JP2018017558A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
20 半導体装置
22 半導体基板
24 絶縁層
26、26A、26B 第1導電層
28、28A、28B 第2導電層
30 上層保護膜
31 段差
32 センサ電極
34 実装用パッド
35、36 開口部
Claims (11)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の主面上に形成され、第1センサ電極用第1導電層と、前記第1センサ電極用第1導電層の上に形成されると共に端面が前記第1センサ電極用第1導電層の端面と面一である第1センサ電極用第2導電層とを備え、入力信号を出力する第1センサ電極と、
前記半導体基板の主面上に形成され、第2センサ電極用第1導電層と、前記第2センサ電極用第1導電層の上に形成されると共に端面が前記第2センサ電極用第1導電層の端面と面一である第2センサ電極用第2導電層とを備え、前記第1センサ電極から出力された入力信号が出力信号として入力される第2センサ電極と、
前記第1センサ電極用第1導電層の側面と前記第1センサ電極用第2導電層の側面及び表面の外周と、前記第2センサ電極用第1導電層の側面と前記第2センサ電極用第2導電層の側面及び表面の外周と、を被覆すると共に前記第1センサ電極用第2導電層の前記第1センサ電極に応じた定められた領域の表面を露出する上層保護膜と、
を備える半導体装置。 - 前記第1センサ電極から出力された入力信号は土壌を介して出力信号として前記第2センサ電極に入力される、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1センサ電極用第2導電層及び前記第2センサ電極用第2導電層がTiを含む物質で構成されている、
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1センサ電極に対応すると共に、前記第1センサ電極に電気的に接続され、第1電極用第1導電層及び前記第1電極用第1導電層の端面と面一である第1電極用第2導電層とを備える第1電極と、
前記第2センサ電極に対応すると共に前記第2センサ電極に電気的に接続され、第2電極用第1導電層及び前記第2電極用第1導電層の端面と面一である第2電極用第2導電層とを備える第2電極と、
をさらに備え、
前記上層保護膜は、前記第1電極と前記第2電極との上面を各々露出する開口部をさらに備え、前記開口部から露出される前記第1電極の上面は前記第1電極用第1導電層であり、前記第2電極の上面は前記第2電極用第1導電層である、
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第1電極並びに前記第2電極に対応する前記上層保護膜の開口部は、周囲に段差を備える、
請求項4に記載の半導体装置。 - 前記第1電極の上面の外周部は、前記第1電極用第2導電層を介して前記上層保護膜と接しており、前記第2電極の上面の外周部は、前記第2電極用第2導電層を介して前記上層保護膜と接している、
請求項4または請求項5に記載の半導体装置。 - 前記第1センサ電極と前記第2センサ電極と前記第1電極と前記第2電極とは、絶縁層を介して前記半導体基板の主面上に形成されている、
請求項4から請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第1センサ電極と前記第2センサ電極とは制御部に接続され、
前記制御部は交流信号である前記入力信号を前記第1センサ電極に出力し、前記第2センサ電極から入力される前記出力信号と前記入力信号との位相差並びにインピーダンスの変化量により、土壌中の水分量を算出する、
請求項2に記載の半導体装置。 - 主面上にセンサ電極形成領域と前記センサ電極形成領域に隣接する実装電極形成領域とを備えた半導体基板を準備する工程と、
半導体基板の主面上に、第1導電層と第2導電層とが順に連続して積層された積層膜を形成する積層膜形成工程と、
前記積層膜をドライエッチングによりパターニングして、センサ電極を前記センサ電極形成領域に形成すると共に、実装電極を前記実装電極形成領域に形成する電極形成工程と、
前記主面と、前記センサ電極と前記実装電極との表面の外周と、を被覆すると共に、前記センサ電極の前記第2導電層を露出する開口部と前記実装電極の前記第2導電層を露出する開口部を有する上層保護膜を形成する上層保護膜形成工程と、
前記センサ電極の前記第2導電層を露出する開口部を被覆すると共に前記実装電極の前記第2導電層を露出する開口部を内包する領域を露出するマスクレイヤを形成するマスクレイヤ形成工程と、
前記マスクレイヤに応じた領域をエッチングすることで、前記実装電極の前記第2導電層を除去する第2導電層除去工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 前記電極形成工程は、前記センサ電極の前記第1導電層の端面と前記第2導電層の端面とを面一に形成することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2導電層除去工程は、前記実装電極の前記第2導電層を露出する開口部を内包する領域の境界に応じた段差を形成することを特徴とする請求項9または10に記載の半導体装置の製造方法。
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