JP2018019397A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1乃至第3端子と、ラッチ回路と、記憶回路と、を有する半導体装置である。第1端子および第2端子に偽が入力されたとき、第3端子は偽を出力する。第1端子および第2端子に真が入力されたとき、第3端子は真を出力する。第1端子または第2端子の一方に真が入力され、且つ、第1端子または第2端子の他方に偽が入力されたとき、第3端子は、第3端子が直前に出力していた真理値を出力する。記憶回路は、ラッチ回路が記憶するデータを、電源電圧の供給が停止された状態で記憶することができる。記憶回路は、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを含む。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一形態である非同期回路として機能することが可能な半導体装置について説明を行う。
まず、非同期回路の基本回路として機能する半導体装置について説明を行う。
図3(A)に示す半導体装置20は、半導体装置10を用いてバッファを構成した例である。なお、半導体装置20をハーフバッファ(HB)と呼ぶ場合もある。半導体装置20は、2つの半導体装置10と、1つのNORゲートから構成される。図3(B)は、半導体装置20をシンボルで表したものである。信号SA、信号E0および信号E1は、半導体装置20の入力信号であり、信号EA、信号S0および信号S1は、半導体装置20の出力信号である。
(1)SA=1のとき、半導体装置20は後段にデータを送信できる状態にある。
(2)SA=0のとき、半導体装置20は後段にデータを送信できない状態にある。
(3)EA=1のとき、半導体装置20は前段からデータを受信できる状態にある。
(4)EA=0のとき、半導体装置20は前段からデータを受信できない状態にある。
図6に示す半導体装置27は、半導体装置21[0]、半導体装置20[0]、半導体装置21[1]、半導体装置20[1]、半導体装置21[2]をこの順番に接続した半導体装置である。半導体装置21は任意の論理回路とすることができるが、2本の信号線の入力に対して2本の信号線の出力を生成するものとする。
図8(A)に示す半導体装置22は、半導体装置10を用いてNOT回路を構成した例である。半導体装置22は、2つの半導体装置10と、1つのNORゲートから構成される。半導体装置22は、半導体装置20において、信号S1と信号S0が出力される位置を入れ替えたものである。
図9(A)に示す半導体装置23は、半導体装置13を用いてAND回路を構成した例である。半導体装置23は、4つの半導体装置13と、1つのORゲートと、1つのNORゲートから構成される。
図11(A)に示す半導体装置24は、半導体装置13を用いてNAND回路を構成した例である。半導体装置24は、4つの半導体装置13と、1つのORゲートと、1つのNORゲートから構成される。半導体装置24は、半導体装置23において、信号S1と信号S0が出力される位置を入れ替えたものである。
図12(A)に示す半導体装置25は、半導体装置13を用いてOR回路を構成した例である。半導体装置25は、4つの半導体装置13と、1つのORゲートと、1つのNORゲートから構成される。
図13(A)に示す半導体装置26は、半導体装置13を用いてNOR回路を構成した例である。半導体装置26は、4つの半導体装置13と、1つのORゲートと、1つのNORゲートから構成される。
本実施の形態では、実施の形態1に示す半導体装置を適用することができる表示装置について説明を行う。
図14は、表示装置100の構成例を示すブロック図である。表示装置100は、アプリケーションプロセッサ(以下、AP)110と、表示パネル101と、タッチパネル106と、DRAM(Dynamic Random Access Memory)111と、フラッシュメモリ112と、SSD(Solid State Drive)113と、RFタグ114と、テレビチューナー115と、センサ116と、を有する。
次に、DOSRAMの詳細について、図15を用いて説明を行う。
次に、NOSRAMの詳細について、図16を用いて説明を行う。
次に、表示パネル101の詳細について説明を行う。
図18は、画素153の構成例を示す回路図である。画素153(i,j)は、反射素子107(i,j)および発光素子108(i,j)を駆動する機能を備える。これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、反射素子107と、反射素子107とは異なる方法を用いて表示をする発光素子108と、を駆動することができる。反射素子107を用いて表示を行うことで、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。光を射出する表示素子、発光素子108を用いて表示を行うことで、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。
次に、表示パネル101の構成例について、図19の断面図を用いて説明を行う。
次に、表示装置100の使用例について、図20および図21を用いて説明を行う。
<CAC−OSの構成>
以下では、本発明の一態様で開示されるOSトランジスタに用いることができるCAC−OSの構成について説明する。
Claims (12)
- 第1乃至第3端子と、
ラッチ回路と、
記憶回路と、を有し、
前記第1端子および前記第2端子に偽が入力されたとき、前記第3端子は偽を出力し、
前記第1端子および前記第2端子に真が入力されたとき、前記第3端子は真を出力し、
前記第1端子または前記第2端子の一方に真が入力され、前記第1端子または前記第2端子の他方に偽が入力されたとき、前記第3端子は、前記第3端子が直前に出力していた真理値を出力し、
前記記憶回路は、前記ラッチ回路が記憶するデータを、電源電圧の供給が停止された状態で記憶することが可能な半導体装置。 - 第1乃至第4トランジスタと、
ラッチ回路と、
記憶回路と、を有し、
前記第1トランジスタはnチャネル型トランジスタであり、
