JP2018008293A - サブマージアーク溶接方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】溶接ワイヤと焼結型フラックスを組み合わせて用いるサブマージアーク溶接方法において、前記溶接ワイヤが、溶接ワイヤ全質量に対する質量%で、Ni:50質量%以上、Cr:14.5〜16.5質量%、Mo:15.0〜17.0質量%、W:3.0〜4.5質量%、Fe:4.0〜7.0質量%、C:0.02質量%以下(0質量%を含まない)、Si:0.08質量%以下(0質量%を含まない)、Mn:1.0質量%以下(0質量%を含まない)、P:0.04質量%以下(0質量%を含まない)、S:0.03質量%以下(0質量%を含まない)、Cu:0.5質量%以下(0質量%を含まない)、V:0.35質量%以下(0質量%を含まない)、Co:2.5質量%以下(0質量%を含まない)、及びAl:0.1質量%以下(0質量%を含まない)を含有し、かつ、前記焼結型フラックスが、焼結型フラックス全質量に対する質量%で、Al2O3:35〜55質量%、SiO2:5〜25質量%、CaO:2〜10質量%、CaF2:25〜45質量%、及びNa2O:2〜4質量%を含有する、サブマージアーク溶接方法。
【選択図】なし
Description
前記溶接ワイヤが、溶接ワイヤ全質量に対する質量%で、
Ni:50質量%以上、
Cr:14.5〜16.5質量%、
Mo:15.0〜17.0質量%、
W:3.0〜4.5質量%、
Fe:4.0〜7.0質量%、
C:0.02質量%以下(0質量%を含まない)、
Si:0.08質量%以下(0質量%を含まない)、
Mn:1.0質量%以下(0質量%を含まない)、
P:0.04質量%以下(0質量%を含まない)、
S:0.03質量%以下(0質量%を含まない)、
Cu:0.5質量%以下(0質量%を含まない)、
V:0.35質量%以下(0質量%を含まない)、
Co:2.5質量%以下(0質量%を含まない)、及び
Al:0.1質量%以下(0質量%を含まない)を含有し、かつ、
前記焼結型フラックスが、焼結型フラックス全質量に対する質量%で、
Al2O3:35〜55質量%、
SiO2:5〜25質量%、
CaO:2〜10質量%、
CaF2:25〜45質量%、及び
Na2O:2〜4質量%を含有する、サブマージアーク溶接方法に関する。
まず、本実施形態のサブマージアーク溶接方法に用いられる溶接ワイヤ(以下、本実施形態の溶接ワイヤ、又は単にワイヤともいう)における各成分量の数値限定の理由について説明する。なお、本明細書において、質量を基準とする百分率(質量%)は、重量を基準とする百分率(重量%)と同義である。また、各成分の含有量について、「X質量%以下(0質量%を含まない)」であることを、「0超X質量%以下」と表すことがある。
本実施形態の溶接ワイヤの成分系は、Al以外の成分については、ハステロイC276系であるワイヤ規格AWS A5.14 ERNiCrMo−4に合致している。
Niは、溶接金属のマトリックスを構成する主要元素である。本実施形態では、溶接金属の靭性および延性を確保し、また、耐食性の低下を防ぐために、溶接ワイヤ中のNi含有量を50質量%以上とする。
Crは、酸化性酸に対する耐食性を向上させるために必要な元素であり、本実施形態では、その効果を十分に得るために、溶接ワイヤ中のCr含有量を14.5質量%以上とし、好ましくは15.0質量%以上とする。一方、多量に添加するとCr炭化物が析出して機械的性質が劣化するおそれがあることから、溶接ワイヤ中のCr含有量を16.5質量%以下とし、好ましくは16.0質量%以下とする。
MoをCrとともに含有することで、酸化性酸のみならず、非酸化性酸や塩類に対しても優れた耐食性を実現できる。本実施形態では、その効果を十分に得るために、溶接ワイヤ中のMo含有量を15.0質量%以上とし、好ましくは15.5質量%以上とする。一方、多量に添加するとNi等との金属間化合物の析出が顕著になり、機械的性質が劣化するおそれがあることから、溶接ワイヤ中のMo含有量を17.0質量%以下とし、好ましくは16.5質量%以下とする。
Wを添加すると、固溶体強化によりγ相が安定化し引張強度の向上が期待できる。本実施形態では、その効果を十分に得るために、溶接ワイヤ中のW含有量を3.0質量%以上とし、好ましくは3.5質量%以上とする。一方、Wを過度に添加すると、Wの濃化した偏析が生じ、靱性が低下する。また、ワイヤ加工性が難化する。したがって、本実施形態では、溶接ワイヤ中のW含有量を4.5質量%以下とし、好ましくは4.0質量%以下とする。
