JP2018036649A - 回折光学素子、光照射装置 - Google Patents
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また、光を整形する別の手段として、回折光学素子(Diffractive Optical Element :DOE)が挙げられる。これは異なる屈折率を持った材料が周期性を持って配列している場所を光が通過する際の回折現象を応用したものである。DOEは、基本的に単一波長の光に対して設計されるものであるが、理論的には、ほぼ任意の形状に光を整形することが可能である。また、前述のLSDにおいては、照射領域内の光強度がガウシアン分布となるのに対し、DOEでは、照射領域内の光分布の均一性を制御することが可能である。DOEのこのような特性は、不要な領域への照射を抑えることによる高効率化や、光源数の削減等による装置の小型化等の点で有利となる(例えば、特許文献1参照)。
また、DOEは、レーザーの様な平行光源や、LEDの様な拡散光源のいずれにも対応可能であり、また、紫外光から可視光、赤外線までの広い範囲の波長に対して適用可能である。
溝深さ=λ/(2(n−1))
DOEにおいては、上記式により求められる溝深さにすると、出光効率が最もよいとされており、従来は、この数式にしたがった設計が行われていた。
図1は、本発明による回折光学素子の実施形態を示す平面図である。
図2は、図1の回折光学素子の例における部分周期構造の一例を示す斜視図である。
図3は、図2中の矢印E−E’の位置で回折光学素子を切断した断面図である。
図4は、回折光学素子を説明する図である。
なお、図1を含め、以下に示す各図は、模式的に示した図であり、各部の大きさ、形状は、理解を容易にするために、適宜誇張して示している。
また、以下の説明では、具体的な数値、形状、材料等を示して説明を行うが、これらは、適宜変更することができる。
なお、光源部210と、光源部210が発光する光が通過する位置に少なくとも1つ配置された、本実施形態の回折光学素子10とを組み合わせることにより、光を成形した状態で照射可能な光照射装置とすることができる。
また、本発明において透明とは、少なくとも利用する波長の光を透過するものをいう。例えば、仮に可視光を透過しないものであっても、赤外線を透過するものであれば、赤外線用途に用いる場合においては、透明として取り扱うものとする。
例えば、図5(a)のように、同じ光源部210からの光であっても、位置Fに入射する光の入射角度は、位置Gに入射する光の入射角度よりも小さい。この入射角度の違いに合せて、位置Fと位置Gとで回折格子の回折角度を最適な値に設計することにより、どちらの位置においても同じ方向へ光を出射させることができる。
この場合、回折光学素子10の回折角度θは、光の波長をλ、回折格子のピッチをPとすると、以下の式により決められる。
sin(θ)=mλ/P
θ=asin(mλ/P)
ただし、mは、0、±1、±2・・・とする。
また、図5(c)は、回折光学素子10に入射角θiで光が入射する場合を示している。
この場合、回折光学素子10の回折角度θは、以下の式により決められる。
sin(θ)−sin(θi)=mλ/P
θ=asin(mλ/P+sin(θi))
ただし、mは、0、±1、±2・・・とする。
よって、光の波長が光源部210により決まるので、所望の回折角度となるようにするためには、上記式にしたがって、回折格子のピッチPを変更すればよい。回折角度が大きい回折格子ではピッチが狭くなり、回折角度が小さい回折格子ではピッチが広くなる。
図6(a)の回折格子の方が、図6(b)の回折格子よりも回折角度が大きい、すなわち、ピッチが狭くなっている。
ここで、回折格子を構成する材料の屈折率(高屈折率部11の屈折率)をnとしたとき、溝深さ(凹部の深さ)Dについて次の式が知られている。
D=λ/(2(n−1))
先にも述べたように、従来は、回折光学素子においては、上記式により求められる溝深さにすると、出光効率が最もよいとされており、従来は、この数式にしたがった設計が行われていた。
したがって、従来の回折光学素子では、図6に示すように、回折角度が異なっても、すなわち、回折格子のピッチが異なっても、溝深さは一定であった。
