JP2018022677A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 熱増加システムのキャビティの中に位置決めされているロードに対して熱増加動作を実施する方法であって、
   無線周波数（ＲＦ）信号供給源が、伝達経路を通して、前記キャビティに近接している電極にＲＦ信号を提供する工程と、
   前記伝達経路に沿って、順方向ＲＦ電力測定値および反射ＲＦ電力測定値を繰り返し取得する工程と、
   前記順方向ＲＦ電力測定値および前記反射ＲＦ電力測定値に基づいて、計算された変化率を繰り返し決定する、決定工程と、
   計算された前記変化率を閾値変化率と繰り返し比較する工程と、
   計算された前記変化率が前記閾値変化率未満であるという決定が行われた場合、前記熱増加動作が完了したという決定が行われるまで、前記ＲＦ信号を前記電極に提供し続ける工程と、
   前記熱増加動作が完了したという前記決定が行われた場合、前記電極への前記ＲＦ信号の提供を停止する工程と、を備える、方法。
2. 前記決定工程は、
   前記順方向ＲＦ電力測定値に対する前記反射ＲＦ電力測定値の複数の比を計算する工程と、
   前記複数の比が経時的に変化する割合として、計算された前記割合を決定する工程と、を備える、請求項１に記載の方法。
3. 前記決定工程は、
   前記順方向ＲＦ電力測定値に対する前記反射ＲＦ電力測定値の複数の比を計算する工程と、
   前記複数の比から複数のＳ１１パラメータを計算する工程と、
   前記複数のＳ１１パラメータが経時的に変化する割合として、計算された前記割合を決定する工程と、を備える、請求項１に記載の方法。
4. 前記閾値変化率は、プラトー温度範囲の中にある温度を有する前記ロードと整合性のある変化率である、請求項１に記載の方法。
5. 前記プラトー温度範囲は、摂氏−１６度から摂氏−３度の間の温度の範囲を含む、請求項４に記載の方法。
6. 前記熱増加システムは、前記ＲＦ信号供給源と前記電極との間に可変インピーダンス整合ネットワークを備え、前記熱増加動作が完了したという前記決定を行うことは、前記可変インピーダンス整合ネットワークが前記ＲＦ信号供給源と前記ロードを加えたキャビティとの間の整合を改善するように再構成されるレートであるかどうかを決定する工程を備える、請求項１に記載の方法。
7. 前記熱増加システムは、前記ＲＦ信号供給源と前記電極との間に可変インピーダンス整合ネットワークを備え、前記方法は、
   前記順方向ＲＦ電力測定値に対する前記反射ＲＦ電力測定値の比を繰り返し計算する工程と、
   前記比を閾値と繰り返し比較する工程と、
   順方向ＲＦ電力測定値に対する反射ＲＦ電力測定値の比が前記閾値より大きい場合、前記ＲＦ信号供給源と前記ロードを加えたキャビティとの間の整合を改善するように前記可変インピーダンス整合ネットワークを再構成する工程と、をさらに備える、請求項１に記載の方法。
8. 熱増加システムのキャビティの中に位置決めされているロードに対して熱増加動作を実施するように構成された熱増加システムであって、
   ＲＦ信号を生成するように構成された無線周波数（ＲＦ）信号供給源と、
   前記ＲＦ信号供給源と前記キャビティに近接して位置決めされている電極との間の伝達経路であって、前記ＲＦ信号を前記ＲＦ信号供給源から前記電極に伝えるように構成された伝達経路と、
   前記伝達経路に結合され、前記伝達経路に沿って順方向ＲＦ電力測定値および反射ＲＦ電力測定値を繰り返し取得するように構成された電力検出回路と、
   前記電力検出回路に結合されているシステム・コントローラであって、
   前記順方向ＲＦ電力測定値および前記反射ＲＦ電力測定値に基づいて、計算された変化率を繰り返し決定し、
   計算された前記変化率を閾値変化率と繰り返し比較し、および
   計算された前記変化率が前記閾値変化率未満であるかどうかを決定する
   ように構成されたシステム・コントローラと、を備え、
   計算された前記変化率が前記閾値変化率未満であることを前記システム・コントローラが決定する場合、および、前記熱増加動作が完了したという決定を前記システム・コントローラが行うまで、前記ＲＦ信号供給源は、前記ＲＦ信号を前記電極に提供し続けるように構成されており、
   前記システム・コントローラは、前記熱増加動作が完了したという前記決定を前記システム・コントローラが行う場合、前記ＲＦ信号供給源に前記電極への前記ＲＦ信号の提供を停止させるように構成されている、システム。
9. 前記ＲＦ信号供給源は、３．０メガヘルツから３００メガヘルツの間の周波数を有する共振信号として前記ＲＦ信号を生成するように構成されている、請求項８に記載のシステム。
10. 前記システム・コントローラは、
    前記順方向ＲＦ電力測定値に対する前記反射ＲＦ電力測定値の複数の比を計算することによって、および、
    前記複数の比が経時的に変化するレートとして、計算された前記レートを決定することによって、
    計算された前記変化率を決定するように構成されている、請求項８に記載のシステム。
11. 前記システム・コントローラは、
    前記順方向ＲＦ電力測定値に対する前記反射ＲＦ電力測定値の複数の比を計算することによって、
    前記複数の比から複数のＳ１１パラメータを計算することによって、および、
    前記複数のＳ１１パラメータが経時的に変化するレートとして、計算された前記レートを決定することによって、
    計算された前記変化率を決定するように構成されている、請求項８に記載のシステム。
12. 前記閾値変化率は、プラトー温度範囲の中にある温度を有する前記ロードと整合性のある変化率である、請求項８に記載のシステム。
13. 前記プラトー温度範囲は、摂氏−１６度から摂氏−３度の間の温度の範囲を含む、請求項１２に記載のシステム。
14. 前記ＲＦ信号供給源と前記電極との間に結合されている可変インピーダンス整合ネットワークをさらに備え、前記システム・コントローラは、前記可変インピーダンス整合ネットワークが前記ＲＦ信号供給源と前記ロードを加えたキャビティとの間の整合を改善するように再構成されるレートを決定することによって、前記熱増加動作が完了したという前記決定を行うように構成されている、請求項８に記載のシステム。
15. 前記ＲＦ信号供給源と前記電極との間に可変インピーダンス整合ネットワークをさらに備え、
    前記システム・コントローラは、
    前記順方向ＲＦ電力測定値に対する前記反射ＲＦ電力測定値の比を繰り返し計算し、
    前記比を閾値と繰り返し比較し、および、
    順方向ＲＦ電力測定値に対する反射ＲＦ電力測定値の比が前記閾値より大きい場合、前記ＲＦ信号供給源と前記ロードを加えたキャビティとの間の整合を改善するように前記可変インピーダンス整合ネットワークを再構成するように構成されている、請求項８に記載のシステム。