Ni合金に固溶したFeは、引張強度を向上させる効果を有する。本実施形態では、その効果を十分に得るために、溶接ワイヤ中のFe含有量を4.0質量%以上とし、好ましくは5.0質量%以上とする。一方、Feは低融点のラーベス相として粒界に析出し、多パス溶接時の再熱により再溶融して、粒界の再熱液化割れの原因となる。そのため、本実施形態では、溶接ワイヤ中のFe含有量を7.0質量%以下とし、好ましくは6.0質量%以下とする。
Ni合金中のCは固溶強化元素であり、引張強度の向上に有効である。しかしながら、Cの過剰な含有は、凝固割れの原因となるほか、溶接金属の低温靭性を低下させる。したがって、本実施形態では、溶接ワイヤ中のC含有量を0.02質量%以下とし、好ましくは0.01質量%以下とする。
Siは、脱酸剤として添加することによって、溶接金属において耐BH性を向上させる。しかしながら、多量に添加すると、耐高温割れ性が劣化する。したがって、本実施形態では、溶接ワイヤ中のSi含有量を0.08質量%以下とし、好ましくは0.05質量%以下とする。
Mnはγ相形成元素であり、マトリックスの強化に有効な元素であるが、Mnの過剰な添加は、スラグ剥離性の劣化の原因となる。したがって、本実施形態では、溶接ワイヤ中のMn含有量を1.0質量%以下とし、好ましくは0.7質量%以下とする。
Pは溶接金属の凝固時に粒界に偏析して、凝固割れの原因となる。したがって、本実施形態では、溶接ワイヤ中のP含有量を0.04質量%以下とし、好ましくは0.02質量%以下とする。
Sは、Pと同様に、溶接金属の凝固時に粒界に偏析して,凝固割れの原因となる。したがって、本実施形態では、溶接ワイヤ中のS含有量を0.03質量%以下とし、好ましくは0.01質量%以下とする。
Cuは、その添加によって耐食性を確保する効果が期待できるが、Cuの過剰な添加は溶接割れ感受性を高め、凝固割れや再熱割れの原因となる。したがって、本実施形態では、溶接ワイヤ中のCu含有量を0.5質量%以下とし、好ましくは0.1質量%以下とする。
Vは、γ相の安定化及び固溶体強化により強度を向上させることを期待して、0.35質量%以下、好ましくは0.1質量%以下であれば含有されることが許容される。
Coは、γ相の割合を増加させて強度を上昇させ、また、耐摩耗性を向上させることを期待して、2.5質量%以下、好ましくは1.0質量%以下であれば含有されることが許容される。
溶接金属の低温靭性を向上させるためには,溶接金属中のC含有量、Si含有量及びAl含有量を制限することが有効である。ここで、溶接ワイヤ中のC含有量とSi含有量が上記範囲に規制されている場合、溶接ワイヤ中のAl含有量を0.10質量%以下、好ましくは0.05質量%以下に規制することで、溶接金属の低温靭性を確保することができる。
本実施形態の溶接ワイヤのその他の成分としては、Ti、Mg、Nb、N等の不可避不純物がある。
つづいて、本実施形態のサブマージアーク溶接方法に用いられる焼結型フラックス(以下、本実施形態の焼結型フラックス、又は単にフラックスともいう)における各成分量の数値限定の理由について説明する。
本実施形態の焼結型フラックスは、焼結型フラックス全質量に対する質量%で、Al2O3:35〜55質量%、SiO2:5〜25質量%、CaO:2〜10質量%、CaF2:25〜45質量%、及びNa2O:2〜4質量%を含有する。
フラックス中のAl2O3は、スラグ形成剤として作用し、溶融スラグの凝固温度及び粘性を上げるのに有効な成分であると共に、スラグの剥離性を良好にする効果を有する。フラックス中のAl2O3含有量が35質量%未満では、横向溶接姿勢において溶融スラグのビード保持力不足となり、ビードの凹凸状態が顕著になる。したがって、本実施形態では、フラックス中のAl2O3含有量を35質量%以上とする。一方、フラックス中のAl2O3含有量が55質量%を超える場合は、スラグの粘性が高くなりすぎて流動性が悪くなるため、スラグ巻き込みが発生する。また、ビードの波目が粗くなる他、ポックマーク発生数が増える。したがって、本実施形態では、フラックス中のAl2O3含有量を55質量%以下とする。
フラックス中のSiO2は、溶融スラグの凝固温度を高くすると共に、ビードの保持力を高め、ビード形状を安定化させる効果がある。また、SiO2中のSiが溶接金属中に還元され、溶接金属中のSi値が高くなる効果がある。フラックス中のSiO2含有量が5質量%未満では溶融スラグのビード保持力不足のため、ビード形状が不安定となる。したがって、本実施形態では、フラックス中のSiO2含有量を5質量%以上とする。一方、SiO2含有量が25質量%を超えると、溶融スラグの粘性が高くなりすぎ、スラグの剥離性が悪化し、スラグ巻き込みが発生する。また、溶接金属中のSi値が高くなり低温靭性が劣化する。したがって、本実施形態では、フラックス中のSiO2含有量を25質量%以下とする。
