JP2018026559A - 有機光電変換素子、有機光電変換素子用材料及びこれらを用いた有機撮像素子 - Google Patents
有機光電変換素子、有機光電変換素子用材料及びこれらを用いた有機撮像素子 Download PDFInfo
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Abstract
Description
以上の状況を鑑み、光電変換部に用いた場合は極大吸収が400nm以上500nm以下の青色光を選択的に吸収することにより低電圧で効率的に機能し、光電変換部以外に用いた場合は良好なキャリアのリーク防止特性或いはキャリア輸送特性を示し、且つプロセス温度に対する耐熱性にも優れた撮像素子用の光電変換素子用材料、及び該光電変換材料を用いた有機光電変換素子が求められている。
[2]式(1)中、R1が置換基を有してもよい芳香族基を表し、R2が水素原子である前項[1]に記載の有機光電変換素子、
[3]式(1)中、R1が水素原子を表し、R2が置換基を有してもよい芳香族基である前項[1]に記載の有機光電変換素子、
[4]薄膜又は固体状態において、光吸収帯の極大吸収が400nm以上500nm以下にある前項[1]〜[3]記載の有機光電変換素子、
[5]下記式(1)で表される有機化合物を含む有機光電変換素子用材料、
[6]薄膜又は固体状態において、光吸収帯の吸収極大が400nm以上500nm以下にある前項[5]に記載の有機光電変換素子用材料、
[7]前項[5]又は[6]に記載の有機光電変換素子用材料を含む有機薄膜、
[8]前項[5]又は[6]に記載の有機光電変換素子用材料、又は前項[7]に記載の有機薄膜を含む有機光電変換素子、
[9]前項[1]〜[4]並びに[8]のいずれか一項に記載の有機光電変換素子を用いた光センサ、
[10]前項[1]〜[4]並びに[8]のいずれか一項に記載の有機光電変換素子を用いた有機撮像素子、
に関する。
尚、本発明において置換基を有する芳香族基とは、芳香族基が有する水素原子の一つ若しくは複数が置換基で置換された芳香族基を、無置換の芳香族基とは、芳香族基が有する水素原子が置換基で置換されていない芳香族基をそれぞれ意味する。
式(1)のR1及びR2が表す芳香族基の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、インデニル基、ナフチル基、アントリル基、フルオレニル基及びピレニル基等の芳香族炭化水素基や、フラニル基、チエニル基、チエノチエニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、キノリル基、インドリル基及びカルバゾリル基等の縮合系複素環基等が挙げられ、芳香族炭化水素基であることが好ましい。また、R1とR2異なることが好ましく、更にはR1が芳香族基であり、且つR2が水素原子であるか若しくはR1とは異なる芳香族基であることが好ましい。
尚、式(1)は共鳴構造の一つを示したものに過ぎず、図示した共鳴構造に限定されるものではない。
ITO透明導電ガラス(ジオマテック(株)製、ITO膜厚150nm)に、具体例に示した化合物(1)を抵抗加熱真空蒸着により200nmの膜厚に成膜した。次に、電極としてアルミニウムを100nm真空成膜し、本発明の有機光電変換素子を作製した。ITOとアルミニウムを電極として、5Vの電圧を印加した際の、暗所での電流は3.88×10−11A/cm2であった。また、5Vの電圧を印加し、照射光波長が430nmの光照射を行った場合の電流は1.29×10−5A/cm2であった。5V電圧印加したときの明暗比は330000であった。
ITO透明導電ガラス(ジオマテック(株)製、ITO膜厚150nm)に、具体例に示した化合物(4)を抵抗加熱真空蒸着により200nmの膜厚に成膜した。次に、電極としてアルミニウムを100nm真空成膜し、本発明の有機光電変換素子を作製した。ITOとアルミニウムを電極として5Vの電圧を印加した際の、暗所での電流は1.93×10−10A/cm2であった。また、5Vの電圧を印加し、照射光波長が430nmの光照射を行った場合の電流は1.96×10−6A/cm2であった。5V電圧印加したときの明暗比は10000であった。
ITO透明導電ガラス(ジオマテック(株)製、ITO膜厚150nm)に、具体例に示した化合物(8)を抵抗加熱真空蒸着により200nmの膜厚に成膜した。次に、電極としてアルミニウムを100nmの膜厚に成膜し、本発明の有機光電変換素子を作製した。ITOとアルミニウムを電極として5Vの電圧を印加した際の、暗所での電流は1.16×10−11A/cm2であった。また、5Vの電圧を印加し、照射光波長が430nmの光照射を行った場合の電流は3.69×10−6A/cm2であった。5V電圧印加したときの明暗比は310000であった。