前記第2トランジスタはnチャネル型トランジスタであり、
前記第3トランジスタはpチャネル型トランジスタであり、
前記第4トランジスタはpチャネル型トランジスタであり、
前記第1トランジスタのソースまたはドレインの一方は、低電源電圧が与えられ、
前記第1トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第2トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第2トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第3トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第3トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第4トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第4トランジスタのソースまたはドレインの他方は、高電源電圧が与えられ、
前記第1トランジスタのゲートは前記第4トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第2トランジスタのゲートは前記第3トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記ラッチ回路は前記第3トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記記憶回路は、前記ラッチ回路が記憶するデータを、電源電圧の供給が停止された状態で記憶することが可能な半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記記憶回路は、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の半導体装置を有するバッファ回路。
- 請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の半導体装置を有するNOT回路。
- 第1乃至第4端子と、
ラッチ回路と、
記憶回路と、を有し、
前記第1端子、前記第2端子および前記第3端子に偽が入力されたとき、前記第4端子は偽を出力し、
前記第1端子、前記第2端子および前記第3端子に真が入力されたとき、前記第4端子は真を出力し、
前記第1端子、前記第2端子または前記第3端子の少なくとも1つに真が入力され、且つ、前記第1端子、前記第2端子または前記第3端子の少なくとも1つに偽が入力されたとき、前記第4端子は、前記第4端子が直前に出力していた真理値を出力し、
前記記憶回路は、前記ラッチ回路が記憶するデータを、電源電圧の供給が停止された状態で記憶することが可能な半導体装置。 - 第1乃至第6トランジスタと、
ラッチ回路と、
記憶回路と、を有し、
前記第1トランジスタはnチャネル型トランジスタであり、
前記第2トランジスタはnチャネル型トランジスタであり、
前記第3トランジスタはnチャネル型トランジスタであり、
前記第4トランジスタはpチャネル型トランジスタであり、
前記第5トランジスタはpチャネル型トランジスタであり、
前記第6トランジスタはpチャネル型トランジスタであり、
前記第1トランジスタのソースまたはドレインの一方は、低電源電圧が与えられ、
前記第1トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第2トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第2トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第3トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第3トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第4トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第4トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第5トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第5トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第6トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第6トランジスタのソースまたはドレインの他方は、高電源電圧が与えられ、
前記第1トランジスタのゲートは前記第6トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第2トランジスタのゲートは前記第5トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第3トランジスタのゲートは前記第4トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記ラッチ回路は前記第4トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記記憶回路は、前記ラッチ回路が記憶するデータを、電源電圧の供給が停止された状態で記憶することが可能な半導体装置。 - 請求項6または請求項7において、
前記記憶回路は、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項6乃至請求項8の何れか一項に記載の半導体装置を有するAND回路。
- 請求項6乃至請求項8の何れか一項に記載の半導体装置を有するNAND回路。
- 請求項6乃至請求項8の何れか一項に記載の半導体装置を有するOR回路。
- 請求項6乃至請求項8の何れか一項に記載の半導体装置を有するNOR回路。
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