本実施形態の回折光学素子10は、位置により光源部210からの光の入射角度が異なることに対応して、位置により回折格子のピッチが異なるように設計されている。そして、このピッチの変化は、溝幅(凹部の幅)の変化をもたらす。すなわち、凸部11aの幅と、凹部12の幅(溝幅)との比率は、例えば、1:1とする等と、予め決めておくものであるので、ピッチと凹部12の幅(溝幅)とは比例関係にあり、ピッチが増加すれば、溝幅も増加する。
図7に示す例では、ピッチP1よりもピッチP2が広く、さらにピッチP2よりもピッチP3が広くなっており、これに対応して、溝幅W1よりも溝幅W2が広く、さらに、溝幅W2よりも溝幅W3が広くなっている。ここで、ピッチP1の回折格子は、回折光学素子10において最もピッチが狭い回折格子であって、光源部210からの距離が最も遠い位置に配置されている。このピッチP1は、先に示した、回折角度=asin(λ/P)の式により決まるピッチに設定されており、溝深さD1は、D1=λ/(2(n−1))によって決まる深さに設定されている。
このことは、本実施形態に限るものではなく、特許請求の範囲においても、同様に±15%の誤差範囲を含むものである。
同様に、ピッチP3の位置では、溝幅W3が溝幅W2より広くなっていることに対応して、溝深さD3が、溝深さD2よりも深く設定されている。
さらに、溝幅と溝深さとの関係は、比例関係になっている。
図8及び図9は、波長λ=800nm、入射角15度のシミュレーション結果をまとめた図である。
図10及び図11は、波長λ=800nm、入射角30度のシミュレーション結果をまとめた図である。
図8から図11のシミュレーションは、光の波長λ=800nm、回折格子を構成する材料の屈折率n=1.5として行った。したがって、溝深さD=λ/(2(n−1))=800nmが従来の標準とされている設計値となる。この値を本明細書中では、設計値と呼び、図8から図11中には、この設計値に対する深さの設計値比を深さとともに示している。よって、設計値比が1.0より大きいと、設計値よりも溝深さが深いことを表している。なお、これら及び後述のシミュレーション結果の表中の数値は、入射光の光量を1としたときの出光値を示している。
図13は、波長λ=800nm、ピッチが1λ、入射角15度の場合の出光値に対する深さの影響を示すグラフである。
図14は、波長λ=800nm、ピッチが1.5λ、入射角15度の場合の出光値に対する深さの影響を示すグラフである。
図15は、波長λ=800nm、ピッチが2λ、入射角15度の場合の出光値に対する深さの影響を示すグラフである。
図16は、波長λ=800nm、ピッチが3λ、入射角15度の場合の出光値に対する深さの影響を示すグラフである。
入射角15度の場合には、ピッチが2λ、3λにおいて、溝深さを設計値比1.1の深さにすると、出光値は減るものの、0次光を減らすことができる。これにより、0次光が迷光等となって悪影響を与えるような場合には、溝深さをピッチの広い(溝幅の広い)位置で設計値よりも深くすることが有効であるといえる。
図18は、波長λ=800nm、ピッチが1λ、入射角30度の場合の出光値に対する深さの影響を示すグラフである。
図19は、波長λ=800nm、ピッチが1.5λ、入射角30度の場合の出光値に対する深さの影響を示すグラフである。
図20は、波長λ=800nm、ピッチが2λ、入射角30度の場合の出光値に対する深さの影響を示すグラフである。
図21は、波長λ=800nm、ピッチが3λ、入射角30度の場合の出光値に対する深さの影響を示すグラフである。
入射角30度の場合には、溝深さをピッチの広い(溝幅の広い)位置で設計値よりも深くすることにより、出光値が上昇し、かつ、0次光が減少する範囲が存在している。特に、ピッチ1.5λでは、その傾向が顕著である。
図24及び図25は、波長λ=980nm、入射角30度のシミュレーション結果をまとめた図である。
図22から図25のシミュレーションは、光の波長λ=980nm、回折格子を構成する材料の屈折率n=1.5として行った。したがって、溝深さD=λ/(2(n−1))=980nmが従来の標準とされている設計値となる。この値を本明細書中では、設計値と呼び、図22から図25中には、この設計値に対する深さの設計値比を深さとともに示している。よって、設計値比が1.0より大きいと、設計値よりも溝深さが深いことを表している。
図27は、波長λ=980nm、ピッチが1λ、入射角15度の場合の出光値に対する深さの影響を示すグラフである。
図28は、波長λ=980nm、ピッチが1.5λ、入射角15度の場合の出光値に対する深さの影響を示すグラフである。
図29は、波長λ=980nm、ピッチが2λ、入射角15度の場合の出光値に対する深さの影響を示すグラフである。
