローブ20を利用して、図3に示す半導体チップ5の電気的特性を測定する場合について説明する。
なお、電極パッド部8だけでなく、半導体チップ5の電極面5aに対しても傷等が付いてしまうことを抑制することができる。
さらに、接触部26は一定の曲率で湾曲しているので、図11に示すように、電極パッド部8に対して接触部26のどの部分が最初に接触したとしても、接触具合(接触状況)を同じ状態に維持し易い。従って、接触部26を電極パッド部8に対して安定的に押し付けることができ、接触応力を確実に確保し易い。
従って、図3に示すように、接触式プローブ20を利用してソース電極10、ドレイン電極11、ゲート電極12及びP型半導体層13に対して選択的に測定電圧を印加することができ、例えば各電極間における電気的特性等を測定することができる。これにより、半導体チップ5の電気的特性を高精度且つ高分解能で安定に測定することができる。
例えば、図14に示すように、電極パッド部8の表面の一部にコンタミネーションCが付着していた場合、電極パッド部8の表面のうちコンタミネーションCが付着していない部分に対して接触部26を押し付けた状態を維持したまま、電極パッド部8に対してプローブ本体21を相対的に平行移動させる。これにより、コンタミネーションCに接触部26のエッジを側方から押し当てながら、コンタミネーションCを削り落とすように除去することができる。
この場合には、保持部材22の根元部22aをマニピュレータアームで片持ち状に保持することで、プローブ本体21を微細且つ正確に三次元操作することが可能となり、電気的特性をさらに高精度に測定することができる。
なお、保持部材22を透明にした場合には、例えばプローブ本体21と外部とを電気的に接続、或いは保持部材22の一部に接続配線等を設け、接続配線を介してプローブ本体21と外部とを電気的接続すれば良い。これにより、保持部材22がガラス製であったとしても、プローブ本体21を通じて測定対象物に測定電圧を印加することが可能となる。
この場合には、例えば図15及び図16に示すように、接触部26の形状を縦断面視でU字状に形成することができる。この場合であっても、電極パッド部8に対して接触部26を線接触させることができるので、同様の作用効果を奏功することができる。
図17−図19を参照して、本発明に係るその他の実施形態について説明する。上述の実施形態では、プローブ本体21が、直線状に伸びる延在部25と、湾曲形状の接触部26とを有する構成であったが、本発明に係る接触式プローブの形状はこれに限定されるものではない。
円錐形に加工をする際は、まず、Co−Ni合金の母材を準備し、この母材に対して、電解研磨、機械研磨、又はプレス加工を施すことで、所望の円錐形に加工をすることが可能である。上述したように、Co−Ni合金であれば、加工性も良好であるので、例えばタングステン等の従来の材料と比較すると、加工コストを大幅に低減しつつ、良好な電気的、機械的特性を有した接触部38を得ることができる。
よって、電極パッド部や電極面に傷等が付くことを抑制することができると共に、接触抵抗が増大することを抑制しながら電極パッド部に対して安定に接触させることができる。
なお、接触部38の先端が先細り形状ではあるが、Co−Ni合金が用いられているので、タングステン等を先細り形状とした場合と比較すると、接触式プローブの耐久性を大幅に向上させることができる。
ここでは、円錐形の接触部38の側周表面に、タングステンによる金属配線40が形成されていてもよい。この金属配線40は、接触部38の頂点から基端側に沿って連続的に形成されており、FIB加工によって形成してもよいし、導電性ナノ粒子(Agナノ粒子など)を付着させることによって形成してもよい。
なお、ここでは金属配線40の材料としてタングステンを用いているが、導電性が向上し、かつCo−Ni合金との接着性が良好であれば、タングステン以外の材料を金属配線40に用いてもよい。
円錐形であり、かつCo−Ni合金からなる接触部38と、タングステンからなる棒状の保持部材42を接続させる際は、まず、タングステンの母材を機械加工し、一方の端部に凹部を形成し、他方の端部にはネジ山を形成する(図19(b))。なお、上述したように、保持部材42の材料はタングステン以外の材料、例えばAlであってもよい。
その後、接触部38を凹部内に配置する(図19(c)、図19(d))。
その後、凹部の周縁を内周側に変形させて、即ち、「かしめ加工」を行うことによって、保持部材42の端部と接触部38とを接続させる。これにより、接触式プローブを得ることができる。
また、保持部材42の他方の端部の外周にはネジ山が形成されているので、例えば、内周にネジ溝が形成された中空状の棒状部材(ガラス棒、金属棒)に対して、保持部材42の他方の端部を締結してもよい。これによれば、棒状部材に対して、接触式プローブを着脱自在とすることができる。よって、ユーザビリティの向上、製造コストの低減を図ることができる。
5…半導体チップ(測定対象物)
20…接触式プローブ
21…プローブ本体
22…保持部材
23…プローブ本体の基端部
24…プローブ本体の先端部
25…延在部
26…接触部
Claims (5)
- Co、Ni、Cr及びMoを含むCo−Ni基合金から形成され、片持ち状に支持される基端部から先端部に向けて一方向に延在する弾性変形可能なプローブ本体を備え、
前記プローブ本体は、
前記基端部から前記先端部に向けて延びる延在部と、
前記延在部に対して湾曲しながら、前記延在部から前記先端部に向けてさらに延びると共に、測定対象物に対して対向配置される接触部と、を備え、
前記接触部は、前記延在部から前記先端部に向かうにしたがって前記測定対象物から離間するように、前記測定対象物とは反対側に向けて湾曲形成され、
前記プローブ本体は、延在方向に対して直交する横幅が100nm以下とされている、接触式プローブ。 - 請求項1に記載の接触式プローブにおいて、
前記接触部は、一定の曲率で湾曲している、接触式プローブ。 - 請求項1又は2に記載の接触式プローブにおいて、
前記接触部は、その横幅に亘って一定の厚みを有するように形成されている、接触式プローブ。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の接触式プローブにおいて、
前記プローブ本体の延在方向に延びるように形成された保持部材を備え、
前記プローブ本体は、前記保持部材に前記基端部が取り付けられることで前記保持部材に固定されている、接触式プローブ。 - 請求項4に記載の接触式プローブにおいて、
前記保持部材は透明材料で形成されている、接触式プローブ。
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