フラックス中のCaF2は、アークを安定させると共に、スラグの粘性を高めてビード形状を良好にする効果を有する。また、フラックス中にCaF2を添加することにより、得られる溶接金属中の酸素量を低減して、低温靭性を向上させることが出来る。ただし、フラックス中のCaF2含有量が25質量%未満であると、これらの効果を十分に得ることが出来ない。したがって、本実施形態では、フラックス中のCaF2含有量を25質量%以上とする。一方、フラックス中のCaF2含有量が45質量%を超えると、アークが不安定になり、スラグの流動性が悪くなるので、スラグ巻き込みが発生する。したがって、本実施形態では、フラックス中のCaF2含有量を45質量%以下とする。
フラックス中のCaOは、スラグの塩基性を高めて、溶接金属の低温靭性を向上させる効果を有する成分である。ただし、フラックス中のCaO含有量が2質量%未満では、その効果を十分に得ることが出来ない。したがって、本実施形態では、フラックス中のCaO含有量を2質量%以上とする。一方、フラックス中のCaO含有量が10質量%を超えると、スラグの剥離性が著しく低下する。したがって、本実施形態では、フラックス中のCaO含有量を10質量%以下とする。
フラックス中のNa2Oは、アーク安定性を良好とすると共に、アークの集中性を高め、溶接金属中のスラグ巻き込みを防ぐ効果がある。フラックス中のNa2O含有量が2.0質量%未満では、特に横向溶接においてその効果が十分に得られない。したがって、本実施形態では、フラックス中のNa2O含有量を2.0質量%以上とする。一方、フラックス中のNa2Oが4.0質量%を超えると、スラグの剥離性が劣化する.したがって、本実施形態では、フラックス中のNa2O含有量を4.0質量%以下とする。
BaCO3、CaCO3等の炭酸塩をフラックス中から添加すると、溶接中にCO2が発生し、ビード表面でのポックマーク数が増加する。また、溶接金属中にて炭化物が形成され、低温靭性が劣化する。したがって、本実施形態によれば、フラックスは炭酸塩を実質的に含まないことが好ましい。なお、炭酸塩を実質的に含まないとは、意図的に炭酸塩を添加していないことを意味する。例えば、製造時に用いた原料に不純物として含まれている可能性はあるが、本発明に影響を及ぼさない範囲、例えば0.1質量%以下であれば、許容することができる。
金属脱酸成分であるAlおよびSiをフラックス中から添加すると、溶接金属中に還元されて金属間化合物が形成され、低温靭性が劣化する。したがって、本実施形態によれば、フラックスは金属脱酸成分であるAlおよびSiを実質的に含まないことが好ましい。なお、AlやSiを実質的に含まないとは、これらを意図的に添加していないことを意味する。例えば、製造時に用いた原料に不純物として含まれている可能性はあるが、本発明に影響を及ぼさない範囲、例えば0.1質量%以下であれば、許容することができる。また、Alには、Al単体の他、Fe−Al等の形態で添加されるAlも含まれる。さらに、Siには、Si単体の他、Fe−Si等の形態で添加されるSiも含まれる。
本実施形態のフラックスのその他の成分としては、フラックス原材料での不可避不純物であるP、S、Feおよび水分などがある。
Claims (4)
- 溶接ワイヤと焼結型フラックスを組み合わせて用いるサブマージアーク溶接方法において、
前記溶接ワイヤが、溶接ワイヤ全質量に対する質量%で、
Ni:50質量%以上、
Cr:14.5〜16.5質量%、
Mo:15.0〜17.0質量%、
W:3.0〜4.5質量%、
Fe:4.0〜7.0質量%、
C:0.02質量%以下(0質量%を含まない)、
Si:0.08質量%以下(0質量%を含まない)、
Mn:1.0質量%以下(0質量%を含まない)、
P:0.04質量%以下(0質量%を含まない)、
S:0.03質量%以下(0質量%を含まない)、
Cu:0.5質量%以下(0質量%を含まない)、
V:0.35質量%以下(0質量%を含まない)、
Co:2.5質量%以下(0質量%を含まない)、及び
Al:0.1質量%以下(0質量%を含まない)を含有し、かつ、
前記焼結型フラックスが、焼結型フラックス全質量に対する質量%で、
Al2O3:35〜55質量%、
SiO2:5〜25質量%、
CaO:2〜10質量%、
CaF2:25〜45質量%、及び
Na2O:2〜4質量%を含有する、サブマージアーク溶接方法。 - 前記焼結型フラックスが炭酸塩を実質的に含まないことを特徴とする、請求項1に記載のサブマージアーク溶接方法。
- 前記焼結型フラックスがAlおよびSiを実質的に含まないことを特徴とする、請求項1または2に記載のサブマージアーク溶接方法。
- 低温用鋼の溶接に適用される請求項1〜3のいずれか1項に記載のサブマージアーク溶接方法。
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