ITO透明導電ガラス(ジオマテック(株)製、ITO膜厚150nm)に、DNTTを抵抗加熱真空蒸着により200nmの膜厚に成膜した。次に、電極としてアルミニウムを100nmの膜厚に成膜し、比較用の有機光電変換素子を作製した。ITOとアルミニウムを電極として5Vの電圧を印加した際の、暗所での電流は6.02×10−7A/cm2であった。また、5Vの電圧を印加し、照射光波長430nmの光照射を行った場合の電流は2.74×10−6A/cm2であった。5V電圧印加したときの明暗比は4.5であった。
ITO透明導電ガラス(ジオマテック(株)製、ITO膜厚150nm)に、クマリン30を抵抗加熱真空蒸着により200nmに成膜した。次に、電極としてアルミニウムを100nmの膜厚に成膜し、比較用の有機光電変換素子を作製した。ITOとアルミニウムを電極として5Vの電圧を印加した際の、暗所での電流は5.19×10−6A/cm2であった。また、5Vの電圧を印加し、照射光波長430nmの光照射を行った場合の電流は1.60×10−5A/cm2であった。5V電圧印加したときの明暗比は3.0であった。
しかも本発明の有機光電変換素子は低い印加電圧(5V)でも十分に駆動していることから、本発明の有機光電変換素子用材料が既存の青色用有機光電変換素子用材料よりも有機エレクトロニクスデバイス材料として有用であることは明白である。
ITO透明導電ガラス(ジオマテック(株)製、ITO膜厚150nm)に、具体例に示した化合物(1)を抵抗加熱真空蒸着により50nmに成膜した。次に、前記有機薄膜層上に、光電変換層としてキナクリドンを抵抗加熱真空蒸着により100nmの膜厚に成膜した。最後に、前記の光電変換層の上に、電極としてアルミニウムを抵抗加熱真空蒸着により100nmの膜厚に成膜し、本発明の有機光電変換素子を作製した。ITOとアルミニウムを電極として5Vの電圧を印加した際の、暗所での電流は1.57×10−10A/cm2であった。5Vの電圧を印加し、キナクリドンの光電変換波長である波長550nmの光照射を行った場合の電流は1.23×10−5A/cm2であった。5V電圧印加したときの明暗比は78000であった。
ITO透明導電ガラス(ジオマテック(株)製、ITO膜厚150nm)に、キナクリドンを抵抗加熱真空蒸着により200nmに成膜した。次に、電極としてアルミニウムを100nmの膜厚に成膜し、比較用の有機光電変換素子を作製した。ITOとアルミニウムを電極として5Vの電圧を印加した際の、暗所での電流は5.05×10−9A/cm2であった。また、5Vの電圧を印加し、照射光波長550nmの光照射を行った場合の電流は9.22×−6A/cm2であった。5V電圧印加したときの明暗比は1800であった。
これらの結果から、本発明の有機光電変換素子用材料は、有機光電変換素子の光電変換部(光電変換層)としてのみならず、各種ブロック層等の光電変換部以外の有機薄膜層としても有用であることは明らかである。
1 絶縁部
2 上部電極
3 電子ブロック層
4 光電変換層
5 正孔ブロック層
6 下部電極
7 絶縁基材若しくは他光電変換素子
Claims (10)
- 式(1)中、R1が置換基を有してもよい芳香族基を表し、R2が水素原子である請求項1に記載の有機光電変換素子。
- 式(1)中、R1が水素原子を表し、R2が置換基を有してもよい芳香族基である請求項1に記載の有機光電変換素子。
- 薄膜又は固体状態において、光吸収帯の極大吸収が400nm以上500nm以下にある請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機光電変換素子。
- 薄膜又は固体状態において、光吸収帯の極大吸収が400nm以上500nm以下にある請求項5に記載の有機光電変換素子用材料。
- 請求項5又は請求項6に記載の有機光電変換素子用材料を含む有機薄膜。
- 請求項5又は請求項6に記載の有機光電変換素子用材料、又は請求項7に記載の有機薄膜を含む有機光電変換素子。
- 請求項1〜請求項4並びに請求項8のいずれか一項に記載の光電変換素子を用いた光センサ。
- 請求項1〜請求項4並びに請求項8のいずれか一項に記載の光電変換素子を用いた有機撮像素子。
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