図30は、波長λ=980nm、ピッチが3λ、入射角15度の場合の出光値に対する深さの影響を示すグラフである。
入射角15度の場合には、λ=800nmの場合と同様に、ピッチが2λ、3λにおいて、溝深さを設計値比1.1の深さにすると、出光値は減るものの、0次光を減らすことができる。これにより、0次光が迷光等となって悪影響を与えるような場合には、溝深さをピッチの広い(溝幅の広い)位置で設計値よりも深くすることが有効であるといえる。
図32は、波長λ=980nm、ピッチが1λ、入射角30度の場合の出光値に対する深さの影響を示すグラフである。
図33は、波長λ=980nm、ピッチが1.5λ、入射角30度の場合の出光値に対する深さの影響を示すグラフである。
図34は、波長λ=980nm、ピッチが2λ、入射角30度の場合の出光値に対する深さの影響を示すグラフである。
図35は、波長λ=980nm、ピッチが3λ、入射角30度の場合の出光値に対する深さの影響を示すグラフである。
入射角30度の場合には、λ=800nmの場合と同様に、溝深さをピッチの広い(溝幅の広い)位置で設計値よりも深くすることにより、出光値が上昇し、かつ、0次光が減少する範囲が存在している。特に、ピッチ1.5λでは、その傾向が顕著である。
図36は、波長λ=800nm、ピッチ0.8λについて、入射角度を0°、15°、30°、60°と変化させたシミュレーション結果をまとめた図である。
図37は、波長λ=800nm、ピッチ1λについて、入射角度を0°、15°、30°、60°と変化させたシミュレーション結果をまとめた図である。
図38は、波長λ=800nm、ピッチ1.5λについて、入射角度を0°、15°、30°、60°と変化させたシミュレーション結果をまとめた図である。
図39は、図36の結果をそれぞれグラフ化して並べて示した図である。
図40は、図37の結果をそれぞれグラフ化して並べて示した図である。
図41は、図38の結果をそれぞれグラフ化して並べて示した図である。
図43は、波長λ=980nm、ピッチ1λについて、入射角度を0°、15°、30°、60°と変化させたシミュレーション結果をまとめた図である。
図44は、波長λ=980nm、ピッチ1.5λについて、入射角度を0°、15°、30°、60°と変化させたシミュレーション結果をまとめた図である。
図45は、図42の結果をそれぞれグラフ化して並べて示した図である。
図46は、図43の結果をそれぞれグラフ化して並べて示した図である。
図47は、図44の結果をそれぞれグラフ化して並べて示した図である。
以上説明した実施形態に限定されることなく、種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の範囲内である。
11 高屈折率部
11a 凸部
12 凹部
13 空間
14 低屈折率部
15 回折層
200 スクリーン
201 光
202 照射領域
204 照射領域
210 光源部
Claims (12)
- 光を整形する回折光学素子であって、
断面形状において複数の凸部が並んで配置されている高屈折率部と、
前記高屈折率部よりも屈折率が低く、少なくとも前記凸部の間に形成されている凹部を含む低屈折率部と、
を有する回折層を備え、
前記凹部の幅は、位置により異なっており、
前記凹部の幅が広くなるほど前記凹部の深さが深く構成されている回折光学素子。 - 請求項1に記載の回折光学素子において、
前記凹部の幅が最も狭い位置における前記凹部の深さLは、回折対象の光の波長をλ、前記高屈折率部の屈折率をn、0.8以上1.2以下の係数をFとしたときに、
D=Fλ/(2(n−1))
の深さに構成されていること、
を特徴とする回折光学素子。 - 請求項2に記載の回折光学素子において、
前記係数Fは、1以上1.2以下であること、
を特徴とする回折光学素子。 - 請求項1から請求項3までのいずれかに記載の回折光学素子において、
回折対象の光の波長λは、780nm以上であること、
を特徴とする回折光学素子。 - 請求項1から請求項4までのいずれかに記載の回折光学素子において、
当該回折光学素子は、0°よりも大きく60°以下の入射角度で入射する光を回折対象の光とすること、
を特徴とする回折光学素子。 - 請求項1から請求項5までのいずれかに記載の回折光学素子において、
前記凹部の幅と前記凹部の深さとは、比例関係となっていること、
を特徴とする回折光学素子。 - 光源部と、
