JP2018046085A - 炭化珪素のエピタキシャル成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】炭化水素原料ガス、珪素原料ガス、及びドーピングガスを用いて、熱CVD法により、反応容器内の炭化珪素単結晶基板上にドーピングされた炭化珪素薄膜を形成する炭化珪素のエピタキシャル成長方法において、前記炭化水素原料ガスが、メタン及びアセチレンからなる群から選ばれた1種又は2種からなるガスAと、エチレン及びエタンからなる群から選ばれた1種又は2種からなるガスBとの混合ガスであり、ガスBに対するガスAの割合が0.1Vol%以上10Vol%以下であることを特徴とする炭化珪素のエピタキシャル成長方法である。
【選択図】図1
Description
すなわち、本発明の要旨は次のとおりである。
(2)炭化水素原料ガスと珪素原料ガスとのC/Si比は0.5以上1.5以下であることを特徴とする(1)に記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
(3)炭化珪素単結晶薄膜の成長温度が1500℃以上1800℃以下であることを特徴とする(1)又は(2)に記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
(4)口径2インチ以上6インチ以下の炭化珪素単結晶基板に成長させる炭化珪素単結晶薄膜の面内ドーピング密度の平均が8E14cm−3以上1E18cm−3以下の範囲であり、かつ当該面内ドーピング密度のばらつき(標準偏差/平均値)が8%以下であることを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
図1は、熱CVD法によるエピタキシャル装置のホルダー上にSiC基板を7枚配置し、これを回転させながら、SiC基板に対して略水平となるように横から原料ガスを供給してエピタキシャル成長させたときのドーピングの様子を説明する概略図である。原料ガスの最上流部では、分解速度が遅い炭化水素原料ガスが十分に分解していないために、実効的なC/Si比は小さくなっておりドープがしやすい状況となっている。この影響がホルダー回転による平均化の効果を上回るため、ホルダーが回転してもホルダー周辺部がドープ高となる。結果的に、その上に配置されたSiC基板の面内にもドープ密度のばらつきの影響が出てしまう。
図1に示したような7枚のSiC単結晶基板を搭載する構成のホルダーを用いて、ホルダーごと回転させながら、炭化水素原料ガスとしてメタンガス(ガスA)とエチレンガス(ガスB)の混合ガスを使い、炭化珪素のエピタキシャル成長を1650℃で行った。このとき、メタンガスの供給量を0.3cc/分、エチレンガスの供給量を30cc/分となるように水素ガスで希釈して炭化水素原料ガスを供給した。同時に、珪素原料ガスとして、水素で50%に希釈したシランガスを100cc/分で供給し、ドーピングガスとして、水素で10%に希釈した窒素ガスを100cc/分で供給した。キャリアガスの水素ガスはこれらのトータルで100リットル/分の流量となる。また、炭化水素原料ガスおよび珪素原料ガスの流量から求められるC/Si比は、(0.3×1+30×2)/(100×0.5)≒1.21となる。
炭化水素原料ガスとしてメタンガスを使用する以外は実施例1と同様にして、炭化珪素のエピタキシャル成長を1650℃で行った。すなわち、メタンガスの供給量が60cc/分となるように水素ガスで希釈して炭化水素原料ガスを供給した。同時に、水素で50%に希釈したシランガスを100cc/分、水素で10%に希釈した窒素ガスを100cc/分で供給した。キャリアガスの水素ガスはこれらのトータルで100リットル/分の流量となる。また、炭化水素原料ガスおよび珪素原料ガスの流量から求められるC/Si比は、(60×1)/(100×0.5)=1.2となる。
炭化水素原料ガスを構成するガスの混合割合、珪素原料ガスの種類、C/Si比、成長温度、ドープ密度(窒素供給量を変化)を表1に示したように変更した以外は実施例1と同様にして、SiC単結晶基板上に炭化珪素をエピタキシャル成長させた。
得られたエピタキシャルSiCウェハのうちのホルダーの周辺側に配置した1枚について、面内25点のドーピング密度を実施例1と同様にして測定し、平均値を求め、また、ばらつきをσ/平均値で評価した。結果を表1にまとめて示す。
2・・ホルダー
3・・ガス供給ノズル
Claims (4)
- 炭化水素原料ガス、珪素原料ガス、及びドーピングガスを用いて、熱CVD法により、反応容器内の炭化珪素単結晶基板上にドーピングされた炭化珪素単結晶薄膜を形成する炭化珪素のエピタキシャル成長方法であって、前記炭化水素原料ガスが、メタン及びアセチレンからなる群から選ばれた1種又は2種からなるガスAと、エチレン及びエタンからなる群から選ばれた1種又は2種からなるガスBとの混合ガスであり、ガスBに対するガスAの割合が0.1Vol%以上10Vol%以下であることを特徴とする炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
- 炭化水素原料ガスと珪素原料ガスとのC/Si比は0.5以上1.5以下であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
- 炭化珪素単結晶薄膜の成長温度が1500℃以上1800℃以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
- 口径2インチ以上6インチ以下の炭化珪素単結晶基板に成長させる炭化珪素単結晶薄膜の面内ドーピング密度の平均が8E14cm−3以上1E18cm−3以下の範囲であり、かつ当該面内ドーピング密度のばらつき(標準偏差/平均値)が8%以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の炭化珪素のエピタキシャル成長方法。
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