前記光源部からの光が入射する位置に配置され、前記光源部からの光を成形する回折光学素子と、
を備え、
前記回折光学素子は、
断面形状において複数の凸部が並んで配置されている高屈折率部と、
前記高屈折率部よりも屈折率が低く、少なくとも前記凸部の間に形成されている凹部を含む低屈折率部と、
を有する回折層を備え、
前記凹部の幅は、位置により異なっており、
前記凹部の幅が広くなるほど前記凹部の深さが深く構成されている光照射装置。 - 請求項7に記載の光照射装置において、
前記凹部の幅が最も狭い位置における前記凹部の深さLは、前記光源部が発光する光の波長をλ、前記高屈折率部の屈折率をn、0.8以上1.2以下の係数をFとしたときに、
D=Fλ/(2(n−1))
の深さに構成されていること、
を特徴とする光照射装置。 - 請求項8に記載の光照射装置において、
前記係数Fは、1以上1.2以下であること、
を特徴とする光照射装置。 - 請求項7から請求項9までのいずれかに記載の光照射装置において、
回折対象の光の波長λは、780nm以上であること、
を特徴とする光照射装置。 - 請求項7から請求項10までのいずれかに記載の光照射装置において、
前記回折光学素子に、0°よりも大きく60°以下の入射角度で回折対象の光が入射するように前記光源部と前記回折光学素子とが配置されていること、
を特徴とする光照射装置。 - 請求項7から請求項11までのいずれかに記載の光照射装置において、
前記凹部の幅と前記凹部の深さとは、比例関係となっていること、
を特徴とする光照射装置。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003029013A (ja) * | 2001-05-12 | 2003-01-29 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | 回折性光学要素および回折性光学要素を備えた光学装置 |
JP2007033576A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Seiko Epson Corp | 照明装置及び画像表示装置、並びにプロジェクタ |
JP2010519588A (ja) * | 2007-02-23 | 2010-06-03 | ナノコンプ リミテッド | 回折格子構造及び該回折格子構造の設計方法 |
JP2012194543A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-10-11 | Asahi Glass Co Ltd | 回折光学素子及び計測装置 |
US20150355394A1 (en) * | 2013-01-08 | 2015-12-10 | Bae Systems Plc | Diffraction gratings and the manufacture thereof |
-
2017
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003029013A (ja) * | 2001-05-12 | 2003-01-29 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | 回折性光学要素および回折性光学要素を備えた光学装置 |
JP2007033576A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Seiko Epson Corp | 照明装置及び画像表示装置、並びにプロジェクタ |
JP2010519588A (ja) * | 2007-02-23 | 2010-06-03 | ナノコンプ リミテッド | 回折格子構造及び該回折格子構造の設計方法 |
JP2012194543A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-10-11 | Asahi Glass Co Ltd | 回折光学素子及び計測装置 |
US20150355394A1 (en) * | 2013-01-08 | 2015-12-10 | Bae Systems Plc | Diffraction gratings and the manufacture thereof |
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